研磨墊的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種研磨墊。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，研磨制程逐漸被產(chǎn)業(yè)所采用來平坦化被研磨物件，研磨制程是通過供應(yīng)研磨液或研磨顆粒在研磨墊上，并對(duì)被研磨物件施加一壓力以將其壓置在研磨墊上，且在被研磨物件及研磨墊彼此進(jìn)行相對(duì)運(yùn)動(dòng)。通過相對(duì)運(yùn)動(dòng)所產(chǎn)生的摩擦，移除部分被研磨物件表層，而使其表面逐漸平坦，來達(dá)成平坦化的目的。
[0003]研磨制程中研磨液或研磨顆粒與研磨墊的搭配，可以使被研磨物件得到不同的平坦化特性，這些搭配可視被研磨物件平坦化的需求而選擇。因此，需要不同的研磨墊以提供產(chǎn)業(yè)的選擇。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型提供一種研磨墊，適用于研磨一研磨物件。通過調(diào)整聚合物基材與聚合物顆粒兩者間的孔洞類型差異，可制造出具有綜合特性的研磨墊，以提供產(chǎn)業(yè)的選擇。
[0005]本實(shí)用新型的研磨墊包括一研磨層，研磨層包括一聚合物基材以及嵌入在其中的多個(gè)聚合物顆粒，其中這些聚合物顆粒的整體外表面與聚合物基材直接接觸，聚合物基材具有選自于無孔洞結(jié)構(gòu)、封閉型多孔洞結(jié)構(gòu)、或開放型多孔洞結(jié)構(gòu)的其中一種，這些聚合物顆粒具有選自于封閉型多孔洞結(jié)構(gòu)或開放型多孔洞結(jié)構(gòu)的其中一種，且這些聚合物顆粒的孔洞結(jié)構(gòu)不同于聚合物基材的孔洞結(jié)構(gòu)。
[0006]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，該些聚合物顆粒與該聚合物基材間不存在結(jié)構(gòu)上的邊界。
[0007]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，該些聚合物顆粒與該聚合物基材的材料相同。
[0008]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，該些聚合物顆粒的平均粒徑介于30 μπι到2000 μm。
[0009]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，該聚合物基材具有多個(gè)第一孔洞的結(jié)構(gòu)，該些聚合物顆粒具有多個(gè)第二孔洞的結(jié)構(gòu)。
[0010]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，該些第一孔洞為開放型孔洞，而該些第二孔洞為封閉型孔洞；或該些第一孔洞為封閉型孔洞，而該些第二孔洞為開放型孔洞。
[0011]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，該些開放型孔洞的平均孔徑介于25μπι到ΙΟΟΟμ??之間，該些封閉型孔洞的平均孔徑介于5 μπι到50 μπι之間。
[0012]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，該聚合物基材具有無孔洞結(jié)構(gòu)，而該些聚合物顆粒具有多個(gè)封閉型孔洞，該些封閉型孔洞的平均孔徑介于5 μπι到50μπι之間。
[0013]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，該聚合物基材具有無孔洞結(jié)構(gòu)，而該些聚合物顆粒具有多個(gè)開放型孔洞，該些開放型孔洞的平均孔徑介于25 μ??到1000 μm之間。
[0014]本實(shí)用新型的研磨墊包括一研磨層，研磨層包括一聚合物基材以及嵌入在其中的多個(gè)聚合物顆粒，其中這些聚合物顆粒與聚合物基材間不存在結(jié)構(gòu)上的邊界，聚合物基材具有選自于無孔洞結(jié)構(gòu)、封閉型多孔洞結(jié)構(gòu)、或開放型多孔洞結(jié)構(gòu)的其中一種，這些聚合物顆粒具有選自于封閉型多孔洞結(jié)構(gòu)或開放型多孔洞結(jié)構(gòu)的其中一種，且這些聚合物顆粒的孔洞結(jié)構(gòu)不同于聚合物基材的孔洞結(jié)構(gòu)。
[0015]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，該些聚合物顆粒的整體外表面與該聚合物基材直接接觸。
