專利名稱：制造多晶硅的裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多晶硅，更具體地，涉及通過使用激光來制造多晶硅的裝置和方法。
背景技術(shù)：
近年來，由于多晶硅處于多晶狀態(tài)并且具有較高的純度，所以多晶硅被廣泛應(yīng)用 于與半導(dǎo)體器件和太陽能電池相關(guān)的各種領(lǐng)域。以下將介紹典型的多晶硅制造方法。首先，二氧化硅砂/石英砂(主要成分Si02)與石墨(主要成份C)在電弧放電 爐中反應(yīng)，從而生成近似99%的冶金硅(MG-Si)。通過使用MG-Si作為啟動器的氣化過程，對硅烷材料進(jìn)行混合、分離和純化，以制 造高純度的氣態(tài)硅烷材料。所制造出的高純度的硅烷氣體可以是三氯硅烷氣體(TCS)，其化 學(xué)分子式表示為SiHCl3，或者可以是甲硅烷氣體(MS)，其化學(xué)分子式表示為SiH4。TCS氣體可以通過將MG-Si與HCL進(jìn)行反應(yīng)而獲得，甲硅烷氣體可以通過將MG_Si 與SiCl4和H2進(jìn)行反應(yīng)或者通過將MG-Si與SiF4和NaAlH4進(jìn)行反應(yīng)而獲得。根據(jù)將化學(xué)氣相沉積方法應(yīng)用于高純度硅烷氣體，對硅進(jìn)行沉積，以便制造固態(tài) 多晶硅。在這種情況下，通過在高溫環(huán)境下進(jìn)行氫還原和熱分解，由硅烷氣體生成硅微粒 子。所生成的硅微粒子沉積在晶體種子的表面上，從而獲得多晶態(tài)的多晶硅。下文中，參照圖1，介紹一種現(xiàn)有的通過使用硅烷氣體來制造固態(tài)多晶硅的方法。圖1是制造多晶硅的一種現(xiàn)有裝置的示意圖，其能夠通過使用鐘罩式反應(yīng)器10來 從硅烷氣體制造多晶硅。一種通過使用如圖1所示的裝置來制造多晶硅的現(xiàn)有方法介紹如 下。首先，細(xì)度為6mm至7mm的硅芯絲20呈倒U型放置于鐘罩式反應(yīng)器10的內(nèi)部，并 且硅芯絲20的一端連接到電極30上。然后，通過使用預(yù)熱器來執(zhí)行預(yù)熱過程，由此鐘罩式 反應(yīng)器10被預(yù)熱到300°C以上。因此，硅芯絲20的電阻率被降低，從而硅芯絲20的較低電 阻率使得能夠進(jìn)行電阻加熱。通過將具有預(yù)定電勢的電提供通過電極30，在高溫下對硅芯 絲20進(jìn)行加熱，并且將包括硅烷氣體和氫氣的反應(yīng)氣體供應(yīng)到鐘罩式反應(yīng)器10內(nèi)部。由 于硅微粒子沉積在硅芯絲20的表面，硅芯絲20的細(xì)度增加。然后，電阻加熱和硅沉積的過 程持續(xù)執(zhí)行幾天到十幾天，從而獲得直徑為大約10cm到15cm的條形多晶硅產(chǎn)品。然而，所述現(xiàn)有技術(shù)具有由于使用通過電阻加熱對硅烷氣體進(jìn)行分解的硅沉積的 方法的局限性而造成的以下缺點(diǎn)。為了通過使用電阻加熱分解硅烷氣體來均勻地沉積硅微粒子，鐘罩式反應(yīng)器10 的內(nèi)部溫度必須保持在iooo°c以上，因此，由于大的電加熱負(fù)載和功耗，初始安裝成本巨
4大。由于通過使用電阻加熱分解硅烷氣體來對硅微粒子進(jìn)行沉積，所以制造符合多晶 硅產(chǎn)品所需大小的多晶硅可能需要長的時間段，例如十天或者更長，從而降低了產(chǎn)量。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在提供制造多晶硅的裝置和方法，其基本上避免了由于相關(guān)技術(shù) 的限制和缺點(diǎn)所造成的一個或者更多問題。本發(fā)明的一個方面旨在提供一種制造多晶硅的裝置和方法，其能夠通過減少電加 熱的負(fù)載而降低功耗，并且與相關(guān)技術(shù)相比，也能夠縮短制造多晶硅所需的時間段。根據(jù)本發(fā)明的目的，為了實(shí)現(xiàn)這些以及其他優(yōu)點(diǎn)，如在本文中所體現(xiàn)和廣泛描述 的，制造多晶硅的裝置包括反應(yīng)室；氣體供應(yīng)器，用于將硅烷氣體供應(yīng)到反應(yīng)室；激光照射 器，用于通過將激光束照射到從氣體供應(yīng)器供應(yīng)的硅烷氣體來對硅烷氣體進(jìn)行熱分解而生 成多晶硅顆粒；以及多晶硅顆粒接收器，用于接收并儲存多晶硅顆粒。