專(zhuān)利名稱(chēng)：用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域，具體地，涉及用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備。
背景技術(shù)：
在多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生大量四氯化硅副產(chǎn)物。例如，采用三氯氫硅氫還原工藝(改良西門(mén)子工藝)生產(chǎn)多晶硅時(shí)，每生產(chǎn)1噸多晶硅會(huì)產(chǎn)生15噸四氯化硅副產(chǎn)物。目前，處理四氯化硅的常規(guī)方法是采用冷氫化技術(shù)將四氯化硅轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)多晶硅的原料三氯氫硅，從而將四氯化硅循環(huán)利用。然而，在此處理工藝中，10-20%的四氯化硅由于含有大量固體粉塵(如硅粉)和金屬雜質(zhì)(如鋁、鐵、鎳等)而成為四氯化硅殘液，無(wú)法重新回到多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)中循環(huán)利用。目前，四氯化硅殘液無(wú)法得到有效處理，導(dǎo)致多晶硅生產(chǎn)成本較高，能耗較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少解決上述技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出能夠有效地處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備，包括 蒸發(fā)裝置，用于將所述溶液中的四氯化硅轉(zhuǎn)變?yōu)樗穆然枵羝⒌玫綇U液；除塵裝置，所述除塵裝置與所述蒸發(fā)裝置相連以便從所述蒸發(fā)裝置接收所述四氯化硅蒸汽，并除去所述四氯化硅蒸汽中的粉塵，以獲得經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅蒸汽；冷凝裝置，所述冷凝裝置與所述除塵裝置相連以便從所述除塵裝置接收經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅蒸汽，并將所述經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅蒸汽冷凝，以得到經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅液體。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，能耗低，成本低，可以有效地純化四氯化硅，并且可以避免粉塵堵塞管道，從而保證管道和設(shè)備的正常運(yùn)行。另外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備還可以具有如下附加的技術(shù)特征。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述含有四氯化硅的溶液為制備多晶硅過(guò)程中產(chǎn)生的含有四氯化硅的殘液。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述蒸發(fā)裝置內(nèi)的溫度為70-90攝氏度，壓力為 50_160kPa。由此，可以在低溫和低壓下將四氯化硅液體轉(zhuǎn)變?yōu)樗穆然枵羝?，能耗低，成本低。根?jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述冷凝裝置中的溫度為30-40攝氏度。由此，可以在低溫下將四氯化硅蒸汽轉(zhuǎn)變?yōu)樗穆然枰后w，能耗低，并且可以進(jìn)一步提高四氯化硅的純度。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備，進(jìn)一步包括固液分離裝置，所述固液分離裝置與所述蒸發(fā)裝置相連以便從所述蒸發(fā)裝置接收所述廢液，并且對(duì)所述廢液進(jìn)行固液分離以得到固相混合物和液相混合物。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備進(jìn)一步包括干燥裝置，所述干燥裝置與所述固液分離裝置相連，以便從所述固液分離裝置接收固相混合物，并對(duì)所述固相混合物進(jìn)行干燥以得到經(jīng)過(guò)干燥的固相混合物。根據(jù)本發(fā) 明的一個(gè)實(shí)施例，所述用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備進(jìn)一步包括存渣裝置，所述存渣裝置與所述干燥裝置相連，以便從所述干燥裝置接收并存儲(chǔ)所述經(jīng)過(guò)干燥的固相混合物。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備進(jìn)一步包括液相混合物返回管路，所述液相混合物返回管路分別與所述蒸發(fā)裝置和所述固液分離裝置相連，以便將所述液相混合物返回至所述蒸發(fā)裝置。由此，可以有效地回收四氯化硅，降低生產(chǎn)成本。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備進(jìn)一步包括四氯化硅存儲(chǔ)裝置，所述四氯化硅存儲(chǔ)裝置與所述冷凝裝置相連，以便從所述冷凝裝置接收并存儲(chǔ)經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅液體。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備進(jìn)一步包括三氯氫硅制備裝置，所述三氯氫硅制備裝置與所述四氯化硅存儲(chǔ)裝置相連，以便從所述四氯化硅存儲(chǔ)裝置接收經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅液體，并將所述經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅液體用于生產(chǎn)三氯氫硅。由此，可以循環(huán)利用四氯化硅，降低生產(chǎn)成本。本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。


