本說明書涉及晶體陣列領(lǐng)域，特別涉及一種晶體的光輸出調(diào)控方法、晶體陣列及其組裝方法。

背景技術(shù)：

1、閃爍晶體是指在放射線或原子核粒子作用下發(fā)出可見光或者紫外光等閃爍光的晶體材料。閃爍晶體廣泛用于核醫(yī)學(xué)，如x射線斷層掃描(xct)、正電子發(fā)射斷層掃描(pet)，核探測(cè)技術(shù)如工業(yè)斷層掃描(工業(yè)ct)、油井勘探、核物理、高能物理、環(huán)境檢測(cè)、安全檢測(cè)，武器裝備火控、制導(dǎo)等領(lǐng)域。

2、由于晶體的生長過程、加工過程等存在差別，同一類型的閃爍晶體的不同個(gè)體之間的光輸出值存在差異。并且，即使對(duì)晶體的生長過程和加工過程進(jìn)行嚴(yán)格限制，同一類型的閃爍晶體的不同個(gè)體之間也會(huì)存在差異。例如，對(duì)于一根晶棒而言，在將其切割為多根晶條后，對(duì)應(yīng)該晶棒的邊緣位置的晶條和對(duì)應(yīng)該晶棒的中間位置的晶條的光輸出值可能出現(xiàn)0.02％-3.5％的偏差，而對(duì)應(yīng)該晶棒的首端位置的晶條和對(duì)應(yīng)該晶棒的尾端位置的晶條的光輸出值的偏差可能更大，如，可能達(dá)到1％-10％。因此，在閃爍晶體的實(shí)際使用過程中，如何對(duì)閃爍晶體的光輸出值進(jìn)行調(diào)控，是本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本說明書一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例提供一種晶體的光輸出調(diào)控方法，所述方法包括：確定初始晶體的初始光輸出值；確定所述初始晶體的目標(biāo)光輸出值；基于所述初始光輸出值和所述目標(biāo)光輸出值，對(duì)所述初始晶體的至少一個(gè)外表面進(jìn)行改變表面粗糙度的加工，以使得所述初始晶體的實(shí)際光輸出值由所述初始光輸出值改變到所述目標(biāo)光輸出值，改變表面粗糙度的加工后的所述至少一個(gè)外表面的表面粗糙度ra在0.001μm-0.1μm的范圍內(nèi)。

2、本說明書一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例提供一種晶體的光輸出調(diào)控系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括控制器和加工設(shè)備，所述控制器被配置為：獲取所述初始晶體的初始光輸出值；確定所述初始晶體的目標(biāo)光輸出值；所述加工設(shè)備被配置為：基于所述初始光輸出值和所述目標(biāo)光輸出值，對(duì)所述初始晶體的至少一個(gè)外表面進(jìn)行改變表面粗糙度的加工，以使得所述初始晶體的實(shí)際光輸出值由所述初始光輸出值改變到所述目標(biāo)光輸出值，改變表面粗糙度的加工后的所述至少一個(gè)外表面的表面粗糙度ra在0.001μm-0.1μm的范圍內(nèi)。

3、本說明書一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例提供一種晶體陣列組裝方法，所述方法包括：將多個(gè)目標(biāo)晶體呈陣列排布，以形成晶體陣列；確定多個(gè)所述初始晶體中各個(gè)所述初始晶體的初始光輸出值；基于各個(gè)所述初始晶體的所述初始光輸出值，確定各個(gè)所述初始晶體對(duì)應(yīng)的目標(biāo)光輸出值；基于所述初始光輸出值和所述目標(biāo)光輸出值，對(duì)多個(gè)所述初始晶體中一個(gè)或多個(gè)所述初始晶體的至少一個(gè)外表面進(jìn)行改變表面粗糙度的加工，使得每個(gè)所述初始晶體的實(shí)際光輸出值均達(dá)到對(duì)應(yīng)的所述目標(biāo)光輸出值，以形成所述多個(gè)目標(biāo)晶體。

4、本說明書一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例提供一種晶體陣列，所述晶體陣列通過上述實(shí)施例中的晶體陣列組裝方法進(jìn)行組裝。

技術(shù)特征：

1.一種晶體的光輸出調(diào)控方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，基于所述初始光輸出值和所述目標(biāo)光輸出值，對(duì)所述初始晶體的一個(gè)或多個(gè)側(cè)表面進(jìn)行改變表面粗糙度的加工，包括：

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，基于所述初始光輸出值和所述目標(biāo)光輸出值，對(duì)所述初始晶體的一個(gè)或多個(gè)側(cè)表面進(jìn)行改變表面粗糙度的加工，包括：

4.一種晶體的光輸出調(diào)控系統(tǒng)，其特征在于，包括控制器和加工設(shè)備，

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述初始晶體為閃爍晶體，且所述初始晶體包括lu、si、y、ca、mg、al、ga、sc、in、la、br、ba、s、sn、zn、zr、hf、cd、pb、eu、ce、bi、ge、i、na、cs、cu中的至少兩種。

6.一種晶體陣列組裝方法，其特征在于，所述方法包括：

7.權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，任一所述目標(biāo)晶體的任意兩個(gè)側(cè)表面的表面粗糙度ra的差值均小于0.15μm。

8.權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，任意兩個(gè)所述初始晶體對(duì)應(yīng)的所述目標(biāo)光輸出值的差值，小于該兩個(gè)所述初始晶體中任意一個(gè)的所述目標(biāo)光輸出值的10％。

9.一種晶體陣列，其特征在于，所述晶體陣列通過權(quán)利要求6-8中任一項(xiàng)所述的方法進(jìn)行組裝。

10.如權(quán)利要求9所述的晶體陣列，其特征在于，所述晶體陣列中的所述目標(biāo)晶體中包含三價(jià)態(tài)的ce元素和四價(jià)態(tài)的ce元素；所述晶體陣列中至少兩個(gè)所述目標(biāo)晶體中三價(jià)態(tài)的ce元素與四價(jià)態(tài)的ce元素的含量的比例不同；

技術(shù)總結(jié)
本說明書實(shí)施例提供一種晶體的光輸出調(diào)控方法、晶體陣列及其組裝方法。所述晶體的光輸出調(diào)控方法包括：確定初始晶體的初始光輸出值；確定初始晶體的目標(biāo)光輸出值；基于初始光輸出值和目標(biāo)光輸出值，對(duì)初始晶體的至少一個(gè)外表面進(jìn)行改變表面粗糙度的加工，以使得初始晶體的實(shí)際光輸出值由初始光輸出值改變到目標(biāo)光輸出值，改變表面粗糙度的加工后的初始晶體的至少一個(gè)外表面的表面粗糙度Ra在0.001μm?0.1μm的范圍內(nèi)。所述晶體陣列組裝方法包括將多個(gè)目標(biāo)晶體呈陣列排布，以形成晶體陣列。

技術(shù)研發(fā)人員：王宇,官偉明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：眉山博雅新材料股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23