[0016]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，該些聚合物顆粒與該聚合物基材的材料相同。
[0017]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，該些聚合物顆粒的平均粒徑介于30 μπι到2000 μm。
[0018]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，該聚合物基材具有多個(gè)第一孔洞的結(jié)構(gòu)，該些聚合物顆粒具有多個(gè)第二孔洞的結(jié)構(gòu)。
[0019]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，該些第一孔洞為開放型孔洞，而該些第二孔洞為封閉型孔洞；或該些第一孔洞為封閉型孔洞，而該些第二孔洞為開放型孔洞。
[0020]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，該些開放型孔洞的平均孔徑介于25μπι到ΙΟΟΟμ??之間，該些封閉型孔洞的平均孔徑介于5 μπι到50 μπι之間。
[0021]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，該聚合物基材具有無孔洞結(jié)構(gòu)，而該些聚合物顆粒具有多個(gè)封閉型孔洞，該些封閉型孔洞的平均孔徑介于5 μπι到50μπι之間。
[0022]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，該聚合物基材具有無孔洞結(jié)構(gòu)，而該些聚合物顆粒具有多個(gè)開放型孔洞，該些開放型孔洞的平均孔徑介于25 μ??到1000 μm之間。
[0023]為讓本實(shí)用新型的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特以示范性實(shí)施方式作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0024]圖1是第一實(shí)施方式的研磨墊的局部剖面示意圖；
[0025]圖2是第二實(shí)施方式的研磨墊的局部剖面示意圖；
[0026]圖3是第三實(shí)施方式的研磨墊的局部剖面示意圖；
[0027]圖4是第四實(shí)施方式的研磨墊的局部剖面示意圖。
[0028]附圖標(biāo)記說明:
[0029]100、200、300、400:研磨層；
[0030]102、202、302、402:聚合物基材；
[0031]104、204、304、404:聚合物顆粒；
[0032]106,206:第一孔洞；
[0033]108,208:第二孔洞；
[0034]306、406:孔洞。
【具體實(shí)施方式】
[0035]根據(jù)本實(shí)用新型所公開的技術(shù)，研磨墊的研磨層包括聚合物基材與分散在其中的多個(gè)聚合物顆粒。在一實(shí)施例中，聚合物顆粒的整體外表面與聚合物基材直接接觸，在另一實(shí)施例中，聚合物顆粒與聚合物基材間不存在結(jié)構(gòu)上的邊界。聚合物基材具有選自于無孔洞結(jié)構(gòu)、封閉型多孔洞結(jié)構(gòu)、或開放型多孔洞結(jié)構(gòu)的其中一種，聚合物顆粒具有選自于封閉型多孔洞結(jié)構(gòu)或開放型多孔洞結(jié)構(gòu)的其中一種，且聚合物顆粒的孔洞結(jié)構(gòu)不同于聚合物基材的孔洞結(jié)構(gòu)。
[0036]聚合物基材與聚合物顆粒具有不同的孔洞類型，通過聚合物基材與聚合物顆粒兩者之間的孔洞類型差異，可以調(diào)整整體研磨墊的性質(zhì)，其中孔洞類型包括無孔洞(non-porous)、封閉型孔洞(closed pores)以及開放型孔洞(open pores)。封閉型孔洞是指大部分相鄰兩個(gè)孔洞之間彼此互不連通，在此要特別說明的是并非任意兩個(gè)相鄰的孔洞就一定互不連通，但相對(duì)來說有極高的比例是互不連通，因而對(duì)于聚合物基材或聚合物顆粒整體的(bulk)孔洞分布而言，為彼此互不連通的結(jié)構(gòu)。而開孔型則是指大部分相鄰兩個(gè)孔洞之間是相互連通的，在此要特別說明的是并非任意兩個(gè)相鄰的孔洞就一定會(huì)相互連通，但相對(duì)來說有極高的比例是會(huì)相互連通，因而對(duì)于聚合物基材或聚合物顆粒整體的孔洞分布而言，為彼此相互連通的結(jié)構(gòu)。
