好，利于反應(yīng)的進(jìn)行，相對(duì)較低的壓強(qiáng)有利于將六氯乙硅烷與氫氣和氧氣反應(yīng)的成生物或者其他的殘留物隨氣流帶至機(jī)臺(tái)腔體夕卜，避免生成的物質(zhì)附著在機(jī)臺(tái)腔體的表面，實(shí)現(xiàn)對(duì)機(jī)臺(tái)腔體的凈化。
[0029]執(zhí)行步驟S3，先向機(jī)臺(tái)腔體中通入氧氣，通入氧氣的時(shí)間為15s?30s，使得機(jī)臺(tái)腔體中充入一定量的氧氣，防止后續(xù)通入氫氣時(shí)機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)發(fā)生爆炸。接著，向所述機(jī)臺(tái)腔體中同時(shí)通入氫氣和氧氣，通入的氫氣和氧氣與機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的六氯乙硅烷反應(yīng)，反應(yīng)過程為:
[0030]2Si2Cl6+6H2+302—>12HCL+Si+3Si02
[0031]因而，使得進(jìn)行PDALD過程中未反應(yīng)充分的六氯乙硅烷與氫氣和氧氣充分反應(yīng)，并且，相對(duì)較低的壓強(qiáng)下反應(yīng)生成物隨氣流帶至機(jī)臺(tái)腔體外，避免六氯乙硅烷在晶舟下降或是上升過程中與進(jìn)入到機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的空氣中的水汽反應(yīng)在腔體表面形成硅和氧化硅的殘留物，影響機(jī)臺(tái)腔體的性能。
[0032]在本實(shí)施例中，同時(shí)通入氫氣和氧氣的時(shí)間為60min-100min，使得六氯乙硅烷的反應(yīng)更加充分。之后，先停止向機(jī)臺(tái)腔體通入氫氣，只向機(jī)臺(tái)腔體中通入氧氣，通入氧氣的時(shí)間為15s?30s，最后再停止通入氧氣，使得機(jī)臺(tái)腔體中始終有一定量的氧氣，防止通入氫氣而導(dǎo)致機(jī)臺(tái)腔體的爆炸。
[0033]需要說明的是，通入的氫氣的流量為2slm-4slm，優(yōu)選為3slm，通入的氧氣的流量為3slm-5slm，優(yōu)選為4slm，該比例下的六氯乙娃燒與氫氣、氧氣反應(yīng)的更加充分。
[0034]既有技術(shù)中，一個(gè)維護(hù)周期(一個(gè)月)內(nèi)機(jī)臺(tái)的性能表現(xiàn)中，大、小顆微粒超標(biāo)率分別為13.9%、4.1%。而經(jīng)過本發(fā)明的凈化方法，一個(gè)維護(hù)周期(一個(gè)月)內(nèi)機(jī)臺(tái)的性能表現(xiàn)中，大、小顆微粒超標(biāo)率分別為5.3%,0.8%。由此可以看出，經(jīng)過本發(fā)明的凈化方法，可以大大減少機(jī)臺(tái)內(nèi)的大小顆粒等殘留物，改善機(jī)臺(tái)的性能，節(jié)省機(jī)臺(tái)維護(hù)中的人力物力，從而提尚工藝生廣效率。
[0035]可以理解的是，本發(fā)明中，在進(jìn)行PDALD工藝的過程中，預(yù)先對(duì)機(jī)臺(tái)的操作過程進(jìn)行程序設(shè)置，使得機(jī)臺(tái)可以按照預(yù)先設(shè)定的程序自動(dòng)執(zhí)行一系列操作，也就是說，晶圓的PDALD工藝完成之后，機(jī)臺(tái)自動(dòng)調(diào)用凈化的程式，即:對(duì)機(jī)臺(tái)進(jìn)行升溫、降壓、通入氧氣、同時(shí)通入氫氣和氧氣、停止通入氫氣、停止通入氧氣以及通入氮?dú)獾炔僮?。采用機(jī)臺(tái)自動(dòng)執(zhí)行程序的方式，有利于節(jié)省人力物力，并且，可以在PDALD工藝完成之后，使得機(jī)臺(tái)立即進(jìn)行凈化程式，從而保證機(jī)臺(tái)凈化的更徹底。
[0036]綜上所述，本發(fā)明的ALD機(jī)臺(tái)腔體的凈化方法，包括:提供晶圓，向所述機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)通入六氯乙硅烷，在所述晶圓上進(jìn)行原子層沉積工藝；對(duì)所述機(jī)臺(tái)腔體進(jìn)行降壓升溫；向所述機(jī)臺(tái)腔體同時(shí)通入氫氣和氧氣。向機(jī)臺(tái)腔體中同時(shí)通入氫氣和氧氣，使得進(jìn)行原子沉積的過程中未充分反應(yīng)的六氯乙娃燒在與氫氣和氧氣反應(yīng)，反應(yīng)生成物在相對(duì)較低的壓強(qiáng)下隨氣流帶至機(jī)臺(tái)腔體外，使得六氯乙硅烷不會(huì)與空氣中的水汽反應(yīng)生成硅和二氧化硅的副產(chǎn)物留在機(jī)臺(tái)腔體中，影響機(jī)臺(tái)的性能，從而避免殘留物對(duì)原子層沉積過程的影響。