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，一種制造多晶硅的裝置包括反應(yīng)室；氣體供應(yīng)器，用于 將硅烷氣體供應(yīng)給反應(yīng)室；激光照射器，用于通過將激光束照射到從氣體供應(yīng)器供應(yīng)的硅 烷氣體來對硅烷氣體進(jìn)行熱分解而生成多晶硅顆粒；以及鑄塊成形部件，用于接收和儲存 多晶硅顆粒，并且通過熔化所儲存的多晶硅顆粒而形成鑄塊。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，一種制造多晶硅的方法包括通過氣體供應(yīng)器將硅烷 氣體供應(yīng)給反應(yīng)室；通過將激光束照射到反應(yīng)室來對硅烷氣體進(jìn)行熱分解而得到多硅晶顆 粒；以及在多晶硅顆粒接收器中接收和儲存多晶硅顆粒。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，一種制造多晶硅的方法包括通過氣體供應(yīng)器將硅烷 氣體供應(yīng)給反應(yīng)室；通過將激光束照射到反應(yīng)室來對硅烷氣體進(jìn)行熱分解而得到多硅晶顆 粒；以及在鑄塊成形部件中接收和儲存多晶硅顆粒，并且通過熔化鑄塊成形部件中所儲存 的多晶硅顆粒來形成鑄塊。


附圖被包括來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并被并入在本申請中且組成本申請的 一部分。附圖例示了本發(fā)明的實(shí)施例，并且與說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖 中圖1是例示一種制造多晶硅的現(xiàn)有裝置的示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的制造多晶硅的裝置的示意圖；以及圖3是根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施例的制造多晶硅的裝置的示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)地說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，在附圖中例示了優(yōu)選實(shí)施例 的例子。只要有可能，在整個附圖中使用相同的參考標(biāo)記來指代相同或相似部件。下文中，將參照

根據(jù)本發(fā)明的制造多晶硅的裝置和方法。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的制造多晶硅的裝置的示意圖。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的裝置1包括反應(yīng)室100、氣體供應(yīng)器200、
5激光照射器300和多晶硅顆粒接收器400。反應(yīng)室100是其中通過對硅烷氣體進(jìn)行熱分解來沉積多晶硅顆粒的反應(yīng)空間。盡 管未示出，真空泵可以與反應(yīng)室100相連以便將反應(yīng)室內(nèi)部保持為真空狀態(tài)；以及排氣裝 置可以與反應(yīng)室100相連以便排放反應(yīng)室100的反應(yīng)氣體。氣體供應(yīng)器200將硅烷氣體供應(yīng)給反應(yīng)室100，比如三氯硅烷氣體(TCS)或甲硅烷 氣體(MS)。氣體供應(yīng)器200設(shè)置在反應(yīng)室100的上部。氣體供應(yīng)器200包括氣體供應(yīng)噴 嘴230和氣體供應(yīng)管道260，其中氣體供應(yīng)噴嘴230位于反應(yīng)室100的內(nèi)部，氣體供應(yīng)管道 260延伸到反應(yīng)室100的外部，并且與氣體供應(yīng)噴嘴230相連通。盡管未示出，氣體供應(yīng)管 道260的一端連接于用于儲存硅烷氣體的氣體供應(yīng)箱(tank)。在通過氣體供應(yīng)管道260將氣體供應(yīng)箱中所儲存的硅烷氣體移動到氣體供應(yīng)噴 嘴230之后，硅烷氣體被從氣體供應(yīng)噴嘴230供應(yīng)到反應(yīng)室100的內(nèi)部。