專利名稱：一種還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種MSA還原爐電極的密封裝置。
背景技術(shù)：
目前，多晶硅技術(shù)，主要采用中高壓四氟套對(duì)還原爐電極密封和絕緣，隔熱陶瓷絕緣環(huán)與之配套使用。但是，隨著還原爐沉積硅棒的長(zhǎng)大，硅棒輻射的熱量破壞靠近底盤(pán)的大部分四氟套結(jié)構(gòu)，造成一系列不利于生產(chǎn)的后果，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面(1)電極和底盤(pán)的氣密性低導(dǎo)致物料泄露，需要停爐更換四氟套和重新做爐體氣密性檢測(cè)，降低單爐多晶硅產(chǎn)量。(2)硅芯在高壓擊穿時(shí)容易發(fā)生打火拉弧，需要重新更換硅芯和四氟套，避免不安全因素的發(fā)生。(3)反復(fù)裝拆因絕緣和氣密性原因的爐筒，增加了工作人員的工作量，同時(shí)延長(zhǎng)還原爐的開(kāi)停爐的周期，無(wú)法滿足長(zhǎng)期高效的運(yùn)行生產(chǎn)。(4)燒壞的四氟套無(wú)法二次利用，增加公司的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)成本。因此需要對(duì)還原爐電極的密封裝置進(jìn)行改進(jìn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的發(fā)明目的在于針對(duì)上述存在的問(wèn)題，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉的還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，采用該密封機(jī)構(gòu)，有力地解決因電極密封性差引起的物料泄露和頻繁停開(kāi)爐的難題，提高了多晶硅還原工序的工作效率和多晶硅的產(chǎn)品質(zhì)量。本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下本實(shí)用新型的還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，包括電極本體和電極端蓋，所述電極端蓋設(shè)置于電極本體上，所述電極本體與電極端蓋之間通過(guò)相互重疊的石墨墊與陶瓷環(huán)進(jìn)行密封和絕緣。由于采用了上述結(jié)構(gòu)，將原有的電極密封四氟套改為陶瓷環(huán)和石墨墊相互間隔重疊的結(jié)構(gòu)，進(jìn)行密封和絕緣，防止電極在硅棒生長(zhǎng)后期由于溫度過(guò)高而燒壞，減少開(kāi)停爐的次數(shù)，且該還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉，有力地解決因電極密封性差引起的物料泄露和頻繁停開(kāi)爐的難題，提高了多晶硅還原工序的工作效率和多晶硅的產(chǎn)品質(zhì)量，減少工作人員的工作量，縮短還原爐的開(kāi)停爐的周期，滿足長(zhǎng)期高效的運(yùn)行生產(chǎn)。本實(shí)用新型的還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，所述陶瓷環(huán)為兩個(gè)，且分布位于石墨墊的上下方，形成密封墊結(jié)構(gòu)。由于采用了上述結(jié)構(gòu)，陶瓷環(huán)為兩個(gè)，且分布位于石墨墊的上下方，即石墨墊位于兩陶瓷環(huán)之間，從而形成密封墊結(jié)構(gòu)，覺(jué)有很好的密封性能和絕緣性能，力地解決因電極密封性差引起的物料泄露和頻繁停開(kāi)爐的難題，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉，適合推廣應(yīng)用。本實(shí)用新型的還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，所述石墨墊采用金屬絲纏繞，形成金屬石墨墊片。由于采用了上述結(jié)構(gòu)，石墨墊采用金屬絲纏繞，形成金屬石墨墊片，保證該密封結(jié)構(gòu)具有很好的絕緣效果，其能夠與陶瓷環(huán)相配合，形成良好的密封效果，從而有力地解決因電極密封性差引起的物料泄露和頻繁停開(kāi)爐的難題，提高了多晶硅還原工序的工作效率和多晶硅的產(chǎn)品質(zhì)量。本實(shí)用新型的還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，所述陶瓷環(huán)采用三氧化二鋁制成。由于采用了上述結(jié)構(gòu)，陶瓷環(huán)主要材質(zhì)為三氧化二鋁的耐高溫防靜電材料，石墨墊是用金屬絲纏繞。利用其理化性質(zhì)的特殊性，陶瓷環(huán)與金屬絲纏繞的石墨墊密封密實(shí)，從而保證還原爐電極的密封性能良好，能夠減小維修次數(shù)，從而增加單爐多晶硅產(chǎn)量。綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果是1.本實(shí)用新型的還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉，有力地解決因電極密封性差引起的物料泄露和頻繁停開(kāi)爐的難題；2.本實(shí)用新型的還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，提高了多晶硅還原工序的工作效率和多晶硅的產(chǎn)品質(zhì)量，減少工作人員的工作量，縮短還原爐的開(kāi)停爐的周期，滿足長(zhǎng)期高效的運(yùn)行生產(chǎn)；3.本實(shí)用新型的還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，能夠減小維修次數(shù)，從而增加單爐多晶