[0037]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種ALD機(jī)臺(tái)腔體的凈化方法，其特征在于，包括: 提供晶圓，向所述機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)通入六氯乙硅烷，在所述晶圓上進(jìn)行原子層沉積工藝； 對(duì)所述機(jī)臺(tái)腔體進(jìn)行降壓升溫； 向所述機(jī)臺(tái)腔體同時(shí)通入氫氣和氧氣。2.如權(quán)利要求1所述的ALD機(jī)臺(tái)腔體的凈化方法，其特征在于，對(duì)所述機(jī)臺(tái)腔體進(jìn)行降壓升溫之后，向所述機(jī)臺(tái)腔體通入氫氣和氧氣之前，向所述機(jī)臺(tái)腔體通入氧氣。3.如權(quán)利要求1所述的ALD機(jī)臺(tái)腔體的凈化方法，其特征在于，向所述機(jī)臺(tái)腔體同時(shí)通入氫氣和氧氣之后，先停止通入氫氣，再停止通入氧氣。4.如權(quán)利要求3所述的ALD機(jī)臺(tái)腔體的凈化方法，其特征在于，停止通入氧氣之后，向所述機(jī)臺(tái)腔體中通入氮?dú)狻?.如權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的ALD機(jī)臺(tái)腔體的凈化方法，其特征在于，向機(jī)臺(tái)腔體同時(shí)通入氫氣和氧氣時(shí)，通入的氫氣的流量為2slm_4slm。6.如權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的ALD機(jī)臺(tái)腔體的凈化方法，其特征在于，向機(jī)臺(tái)腔體同時(shí)通入氫氣和氧氣時(shí)，通入的氧氣的流量為3slm_5slm。7.如權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的ALD機(jī)臺(tái)腔體的凈化方法，其特征在于，同時(shí)通入氫氣和氧氣的時(shí)間為60min-100min。8.如權(quán)利要求1所述的ALD機(jī)臺(tái)腔體的凈化方法，其特征在于，對(duì)晶圓進(jìn)行原子層沉積時(shí)，所述機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的溫度為500°C -600°C。9.如權(quán)利要求8所述的ALD機(jī)臺(tái)腔體的凈化方法，其特征在于，將所述機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的溫度升為 600 °C -800 °C。10.如權(quán)利要求1所述的ALD機(jī)臺(tái)腔體的凈化方法，其特征在于，對(duì)晶圓進(jìn)行原子層沉積時(shí)，所述機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的壓力為0，4Torr-0.6Torr。11.如權(quán)利要求10所述的ALD機(jī)臺(tái)腔體的凈化方法，其特征在于，將所述機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的壓力降為 1.0Torr-3.0Torr012.如權(quán)利要求1所述的ALD機(jī)臺(tái)腔體的凈化方法，其特征在于，所述晶圓完成原子沉積工藝后，機(jī)臺(tái)自動(dòng)執(zhí)行升溫降壓以及同時(shí)通入氫氣和氧氣的操作。
【專利摘要】本發(fā)明的ALD機(jī)臺(tái)腔體的凈化方法，包括：提供晶圓，向所述機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)通入六氯乙硅烷，在所述晶圓上進(jìn)行原子層沉積工藝；對(duì)所述機(jī)臺(tái)腔體進(jìn)行降壓升溫；向所述機(jī)臺(tái)腔體同時(shí)通入氫氣和氧氣。本發(fā)明中，向機(jī)臺(tái)腔體中同時(shí)通入氫氣和氧氣，使得進(jìn)行原子沉積的過程中未充分反應(yīng)的六氯乙硅烷與氫氣和氧氣反應(yīng)，反應(yīng)生成物在相對(duì)較低的壓強(qiáng)下隨氣流帶至機(jī)臺(tái)腔體外，使得六氯乙硅烷不會(huì)與空氣中的水汽反應(yīng)生成硅和二氧化硅的副產(chǎn)物留在機(jī)臺(tái)腔體中，影響機(jī)臺(tái)性能，從而避免機(jī)臺(tái)中的殘留物對(duì)原子層沉積過程的影響。
【IPC分類】C23C16/44
【公開號(hào)】CN104911562
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510229506
【發(fā)明人】余先濤, 周夏, 辛科
【申請(qǐng)人】武漢新芯集成電路制造有限公司
【公開日】2015年9月16日
【申請(qǐng)日】2015年5月7日