本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備的示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備的示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的從含有四氯化硅的溶液回收四氯化硅的方法的流程示意圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的從含有四氯化硅的溶液回收四氯化硅的方法的流程示意圖；以及圖6是根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的從含有四氯化硅的溶液回收四氯化硅的方法的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。為了方便理解，下面參考圖1-3對(duì)用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)描述。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備。參考圖1，根據(jù)本發(fā)明實(shí) 施例的用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備包括蒸發(fā)裝置、除塵裝置、和冷凝裝置。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，能耗低，成本低，可以有效地純化四氯化硅，并且可以避免粉塵堵塞管道，從而保證管道和設(shè)備的正常運(yùn)行。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述含有四氯化硅的溶液為制備多晶硅過(guò)程中產(chǎn)生的含有四氯化硅的殘液。含有四氯化硅的殘液含有大量固體粉塵(如硅粉)和金屬雜質(zhì)(如鋁、 鐵、鎳、銅、鉻、鋅等)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，蒸發(fā)裝置用于將所述含有四氯化硅的溶液中的四氯化硅轉(zhuǎn)變?yōu)樗穆然枵羝⒌玫綇U液。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，蒸發(fā)裝置的類(lèi)型不受特別限制，只要能夠?qū)⑺穆然枰后w轉(zhuǎn)變?yōu)樗穆然枵羝纯?。根?jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，蒸發(fā)裝置為升膜蒸發(fā)器。在升膜蒸發(fā)器中，原料液經(jīng)預(yù)熱達(dá)到沸點(diǎn)或接近沸點(diǎn)后，由加熱室底部引入，在高速上升的二次蒸汽帶動(dòng)下，沿?fù)Q熱管內(nèi)壁邊流動(dòng)邊蒸發(fā)，在加熱室頂部可達(dá)到所需的濃度，液體由分離室底部排出，產(chǎn)生的二次蒸汽經(jīng)設(shè)在上部分離板組除去汽泡、水珠、雜質(zhì)后從分離室上部排出。根據(jù)本發(fā)明的一些示例，所述蒸發(fā)裝置內(nèi)的溫度為70-90攝氏度，壓力為50-160kPa。在本發(fā)明的一個(gè)具體示例中，所述蒸發(fā)裝置內(nèi)的溫度為80攝氏度，壓力為 lOOkPa。這樣，在低溫和低壓下將四氯化硅液體轉(zhuǎn)變?yōu)樗穆然枵羝?，能耗低，成本低，并且可以有效地純化四氯化硅。根?jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述除塵裝置與所述蒸發(fā)裝置相連以便從所述蒸發(fā)裝置接收所述四氯化硅蒸汽，并除去所述四氯化硅蒸汽中的粉塵(如硅粉和金屬雜質(zhì)等)，以獲得經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅蒸汽。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，除塵裝置的類(lèi)型不受特別限制，只要能夠?qū)⑺鏊穆然枵羝辛酱笥?. 2微米的粉塵除去即可。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體示例， 除塵裝置為精密過(guò)濾器，過(guò)濾精度為0.2微米，過(guò)濾材質(zhì)為不銹鋼。含塵氣體從進(jìn)口處進(jìn)入精密過(guò)濾器，氣流經(jīng)過(guò)精密過(guò)濾器不銹鋼濾芯后，氣體中的粉塵被濾芯去除，潔凈的氣體經(jīng)過(guò)濾芯過(guò)濾后從精密過(guò)濾器氣體出口排出。由此，可以進(jìn)一步純化四氯化硅，提高四氯化硅的純度，并且可以避免粉塵堵塞管道，從而保證管道和設(shè)備的正常運(yùn)行。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述冷凝裝置與所述除塵裝置相連以便從所述除塵裝置接收經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅蒸汽，并將所述經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅蒸汽冷凝，以得到經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅液體。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，冷凝裝置的類(lèi)型不受特別限制，只要能夠?qū)⑺穆然枵羝D(zhuǎn)變?yōu)樗穆然枰后w即可。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，冷凝裝置為列管式冷凝器。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述冷凝裝置中的溫度為30-40攝氏度。