一種減少晶邊研磨顆粒殘留的裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種晶圓生產(chǎn)裝置，尤其涉及在晶圓生產(chǎn)過程中的一種減少晶邊研磨顆粒殘留的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在生產(chǎn)晶圓的研磨工序中，所采用的化學(xué)機(jī)械研磨液的主要成分為二氧化硅顆粒，研磨后會(huì)殘留在晶圓的表面及晶邊的位置。在采用現(xiàn)有的AS2000機(jī)臺(tái)的單個(gè)氫氟酸噴頭進(jìn)行刷干后發(fā)現(xiàn)在晶邊的位置上會(huì)有研磨液殘留。在穿脫晶盒(pod)的過程中，研磨液殘留物會(huì)留在晶圓表面造成元器件失效，造成晶圓產(chǎn)品的良率下降。
[0003]圖2所示即為AS2000機(jī)臺(tái)的現(xiàn)有沖洗裝置的氫氟酸噴頭的工作狀態(tài)，其中第一氫氟酸噴頭5處于待處理的晶圓7的上方。氫氟酸噴頭的結(jié)構(gòu)如圖4所示，包含上斜面81、下斜面83以及尖端82，氫氟酸酸液由尖端82噴射到晶圓7的表面上。隨后酸液沿圖2中箭頭所示的方向由晶邊流下，在流下時(shí)與晶邊的研磨液起反應(yīng)從而起到一定的清洗作用。但由于氫氟酸噴出的時(shí)間短，會(huì)造成晶邊的研磨液無法完全洗凈，經(jīng)最后的旋干過程后會(huì)殘留在晶圓的邊緣上，造成最終產(chǎn)品的良率降低。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，本實(shí)用新型提供了一種減少晶邊研磨顆粒殘留的裝置，其在原機(jī)臺(tái)的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上，在晶邊位置增加第二氫氟酸噴頭，用于清洗晶邊的研磨液殘留物。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案如下:
[0006]一種減少晶邊研磨顆粒殘留的裝置，包括氫氟酸酸槽、節(jié)流閥、機(jī)臺(tái)化學(xué)柜、流量偵測(cè)器、第一氫氟酸噴頭以及第二氫氟酸噴頭，其中，所述氫氟酸酸槽通過輸送管線與所述機(jī)臺(tái)化學(xué)柜連通，與所述氫氟酸酸槽連通的輸送管線上設(shè)置有節(jié)流閥，所述機(jī)臺(tái)化學(xué)柜與所述第一氫氟酸噴頭以及所述第二氫氟酸噴頭通過輸送管線連通，與所述第一氫氟酸噴頭以及所述第二氫氟酸噴頭連通的輸送管線上設(shè)置有所述流量偵測(cè)器，所述流量偵測(cè)器通過輸送管線分別與所述第一氫氟酸噴頭以及所述第二氫氟酸噴頭連通。
[0007]進(jìn)一步地，所述第一氫氟酸噴頭設(shè)置于待處理晶圓的晶面上方，所述第二氫氟酸喂'頭設(shè)置于待處理晶圓晶面的側(cè)部。
[0008]進(jìn)一步地，所述第二氫氟酸噴頭數(shù)量為2-4個(gè)。
[0009]進(jìn)一步地，所述第二氫氟酸噴頭圍繞待處理晶圓的晶邊等角度地設(shè)置。
[0010]進(jìn)一步地，所述第二氫氟酸噴頭與待處理晶圓晶面之間的夾角為25度一35度。
[0011]進(jìn)一步地，所述待處理晶圓與所述第二氫氟酸噴頭之間具有恒定的相對(duì)角速度。
[0012]進(jìn)一步地，所述第一氫氟酸噴頭和所述第二氫氟酸噴頭同時(shí)噴射氫氟酸酸液。
[0013]采用上述技術(shù)方案后，晶圓側(cè)面的氫氟酸噴頭直接將氫氟酸作用到晶圓的邊緣，充分將晶邊的研磨液清洗干凈，有效地避免了晶邊研磨液的殘留，將產(chǎn)品良率提升大約 1%ο
【附圖說明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型的減少晶邊研磨顆粒殘留的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖(第一和第二氫氟酸噴頭未示出)。
[0015]圖2為現(xiàn)有沖洗裝置的第一氫氟酸噴頭工作狀態(tài)示意圖。
[0016]圖3為本實(shí)用新型的減少晶邊研磨顆粒殘留的裝置的第一和第二氫氟酸噴頭的工作狀態(tài)示意圖。
[0017]圖4為氫氟酸噴頭的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下面結(jié)合實(shí)施例及附圖，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0019]實(shí)施例1
[0020]如圖1及圖3所示的一種減少晶邊研磨顆粒殘留物的裝置，其包括:廠務(wù)氫氟酸酸槽1、節(jié)流閥2、機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3、流量偵測(cè)器4、第一氫氟酸噴頭5、第二氫氟酸噴頭6，其中，廠務(wù)氫氟酸酸槽I與機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3通過輸送管線連通，輸送管線上設(shè)置有節(jié)流閥2，機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3與圖3中所示的第一氫氟酸噴頭5和第二氫氟酸噴頭6通過輸送管線連通，與第一氫氟酸噴頭5和第二氫氟酸噴頭6連通的輸送管線上設(shè)置有流量偵測(cè)器4以及閥門。
