含銀薄膜的蝕刻液組合物和使用了其的顯示裝置用陣列基板的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及包含磷酸、硝酸、醋酸、磷酸鹽、硝酸鹽和/或醋酸鹽、和脫離子水的含銀薄膜的蝕刻液組合物、使用了其的顯示裝置用陣列基板的制造方法。
【專利說明】
含銀薄膜的蝕刻液組合物和使用了其的顯示裝置用陣列基板 的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物和使用了其的顯示裝置用陣列基板的 制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著進(jìn)入真正的信息化時代，對大量的信息進(jìn)行處理和顯示的顯示器領(lǐng)域急速地 發(fā)展，相應(yīng)地開發(fā)了多種平板顯示器而受到關(guān)注。
[0003] 作為這樣的平板顯示裝置的例子，可列舉液晶顯示裝置（Liquid Crystal Display device:LCD)、等離子體顯不裝置（Plasma Display Panel device:PDP)、場致發(fā) 射顯示裝置（Field Emission Display device:FED)、有機(jī)發(fā)光元件（Organic Light Emitting Diodes:0LED)等。
[0004] 特別地，OLED由于由元件自身發(fā)光，同時即使用低電壓也能夠驅(qū)動，因此不僅已迅 速地應(yīng)用于便攜設(shè)備等的小型顯示器市場，而且根據(jù)向顯示器的大畫面化的趨勢，目前正 在進(jìn)行向大型電視機(jī)等的商用化。伴隨顯示器的大畫面化，配線等延長，配線電阻增加，因 此要求降低電阻、可以實(shí)現(xiàn)顯示裝置的大型化和高分辨率的方法。
[0005] 為了解決電阻的增加引起的信號延遲等的問題，有必要用具有盡可能低的比電阻 的材料形成所述配線。作為這樣的努力的一環(huán)，致力于將具有比其他金屬低的比電阻和高 的亮度、電導(dǎo)率的銀(Ag:比電阻約1.59μ Ω cm)膜、銀合金膜、或包含銀膜、銀合金膜的多層 膜應(yīng)用于濾色器的電極、配線和反射膜等、用于實(shí)現(xiàn)平板顯示裝置的大型化以及高分辨率 和低電力消耗等的努力，要求用于應(yīng)用于這樣的材料的蝕刻液。
[0006] 將含銀(Ag)薄膜蒸鍍于基板的情況下，為了將其形成圖案、蝕刻，使用以往的蝕刻 液的情況下，有時產(chǎn)生蝕刻不良、殘渣產(chǎn)生、工序時間延長等問題。另外，與其相反，將銀 (Ag)過度地蝕刻，不均一地蝕刻，發(fā)生配線浮起或剝離現(xiàn)象，配線的側(cè)面輪廓可變得不良。 因此，要求開發(fā)能夠解決這樣的問題的新的蝕刻液。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 發(fā)明所要解決的課題
[0008] 本發(fā)明為了解決所述的問題而完成，目的在于提供將銀(Ag)或銀合金的單一膜、 或者包含所述單一膜和透明導(dǎo)電膜的多層膜蝕刻時極限尺寸偏差(CD bias)優(yōu)異、不存在 下部數(shù)據(jù)配線的損傷和殘渣的產(chǎn)生、顯示均一的蝕刻特性的蝕刻液組合物。
[0009] 另外，本發(fā)明的目的在于提供使用所述蝕刻液組合物制造0LED、IXD等的顯示裝置 用陣列基板的方法。
[0010]用于解決課題的手段
[0011]為了實(shí)現(xiàn)所述的目的，本發(fā)明提供含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物，其特征在于，相 對于組合物的總重量，包含：
[0012] 磷酸(A)40~60重量％ ;
[0013] 硝酸(B)3~8重量％;
[0014] 醋酸（C)5~20重量％ ;
[0015] 磷酸鹽(D)0.1~3重量％;
[0016] 選自硝酸鹽(E)0.1~3重量％和醋酸鹽(F)0.1~3重量％中的1種以上的鹽;和
[0017] 脫尚子水(G)余量。
[0018] 另外，本發(fā)明提供顯示裝置用陣列基板的制造方法，該顯示裝置用陣列基板的制 造方法包括：
[0019] a)在基板上形成柵極配線的步驟、