此外，在反應(yīng)室 100中還設(shè)置有空氣簾發(fā)生器150，其中當(dāng)所供應(yīng)的硅烷氣體從反應(yīng)室100的上部向反應(yīng)室 100的下部移動時，空氣簾發(fā)生器150阻止硅烷氣體與反應(yīng)室100的內(nèi)側(cè)面接觸。也就是 說，空氣簾發(fā)生器150通過在從反應(yīng)室100的上側(cè)到反應(yīng)室100的下側(cè)的方向上噴射比如 氬氣(Ar)的氣體來形成空氣簾，從而阻止硅烷氣體與反應(yīng)室100的內(nèi)側(cè)面接觸。根據(jù)激光照射器300采用激光束來對從氣體供應(yīng)器200供應(yīng)的硅烷氣體進(jìn)行照 射，通過對硅烷氣體進(jìn)行熱分解來沉積多硅晶顆粒。從激光照射器300照射的激光束從反 應(yīng)室100的一側(cè)行進(jìn)到反應(yīng)室100的另一側(cè)，由此，可以在短時間段內(nèi)對大量的硅烷氣體進(jìn) 行熱分解。也就是說，采用從反應(yīng)器100的一側(cè)向反應(yīng)器100的另一側(cè)行進(jìn)的激光束來照 射氣體供應(yīng)器200與多晶硅接收器400之間的部分，從而對硅烷氣體進(jìn)行熱分解。從氣體供應(yīng)器200供應(yīng)的氣體從反應(yīng)室100的上部向反應(yīng)室100的下部降落。在 這種情況下，如果采用激光束對氣體供應(yīng)器200與多晶硅顆粒接收器400之間的部分進(jìn)行 照射，則激光束和硅烷氣體之間的接觸面積就會增加，從而可以在短時間段內(nèi)對大量硅烷 氣體進(jìn)行熱分解。激光照射器300可以由紅外激光照射器形成，例如，C02激光照射器。激光照射器 300包含激光振蕩器320，光學(xué)系統(tǒng)340，以及激光功率接收器360。激光振蕩器320使激光 束振蕩；光學(xué)系統(tǒng)340增強(qiáng)振蕩后的激光束的均勻性；以及激光功率接收器360接收激光 束。激光振蕩器320和光學(xué)系統(tǒng)340位于反應(yīng)器100的一個外側(cè)上，激光功率接收器360 位于反應(yīng)器100的另一外側(cè)上。由于激光照射器300位于反應(yīng)室100的外部，窗口 180被設(shè)置在反應(yīng)器100的預(yù) 定部分，以便通過窗口 180將激光束傳輸?shù)椒磻?yīng)室100的內(nèi)部。窗口 180由能夠傳輸光的 材料制成，比如石英或者ZnSe。整個反應(yīng)器100可以由能夠傳輸光的材料制成，例如，石英 或者ZnSe。多晶硅顆粒接收器400接收并儲存通過對硅烷氣體進(jìn)行熱分解而獲得的沉積后 的多硅晶顆粒。由于多晶硅顆粒接收器400設(shè)置在反應(yīng)室100的下方，所以多晶硅接收器 400接收并儲存掉落的多晶硅顆粒。多晶硅顆粒接收器400可以包括容器410和輔助腔室430。容器410通過開口 410a 與反應(yīng)室100連通，以便反應(yīng)室100內(nèi)生成的多晶硅顆粒通過開口 410a更加平滑地進(jìn)入到 容器410內(nèi)部。多晶硅顆?？梢栽诟郊拥娜蹱t中溶化并制成鑄塊。為此，儲存有多硅晶顆粒的容器410不得不被傳送到該附加的熔爐中。因此，容器410可以被可分離地設(shè)置在反 應(yīng)器100中。如果在將容器410傳送到該附加的熔爐時氧氣滲入到容器410內(nèi)部，則容器410 中所儲存的多晶硅顆粒就會被氧化。在這方面，將容器410從反應(yīng)室100分離之后，用于對 容器410的開口 410a進(jìn)行密封的密封過程是必須的。另外，密封容器410的開口 410a的 過程必須在容器410中不存在氧氣的環(huán)境下進(jìn)行。為此，以輔助腔室430包圍容器410的 方式來設(shè)置輔助腔室430。因此，在將容器410從反應(yīng)室100分離之后，在包圍容器410的 輔助腔室430中執(zhí)行密封容器410的開口 410a的過程，以便可以阻止氧氣滲入到容器410 的內(nèi)部。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的使用圖2中所示的裝置來制造多晶硅的方法說明如 下。 首先，通過氣體供應(yīng)器200的氣體供應(yīng)噴嘴230將比如TCS氣體或者M(jìn)S氣體的硅 烷氣體供應(yīng)到反應(yīng)室100的內(nèi)部。