在本發(fā)明的一個(gè)具體示例中，所述冷凝裝置中的溫度為35攝氏度。由此，可以在低溫下將四氯化硅蒸汽轉(zhuǎn)變?yōu)樗穆然枰后w，能耗低，成本低，并且進(jìn)一步提高四氯化硅的純度。參考圖2，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備進(jìn)一步包括四氯化硅存儲(chǔ)裝置，所述四氯化硅存儲(chǔ)裝置與所述冷凝裝置相連，以便從所述冷凝裝置接收并存儲(chǔ)經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅液體。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述四氯化硅存儲(chǔ)裝置的類(lèi)型不受特別限制，只要能夠存儲(chǔ)四氯化硅液體即可。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述四氯化硅存儲(chǔ)裝置為四氯化硅儲(chǔ)罐。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備進(jìn)一步包括多晶硅用原料三氯氫硅制備裝置，所述多晶硅用原料三氯氫硅制備裝置與所述四氯化硅存儲(chǔ)裝置相連，以便從所述四氯化硅存儲(chǔ)裝置接收經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅液體，并將所述經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅液體用于生產(chǎn)多晶硅用原料三氯氫硅。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述多晶硅用原料三氯氫硅制備裝置的類(lèi)型不受特別限制，可以是任何本領(lǐng)域常用的裝置， 例如流化床反應(yīng)器。由此，可以循環(huán)利用四氯化硅，降低生產(chǎn)成本。 參考圖3，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備進(jìn)一步包括固液分離裝置，所述固液分離裝置與所述蒸發(fā)裝置相連以便從所述蒸發(fā)裝置接收所述廢液，并且對(duì)所述廢液進(jìn)行固液分離以得到固相混合物和液相混合物。在本發(fā)明的一些示例中，所述固相混合物含有固體粉塵(如硅粉)和金屬雜質(zhì)(如鋁、鐵、鎳、銅、鉻、鋅等)，所述液相混合物含有四氯化硅液體和三氯氫硅液體等。如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備進(jìn)一步包括干燥裝置，所述干燥裝置與所述固液分離裝置相連，以便從所述固液分離裝置接收固相混合物，并對(duì)所述固相混合物進(jìn)行干燥以得到經(jīng)過(guò)干燥的固相混合物。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述干燥裝置的類(lèi)別不受特別限制，只要能夠干燥固相混合物即可。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體示例，所述干燥裝置為夾套式干燥器。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備進(jìn)一步包括存渣裝置，所述存渣裝置與所述干燥裝置相連，以便從所述干燥裝置接收并存儲(chǔ)所述經(jīng)過(guò)干燥的固相混合物。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述存渣裝置的類(lèi)別不受特別限制，只要能夠存儲(chǔ)所述經(jīng)過(guò)干燥的固相混合物即可。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備進(jìn)一步包括液相混合物返回管路，所述液相混合物返回管路分別與所述蒸發(fā)裝置和所述固液分離裝置相連，以便將所述液相混合物返回至所述蒸發(fā)裝置。返回至所述蒸發(fā)裝置中的液相混合物在蒸發(fā)裝置中進(jìn)一步處理，以便將所述液相混合物中的四氯化硅液體轉(zhuǎn)變?yōu)樗穆然枵羝?由此，可以有效地回收四氯化硅，降低生產(chǎn)成本。為了方便理解，下面參考圖4-6描述利用上述處理裝置處理含有四氯化硅的溶液的方法。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種從含有四氯化硅的溶液回收四氯化硅的方法。參考圖4-6，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，從含有四氯化硅的溶液回收四氯化硅的方法包括以下步驟。首先，如圖4所示，將所述含有四氯化硅的溶液供給到蒸發(fā)裝置中，以便將所述溶液中的四氯化硅轉(zhuǎn)變?yōu)樗穆然枵羝⒌玫綇U液。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述含有四氯化硅的溶液為制備多晶硅過(guò)程中產(chǎn)生的含有四氯化硅的殘液。含有四氯化硅的殘液含有大量固體粉塵(如硅粉)和金屬雜質(zhì)(如鋁、鐵、鎳、銅、鉻、鋅等)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，蒸發(fā)裝置的類(lèi)型不受特別限制，只要能夠?qū)⑺穆然枰后w轉(zhuǎn)變?yōu)樗穆然枵羝纯伞８鶕?jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，蒸發(fā)裝置為升膜蒸發(fā)器。在升膜蒸發(fā)器中，原料液經(jīng)預(yù)熱達(dá)到沸點(diǎn)或接近沸點(diǎn)后，由加熱室底部引入，在高速上升的二次蒸汽帶動(dòng)下，沿?fù)Q熱管內(nèi)壁邊流動(dòng)邊蒸發(fā)， 在加熱室頂部可達(dá)到所需的濃度，液體由分離室底部排出，產(chǎn)生的二次蒸汽經(jīng)設(shè)在上部分離板組除去汽泡、水珠、雜質(zhì)后從分離室上部排出。根據(jù)本發(fā)明的一些示例，所述蒸發(fā)裝置內(nèi)的溫度為70-90攝氏度，壓力為50-160kPa。