[0020] b)在包含所述柵極配線的基板上形成柵極絕緣層的步驟、
[0021 ] c)在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層的步驟、
[0022] d)在所述半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極的步驟、
[0023] e)形成與所述漏電極連接的像素電極或反射膜的步驟，
[0024] 其特征在于，所述e)步驟包含在基板上形成含銀(Ag)薄膜，用本發(fā)明的含銀薄膜 的蝕刻液組合物蝕刻，形成像素電極或反射膜的步驟。
[0025] 進(jìn)而，本發(fā)明提供用所述含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物蝕刻了的配線。
[0026] 發(fā)明的效果
[0027] 本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物通過包含磷酸、硝酸、醋酸、磷酸鹽、硝酸 鹽和/或醋酸鹽、和脫離子水，能夠提供在將含銀(Ag)薄膜蝕刻時極限尺寸偏差(CD bias) 優(yōu)異、不存在下部配線的損傷和蝕刻殘渣的產(chǎn)生、具有均一的蝕刻特性、蝕刻速度的控制容 易的蝕刻液組合物。
[0028]另外，本發(fā)明能夠提供使用所述蝕刻液組合物制造顯示裝置用陣列基板的方法。
【附圖說明】
[0029] 圖1為用蝕刻液蝕刻時用于說明極限尺寸偏差(CD bias:光致抗蝕劑寬度-配線寬 度、寬度差）的SEM照片。
[0030] 圖2為用蝕刻液蝕刻后測定了銀(Ag)殘渣產(chǎn)生的有/無的SEM照片。
[0031] 圖3為用蝕刻液蝕刻后測定了銀(Ag)再吸附發(fā)生的有/無的SEM照片。
[0032]圖4為蝕刻液的蝕刻速度的評價中為了說明縱向的蝕刻速度而示出的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033] 本發(fā)明人為了提供對于含銀(Ag)薄膜具有優(yōu)異的蝕刻特性、不產(chǎn)生殘渣和再吸 附、蝕刻控制優(yōu)異、不發(fā)生過剩的蝕刻的蝕刻液組合物，反復(fù)銳意努力，結(jié)果作為包含磷酸、 硝酸、醋酸作為酸、包含磷酸鹽、硝酸鹽和/或醋酸鹽等的蝕刻液組合物完成了本發(fā)明。
[0034] 本發(fā)明涉及含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物，其特征在于，相對于組合物的總重量， 包含：
[0035] 磷酸(A)40~60重量％;
[0036] 硝酸(B)3~8重量％;
[0037] 醋酸（C)5~20重量％;
[0038] 磷酸鹽(D)0.1~3重量％;
[0039] 選自硝酸鹽(E)0.1~3重量％和醋酸鹽(F)0.1~3重量％中的1種以上的鹽;和 [0040] 脫尚子水(G)余量。
[0041] 所述含銀(Ag)薄膜是在膜的構(gòu)成成分中包含銀(Ag)、包括單一膜和二重膜以上的 多層膜的概念。所述含銀(Ag)薄膜可列舉由銀(Ag)或銀合金構(gòu)成的單一膜、或者由所述單 一膜和透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的多層膜等，但并不限定于此。
[0042] 所述透明導(dǎo)電膜一般地是指如ΙΖ0和a-ITO那樣具有在可見光區(qū)域中透射率為約 90%以上、電阻率為IX 10-4Ω cm以下的特性的透明導(dǎo)電膜。為了透明導(dǎo)電膜為透明，一般地 傳導(dǎo)電子必須少，為了電導(dǎo)率變大，傳導(dǎo)電子必須多。即，透明導(dǎo)電膜的情況下，必須滿足這 樣相反的2個條件。
[0043]在將ΙΖ0和ΙΤ0蒸鍍的方法中，一般地使用濺射（5?11以^1叫）方法，與(^0 (Chemical Vapor Deposition)方法相比，調(diào)節(jié)蒸鍍條件容易。另外，使用大型的基板制造 的情況下，具有實(shí)現(xiàn)薄膜的厚度和薄膜特性的均一化容易的優(yōu)點(diǎn)。采用濺射方法制造的情 況下，存在使用氧化物祀或合金祀(alloy target)的2種方法，使用合金祀的情況下，具有 蒸鍍速度快、靶壽命也長得很、可以實(shí)現(xiàn)靶制造的容易性和再利用的優(yōu)點(diǎn)，但具有顯示對于 工序變數(shù)敏感的特性變化的缺點(diǎn)。如果使用氧化物靶，能夠具有再現(xiàn)性地控制薄膜的化學(xué) 計量比，但與合金靶相比，具有蒸鍍速度慢、蒸鍍中途可在靶中產(chǎn)生物理的龜裂、在靶中產(chǎn) 生電弧的缺點(diǎn)。
