一種氧化鎂納米片的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種氧化鎂納米片的制備方法。包括以下步驟：將鎂粉放入蒸餾水中，進行超聲處理，得到混合物；再將所述混合物放入反應釜中，110-130℃溫度下反應24-36h；室溫自然冷卻后，后處理得到氧化鎂納米片。所述后處理步驟包括離心分離、蒸餾水洗滌及60-80℃溫度下干燥。本發(fā)明的有益效果是：通過鎂金屬與水形成的氫氧化鎂，在高溫高壓下分解得到的氧化鎂納米片，不含添加劑及表面活性劑等，且合成工藝簡單。
【專利說明】一種氧化鎂納米片的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種氧化鎂的制備方法，尤其涉及一種氧化鎂納米片的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的氧化鎂的制備方法大多采用前驅(qū)物法，而且合成過程中需加入表面活性劑等，不但提高了合成的成本，而且影響了產(chǎn)物的純度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種無添加劑和表面活性劑的氧化鎂納米片的制備方法。
[0004]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種氧化鎂納米片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟:
將鎂粉放入蒸餾水中，進行超聲處理，得到混合物；
再將所述混合物放入反應釜中，110-130°C溫度下反應24-36h ；
室溫自然冷卻后，后處 理得到氧化鎂納米片。
[0005]所述后處理步驟包括離心分離、蒸餾水洗滌及60-80°C溫度下干燥。
[0006]本發(fā)明的有益效果是:通過鎂金屬與水形成的氫氧化鎂，在高溫高壓下分解得到的氧化鎂納米片，不含添加劑及表面活性劑等，且合成工藝簡單。
【具體實施方式】
[0007]以下對本發(fā)明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0008]一種氧化鎂納米片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟:
將鎂粉放入蒸餾水中，進行超聲處理，得到混合物；
再將所述混合物放入反應釜中，110-130°C溫度下反應24-36h ；
室溫自然冷卻后，后處理得到氧化鎂納米片。
[0009]所述后處理步驟包括離心分離、蒸餾水洗滌及60-80°C溫度下干燥。
[0010]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種氧化鎂納米片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 將鎂粉放入蒸餾水中，進行超聲處理，得到混合物； 再將所述混合物放入反應釜中，110-130°c溫度下反應24-36h ； 室溫自然冷卻后，后處理得到氧化鎂納米片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化鎂納米片的制備方法，其特征在于，所述后處理步驟包括離心分離、 蒸餾水洗滌及60-80°C溫度下干燥。
【文檔編號】C01F5/08GK103864120SQ201210531284
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月12日
【發(fā)明者】毛華軍 申請人:毛華軍