[0037]本實(shí)用新型所公開的技術(shù)，孔洞類型的差異可以產(chǎn)生數(shù)種不同的組合，包括:組合1:聚合物基材為開放型多孔洞結(jié)構(gòu)，聚合物顆粒為封閉型多孔洞結(jié)構(gòu)；組合2:聚合物基材為封閉型多孔洞結(jié)構(gòu)，聚合物顆粒為開放型多孔洞結(jié)構(gòu)；組合3:聚合物基材為無孔洞結(jié)構(gòu)，聚合物顆粒為封閉型多孔洞結(jié)構(gòu)；組合4:聚合物基材為無孔洞結(jié)構(gòu)，聚合物顆粒為開放型多孔洞結(jié)構(gòu)，等多種變化。本實(shí)用新型綜合研磨層中各種孔洞類型的特性，包括:無孔洞結(jié)構(gòu)可以減少研磨層的壓縮率，以提高研磨物件的平坦度；封閉型孔洞可以使研磨液或研磨顆粒在研磨層的表面分布較為均勻，使研磨液或研磨顆粒較有效率的使用；開放型孔洞可以提高研磨層的壓縮率，減少研磨物件表面產(chǎn)生缺陷(defect)。本實(shí)用新型的不同組合，通過調(diào)整聚合物基材與聚合物顆粒兩者間的孔洞類型差異，可制造出具有綜合特性的研磨墊，以提供產(chǎn)業(yè)的選擇。
[0038]本實(shí)用新型的第一實(shí)施方式涉及一種研磨墊，且也同時(shí)涉及該研磨墊的制造方法。以下將參照?qǐng)D1說明之。
[0039]圖1呈現(xiàn)第一實(shí)施方式的研磨墊的局部剖面圖。參考圖1，研磨墊的研磨層100包括聚合物基材102以及嵌入于其中的多個(gè)聚合物顆粒104。
[0040]聚合物基材102的材料例如是聚醋(polyester)、聚醚(polyether)、聚胺醋(polyurethane)、聚碳酸酉旨(polycarbonate)、聚丙稀酸酉旨(polyacrylate)、聚丁二烯(polybutadiene)或其余通過合適的熱固性樹脂(thermosetting resin)或熱塑性樹脂(thermoplastic resin)所合成的材料等。
[0041]類似地，聚合物顆粒104的材料也例如是熱塑性樹脂或熱固性樹脂所合成的材料，且其具體實(shí)例和前一段落所列舉者相同。聚合物顆粒104的材質(zhì)可以和聚合物基材102相同，也可以不同。此外，聚合物顆粒104的平均粒徑可介于30 μπι到2000 μπι之間。聚合物顆粒104和聚合物基材102的相對(duì)比例在本實(shí)施方式中沒有特別限定，但一般而言，以研磨層100的總重計(jì)，聚合物顆粒104的重量可占I %到50% ;在一些實(shí)施例中，可為5%到20%。值得一提的是，在本實(shí)施方式的研磨墊的研磨層100中，聚合物顆粒104經(jīng)過表面處理程序(如去除吸附氣體或水氣程序)，使聚合物顆粒104的表面與聚合物基材102間不存在間隙，也不存在額外的附著物或附著層，從而使聚合物顆粒104與聚合物基材102之間不存在結(jié)構(gòu)上的邊界，即聚合物顆粒104的整體外表面與聚合物基材102直接接觸。
[0042]在第一實(shí)施方式中，聚合物顆粒104可以由具有封閉型多孔洞結(jié)構(gòu)的材料構(gòu)成，即，其具有含多個(gè)第一孔洞106的結(jié)構(gòu)，且絕大部分相鄰兩個(gè)第一孔洞106之間彼此互不連通。而聚合物基材102則可以由具有開放型多孔洞結(jié)構(gòu)的材料構(gòu)成，S卩，其具有含多個(gè)第二孔洞108的結(jié)構(gòu)，且絕大部分相鄰兩個(gè)第二孔洞108之間是相互連通的，在此要特別說明的是并非任意兩個(gè)相鄰的第二孔洞108就一定會(huì)相互連通，但相對(duì)來說有極高的比例是會(huì)相互連通(如圖1所示)，因而可形成具有孔隙度較大的聚合物基材102。
[0043]在本實(shí)施方式中，第一孔洞106的平均孔徑可介于5 μπι到50 μm之間；第二孔洞108的平均孔徑可介于25ym到1000 μ m之間。
[0044]研磨層100的制造方法，例如是將具有封閉型多孔洞結(jié)構(gòu)的聚合物顆粒104散布在聚合物材料中，接著使該聚合物材料通過發(fā)泡成型而形成具有開放型多孔洞結(jié)構(gòu)的聚合物基材102。
[0045]本實(shí)用新型的第二實(shí)施方式涉及一種研磨墊，且也同時(shí)涉及該研磨墊的制造方法。以下將參照?qǐng)D2說明之。
[0046]圖2呈現(xiàn)第二實(shí)施方式的研磨墊的局部剖面圖。參考圖2，研磨墊的研磨層200包括聚合物基材202以及嵌入在其中的多個(gè)聚合物顆粒204。
[0047]聚合物基材202和聚合物顆粒204的材質(zhì)可以是第一實(shí)施方式中記載的聚合物材料。此外，聚合物顆粒204的平均粒徑可介于30 μπι到2000