同時，反應(yīng)室100的內(nèi)部壓力被保持在幾毫Torr到幾百 Torr0在供應(yīng)硅烷氣體時，從空氣簾發(fā)生器150同時噴射比如氬氣(Ar)的氣體，從而在 反應(yīng)室100的內(nèi)側(cè)面生成空氣簾，由此阻止所供應(yīng)的硅烷氣體與反應(yīng)室100的內(nèi)側(cè)面接觸。根據(jù)激光照射器300采用激光束對反應(yīng)室100的內(nèi)部進(jìn)行照射，通過對硅烷氣體 進(jìn)行熱分解來生成多晶硅顆粒。同時，采用從反應(yīng)室100的一側(cè)向反應(yīng)室100的另一側(cè)行進(jìn)的激光束對氣體供應(yīng) 器200與多晶硅顆粒接收器400之間的部分進(jìn)行照射，由此通過在短時間內(nèi)對大量的硅烷 氣體進(jìn)行熱分解來沉積多晶硅顆粒。供應(yīng)硅烷氣體的過程可以與激光束照射過程同時執(zhí)行，或者這兩個過程中的任何 一個過程可以先于另一個過程執(zhí)行。然后，多晶硅顆粒接收器400接收并儲存多晶硅顆粒。更詳細(xì)地，通過與反應(yīng)室 100連通的開口 410a收集多晶硅顆粒并將其儲存在容器410中。在將容器410從反應(yīng)室 100分離之后，可以在包圍容器410的輔助腔室430中進(jìn)行密封開口 430a的密封過程，然后 可以將密封后的容器410傳送到附加熔爐，從而制造鑄塊型多晶硅。圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例的制造多晶硅的裝置的示意圖。除了取代多硅晶顆粒接收器400而設(shè)置鑄塊成形部件500以外，圖3中所示的裝 置在結(jié)構(gòu)上與圖2所示的裝置相同。只要有可能，在整個附圖中使用相同的參考標(biāo)記來指 代與上述實(shí)施例中的部分相同或相似的部分，并且省略對這些相同或相似部分的詳細(xì)解 釋。如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例的制造多晶硅的裝置包括反應(yīng)室100、氣 體供應(yīng)器200、激光照射器300以及鑄塊成形部件500。鑄塊成形部件500設(shè)置在反應(yīng)室100的下方，因此，鑄塊成形部件500接收并儲存 掉落的多晶硅顆粒，并且將通過溶化所接收的多晶硅顆粒來形成鑄塊。鑄塊成形部件500包括熔爐510和多個加熱器530。熔爐510是用于儲存掉落的 多晶硅顆粒并將所儲存的多晶硅顆粒熔化的空間。而且，加熱器530被設(shè)置來對熔爐510 進(jìn)行加熱，其中加熱器530在線性加熱器中形成。隔離器550可以包圍多個加熱器530。為
7了取出鑄塊型多晶硅顆粒，鑄塊成形部件500可以被可分離地設(shè)置在反應(yīng)器100中。根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例的使用如圖3所示的裝置制造多晶硅的方法解釋如 下，在此省略對與上述實(shí)施例中的那些部件相同或相似部件的詳細(xì)解釋。首先，通過氣體供應(yīng)器200的氣體供應(yīng)噴嘴230將比如TCS氣體或MS氣體的硅烷 氣體供應(yīng)到反應(yīng)室100的內(nèi)部。根據(jù)激光照射器300采用激光束對反應(yīng)室100的內(nèi)部進(jìn)行照射，通過對硅烷氣體 進(jìn)行熱分解來生成多晶硅顆粒。同時，從反應(yīng)室100 —側(cè)向反應(yīng)室100的另一側(cè)行進(jìn)的激光束對氣體供應(yīng)器200 與鑄塊成形部件500之間的部分進(jìn)行照射，由此可以通過在短時間內(nèi)對大量的硅烷氣體進(jìn) 行熱分解來沉積多晶硅顆粒。接著，在鑄塊成形部件500中接收并儲存多晶硅顆粒，然后由鑄塊成形部件500對 所儲存的多晶硅顆粒進(jìn)行熔化，從而制成多晶硅顆粒的鑄塊。同時，可以通過使用加熱器 530將熔爐510加熱至約1000°C到2000°C的溫度。因此，根據(jù)本發(fā)明的制造多晶硅的裝置和方法具有如下優(yōu)點(diǎn)與相關(guān)技術(shù)相比，根據(jù)本發(fā)明的制造多晶硅的裝置和方法具有更多的優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)?