[0044]采用濺射方法蒸鍍銦-主成分系氧化物的情況下，與02反應(yīng)，具有Ιη203的形態(tài)，為 了提高電導(dǎo)率，作為摻雜劑，能夠使用6&、66、31、1^、513、2^311、和211等。本發(fā)明中的120和 ΙΤ0分別意味著將In2〇3與ZnO、In2〇3與Sn0 2以適當(dāng)比率混合的透明導(dǎo)電膜氧化物。
[0045] 以下對構(gòu)成本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物的各成分進(jìn)行說明。但是，本 發(fā)明并不限定于這些成分。
[0046] (A)磷酸
[0047] 本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物中所含的磷酸(H3P〇4)是作為主氧化劑使 用的成分，作為一例，起到將透明導(dǎo)電膜/銀(Ag)/透明導(dǎo)電膜等這樣的含銀薄膜氧化而濕 式蝕刻的作用。
[0048]所述磷酸相對于本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物的總重量，可含有40~60 重量％，更優(yōu)選地可含有50~60重量％。以不到40重量％含有所述磷酸的情況下，有時引起 銀的蝕刻速度的下降和銀殘渣的產(chǎn)生導(dǎo)致的不良。相反，超過60重量％含有的情況下，有時 帶來透明導(dǎo)電膜的蝕刻速度的下降，而銀的蝕刻速度過度地加速。因此，將其應(yīng)用于銀或銀 合金和透明導(dǎo)電膜的多層膜的情況下，由于上下部透明導(dǎo)電膜的尖端(Tip)的產(chǎn)生或過剩 的蝕刻現(xiàn)象的產(chǎn)生，在后續(xù)工序中可誘發(fā)問題而不希望。
[0049] (B)硝酸
[0050] 本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物中所含的硝酸(HN〇3)是作為輔助氧化劑 使用的成分，作為一例，起到將透明導(dǎo)電膜/銀(Ag)/透明導(dǎo)電膜等這樣的含銀薄膜氧化而 濕式蝕刻的作用。
[0051] 所述硝酸(B)相對于本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物的總重量，可含有3~ 8重量％，更優(yōu)選地可含有5~7重量％。所述硝酸的含量不到3重量％的情況下，發(fā)生銀 (Ag)、銀合金(si 1 ver a 11 oy)、或透明導(dǎo)電膜的蝕刻速度的下降，由此基板內(nèi)的蝕刻均一"性 (uniformity)變得不良，因此發(fā)生洇滲。所述硝酸的含量超過8重量％的情況下，使上下部 透明導(dǎo)電膜的蝕刻速度加速化，由于過剩的蝕刻的發(fā)生，有時在后續(xù)工序中產(chǎn)生問題。
[0052] (C)醋酸
[0053]本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物中所含的醋酸(CH3C00H)是作為輔助氧化 劑使用的成分，作為一例，起到將透明導(dǎo)電膜/銀(Ag)/透明導(dǎo)電膜等含銀薄膜氧化而濕式 蝕刻的作用。
[0054]所述醋酸相對于本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物的總重量，可以含有5~ 20重量％，更優(yōu)選地可含有5~15重量％。所述醋酸的含量不到5重量％的情況下，存在由于 基板內(nèi)的蝕刻速度的不均一而發(fā)生洇滲的問題。相反，含量超過20重量％的情況下，發(fā)生泡 的產(chǎn)生，這樣的泡在基板內(nèi)存在的情況下，有時無法進(jìn)行完全的蝕刻，在后續(xù)工序中引起問 題。
[0055] (D)磷酸鹽
