具有新型底盤的氯化氫合成爐的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種具有新型底盤的氯化氫合成爐，屬于化工設(shè)備領(lǐng)域。所述具有新型底盤的氯化氫合成爐包括石墨底盤、與所述石墨底盤連接的石墨爐體；所述石墨底盤包括設(shè)置于所述石墨底盤上中心位置設(shè)置有燈頭座安裝孔、設(shè)置在所述石墨底盤內(nèi)的環(huán)形空腔、與所述環(huán)形空腔連通的進(jìn)水流道、與所述進(jìn)水流道對(duì)應(yīng)的回水流道、設(shè)置在所述石墨底盤上端面的環(huán)形導(dǎo)流槽、貫穿于石墨底盤上下端面設(shè)置的排酸孔。本實(shí)用新型使用時(shí)，循環(huán)冷卻水通過進(jìn)水流道進(jìn)入環(huán)形空腔，由回水流道流出，帶走底盤上的熱量，避免底盤溫度過高造成爆裂；環(huán)形石墨底盤的上端面設(shè)有環(huán)形導(dǎo)流槽，絕大多數(shù)的冷凝酸通過導(dǎo)流槽進(jìn)入排酸孔，由排酸孔排出合成爐外統(tǒng)一收集處理，不會(huì)造成環(huán)境的污染。
【專利說明】具有新型底盤的氯化氫合成爐

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及化工設(shè)備領(lǐng)域，特別涉及一種具有新型底盤的氯化氫合成爐。

【背景技術(shù)】
[0002]氯化氫合成爐用于將氯氣、氫氣燃燒制得氯化氫氣體，其在反應(yīng)時(shí)放出大量的熱，爐內(nèi)溫度超過2000°C。
[0003]傳統(tǒng)的氯化氫合成爐底盤為環(huán)形實(shí)心結(jié)構(gòu)，用于支承石墨筒體并固定石英燈頭座，爐內(nèi)的氯化氫氣體在上升過程中遇到爐內(nèi)換熱塊冷卻后，部分氯化氫氣體直接冷凝形成冷凝酸，落在石墨底盤內(nèi)，然后從石墨底盤上開有排酸口排出。傳統(tǒng)的排酸結(jié)構(gòu)直接是在石墨底盤上鉆垂直通孔。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題:
[0005]底盤散熱性差，當(dāng)爐體內(nèi)溫度過高時(shí)易引起爆裂。由于石墨底盤的中心設(shè)石英燈頭座安裝孔，冷凝酸易從石墨底盤的石英燈頭座安裝孔內(nèi)壁與石英燈座之間的縫隙流出地面，不經(jīng)排酸口排出收集，造成環(huán)境的污染。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種具有新型底盤的氯化氫合成爐。所述技術(shù)方案如下:
[0007]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種具有新型底盤的氯化氫合成爐，所述具有新型底盤的氯化氫合成爐包括石墨底盤、與所述石墨底盤連接的石墨爐體；
[0008]所述石墨底盤包括設(shè)置于所述石墨底盤上中心位置設(shè)置有燈頭座安裝孔、設(shè)置在所述石墨底盤內(nèi)的環(huán)形空腔、與所述環(huán)形空腔連通的進(jìn)水流道、與所述進(jìn)水流道對(duì)應(yīng)的回水流道、設(shè)置在所述石墨底盤上端面的環(huán)形導(dǎo)流槽、貫穿于石墨底盤上下端面設(shè)置的排酸孔。
[0009]具體地，所述排酸孔設(shè)置在所述環(huán)形導(dǎo)流槽的底部，并貫穿所述石墨底盤上下端面。
[0010]具體地，所述進(jìn)水流道具有若干個(gè)，分別平行設(shè)置在所述石墨底盤的一側(cè)。
[0011]具體地，所述回水流道具有若干個(gè)，分別平行設(shè)置在所述石墨底盤的另一側(cè)。
[0012]具體地，所述石墨爐體底部設(shè)置有下集水箱、與下集水箱相鄰設(shè)置的進(jìn)水短節(jié)；
[0013]所述石墨爐體內(nèi)設(shè)置有下弧板、內(nèi)盤管、擋板；
[0014]所述石墨爐體頂部設(shè)置有上弧板、上集水箱、與上集水箱相鄰設(shè)置的出水短節(jié)；
[0015]所述下弧板、所述內(nèi)盤管、所述上弧板組合在一起就形成三級(jí)緩沖弧。
[0016]具體地，所述內(nèi)盤管具有R=2000mm的部分弧形，所述下弧板、所述上弧板具有R=200mm的弧形。
[0017]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0018]使用時(shí)，循環(huán)冷卻水通過進(jìn)水流道進(jìn)入環(huán)形空腔，由回水流道流出，迅速帶走底盤上的熱量，避免底盤溫度過高造成爆裂；環(huán)形石墨底盤的上端面設(shè)有環(huán)形導(dǎo)流槽，絕大多數(shù)的冷凝酸通過該導(dǎo)流槽進(jìn)入排酸孔，由排酸孔排出合成爐外統(tǒng)一收集處理，不會(huì)造成環(huán)境的污染。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的具有新型底盤的氯化氫合成爐的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的石墨底盤的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0022]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0023]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種具有新型底盤的氯化氫合成爐，參見圖1，所述具有新型底盤的氯化氫合成爐包括石墨底盤1、與石墨底盤I連接的石墨爐體2。