在本發(fā)明的一個(gè)具體示例中，所述蒸發(fā)裝置內(nèi)的溫度為80攝氏度，壓力為lOOkPa。這樣，在低溫和低壓下將四氯化硅液體轉(zhuǎn)變?yōu)樗穆然枵羝芎牡?，成本低，并且可以有效地純化四氯化硅。然后，將所述四氯化硅蒸汽供給到除塵裝置，以便除去所述四氯化硅蒸汽中的粉塵(如硅粉和金屬雜質(zhì)等)，以獲得經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅蒸汽。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，除塵裝置的類(lèi)型不受特別限制，只要能夠?qū)⑺鏊穆然枵羝辛酱笥?.2微米的粉塵除去即可。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體示例，除塵裝置為精密過(guò)濾器，過(guò)濾精度為0. 2微米，過(guò)濾材質(zhì)為不銹鋼。含塵氣體從進(jìn)口處進(jìn)入精密過(guò)濾器，氣流經(jīng)過(guò)精密過(guò)濾器不銹鋼濾芯后，氣體中的粉塵被濾芯去除，潔凈的氣體經(jīng)過(guò)濾芯過(guò)濾后從精密過(guò)濾器氣體出口排出。由此，可以進(jìn)一步純化四氯化硅，提高四氯化硅的純度，并且可以避免粉塵堵塞管道，從而保證管道和設(shè)備的正常運(yùn)行。接下來(lái)，將所述經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅蒸汽供給到冷凝裝置，以便將所述經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅蒸汽冷凝，以得到經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅液體。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，冷凝裝置的類(lèi)型不受特別限制，只要能夠?qū)⑺穆然枵羝D(zhuǎn)變?yōu)樗穆然枰后w即可。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，冷凝裝置為列管式冷凝器。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述冷凝裝置中的溫度為 30-40攝氏度。在本發(fā)明的一個(gè)具體示例中，所述冷凝裝置中的溫度為35攝氏度。由此，可以在低溫下將四氯化硅蒸汽轉(zhuǎn)變?yōu)樗穆然枰后w，能耗低，并且可以進(jìn)一步提高四氯化硅的純度。在進(jìn)行以上處理之后，四氯化硅液體中的雜質(zhì)含量大幅低降低，例如，鋁含量從 225. 7ppm降低至1. 79ppm,鐵含量從12. 6ppm降低至0. 64ppm,鎳含量從1. 17ppm降低至 0. 12ppm，銅含量從0. 35ppm降低至0. llppm，鉻含量從0. 12ppm降低至0. 05ppm，鋅含量從 0. 18ppm降低至0.04ppm，殘?jiān)繌?. 12ppm降低至0. 04ppm。由此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的從含有四氯化硅的溶液回收四氯化硅的方法可以有效地純化四氯化硅，能耗低，成本低， 可以有效地純化四氯化硅，并且可以避免粉塵堵塞管道，從而保證管道和設(shè)備的正常運(yùn)行。如圖5所示，在冷凝處理后，將所述經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅液體供給到四氯化硅存儲(chǔ)裝置，然后將所述經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅液體供給到多晶硅用原料三氯氫硅制備裝置用于生產(chǎn)多晶硅用原料三氯氫硅。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述四氯化硅存儲(chǔ)裝置的類(lèi)型不受特別限制，只要能夠存儲(chǔ)四氯化硅液體即可。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述四氯化硅存儲(chǔ)裝置為四氯化硅儲(chǔ)罐。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述多晶硅制備裝置的類(lèi)型不受特別限制，可以是任何本領(lǐng)域常用的裝置，例如流化床反應(yīng)器。由此，可以循環(huán)利用四氯化硅，降低生產(chǎn)成本。如圖6所示，在蒸發(fā)處理之后，將所述廢液供給到固液分離裝置，以便對(duì)所述廢液進(jìn)行固液分離得到固相混合物和液相混合物。在本發(fā)明的一些示例中，所述固相混合物含有固體粉塵(如硅粉)和金屬雜質(zhì)(如鋁、鐵、鎳、銅、鉻、鋅等)，所述液相混合物含有四氯化硅液體和三氯化硅液體等。然后，將所述固相混合物供給到干燥裝置，以便對(duì)所述固相混合物進(jìn)行干燥得到經(jīng)過(guò)干燥的固相混合物。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述干燥裝置的類(lèi)別不受特別限制，只要能夠干燥固相混合物即可。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體示例，所述干燥裝置為夾套式干燥器。接著，將所述經(jīng)過(guò)干燥的固相混合物供給到存渣裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述存渣裝置的類(lèi)別不受特別限制，只要能夠存儲(chǔ)所述經(jīng)過(guò)干燥的固相混合物即可。在固液分離之后，將所述液相混合物返回至所述蒸發(fā)裝置。返回至所述蒸發(fā)裝置中的液相混合物在蒸發(fā)裝置中進(jìn)一步處理，以便將所述液相混合物中的四氯化硅液體轉(zhuǎn)變?yōu)樗穆然枵羝Ｓ纱?，可以有效地回收四氯化硅，降低生產(chǎn)成本。在本說(shuō)明書(shū)的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書(shū)中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。 盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求