[0056] 本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物中所含的磷酸鹽使?jié)袷轿g刻時對于薄膜 的極限尺寸偏差(CD Bias)減小，調(diào)整蝕刻速度以致蝕刻均一地進(jìn)行。作為所述磷酸鹽的具 體例，可列舉磷酸二氫鈉(NaH2P〇4)、磷酸氫二鈉(Na2HP〇4)、磷酸三鈉(Na 3P〇4)、磷酸二氫鉀 (KH2P〇4)、磷酸氫二鉀（K2HP〇4)、磷酸二氫銨（（NH4)H2P〇4)、磷酸氫二銨（（NH4)2HP〇4)、和磷酸 銨（（NH4)3P〇4)等，但并不限定于這些，能夠使用從這些中選擇的1種以上。
[0057]所述磷酸鹽相對于本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物的總重量，可以含有 〇. 重量％，更優(yōu)選地可以含有0.5~2重量％。所述磷酸鹽的含量不到0.1重量％的情況 下，有時基板內(nèi)的蝕刻均一"性(uniformity)降低，銀殘渣產(chǎn)生。相反，含量超過3重量％的情 況下，蝕刻速度降低，不能實(shí)現(xiàn)所期望的蝕刻速度，由此有時工序時間延長等工序效率降 低。
[0058] (E)硝酸鹽
[0059] 本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物中所含的硝酸鹽起到如下的作用：防止蝕 刻后產(chǎn)生的銀離子(Ag+)或膠體形態(tài)的銀在不希望的位置再吸附、產(chǎn)生暗點(diǎn)不良或配線間 的不必要的連接而發(fā)生電氣短路(短路）。作為所述硝酸鹽的具體例，可列舉硝酸鉀(kn〇3)、 硝酸鈉(NaN03)、和硝酸銨(NH4N〇3)等，但并不限定于這些，能夠使用從這些中選擇的1種以 上。
[0060] 所述硝酸鹽，相對于本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物的總重量，可含有0.1 ~3重量％，更優(yōu)選地可含有0.5~2重量％。所述硝酸鹽的含量不到0.1重量％的情況下，不 能很好地發(fā)揮防止基板內(nèi)的銀的再吸附的作用，超過3重量％的情況下，蝕刻速度降低，不 能實(shí)現(xiàn)所期望的蝕刻速度，有時由于銀殘渣的產(chǎn)生在后續(xù)工序中誘發(fā)問題。
[0061 ] (F)醋酸鹽
[0062]本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物中所含的醋酸鹽(F)發(fā)揮如下的作用：在 與顯示裝置的高分辨率相伴的配線、像素電極或反射膜的微細(xì)圖案化時（為了在同一區(qū)域 中納入大量的像素，配線的寬度和大小變小的現(xiàn)象），由于蝕刻量的減少，防止配線的流失。 所述醋酸鹽通過不僅使銀或銀合金的蝕刻量減少，而且使透明導(dǎo)電膜的蝕刻量減少，從而 在多重膜中能夠獲得更優(yōu)異的蝕刻減少效果。
[0063] 另外，發(fā)揮如下的作用：隨著由于蝕刻液組合物的使用時間的經(jīng)過而使磷酸(A)濃 縮，相對于蝕刻液組合物的總重量的磷酸的重量％可增加，防止因此而發(fā)生的配線、像素電 極或反射膜的流失。
[0064] 本發(fā)明的含銀薄膜的蝕刻液組合物中所含的醋酸鹽，作為具體例，可列舉醋酸鉀 (CH3C00K)、醋酸鈉(CH3⑶ONa)和醋酸銨(CH3C00NH4)等，但并不限定于這些，可以從這些中 選擇1種以上而使用。
[0065] 所述醋酸鹽(F)，相對于本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物的總重量，可以含 有0.1~3重量％，更優(yōu)選地可含有0.5~2重量％。所述醋酸鹽的含量不到0.1重量％的情況 下，蝕刻效果很小，不能很好地起到使蝕刻量減少的作用，超過3重量％的情況下，蝕刻速度 降低，不能實(shí)現(xiàn)所期望的蝕刻速度，由于銀殘渣的產(chǎn)生，有時在后續(xù)工序中誘發(fā)問題。
[0066] (G)脫離子水
[0067] 對本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物中所含的脫離子水并無特別限定，作為 半導(dǎo)體工序用，優(yōu)選使用比電阻值為18ΜΩ/cm以上的脫離子水。
