1.一種三層材料套封結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述套封結(jié)構(gòu)由銅柱、陶瓷環(huán)及不銹鋼座組成，所述銅柱為材質(zhì)為銅的柱狀結(jié)構(gòu)，所述陶瓷環(huán)為材質(zhì)為陶瓷的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述不銹鋼座為材質(zhì)為不銹鋼的桶狀結(jié)構(gòu)；
所述銅柱的下端與陶瓷環(huán)的中心孔間隙配合，陶瓷環(huán)的下端與不銹鋼座的桶狀空間間隙配合，銅柱與陶瓷環(huán)、陶瓷環(huán)與不銹鋼座均采用釬焊固定連接；
所述銅柱的上端面高于不銹鋼座的上端面，銅柱與陶瓷環(huán)之間的釬焊縫與不銹鋼座之間具有間隙，陶瓷環(huán)與不銹鋼座之間的釬焊縫與銅柱之間具有間隙，銅柱與不銹鋼座之間具有間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三層材料套封結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述銅柱呈階梯軸狀，陶瓷環(huán)的上端與銅柱上的軸肩接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種三層材料套封結(jié)構(gòu)，其特征在于，銅柱上與陶瓷環(huán)端部接觸的軸肩上還設(shè)置有限位環(huán)或至少兩個限定凸臺；
所述限位環(huán)為相對于該軸肩外凸的環(huán)狀筒，所述環(huán)狀筒的軸線與銅柱的軸線共線，且環(huán)狀筒的內(nèi)圈直徑與陶瓷環(huán)上端的內(nèi)圈直徑相等；
所述限位凸臺環(huán)形均布于以銅柱的軸線為中心線的圓環(huán)上，所述圓環(huán)的內(nèi)徑與陶瓷環(huán)上端的內(nèi)圈直徑相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三層材料套封結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述不銹鋼座上還設(shè)置有排氣孔，所述排氣孔用于銅柱、陶瓷環(huán)、不銹鋼座三者圍成的空間與外界的均壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三層材料套封結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述不銹鋼座的底面上設(shè)置有用于限定陶瓷環(huán)在不銹鋼座徑向上位置的徑向位置限定部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項所述的一種三層材料套封結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述陶瓷環(huán)為等徑環(huán)，銅柱下端與陶瓷環(huán)配合的部分各點直徑相等，不銹鋼座上與陶瓷環(huán)配合的桶狀空間各點內(nèi)徑相等；
在釬焊之前，定義銅柱外徑為A，陶瓷環(huán)的內(nèi)徑為B，陶瓷環(huán)的外徑為C，不銹鋼內(nèi)徑為D，釬焊溫度為T，銅柱、陶瓷環(huán)、不銹鋼座三者中，分別對應(yīng)的銅的平均線脹系數(shù)為α1；陶瓷的平均線脹系數(shù)為α2，不銹鋼的平均線脹系數(shù)為α3，則A與B之間的關(guān)系為：B=A+AT(α2-α1)+E；D=C+F；其中，E、F為常數(shù)補償值，E、F取值范圍均介于0.05-0.2mm之間。
7.一種三層材料套封結(jié)構(gòu)的成型方法，其特征在于，該方法用于如權(quán)利要求1所述的三層材料套封結(jié)構(gòu)的制造，包括順序進行的以下步驟：
S1、加工出預(yù)定尺寸的銅柱、陶瓷環(huán)及不銹鋼座；
S2、對銅柱、陶瓷環(huán)及不銹鋼座進行裝配，保證三者在釬焊前相互之間的位置關(guān)系；
S3、在步驟S2中或步驟S2完成之后，在銅柱與陶瓷環(huán)之間的間隙內(nèi)，以及陶瓷環(huán)與不銹鋼座的間隙內(nèi)填充釬料；
S4、進行釬焊；
其中，步驟S1中對陶瓷環(huán)進行陶瓷金屬化處理，在步驟S4中采用分段式加熱真空釬焊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種三層材料套封結(jié)構(gòu)的成型方法，其特征在于，在步驟S1中還包括對得到的預(yù)定尺寸的銅柱、陶瓷環(huán)及不銹鋼座進行清洗的工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種三層材料套封結(jié)構(gòu)的成型方法，其特征在于，在步驟S3中對銅柱、陶瓷環(huán)及不銹鋼座進行裝配時，三者的相互位置關(guān)系遵循以下原則：在釬焊之前，定義銅柱外徑為A，陶瓷環(huán)的內(nèi)徑為B，陶瓷環(huán)的外徑為C，不銹鋼內(nèi)徑為D，釬焊溫度為T，銅柱、陶瓷環(huán)、不銹鋼座三者中，分別對應(yīng)的銅的平均線脹系數(shù)為α1；陶瓷的平均線脹系數(shù)為α2，不銹鋼的平均線脹系數(shù)為α3，則A與B之間的關(guān)系為：B=A+AT(α2-α1)+E；D=C+F；其中，E、F為常數(shù)補償值，E、F取值范圍均介于0.05-0.2mm之間；其中，所述陶瓷環(huán)為等徑環(huán)，銅柱下端與陶瓷環(huán)配合的部分各點直徑相等，不銹鋼座上與陶瓷環(huán)配合的桶狀空間各點內(nèi)徑相等。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9中任意一項所述的一種三層材料套封結(jié)構(gòu)的成型方法，其特征在于，步驟S4的釬焊方式為：采用絲狀A(yù)gCu28釬料，并將釬料彎曲成環(huán)狀填充于對應(yīng)間隙內(nèi)，在真空條件下，對填充有釬料的套封結(jié)構(gòu)采用多級逐漸升溫加熱機制，待釬料溶化后，對套封結(jié)構(gòu)采用爐冷的方式冷卻；
所述多級逐漸升溫加熱機制包括順序進行的第一升溫階段、第一保溫階段、第二升溫階段、第二保溫階段、第三升溫階段、第三保溫階段；
所述第一升溫階段為在t1分鐘內(nèi)，使填充有釬料的套封結(jié)構(gòu)勻速升溫至T1℃，所述第一保溫階段為將處于T1℃的填充有釬料的套封結(jié)構(gòu)保溫t2分鐘；
所述第二升溫階段為在t3分鐘內(nèi)，使填充有釬料的套封結(jié)構(gòu)勻速升溫至T2℃，所述第二保溫階段為將處于T2℃的填充有釬料的套封結(jié)構(gòu)保溫t4分鐘；
所述第三升溫階段為在t5分鐘內(nèi)，使填充有釬料的套封結(jié)構(gòu)勻速升溫至T3℃，所述第二保溫階段為將處于T3℃的填充有釬料的套封結(jié)構(gòu)保溫t6分鐘；
其中，t1的取值介于30-50之間，t2的取值介于5-15之間，t3的取值介于10-30之間，t4的取值介于10-20之間，t5的取值介于5-15之間；t6的取值介于5-10之間；
其中，T1的取值介于450-550之間，T2的取值介于700-800之間，T3的取值介于820-850之間。