1.一種多次形核鑄造高效多晶硅錠及硅片技術(shù)，其特征在于，包括以下具體步驟：
A、準(zhǔn)備保護(hù)層：準(zhǔn)備氮化硅粉料，攪拌均勻，預(yù)熱鑄錠坩堝，并將攪拌均勻的氮化硅粉料噴涂于鑄錠坩堝的內(nèi)壁上，隨后再次加熱鑄錠坩堝，將鑄錠坩堝內(nèi)壁上的氮化硅粉料燒結(jié)，形成保護(hù)層；
B、裝料：將形核原料裝填于鑄錠坩堝內(nèi)；
C、清洗多晶硅錠爐：在鑄錠過(guò)程中，多晶硅錠爐的爐膛內(nèi)會(huì)吸附大量氧化物，首先使用吸塵器吸除爐膛內(nèi)大部分氧化物，隨后少量噴灑無(wú)水酒精，并伴隨擦拭，清除爐膛內(nèi)的剩余氧化物；
D、投料：使用行車(chē)等輸送設(shè)備將步驟B中裝料好的鑄錠坩堝放入多晶硅錠爐內(nèi)；
E、加熱、熔煉：?jiǎn)?dòng)多晶硅錠爐，對(duì)鑄錠坩堝進(jìn)行加熱，將鑄錠坩堝內(nèi)形核原料融化，形成硅溶液，硅溶液溫度控制在溫度n1，所述n1為1530℃~1560℃；
F、長(zhǎng)晶準(zhǔn)備：等硅原料完全融化完畢，保溫10~30分鐘；
G、長(zhǎng)晶：以預(yù)算的長(zhǎng)晶高度為H，實(shí)際長(zhǎng)晶為h1，長(zhǎng)晶階段分為三階：
1、第一長(zhǎng)晶階段：0＜h1＜0.4*H，啟動(dòng)多晶硅錠爐內(nèi)部的DS冷卻快，對(duì)鑄錠坩堝進(jìn)行冷卻，進(jìn)行長(zhǎng)晶，硅溶液溫度控制在溫度n2；
2、第二長(zhǎng)晶階段：h1=0.4*H~0.5*H，通過(guò)設(shè)置于多晶硅錠爐上的真空補(bǔ)料系統(tǒng)，向鑄錠坩堝內(nèi)補(bǔ)送輔助冷卻劑，對(duì)硅溶液進(jìn)行快速降溫，進(jìn)行一次形核優(yōu)化，隨后硅溶液溫度提升，繼續(xù)長(zhǎng)晶，此時(shí)硅溶液溫度控制在溫度n3；
3、第三長(zhǎng)晶階段：h1=0.65*H~0.7*H，通過(guò)設(shè)置于多晶硅錠爐上的真空補(bǔ)料系統(tǒng)，向鑄錠坩堝內(nèi)補(bǔ)送輔助冷卻劑，對(duì)硅溶液進(jìn)行快速降溫，進(jìn)行二次形核優(yōu)化，隨后繼續(xù)長(zhǎng)晶，直至長(zhǎng)晶完成，硅溶液溫度控制在溫度n4；
H、出爐：關(guān)閉多晶硅錠爐，等多晶硅錠爐內(nèi)部溫度降低，隨后泄壓，最后用行車(chē)等輸送設(shè)備將鑄錠坩堝取出，鑄錠出爐。
2.如權(quán)利要求1所述的一種多次形核鑄造高效多晶硅錠及硅片技術(shù)，其特征在于，所述n2為1415℃~1420℃，所述n3為1410℃~1415℃，所述n4為1405℃~1412℃。
3.如權(quán)利要求1所述的一種多次形核鑄造高效多晶硅錠及硅片技術(shù)，其特征在于，所述真空補(bǔ)料系統(tǒng)包括抽真空設(shè)備、加料腔、石英導(dǎo)流管和控制閥，所述抽真空設(shè)備、石英導(dǎo)流管均與加料腔聯(lián)通，抽真空設(shè)備連接于加料腔上端，石英導(dǎo)流管連接于加料腔下端，控制閥設(shè)置于石英導(dǎo)流管上，控制石英導(dǎo)流管輸送輔助冷卻劑，石英導(dǎo)流管的下端插入多晶硅錠爐內(nèi)，位于鑄錠坩堝的上方。
4.如權(quán)利要求1所述的一種多次形核鑄造高效多晶硅錠及硅片技術(shù)，其特征在于，所述輔助冷卻劑為REC生產(chǎn)的4021系列顆粒硅料或尺寸10MM以下的小塊原生純多晶硅。
5.如權(quán)利要求1所述的一種多次形核鑄造高效多晶硅錠及硅片技術(shù)，其特征在于，所述步驟A中的燒結(jié)溫度為800℃~1100℃。
6.如權(quán)利要求1所述的一種多次形核鑄造高效多晶硅錠及硅片技術(shù)，其特征在于，所述在第二長(zhǎng)晶階段和第三長(zhǎng)晶階段中，每次添加的輔助冷卻劑的量相同，每次添加輔助冷卻劑與形核原料的重量比為0.11~0.12%。