[0068] 所述脫離子水，相對于本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物合計100重量％，作 為余量含有。
[0069] 本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物除了所述提及的成分以外，可以追加地包 含選自蝕刻調(diào)節(jié)劑、表面活性劑、金屬離子封閉劑、防腐蝕劑、pH調(diào)節(jié)劑、和并不限于此的其 他的添加劑中的1種以上。所述添加劑為了在本發(fā)明的范圍內(nèi)使本發(fā)明的效果更為良好，能 夠從本領(lǐng)域中通常使用的添加劑中選擇使用。
[0070] 另外，構(gòu)成本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物的成分優(yōu)選具有半導(dǎo)體工序用 的純度。
[0071] 應(yīng)用本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物的含銀(Ag)薄膜在膜的構(gòu)成成分中 含有銀(Ag)，可列舉銀(Ag)或銀合金的單一膜、或者由所述單一膜和透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的多 層膜等，但并不限定于此。
[0072] 對所述含銀薄膜并無特別限定，作為具體例，可列舉銀(Ag)膜、以銀作為主成分、 包含選自釹(Nd)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鎂(Mg)、鎢(W)、鏷(Pa)、 和鈦(T i)等中的1種以上的金屬的銀合金膜、銀的氮化物、銀的硅化物、銀的碳化物、或銀的 氧化物等的單一膜；由所述單一膜和透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的多層膜;等。
[0073]作為所述透明導(dǎo)電膜的具體例，可列舉氧化錫銦（ΙΤ0)、氧化鋅銦（ΙΖ0)、氧化錫鋅 銦（ΙΤΖ0)、或氧化鎵鋅銦（IGZ0)等，但并不限定于這些。
[0074] 作為所述多層膜的更具體的例子，可列舉透明導(dǎo)電膜/銀(Ag)或透明導(dǎo)電膜/銀合 金(silver alloy)等的二重膜、透明導(dǎo)電膜/銀(Ag)/透明導(dǎo)電膜或透明導(dǎo)電膜/銀合金/透 明導(dǎo)電膜等的三重膜等，但并不限定于此。
[0075] 另外，本發(fā)明涉及含銀薄膜的蝕刻方法，其包括：
[0076] (1)在基板上形成含銀(Ag)薄膜的步驟、
[0077] (2)在所述含銀薄膜上選擇性地使光反應(yīng)物質(zhì)殘留的步驟、和
[0078] (3)使用所述本發(fā)明的含銀薄膜的蝕刻液組合物將所述含銀薄膜蝕刻的步驟。
[0079] 本發(fā)明的蝕刻方法中，所述光反應(yīng)物質(zhì)優(yōu)選為通常的光致抗蝕劑物質(zhì)，可通過通 常的曝光和顯影工序選擇性地使其殘留。
[0080]進(jìn)而，本發(fā)明提供顯示裝置用陣列基板的制造方法，該顯示裝置用陣列基板的制 造方法包括：
[0081 ] a)在基板上形成柵極配線的步驟、
[0082] b)在包含所述柵極配線的基板上形成柵極絕緣層的步驟、
[0083] c)在所述柵極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層的步驟、
[0084] d)在所述氧化物半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極的步驟、
[0085] e)形成與所述漏電極連接的像素電極或反射膜的步驟，
[0086] 其特征在于，所述e)步驟包含在基板上形成含銀(Ag)薄膜，用本發(fā)明的含銀薄膜 的蝕刻液組合物蝕刻，形成像素電極或反射膜的步驟。
[0087]所述顯示裝置可以是有機(jī)發(fā)光元件(0LED)或液晶顯示裝置(LCD)，所述顯示裝置 用陣列基板可以是薄膜晶體管(TFT)陣列基板。