硅產(chǎn)量。

圖1是本實(shí)用新型的還原爐電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1中I部分的放大圖。圖中標(biāo)記1-電極本體、2-電極端蓋、3-金屬石墨墊片、4-陶瓷環(huán)。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)的說(shuō)明。為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。如圖1所示，本實(shí)用新型的還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，包括電極本體1和電極端蓋2， 所述電極端蓋2設(shè)置于電極本體1上，所述電極本體1與電極端蓋2之間通過(guò)相互重疊的石墨墊與陶瓷環(huán)4進(jìn)行密封和絕緣。所述陶瓷環(huán)4為兩個(gè)，且分布位于石墨墊的上下方，即石墨墊位于兩個(gè)陶瓷環(huán)4之間，形成密封墊結(jié)構(gòu)。所述石墨墊采用金屬絲纏繞，形成金屬石墨墊片3，所述陶瓷環(huán)4采用三氧化二鋁制成。當(dāng)然根據(jù)上述原理，也可以將金屬石墨墊片 3和陶瓷環(huán)4各設(shè)置為多個(gè)，且金屬石墨墊片3和陶瓷環(huán)4相互間隔，且重疊在一起，但是重疊在一起后的密封結(jié)構(gòu)的上下兩端需設(shè)置為陶瓷環(huán)4，以使其具有良好的密封性。本實(shí)用新型的還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，改原有的電極密封四氟套為陶瓷環(huán)和石墨墊結(jié)構(gòu)，防止電極在硅棒生長(zhǎng)后期由于溫度過(guò)高而燒壞，減少開(kāi)停爐的次數(shù)。還原爐地盤(pán)與電極間的絕緣用陶瓷環(huán)是耐高溫防靜電材料，其主要材質(zhì)為三氧化二鋁，石墨墊是用金屬絲纏繞。利用其理化性質(zhì)的特殊性，陶瓷環(huán)與金屬絲纏繞的石墨墊密封密實(shí)。本實(shí)用新型的還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，陶瓷環(huán)的參數(shù)規(guī)格Φ夕卜96*Φ rt72*d厚14; 單位mm。金屬石墨墊片的參數(shù)規(guī)格Φ夕卜9I* Φ金屬8I* Φ內(nèi)75*d厚4. 8 ；單位mm。形成的密封結(jié)構(gòu)陶瓷環(huán)——金屬石墨墊片——陶瓷環(huán)。本實(shí)用新型的還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉，有力地解決因電極密封性差引起的物料泄露和頻繁停開(kāi)爐的難題；提高了多晶硅還原工序的工作效率和多晶硅的產(chǎn)品質(zhì)量，減少工作人員的工作量，縮短還原爐的開(kāi)停爐的周期，滿足長(zhǎng)期高效的運(yùn)行生產(chǎn)；能夠減小維修次數(shù)，從而增加單爐多晶硅產(chǎn)量。 以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，包括電極本體(1)和電極端蓋(2)，所述電極端蓋(2)設(shè)置于電極本體(1)上，其特征在于所述電極本體(1)與電極端蓋(2)之間通過(guò)相互重疊的 石墨墊與陶瓷環(huán)(4)進(jìn)行密封和絕緣。
2.如權(quán)利要求1所述的還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，其特征在于所述陶瓷環(huán)(4)為兩個(gè)， 且分布位于石墨墊的上下方，形成密封墊結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，其特征在于所述石墨墊采用金屬絲纏繞，形成金屬石墨墊片(3)。
4.如權(quán)利要求3所述的還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，其特征在于所述陶瓷環(huán)(4)采用三氧化二鋁制成。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，屬于MSA還原爐電極的密封裝置領(lǐng)域。本實(shí)用新型的還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，包括電極本體和電極端蓋，所述電極端蓋設(shè)置于電極本體上，所述電極本體與電極端蓋之間通過(guò)相互重疊的石墨墊與陶瓷環(huán)進(jìn)行密封和絕緣。本實(shí)用新型的還原爐電極的密封結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉，有力地解決因電極密封性差引起的物料泄露和頻繁停開(kāi)爐的難題；提高了多晶硅還原工序的工作效率和多晶硅的產(chǎn)品質(zhì)量，減少工作人員的工作量，縮短還原爐的開(kāi)停爐的周期，滿足長(zhǎng)期高效的運(yùn)行生產(chǎn)；能夠減小維修次數(shù)，從而增加單爐多晶硅產(chǎn)量。
文檔編號(hào)C01B33/03GK202193621SQ20112028260
公開(kāi)日2012年4月18日 申請(qǐng)日期2011年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月5日
發(fā)明者徐予晗, 沈偉, 鄭小剛 申請(qǐng)人:四川瑞能硅材料有限公司