它在與相關(guān)技術(shù)相比相對更短的時間內(nèi)通過激光束照射對硅烷氣體進(jìn)行熱分解來生成多 晶硅顆粒。特別地，由于激光是一種單一波長光，所以激光對原材料氣體具有選擇性，并且激 光是一種高能量光束，其能夠在較短的時間內(nèi)利用多光子系統(tǒng)吸收來很容易實(shí)現(xiàn)對原材料 氣體的分解。根據(jù)本發(fā)明的制造多晶硅的裝置和方法通過利用具有上述特性的激光束對硅 烷氣體進(jìn)行熱分解來沉積多晶硅顆粒。因此，與使用電阻加熱來對硅烷氣體進(jìn)行分解的現(xiàn) 有方法相比，根據(jù)本發(fā)明的使用激光束的方法可以縮短用于沉積多晶硅顆粒的時間段。尤其的，由于激光束被照射來從反應(yīng)室100的一側(cè)向反應(yīng)室100的另一側(cè)行進(jìn)，所 以激光束與從氣體供應(yīng)器200大量供應(yīng)給反應(yīng)室100的硅烷氣體之間的接觸面積增大，由 此可以在短時間內(nèi)對大量硅烷氣體進(jìn)行熱分解。與在晶體種子的表面上沉積多晶硅顆粒的現(xiàn)有方法不同，根據(jù)本發(fā)明的方法在不 使用晶體種子的情況下直接沉積多硅晶顆粒，并且通過將所沉積的多晶硅顆粒熔化來制造 鑄塊。因此，根據(jù)本發(fā)明的方法的優(yōu)點(diǎn)在于不需要另外制造種子。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可 以進(jìn)行多種改進(jìn)和變型。因此，如果對本發(fā)明的改進(jìn)和變型在所附權(quán)利要求或其等價物的 范圍內(nèi)，則本發(fā)明意在涵蓋本發(fā)明的改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
一種制造多晶硅的裝置，包括反應(yīng)室；氣體供應(yīng)器，用于將硅烷氣體供應(yīng)給所述反應(yīng)室；激光照射器，用于通過將激光束照射到從所述氣體供應(yīng)器供應(yīng)的所述硅烷氣體來對所述硅烷氣體進(jìn)行熱分解，生成多晶硅顆粒；以及多晶硅顆粒接收器，用于接收和儲存所述多晶硅顆粒。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述激光照射器通過將所述激光束從所述反應(yīng)室 的一側(cè)行進(jìn)到所述反應(yīng)室的另一側(cè)，將所述激光束照射到所述氣體供應(yīng)器和所述多晶硅顆 粒接收器之間的部分上。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述多晶硅顆粒接收器包括被可分離地設(shè)置在所述反應(yīng)室中的容器，所述容器通過開口與所述反應(yīng)室相連通，以 便所述反應(yīng)室中生成的所述多晶硅顆粒平滑地進(jìn)入到所述容器的內(nèi)部；以及輔助腔室，所述輔助腔室在所述輔助腔室包圍所述容器的情況下與所述反應(yīng)室相連， 以便在將所述容器從所述反應(yīng)室分離之后，在對所述開口進(jìn)行密封時阻止氧氣滲入所述容 器中。
4.一種制造多晶硅的裝置，包括； 反應(yīng)室；氣體供應(yīng)器，用于將硅烷氣體供應(yīng)給所述反應(yīng)室；激光照射器，用于通過將激光束照射到從所述氣體供應(yīng)器供應(yīng)的所述硅烷氣體來對所 述硅烷氣體進(jìn)行熱分解，生成多晶硅顆粒；以及鑄塊成形部件，用于接收和儲存所述多晶硅顆粒，并通過溶化所述多晶硅顆粒來形成 鑄塊。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述激光照射器通過將所述激光束從所述反應(yīng)室 的一側(cè)行進(jìn)到所述反應(yīng)室的另一側(cè)，將所述激光束照射到所述氣體供應(yīng)器和所述鑄塊成形 部件之間的部分上。
6.如權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述鑄塊成形部件包括熔爐，用于接收和儲存所述多晶硅顆粒，并且將所儲存的多晶硅顆粒熔化；以及 至少一個加熱器，用于加熱所述熔爐。