[0088] 所述含銀薄膜可以是銀(Ag)或銀合金的單一膜、或者由所述單一膜和透明導(dǎo)電膜 構(gòu)成的多層膜，所述銀合金為以銀(Ag)作為主成分、包含釹(Nd)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈮(Nb)、 鎳(Ni)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鎂(Mg)、鎢(W)、鏷(Pa)、或鈦(Ti)等其他金屬的合金形態(tài)，或者可 以是銀的氮化物、銀的硅化物、銀的碳化物、或銀的氧化物等的形態(tài)。
[0089] 所述透明導(dǎo)電膜可列舉氧化錫銦（ΙΤ0)、氧化鋅銦（ΙΖ0)、氧化錫鋅銦（ΙΤΖ0)、或氧 化鎵鋅銦（IGZ0)等，但并不限定于這些。
[0090] 即，用所述顯示裝置用陣列基板的制造方法制造的顯示裝置用陣列基板也包含在 本發(fā)明的范圍內(nèi)。此時，所述顯示裝置可以是有機(jī)發(fā)光元件(0LED)或液晶顯示裝置(LCD)， 但并不限定于此。
[0091] 另外，本發(fā)明能夠提供使用本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物蝕刻的配線。 [0092] 更詳細(xì)地說，所述配線可以是觸摸屏面板(Touch Screen Panel、TSP)中讀取主要 在X、Y坐標(biāo)傳感的信號的示蹤(Trace)配線或柔性用銀納米線配線。
[0093]所述配線可以是由銀(Ag)或銀合金構(gòu)成的單一膜、或者由所述單一膜和透明導(dǎo)電 膜構(gòu)成的多層膜。關(guān)于所述銀合金的單一膜、由所述單一膜和透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的多層膜的 內(nèi)容，可同樣地應(yīng)用對于含銀(Ag)薄膜所述的內(nèi)容。
[0094]本發(fā)明的含銀薄膜的蝕刻液組合物能夠在顯示裝置(0LED、LCD等）的制造時在作 為配線和反射膜使用的由銀(Ag)或銀合金構(gòu)成的單一膜、和由所述單一膜和透明導(dǎo)電膜構(gòu) 成的多層膜的蝕刻中使用。另外，觸摸屏面板的配線形成時，能夠在蝕刻中使用。即，本發(fā)明 的含銀薄膜的蝕刻液組合物可以多樣地應(yīng)用于0LED、IXD、TSP等的制造。
[0095] 以下使用實(shí)施例對本發(fā)明更詳細(xì)地說明。但是，下述的實(shí)施例用于對本發(fā)明進(jìn)行 例示，本發(fā)明并不受下述的實(shí)施例限定，可以進(jìn)行各種修正和變形。本發(fā)明的范圍由后述的 專利權(quán)利要求的技術(shù)思想確定。
[0096] <實(shí)施例和比較例 > 蝕刻液組合物的制造
[0097]以下述表1中所示的組成和含量制造了實(shí)施例1~14和比較例1~12的蝕刻液組合 物。
[0098] 【表1】
[0099] (重量 ％)
[0101 ] <實(shí)驗(yàn)例> 蝕刻液組合物的性能試驗(yàn)
[0102] 在基板上蒸鍍有機(jī)絕緣膜，在其上蒸鍍IT0/Ag/IT0的三重膜，將其使用金剛石刀 切割為500X600mm，準(zhǔn)備試驗(yàn)片。
[0103] 使用所述實(shí)施例1~14和比較例1~12的蝕刻液組合物，進(jìn)行了下述的性能試驗(yàn)。
[0104] 實(shí)驗(yàn)例1.極限尺寸偏差(⑶bias)的測定
[0105]在噴射式蝕刻方式的實(shí)驗(yàn)裝備(模型名：ETCHER、K. C. Tech社）內(nèi)分別裝入所述實(shí) 施例1~14和比較例1~12的銀蝕刻液組合物，將溫度設(shè)定為40°C，加熱后，溫度到達(dá)40 土 〇.l°C時，進(jìn)行了所述試驗(yàn)片的蝕刻工序。總蝕刻時間設(shè)為100秒而實(shí)施。
[0106]裝入基板，開始噴射，成為100秒的蝕刻時間，則取出，用脫離子水清洗后，使用熱 風(fēng)干燥裝置干燥。清洗和干燥后，將基板切斷，對斷面使用電子掃描顯微鏡（SEM;模型名： SU-8010、HITACHI社制造)測定。作為極限尺寸偏差的測定標(biāo)準(zhǔn)，由光致抗蝕劑兩端部分的 寬度測定配線的寬度之差(圖1)，用下述的標(biāo)準(zhǔn)評價，將結(jié)果示于下述表2中。