[0021]第一氫氟酸噴頭5設(shè)置于待處理晶圓7的上方，第二氫氟酸噴頭6設(shè)置于待處理晶圓7的側(cè)部。
[0022]在進(jìn)行清洗操作時(shí)，氫氟酸酸液由廠務(wù)氫氟酸酸槽I通過輸送管線輸送到機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3，再由機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3通過流量偵測(cè)器4輸送到第一氫氟酸噴頭5和第二氫氟酸噴頭6。第一氫氟酸噴頭5和第二氫氟酸噴頭6噴射氫氟酸酸液，同時(shí)晶圓7以恒定的角速度旋轉(zhuǎn)，以保證第二氫氟酸噴頭6所噴出的酸液可以完全覆蓋晶圓7的整個(gè)晶邊，從而完成對(duì)晶邊的清洗。
[0023]實(shí)施例2
[0024]如圖1及圖3所示的一種減少晶邊研磨顆粒殘留物的裝置，其包括:廠務(wù)氫氟酸酸槽1、節(jié)流閥2、機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3、流量偵測(cè)器4、第一氫氟酸噴頭5、以及相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)第二氫氟酸噴頭6 (相對(duì)側(cè)的另一第二氫氟酸噴頭在圖3中未示出)，其中，廠務(wù)氫氟酸酸槽I與機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3通過輸送管線連通，輸送管線上設(shè)置有節(jié)流閥2，機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3與圖3中所示的第一氫氟酸噴頭5和兩個(gè)第二氫氟酸噴頭6通過輸送管線連通，與第一氫氟酸噴頭5和兩個(gè)第二氫氟酸噴頭6連通的輸送管線上設(shè)置有流量偵測(cè)器4以及閥門。
[0025]第一氫氟酸噴頭5處于待處理晶圓7的上部，兩個(gè)第二氫氟酸噴頭6相對(duì)地設(shè)置于待處理晶圓7的兩側(cè)。在實(shí)踐中，還可以按照需要圍繞待處理晶圓7的晶邊等角度地設(shè)置3或4個(gè)第二氫氟酸噴頭。
[0026]在進(jìn)行清洗操作時(shí)，氫氟酸酸液由廠務(wù)氫氟酸酸槽I通過輸送管線輸送到機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3，再由機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3通過流量偵測(cè)器4輸送到第一氫氟酸噴頭5和兩個(gè)第二氫氟酸噴頭6。第一氫氟酸噴頭5和兩個(gè)第二氫氟酸噴頭6噴射氫氟酸酸液，兩個(gè)相對(duì)的第二氫氟酸喂'頭6從晶圓7兩側(cè)所唆出的酸液可以完全覆蓋晶圓7的整個(gè)晶邊，從而完成對(duì)晶邊的清洗。
[0027]實(shí)施例3
[0028]如圖1及圖3所示的一種減少晶邊研磨顆粒殘留物的裝置，其包括:廠務(wù)氫氟酸酸槽1、節(jié)流閥2、機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3、流量偵測(cè)器4、第一氫氟酸噴頭5、第二氫氟酸噴頭6，其中，廠務(wù)氫氟酸酸槽I與機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3通過輸送管線連通，輸送管線上設(shè)置有節(jié)流閥2，機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3與圖3中所示的第一氫氟酸噴頭5和第二氫氟酸噴頭6通過輸送管線連通，與第一氫氟酸噴頭5和第二氫氟酸噴頭6連通的輸送管線上設(shè)置有流量偵測(cè)器4以及閥門。
[0029]第一氫氟酸噴頭5處于待處理晶圓7的上部，第二氫氟酸噴頭6處于待處理晶圓7的側(cè)部并與晶圓7的晶面的夾角為25-35度并優(yōu)選為30度。在實(shí)踐中，這樣的傾角可以使噴射出的氫氟酸酸液更均勻有效地覆蓋晶邊，同時(shí)減少清洗所需的氫氟酸量。
[0030]在進(jìn)行清洗操作時(shí)，氫氟酸酸液由廠務(wù)氫氟酸酸槽I通過輸送管線輸送到機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3，再由機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3通過流量偵測(cè)器4輸送到第一氫氟酸噴頭5和第二氫氟酸噴頭6。第一氫氟酸噴頭5和第二氫氟酸噴頭6噴射氫氟酸酸液，同時(shí)晶圓7以恒定的角速度旋轉(zhuǎn)，以保證第二氫氟酸噴頭6所噴出的酸液可以完全覆蓋晶圓7的整個(gè)晶邊，從而完成對(duì)晶邊的清洗。