7.如權(quán)利要求1或4所述的裝置，還包括空氣簾生成器，其設(shè)置在所述反應(yīng)室內(nèi)，用于阻止從所述氣體供應(yīng)器供應(yīng)的硅烷氣體 與所述反應(yīng)室的內(nèi)側(cè)面接觸。
8.如權(quán)利要求1或4所述的裝置，其中，在所述反應(yīng)室的預(yù)定部分設(shè)置窗口，從而使得 被照射的激光束通過所述窗口傳輸?shù)剿龇磻?yīng)室的內(nèi)部。
9.如權(quán)利要求1或4所述的裝置，其中，所述激光照射器包括 激光振蕩器，用于使所述激光束振蕩；光學(xué)系統(tǒng)，用于增強(qiáng)所述振蕩后的激光束的均勻性；以及 激光功率接收器，用于接收所述激光束，其中，所述激光振蕩器和所述光學(xué)系統(tǒng)位于所述反應(yīng)室的一個外側(cè)處，而所述激光功 率接收器位于所述反應(yīng)室的另一外側(cè)處。
10.一種制造多晶硅的方法包括 通過氣體供應(yīng)器將硅烷氣體供應(yīng)給反應(yīng)室；通過將激光束照射到所述反應(yīng)室來對所述硅烷氣體進(jìn)行熱分解，生成多晶硅顆粒；以及在多晶硅顆粒接收器中接收并儲存所述多晶硅顆粒。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，照射所述激光束的過程包括通過將所述激光束 從所述反應(yīng)室的一側(cè)行進(jìn)到所述反應(yīng)室的另一側(cè)，將所述激光束照射到所述氣體供應(yīng)器與 所述多晶硅顆粒接收器之間的部分上的步驟。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述多晶硅顆粒接收器包括被可分離地設(shè)置在 所述反應(yīng)室中的容器以及輔助腔室，所述容器通過開口與所述反應(yīng)室相連通，以便在所述 反應(yīng)室中生成的所述多晶硅顆粒平滑地進(jìn)入到所述容器的內(nèi)部，所述輔助腔室在所述輔助 腔室包圍所述容器的情況下與所述反應(yīng)室相連，還包括，當(dāng)在所述多晶硅顆粒接收器中接收并儲存所述多晶硅顆粒的過程完成之后， 在用于儲存所述多晶硅顆粒的所述容器從所述反應(yīng)室分離時，在所述輔助腔室的內(nèi)部密封 所述多晶硅顆粒接收器的所述容器的開口。
13.—種制造多晶硅的方法包括 通過氣體供應(yīng)器將硅烷氣體供應(yīng)給反應(yīng)室；通過將激光束照射到所述反應(yīng)室來對所述硅烷氣體進(jìn)行熱分解，生成多晶硅顆粒；以及在鑄塊成形部件中接收并儲存所述多晶硅顆粒，并通過將儲存在所述鑄塊成形部件中 的所述多晶硅顆粒熔化來形成鑄塊。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，照射所述激光束的過程包括通過將所述激光束 從所述反應(yīng)室的一側(cè)行進(jìn)到所述反應(yīng)室的另一側(cè)，來將所述激光束照射到所述氣體供應(yīng)器 與所述鑄塊成形部件之間的部分上的步驟。
15.如權(quán)利要求10或13所述的方法，其中，供應(yīng)所述硅烷氣體的過程還包括在所述反 應(yīng)室的內(nèi)表面生成空氣簾，以便阻止從所述氣體供應(yīng)器供應(yīng)的硅烷氣體與所述反應(yīng)室的內(nèi) 側(cè)面接觸的步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種制造多晶硅的裝置和方法，其能夠通過采用激光束對硅烷氣體進(jìn)行熱分解來沉積多晶硅顆粒，縮短制造多晶硅所需要的時間段，并且能夠通過直接地沉積多晶硅顆粒并熔化多晶硅顆粒來制造鑄塊，而不需要使用額外的晶體種子，其中，所述裝置還包括反應(yīng)室；氣體供應(yīng)器，用于將硅烷氣體供應(yīng)給所述反應(yīng)室；激光照射器，用于通過將激光束照射到從所述氣體供應(yīng)器供應(yīng)的硅烷氣體來對所述硅烷氣體進(jìn)行熱分解，生成多晶硅顆粒；以及多晶硅顆粒接收器，用于接收并儲存多晶硅顆粒。
文檔編號C01B33/029GK101850974SQ20091017677
公開日2010年10月6日 申請日期2009年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月6日
發(fā)明者樸斗鎮(zhèn) 申請人:Tsti技術(shù)株式會社