[0107] <評價標(biāo)準(zhǔn)>
[0108] 不到 0·5μπι:優(yōu)秀
[0109] 0.5~Ι.ΟμL?:良好
[0110] 超過 Ι.ΟμL?:不良
[0111] 實(shí)驗(yàn)例2.殘渣的測定
[0112]在噴射式蝕刻方式的實(shí)驗(yàn)裝備(模型名:ETCHER、K. C. Tech社）內(nèi)分別裝入所述實(shí) 施例1~14和比較例1~12的銀蝕刻液組合物，將溫度設(shè)定為40°C，加熱后，溫度到達(dá)40 土 〇.l°C時，進(jìn)行了所述試驗(yàn)片的蝕刻工序?？偽g刻時間設(shè)為100秒而實(shí)施。
[0113] 裝入基板，開始噴射，成為100秒的蝕刻時間，則取出，用脫離子水清洗后，使用熱 風(fēng)干燥裝置干燥，使用光致抗蝕劑剝離機(jī)(PR stripper)將光致抗蝕劑除去。清洗和干燥 后，使用電子掃描顯微鏡（SEM;模型名：SU - 8010、HITACHI社制造)測定在沒有被光致抗蝕 劑覆蓋的部分中銀(Ag)沒有被蝕刻而殘留的現(xiàn)象即殘渣，用下述的標(biāo)準(zhǔn)評價，將結(jié)果示于 下述表2中。
[0114] <殘渣的評價標(biāo)準(zhǔn)>
[0115] 無殘渣:無
[0116] 殘渣產(chǎn)生:有
[0117] 實(shí)驗(yàn)例3.銀再吸附的測定
[0118]在噴射式蝕刻方式的實(shí)驗(yàn)裝備(模型名:ETCHER、K. C. Tech社）內(nèi)分別裝入所述實(shí) 施例1~14和比較例1~12的銀蝕刻液組合物，將溫度設(shè)定為40°C，加熱后，溫度到達(dá)40 土 〇.l°C時，進(jìn)行了所述試驗(yàn)片的蝕刻工序。總蝕刻時間設(shè)為100秒而實(shí)施。
[0119]裝入基板，開始噴射，成為100秒的蝕刻時間，則取出，用脫離子水清洗后，使用熱 風(fēng)干燥裝置干燥，使用光致抗蝕劑剝離機(jī)(PR stripper)將光致抗蝕劑除去。清洗和干燥 后，使用電子掃描顯微鏡(SEM;模型名：SU-8010、HITACHI社制造），對于進(jìn)行了蝕刻后主要 在數(shù)據(jù)配線等的異種金屬露出的部分、由于彎曲現(xiàn)象而可產(chǎn)生摩擦的特定部位被蝕刻的銀 (Ag)吸附的現(xiàn)象通過全面觀察進(jìn)行分析，用下述的標(biāo)準(zhǔn)評價，將其結(jié)果示于下述表2中。 [0120] <再吸附的評價標(biāo)準(zhǔn)>
[0121] 無再吸附:無 [0122]再吸附發(fā)生:有
[0123] 實(shí)驗(yàn)例4.蝕刻速度的測定
[0124] 在噴射式蝕刻方式的實(shí)驗(yàn)裝備(模型名:ETCHER(TFT)、K. C. Tech社）內(nèi)分別裝入所 述實(shí)施例1~14和比較例1~12的銀蝕刻液組合物，將溫度設(shè)定為40°C，加熱后，溫度到達(dá)40 ±0.1°C時，進(jìn)行了所述試驗(yàn)片的蝕刻工序?？偽g刻時間設(shè)為100秒而實(shí)施。
[0125] 用肉眼測定端點(diǎn)檢測(End Point Detection、EPD)，得到了對應(yīng)于時間的蝕刻速 度(E/R、Etch Rate)，蝕刻速度只用縱向的蝕刻速度評價（圖4)。將進(jìn)行了蝕刻的金屬膜的 厚度除以EPD，能夠求出每秒(時間）的1(厚度）(立/8況）的蝕刻速度，用下述的標(biāo)準(zhǔn)評價， 將結(jié)果示于下述表2中。
[0126] <蝕刻速度的評價標(biāo)準(zhǔn)>
[0127] 不到 2〇A/sec:不良
[0128] 2〇A/sec ~不到 5〇A/sec :良好
[0129] 5〇A/sec以上：優(yōu)秀
[0130] 【表2】
[0133]如通過所述表2的結(jié)果可知那樣，作為本發(fā)明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物的 實(shí)施例1~14在極限尺寸偏差(CD bias)、蝕刻速度的評價結(jié)果中顯示優(yōu)秀或良好的結(jié)果， 確認(rèn)了沒有發(fā)生銀殘渣和再吸附現(xiàn)象。
