一種集成電路陶瓷基片材料及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于陶瓷材料領(lǐng)域，涉及一種陶瓷基片材料及其制備方法，具體是涉及一 種集成電路陶瓷基片材料及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 集成電路用陶瓷基片需要與集成電路上的其他元器件的電學(xué)性質(zhì)、物理性質(zhì)、化 學(xué)性質(zhì)相匹配。例如其需要具有良好的導(dǎo)熱性能，若用于集成電路的陶瓷基片并不具備較 好的導(dǎo)熱性能，在集成電路的工作中，大量的熱量長(zhǎng)時(shí)間的蓄積會(huì)導(dǎo)致集成電路的損毀。用 于集成電路的除了需要具備較高的導(dǎo)熱性能外，陶瓷基片還需要具有耐高溫、電絕緣性能 高、介電常數(shù)和介質(zhì)損耗低、化學(xué)穩(wěn)定性好、與元件的熱膨脹系數(shù)相近等特點(diǎn)。
[0003] 在提高集成電路用陶瓷基片的導(dǎo)熱性能的同時(shí)，盡可能的降低陶瓷基片的介電常 數(shù)，是目前的一個(gè)研宄的熱點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 要解決的技術(shù)問(wèn)題：用于集成電路的陶瓷基片需要就有較低的介電常數(shù)，較好的 導(dǎo)熱性能，具備上述良好特性的陶瓷材料才能適用于集成電路中，而常規(guī)的用于集成電路 的陶瓷基片的介電常數(shù)過(guò)大，并且其導(dǎo)熱性能也較低，因此需要有效的降低陶瓷基片材料 的介電常數(shù)，提高陶瓷基片材料的導(dǎo)熱性能。
[0005] 技術(shù)方案：本發(fā)明公開(kāi)了一種集成電路陶瓷基片材料及其制備方法，所述的集成 電路陶瓷基片材料由以下成分按照重量比組成：
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種集成電路陶瓷基片材料，其特征在于所述的集成電路陶瓷基片材料由以下成分 按照重量比組成：
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種集成電路陶瓷基片材料，其特征在于所述的集成電路陶 瓷基片材料由以下成分按照重量比組成：
3. -種集成電路陶瓷基片材料的制備方法，其特征在于所述的集成電路陶瓷基片材料 的制備方法包括以下步驟： (1) 分別按重量取三氧化二鋁15-40份、莫來(lái)石8-18份、碳化硅5-12份、氧化鈹3-7 份、氧化鈣6-13份、碳化鋯3-7份、氧化鎂4-10份、氮化鉭2-5份；將上述的成分混合后進(jìn) 行球磨，球磨機(jī)轉(zhuǎn)速為100rpm-200rpm，球磨時(shí)間為3h_6h; (2) 球磨后將步驟（1)的粉末材料進(jìn)行冷壓制成型，壓制成型壓力為120MPa-150MPa， 壓制時(shí)間為2h; (3) 將壓制成型后的粉末材料進(jìn)行梯度溫度燒結(jié)，將步驟（2)壓制成型后的陶瓷材料 投入高溫?zé)Y(jié)爐中，首先將高溫?zé)Y(jié)爐溫度升高為800-830°C，在該溫度下燒結(jié)3h;再將高 溫?zé)Y(jié)爐溫度升高至950-1000°C，在該溫度下燒結(jié)3h;最后再將高溫?zé)Y(jié)爐溫度升高為 1050-1100°C，在該溫度下燒結(jié)3h;冷卻，為制備的集成電路陶瓷基片材料。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種集成電路陶瓷基片材料的制備方法，其特征在于所述的 集成電路陶瓷基片材料的制備方法中球磨機(jī)轉(zhuǎn)速為150rpm，球磨時(shí)間為4h。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種集成電路陶瓷基片材料的制備方法，其特征在于所述的 集成電路陶瓷基片材料的制備方法中壓制成型壓力為140MPa。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種集成電路陶瓷基片材料的制備方法，其特征在于所述的 集成電路陶瓷基片材料的制備方法中首先將高溫?zé)Y(jié)爐溫度升高為810°C，再將高溫?zé)Y(jié) 爐溫度升高至980°C，在該溫度下燒結(jié)3h;最后再將高溫?zé)Y(jié)爐溫度升高為1080°C。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種集成電路陶瓷基片材料及其制備方法，所述的集成電路陶瓷基片材料包括三氧化二鋁、莫來(lái)石、碳化硅、氧化鈹、氧化鈣、碳化鋯、氧化鎂、氮化鉭。所述材料的制備方法包括以下步驟：(1)將上述的成分混合后進(jìn)行球磨；(2)球磨后將步驟(1)的粉末材料進(jìn)行冷壓制成型；(3)將壓制成型后的粉末材料進(jìn)行梯度溫度燒結(jié)，將步驟(2)壓制成型后的陶瓷材料投入高溫?zé)Y(jié)爐中，首先將高溫?zé)Y(jié)爐溫度升高為800-830℃，在該溫度下燒結(jié)3h；再將高溫?zé)Y(jié)爐溫度升高至950-1000℃，在該溫度下燒結(jié)3h；最后再將高溫?zé)Y(jié)爐溫度升高為1050-1100℃，在該溫度下燒結(jié)3h；冷卻，為制備的陶瓷基片材料。
【IPC分類】C04B35-10, C04B35-622
【公開(kāi)號(hào)】CN104710165
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510101055
【發(fā)明人】費(fèi)金華
【申請(qǐng)人】吳江華誠(chéng)復(fù)合材料科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年6月17日
【申請(qǐng)日】2015年3月6日