[0024]具體地，參見圖2，石墨底盤I為環(huán)形底盤，石墨底盤I包括設(shè)置于石墨底盤I上中心位置設(shè)置有燈頭座安裝孔11、設(shè)置在石墨底盤I內(nèi)的環(huán)形空腔12、與環(huán)形空腔12連通的進(jìn)水流道13、與進(jìn)水流道13對(duì)應(yīng)的回水流道14、設(shè)置在石墨底盤I上端面的環(huán)形導(dǎo)流槽15、貫穿石墨底盤I上下端面設(shè)置的排酸孔16。
[0025]進(jìn)一步地，進(jìn)水流道13具有若干個(gè)，分別設(shè)置平行設(shè)置在底盤I的一側(cè)?；厮鞯?4具有若干個(gè)，分別設(shè)置平行設(shè)置在底盤I的另一側(cè)。循環(huán)冷卻水通過數(shù)道平行設(shè)置的進(jìn)水流道13快速進(jìn)入環(huán)形空腔12內(nèi)，帶走底盤I的熱量后從回水流道14排出，迅速降溫，避免底盤I爆裂。
[0026]進(jìn)一步地，排酸孔16設(shè)置在環(huán)形導(dǎo)流槽15的底部，并貫穿石墨底盤I上下端面。當(dāng)氯化氫合成爐內(nèi)的氯化氫氣體部分冷凝成冷凝酸后落下，匯聚到環(huán)形導(dǎo)流槽15內(nèi)，通過排酸孔16排出爐體外，再統(tǒng)一收集處理。
[0027]具體地，石墨爐體2底部設(shè)置有下集水箱21、與下集水箱21相鄰設(shè)置的進(jìn)水短節(jié)22，石墨爐體2內(nèi)設(shè)置有下弧板23、內(nèi)盤管24、擋板25，石墨爐體2頂部設(shè)置有上弧板26、上集水箱27、與上集水箱27相鄰設(shè)置的出水短節(jié)28。
[0028]進(jìn)一步地，內(nèi)盤管24在制作過程中加工成R=2000mm的部分弧形，下弧板23、上弧板26在加工過程中加工成R=200mm的弧形，這三個(gè)部件組合在一起就形成了一個(gè)三級(jí)緩沖弧，因此在設(shè)備溫度巨烈變化下仍能防止設(shè)備受到損壞。
[0029]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0030]使用時(shí)，循環(huán)冷卻水通過進(jìn)水流道進(jìn)入環(huán)形空腔，由回水流道流出，迅速帶走底盤上的熱量，避免底盤溫度過高造成爆裂；環(huán)形石墨底盤的上端面設(shè)有環(huán)形導(dǎo)流槽，絕大多數(shù)的冷凝酸通過該導(dǎo)流槽進(jìn)入排酸孔，由排酸孔排出合成爐外統(tǒng)一收集處理，不會(huì)造成環(huán)境的污染。
[0031]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種具有新型底盤的氯化氫合成爐，所述具有新型底盤的氯化氫合成爐包括石墨底盤、與所述石墨底盤連接的石墨爐體；其特征在于， 所述石墨底盤包括設(shè)置于所述石墨底盤上中心位置設(shè)置有燈頭座安裝孔、設(shè)置在所述石墨底盤內(nèi)的環(huán)形空腔、與所述環(huán)形空腔連通的進(jìn)水流道、與所述進(jìn)水流道對(duì)應(yīng)的回水流道、設(shè)置在所述石墨底盤上端面的環(huán)形導(dǎo)流槽、貫穿于石墨底盤上下端面設(shè)置的排酸孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有新型底盤的氯化氫合成爐，其特征在于，所述排酸孔設(shè)置在所述環(huán)形導(dǎo)流槽的底部，并貫穿所述石墨底盤上下端面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有新型底盤的氯化氫合成爐，其特征在于，所述進(jìn)水流道具有若干個(gè)，分別平行設(shè)置在所述石墨底盤的一側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有新型底盤的氯化氫合成爐，其特征在于，所述回水流道具有若干個(gè)，分別平行設(shè)置在所述石墨底盤的另一側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有新型底盤的氯化氫合成爐，其特征在于， 所述石墨爐體底部設(shè)置有下集水箱、與下集水箱相鄰設(shè)置的進(jìn)水短節(jié)； 所述石墨爐體內(nèi)設(shè)置有下弧板、內(nèi)盤管、擋板； 所述石墨爐體頂部設(shè)置有上弧板、上集水箱、與上集水箱相鄰設(shè)置的出水短節(jié)； 所述下弧板、所述內(nèi)盤管、所述上弧板組合在一起就形成三級(jí)緩沖弧。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有新型底盤的氯化氫合成爐，其特征在于， 所述內(nèi)盤管具有R=2000mm的部分弧形，所述下弧板、所述上弧板具有R=200mm的弧形。
【文檔編號(hào)】C01B7/01GK204211478SQ201420477299
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2014年8月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月24日
【發(fā)明者】胡健 申請(qǐng)人:胡健