專利名稱：還原爐出氣孔分氣帽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種分氣裝置，尤其涉及一種還原爐出氣孔分氣帽。
背景技術(shù)：
三氯氫硅和氫氣的混合氣體從進氣孔進入還原爐，從出氣孔出來，在還原爐內(nèi)形成一個氣場，這個氣場越均勻，對還原爐內(nèi)的多晶硅生長越有利。但是，一般情況下還原爐內(nèi)的氣場是如圖3所示來循環(huán)的，這種循環(huán)自然而然的在還原爐靠近下底面的邊緣部分產(chǎn)生一個死角，這個死角內(nèi)的氣體流動相對比其他位置緩慢得多。這樣，這個死角就會得不到新鮮的混合氣體對它進行置換，在這個死角內(nèi)的HCl含量就會增加，HCl對對硅芯根部溫度較低的位置腐蝕性是相當(dāng)厲害的，硅芯根部經(jīng)過腐蝕就會支撐不住逐漸變粗、變重的硅芯， 從而導(dǎo)致倒?fàn)t。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種能使還原爐內(nèi)的三氯氫硅和氫氣的混合氣體均勻且還原爐內(nèi)沒有氣場死角的裝置。為解決上述技術(shù)問題，本實用新型所采取的技術(shù)方案是一種還原爐出氣孔分氣帽，其特征在于所述還原爐出氣孔分氣帽由圓錐體形分流帽和周壁上設(shè)有進氣孔、底面設(shè)有出氣孔以及出氣管的排氣管道組成。采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于由于所述分氣帽的上端設(shè)有圓錐體形分流帽，增加了氣體在還原爐內(nèi)流動的路徑，避免了還原爐外圈硅芯根部HCl富集的現(xiàn)象， 從根本上解決了多晶硅生長初期倒?fàn)t的可能，保證氣體在爐內(nèi)停留的時間，使反應(yīng)更加充分，增大三氯氫硅的轉(zhuǎn)化率；而且，由于所述分流帽將還原爐出氣孔擋住，避免出爐時因操作不當(dāng)，塊狀多晶硅掉進出氣孔的情況。
以下結(jié)合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細的說明。


圖1是本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實用新型應(yīng)用示意圖；圖3是原有還原爐結(jié)構(gòu)示意圖；其中1、圓錐體形分流帽2、進氣孔3、出氣孔4、出氣管5、周壁上設(shè)有進氣孔、 底面設(shè)有出氣孔以及出氣管的排氣管道6、還原爐7、進氣管8、還原爐上的出氣管。
具體實施方式
如
圖1所示，一種還原爐出氣孔分氣帽，其特征在于所述還原爐出氣孔分氣帽由圓錐體形分流帽1和周壁上設(shè)有進氣孔2、底面設(shè)有出氣孔3以及出氣管4的排氣管道5組成。[0012]在還原爐停爐的時候，把所述分氣帽放在還原爐上的出氣管8上，使所述分氣帽的出氣管4插進所述還原爐上的出氣管8，保證所述分氣帽不會因為氣流的變化而移動位置。
如圖2所示，在還原爐安裝所述分氣帽之后氣體在還原爐內(nèi)的流動路徑將改變?nèi)コ诉€原爐內(nèi)的死角，并增加了所述混合氣體在還原爐內(nèi)停留的時間，使混合氣體得以充分反應(yīng)。
權(quán)利要求1. 一種還原爐出氣孔分氣帽，其特征在于所述還原爐出氣孔分氣帽由圓錐體形分流帽 (1)和周壁上設(shè)有進氣孔(2)、底面設(shè)有出氣孔(3)以及出氣管(4)的排氣管道(5)組成。
專利摘要本實用新型公開了一種還原爐出氣孔分氣帽，其特征在于所述還原爐出氣孔分氣帽由圓錐體形分流帽和周壁上設(shè)有進氣孔、底面設(shè)有出氣孔以及出氣管的排氣管道組成。由于所述分氣帽的上端設(shè)有圓錐體形分流帽，增加了氣體在還原爐內(nèi)流動的路徑，避免了還原爐外圈硅芯根部HCl富集的現(xiàn)象，從根本上解決了多晶硅生長初期倒?fàn)t的可能，保證氣體在還原爐內(nèi)停留的時間，使反應(yīng)更加充分，增大三氯氫硅的轉(zhuǎn)化率；而且由于所述分流帽將還原爐出氣孔擋住，避免出爐時因操作不當(dāng)，塊狀多晶硅掉進出氣孔的情況。
文檔編號C01B33/03GK202208642SQ201120270718
公開日2012年5月2日 申請日期2011年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月28日
發(fā)明者馮謹(jǐn), 李延輝, 段沙沙 申請人:河北東明中硅科技有限公司