1.一種用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備，其特征在于，包括蒸發(fā)裝置，用于將所述溶液中的四氯化硅轉(zhuǎn)變?yōu)樗穆然枵羝⒌玫綇U液；除塵裝置，所述除塵裝置與所述蒸發(fā)裝置相連以便從所述蒸發(fā)裝置接收所述四氯化硅蒸汽，并除去所述四氯化硅蒸汽中的粉塵，以獲得經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅蒸汽；冷凝裝置，所述冷凝裝置與所述除塵裝置相連以便從所述除塵裝置接收經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅蒸汽，并將所述經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅蒸汽冷凝，以得到經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅液體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備，其特征在于，所述含有四氯化硅的溶液為制備多晶硅過(guò)程中產(chǎn)生的含有四氯化硅的殘液。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備，其特征在于，所述蒸發(fā)裝置內(nèi)的溫度為70-90攝氏度，壓力為50-160kPa。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備，其特征在于，所述冷凝裝置中的溫度為30-40攝氏度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備，其特征在于，進(jìn)一步包括固液分離裝置，所述固液分離裝置與所述蒸發(fā)裝置相連以便從所述蒸發(fā)裝置接收所述廢液，并且對(duì)所述廢液進(jìn)行固液分離以得到固相混合物和液相混合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備，其特征在于，進(jìn)一步包括干燥裝置，所述干燥裝置與所述固液分離裝置相連，以便從所述固液分離裝置接收固相混合物，并對(duì)所述固相混合物進(jìn)行干燥以得到經(jīng)過(guò)干燥的固相混合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備，其特征在于，進(jìn)一步包括存渣裝置，所述存渣裝置與所述干燥裝置相連，以便從所述干燥裝置接收并存儲(chǔ)所述經(jīng)過(guò)干燥的固相混合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備，其特征在于，進(jìn)一步包括液相混合物返回管路，所述液相混合物返回管路分別與所述蒸發(fā)裝置和所述固液分離裝置相連，以便將所述液相混合物返回至所述蒸發(fā)裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備，其特征在于，進(jìn)一步包括四氯化硅存儲(chǔ)裝置，所述四氯化硅存儲(chǔ)裝置與所述冷凝裝置相連，以便從所述冷凝裝置接收并存儲(chǔ)經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅液體。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備，其特征在于，進(jìn)一步包括三氯氫硅制備裝置，所述三氯氫硅制備裝置與所述四氯化硅存儲(chǔ)裝置相連，以便從所述四氯化硅存儲(chǔ)裝置接收經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅液體，并將所述經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅液體用于生產(chǎn)三氯氫硅。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備。用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備包括蒸發(fā)裝置，用于將所述溶液中的四氯化硅轉(zhuǎn)變?yōu)樗穆然枵羝⒌玫綇U液；除塵裝置，所述除塵裝置與所述蒸發(fā)裝置相連以便從所述蒸發(fā)裝置接收所述四氯化硅蒸汽，并除去所述四氯化硅蒸汽中的粉塵，以獲得經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅蒸汽；冷凝裝置，所述冷凝裝置與所述除塵裝置相連以便從所述除塵裝置接收經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅蒸汽，并將所述經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅蒸汽冷凝，以得到經(jīng)過(guò)凈化的四氯化硅液體。用于處理含有四氯化硅的溶液的設(shè)備，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，能耗低，成本低，可以有效地純化四氯化硅，并且可以避免粉塵堵塞管道，從而保證管道和設(shè)備的正常運(yùn)行。
文檔編號(hào)C01B33/107GK102381712SQ201110320140
公開(kāi)日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2011年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月20日
發(fā)明者萬(wàn)燁, 嚴(yán)大洲, 毋克力, 湯傳斌, 肖榮暉 申請(qǐng)人:中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司