[0134]相反，比較例1~12在極限尺寸偏差、蝕刻速度、銀殘渣產(chǎn)生、再吸附發(fā)生的評價結(jié) 果中，確認(rèn)了在1個以上的評價中顯示不良或不適合的評價結(jié)果。
【主權(quán)項】
1. 含銀薄膜的蝕刻液組合物，其特征在于，相對于組合物的總重量，包含： 磷酸40~60重量％; 硝酸3~8重量％; 醋酸5~20重量％; 磷酸鹽0.1~3重量％; 選自硝酸鹽0.1~3重量％和醋酸鹽0.1~3重量％中的1種以上的鹽;和 脫尚子水余量。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的含銀薄膜的蝕刻液組合物，其特征在于，含銀薄膜的蝕刻液組 合物能夠蝕刻由銀或銀合金組成的單一膜、或者由所述單一膜和透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的多層 膜。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的含銀薄膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜為選 自氧化錫銦、氧化鋅銦、氧化錫鋅銦和氧化鎵鋅銦中的1種以上。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的含銀薄膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述由單一膜和透明 導(dǎo)電膜構(gòu)成的多層膜為透明導(dǎo)電膜/銀、透明導(dǎo)電膜/銀合金、透明導(dǎo)電膜/銀/透明導(dǎo)電膜、 或透明導(dǎo)電膜/銀合金/透明導(dǎo)電膜。5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的含銀薄膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述銀合金包含銀和 選自釹、銅、鈀、銀、鎳、鉬、絡(luò)、鎂、媽、鏷和鈦中的1種以上。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的含銀薄膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述磷酸鹽為選自磷 酸二氫鈉、磷酸氫二鈉、磷酸三鈉、磷酸二氫鉀、磷酸氫二鉀、磷酸二氫銨、磷酸氫二銨和磷 酸銨中的1種以上。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的含銀薄膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述硝酸鹽為選自硝 酸鉀、硝酸鈉和硝酸銨中的1種以上。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的含銀薄膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述醋酸鹽為選自醋 酸鉀、醋酸鈉和醋酸銨中的1種以上。9. 顯示裝置用陣列基板的制造方法，該顯示裝置用陣列基板的制造方法包括： a) 在基板上形成柵極配線的步驟， b) 在包含所述柵極配線的基板上形成柵極絕緣層的步驟， c) 在所述柵極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層的步驟， d) 在所述氧化物半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極的步驟， e) 形成與所述漏電極連接的像素電極或反射膜的步驟， 其特征在于，所述e)步驟包含在基板上形成含銀薄膜，用根據(jù)權(quán)利要求1所述的含銀薄 膜的蝕刻液組合物蝕刻，形成像素電極或反射膜的步驟。
【文檔編號】C23F1/30GK105951101SQ201610102113
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年2月24日
【發(fā)明人】沈慶輔, 權(quán)玟廷, 金泰完, 安基熏, 張晌勛
【申請人】東友精細(xì)化工有限公司