一種對(duì)沉積薄膜反應(yīng)裝置的處理方法、薄膜沉積方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種對(duì)沉積薄膜反應(yīng)裝置的處理方法、薄膜沉積方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷減小，半導(dǎo)體制作工藝已經(jīng)進(jìn)入深亞微米時(shí)代，且向超深亞微米發(fā)展，然而隨著集成電路密度的不斷提高，對(duì)半導(dǎo)體器件的性能以及穩(wěn)定性也提出了更高的要求。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)于各種器件薄膜的制備需要用到各種沉積設(shè)備，在所述沉積設(shè)備中可以運(yùn)行兩種工藝過(guò)程，一個(gè)是沉積氮化物的工藝過(guò)程，一個(gè)是氧化物的工藝過(guò)程(TEOS Process) 0其中，工藝工程師可以提供一種方案運(yùn)行單一的工藝過(guò)程來(lái)避免現(xiàn)有技術(shù)中混合運(yùn)行產(chǎn)生的問(wèn)題，但是工藝工程師發(fā)現(xiàn)在運(yùn)行TEOS工藝過(guò)程中很容易產(chǎn)生顆粒(particle)缺陷,如圖1a-1b所示,其中主要的缺陷類型是由于薄膜碎裂引起的表面顆粒。
[0004]因此，需要對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中薄膜的制備過(guò)程進(jìn)行改進(jìn)，以便消除現(xiàn)有技術(shù)中表面顆粒缺陷的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0006]本發(fā)明為了克服目前存在問(wèn)題，提供了一種對(duì)沉積薄膜反應(yīng)裝置的處理方法，包括:對(duì)所述反應(yīng)裝置進(jìn)行干法清洗；
[0007]其中，在所述干法清洗中通過(guò)增加清洗時(shí)間，和/或提高清洗氣體濃度，和/或在所述清洗中保持平穩(wěn)的溫度，以將所述反應(yīng)裝置中殘留的薄膜完全清除。
[0008]作為優(yōu)選，所述干法清洗中選用F2和HF作為清洗氣體。
[0009]作為優(yōu)選，所述干法清洗中選用氮?dú)庾鳛橄♂寶怏w。
[0010]作為優(yōu)選，所述干法清洗中通過(guò)降低所述稀釋氣體的流量提高所述清洗氣體濃度。
[0011]作為優(yōu)選，所述氮?dú)獾臍怏w流量為0.5-2slm。
[0012]作為優(yōu)選，所述氮?dú)獾臍怏w流量為lslm。
[0013]作為優(yōu)選，所述干法清洗時(shí)間為90_120min。
[0014]作為優(yōu)選，所述干法清洗包括第一清洗步驟、第二清洗步驟和第三清洗步驟；
[0015]其中，所述第一清洗步驟選用HF,清洗時(shí)間為25-35min ；
[0016]所述第二清洗步驟選用HF,清洗時(shí)間為35_45min ；
[0017]所述第三清洗步驟選用HF和F2,清洗時(shí)間為30_40min。
[0018]作為優(yōu)選，所述清洗中選用的溫度為445°C _455°C。
[0019]作為優(yōu)選，所述方法中對(duì)所述反應(yīng)裝置的反應(yīng)腔室和排氣管道進(jìn)行所述干法清洗。
[0020]本發(fā)明還提供了一種薄膜沉積方法，所述方法包括:在沉積所述薄膜之前采用所述對(duì)沉積薄膜反應(yīng)裝置的處理的方法對(duì)反應(yīng)裝置進(jìn)行處理。
[0021]本發(fā)明提供了一種對(duì)沉積薄膜反應(yīng)裝置的處理方法以及薄膜沉積方法，其中所述方法包括在薄膜沉積之前對(duì)所述反應(yīng)裝置進(jìn)行干法清洗；其中，在所述干法清洗中通過(guò)增加清洗時(shí)間，和/或提高清洗氣體濃度，和/或在所述清洗中選用平穩(wěn)的溫度，以將所述反應(yīng)裝置中沉積的顆粒完全清除。通過(guò)本發(fā)明所述方法沉積薄膜，所述薄膜的表面更加平整，表面的顆粒缺陷極大的降低，提高了薄膜的良率和性能。
【附圖說(shuō)明】
[0022]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，
[0023]圖1a-1b為現(xiàn)有技術(shù)中制備得到的薄膜中的缺陷示意圖；
[0024]圖2為現(xiàn)有的TEOS工藝中溫度急速下降導(dǎo)致在較低溫度下造成更多顆粒缺陷的示意圖；
[0025]圖3為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中TEOS工藝中溫度改進(jìn)示意圖，其中左側(cè)為現(xiàn)有技術(shù)中溫度示意圖，右側(cè)為改進(jìn)后的溫度示意圖；
[0026]圖4a為現(xiàn)有技術(shù)TEOS工藝中顆粒缺陷趨勢(shì)圖；
[0027]圖4b為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中TEOS工藝中顆粒缺陷趨勢(shì)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0029]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的描述，以說(shuō)明本發(fā)明所述改善薄膜沉積時(shí)顆粒缺陷的方法。顯然，本發(fā)明的施行并不限于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0030]應(yīng)予以注意的是，這里所使用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述具體實(shí)施例，而非意圖限制根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0031]現(xiàn)在，將參照附圖更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，這些示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開(kāi)徹底且完整，并且將這些示例性實(shí)施例的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，夸大了層和區(qū)域的厚度，并且使用相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，因而將省略對(duì)它們的描述。
[0032]實(shí)施例1
[0033]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，提供了一種對(duì)沉積薄膜反應(yīng)裝置的處理方法，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明所述方法作進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0034]在本發(fā)明中為了使制備得到的薄膜上沒(méi)有顆粒缺陷，需要對(duì)所述沉積薄膜反應(yīng)裝置進(jìn)行處理，以清除所述反應(yīng)裝置中殘留的顆粒，避免在薄膜沉積過(guò)程中落在所述薄膜上造成顆粒缺陷。
[0035]現(xiàn)有技術(shù)中雖然也有對(duì)所述反應(yīng)裝置進(jìn)行處理的方法，但是所述方法處理均不夠徹底，在薄膜沉積過(guò)程中仍然會(huì)引起顆粒缺陷。
[0036]其中，所述反應(yīng)裝置至少包括反應(yīng)腔室以及排氣管路，具體地可以為本領(lǐng)域常用的反應(yīng)裝置，并不局限于某一種。
[0037]在該實(shí)施例中，所述沉積薄膜的反應(yīng)裝置可以為CVD(化學(xué)氣相沉積)、PECVD(等離子體輔助化學(xué)氣相沉積)沉積系統(tǒng)，在反應(yīng)裝置中包含用于沉積各種薄膜的腔室，所述腔室包括側(cè)壁和底壁，在腔室的頂部設(shè)置有面板，在所述面板上設(shè)有多個(gè)穿過(guò)所述面板的氣體噴頭組件，用于將反應(yīng)氣體、清洗氣體和載氣輸送至所述處理區(qū)域，在所述反應(yīng)腔室的底部設(shè)置有排氣管路。
[0038]為了提高對(duì)所述反應(yīng)裝置的清洗效率，首先增加清洗時(shí)間，在該過(guò)程中通常選用干法清洗的方法。
[0039]在該實(shí)