[0031]實(shí)施例4
[0032]如圖1及圖3所示的一種減少晶邊研磨顆粒殘留物的裝置，其包括:廠務(wù)氫氟酸酸槽1、節(jié)流閥2、機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3、流量偵測(cè)器4、第一氫氟酸噴頭5、第二氫氟酸噴頭6，其中，廠務(wù)氫氟酸酸槽I與機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3通過輸送管線連通，輸送管線上設(shè)置有節(jié)流閥2，機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3與圖3中所示的第一氫氟酸噴頭5和第二氫氟酸噴頭6通過輸送管線連通，與第一氫氟酸噴頭5和第二氫氟酸噴頭6連通的輸送管線上設(shè)置有流量偵測(cè)器4以及閥門。
[0033]第一氫氟酸噴頭5處于待處理晶圓7的上部，第二氫氟酸噴頭6處于待處理晶圓7的側(cè)部。
[0034]在進(jìn)行清洗操作時(shí)，氫氟酸酸液由廠務(wù)氫氟酸酸槽I通過輸送管線輸送到機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3，再由機(jī)臺(tái)化學(xué)柜3通過流量偵測(cè)器4輸送到第一氫氟酸噴頭5和第二氫氟酸噴頭6。第一氫氟酸噴頭5和第二氫氟酸噴頭6同時(shí)噴射氫氟酸酸液，同時(shí)晶圓7以恒定的角速度旋轉(zhuǎn)，以保證第二氫氟酸噴頭6所噴出的酸液可以完全覆蓋晶圓7的整個(gè)晶邊，從而完成對(duì)晶邊的清洗。第一氫氟酸噴頭5和第二氫氟酸噴頭6同時(shí)噴射酸液可以有效地減少清洗時(shí)間，提高清洗效率。
[0035]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種減少晶邊研磨顆粒殘留的裝置，其特征在于，包括氫氟酸酸槽、節(jié)流閥、機(jī)臺(tái)化學(xué)柜、流量偵測(cè)器、第一氫氟酸噴頭以及第二氫氟酸噴頭，其中，所述氫氟酸酸槽通過輸送管線與所述機(jī)臺(tái)化學(xué)柜連通，并且與所述氫氟酸酸槽連通的輸送管線上設(shè)置有節(jié)流閥，所述機(jī)臺(tái)化學(xué)柜與所述第一氫氟酸噴頭以及所述第二氫氟酸噴頭通過輸送管線連通，與所述第一氫氟酸噴頭以及所述第二氫氟酸噴頭連通的輸送管線上設(shè)置有所述流量偵測(cè)器，所述流量偵測(cè)器通過輸送管線分別與所述第一氫氟酸噴頭以及所述第二氫氟酸噴頭連通。2.如權(quán)利要求1所述的減少晶邊研磨顆粒殘留的裝置，其特征在于，所述第一氫氟酸噴頭設(shè)置于待處理晶圓的晶面上方，所述第二氫氟酸噴頭設(shè)置于待處理晶圓晶面的側(cè)部。3.如權(quán)利要求1所述的減少晶邊研磨顆粒殘留的裝置，其特征在于，所述第二氫氟酸噴頭數(shù)量為2-4個(gè)。4.如權(quán)利要求3所述的減少晶邊研磨顆粒殘留的裝置，其特征在于，所述第二氫氟酸噴頭圍繞待處理晶圓的晶邊等角度地設(shè)置。5.如權(quán)利要求2所述的減少晶邊研磨顆粒殘留的裝置，其特征在于，所述第二氫氟酸噴頭與待處理晶圓晶面之間的夾角為25度一35度。6.如權(quán)利要求2所述的減少晶邊研磨顆粒殘留的裝置，其特征在于，所述待處理晶圓與所述第二氫氟酸噴頭之間具有恒定的相對(duì)角速度。7.如權(quán)利要求1所述的減少晶邊研磨顆粒殘留的裝置，其特征在于，所述第一氫氟酸噴頭和所述第二氫氟酸噴頭同時(shí)噴射氫氟酸酸液。
【專利摘要】一種減少晶邊研磨顆粒殘留的裝置，包括氫氟酸酸槽、節(jié)流閥、機(jī)臺(tái)化學(xué)柜、流量偵測(cè)器、第一氫氟酸噴頭以及第二氫氟酸噴頭，其中，氫氟酸酸槽通過輸送管線與機(jī)臺(tái)化學(xué)柜連通，并且與氫氟酸酸槽連通的輸送管線上設(shè)置有節(jié)流閥，機(jī)臺(tái)化學(xué)柜與第一氫氟酸噴頭以及第二氫氟酸噴頭通過輸送管線連通，與第一氫氟酸噴頭以及第二氫氟酸噴頭連通的輸送管線上設(shè)置有流量偵測(cè)器，流量偵測(cè)器通過輸送管線分別與第一氫氟酸噴頭以及第二氫氟酸噴頭連通，第一氫氟酸噴頭位于待處理晶圓的晶面上方，第二氫氟酸噴頭位于待處理晶圓晶面的側(cè)部。操作時(shí)第一氫氟酸噴頭和第二氫氟酸噴頭對(duì)晶圓的表面以及晶邊進(jìn)行全面的清洗，減少研磨液殘留，提升產(chǎn)品良率。
【IPC分類】B24B55/00, H01L21/67
【公開號(hào)】CN204621829
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520154335
【發(fā)明人】李楊
【申請(qǐng)人】和艦科技(蘇州)有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請(qǐng)日】2015年3月18日