一種磁控濺射離子鍍雙層膜用爐及方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種磁控濺射離子鍍雙層膜用爐及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]物理氣相沉積技術(shù)由于其使用真空環(huán)境而不需要使用化學(xué)溶液作為介質(zhì)，在環(huán)保方面相對(duì)于傳統(tǒng)水電鍍有著巨大的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。物理氣相沉積技術(shù)在通過(guò)對(duì)傳統(tǒng)蒸發(fā)鍍膜機(jī)的原理進(jìn)行研宄后，有效改進(jìn)了膜層結(jié)合力不足的缺點(diǎn)，在塑膠表面處理行業(yè)上已獲得了越來(lái)越多的應(yīng)用。
[0003]現(xiàn)有的鍍膜機(jī)多數(shù)為單一靶材，每鍍一層膜層都需要對(duì)靶材進(jìn)行更換，造成鍍膜機(jī)抽真空工序重復(fù)運(yùn)行，提高了生產(chǎn)能耗。人工更換靶材容易造成靶材、設(shè)備的損傷，不利于提高產(chǎn)品良率，并且，換靶材增加了生產(chǎn)工序，降低了生產(chǎn)效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種提高產(chǎn)品良率、提高生產(chǎn)效率的磁控濺射離子鍍雙層膜用爐及方法。
[0005]本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的:
[0006]一種磁控濺射離子鍍雙層膜用爐，包括:爐體、第一側(cè)置靶材、第二側(cè)置靶材、第一側(cè)置擋板、第二側(cè)置擋板、第一中頻離化器、第二中頻離化器、旋盤(pán)、工件架、中置靶材、中置擋板；
[0007]所述爐體具有一中空腔體，所述旋盤(pán)位于所述中空腔體內(nèi)并轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)于所述爐體底部；
[0008]所述中置靶材位于所述中空腔體中部，所述中置擋板安裝于所述中置靶材外側(cè)；
[0009]所述第一側(cè)置靶材及所述第二側(cè)置靶材分別位于所述中置靶材的兩側(cè)，所述第一側(cè)置擋板位于所述第一側(cè)置靶材及所述中置靶材之間，所述第二側(cè)置擋板位于所述第二側(cè)置靶材及所述中置靶材之間；
[0010]所述第一中頻離化器位于所述第一側(cè)置擋板及所述中置靶材之間，所述第二中頻離化器位于所述第二側(cè)置擋板及所述中置靶材之間；
[0011]所述工件架轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)于所述旋盤(pán)上，所述工件架轉(zhuǎn)動(dòng)于所述第一側(cè)置擋板與所述第一中頻離化器之間，及轉(zhuǎn)動(dòng)于所述第二側(cè)置擋板與所述第二中頻離化器之間。
[0012]優(yōu)選的，所述爐體為圓筒形結(jié)構(gòu)。
[0013]優(yōu)選的，所述爐體的外壁設(shè)有防觸電安全蓋。
[0014]優(yōu)選的，所述旋盤(pán)為行星旋盤(pán)。
[0015]優(yōu)選的，所述工件架的數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)所述工件架環(huán)繞于所述中置靶材周?chē)?br>[0016]優(yōu)選的，所述第一側(cè)置靶材及所述第二側(cè)置靶材均安裝于所述爐體內(nèi)壁。
[0017]優(yōu)選的，所述中置靶材具有通電電極及水循環(huán)裝置，所述第一側(cè)置靶材具有通電電極及水循環(huán)裝置，所述第二側(cè)置靶材具有通電電極及水循環(huán)裝置。
[0018]優(yōu)選的，所述磁控濺射離子鍍雙層膜用爐還包括抽真空裝置。
[0019]優(yōu)選的，所述第一中頻離化器及所述第二中頻離化器均安裝于所述爐體的頂部。
[0020]一種磁控濺射離子鍍雙層膜方法，包括如下步驟:
[0021]S110，將清潔好的工件裝到工件架上，使用中置擋板將中置靶材遮擋，打開(kāi)水循環(huán)裝置；
[0022]S120，關(guān)閉爐體門(mén)，設(shè)置鍍膜工藝參數(shù)，使用擴(kuò)散泵預(yù)熱到工作溫度，同時(shí)開(kāi)啟第一中頻離化器及第二中頻離化器，開(kāi)始充入Ar氣，到達(dá)指定狀態(tài)后，爐體內(nèi)開(kāi)始抽真空，到工作所需真空度后，第一中頻離化器及第二中頻離化器停止工作，開(kāi)始鍍膜程序；
[0023]S130，旋盤(pán)開(kāi)始旋轉(zhuǎn)，同時(shí)工件架開(kāi)始自轉(zhuǎn)，第一側(cè)置擋板自動(dòng)打開(kāi)，第一側(cè)置靶材露出，磁控濺射度第一層膜；
[0024]S140，第一層膜鍍完，第一側(cè)置擋板自動(dòng)閉合遮擋第一側(cè)置靶材，第二側(cè)置擋板自動(dòng)打開(kāi)，第二側(cè)置靶材露出，磁控濺射鍍第二層膜；
[0025]S150，第二層膜鍍完，第二側(cè)置擋板自動(dòng)閉合，旋盤(pán)與工件架停止旋轉(zhuǎn)，排出Ar氣，待爐體內(nèi)溫度降至室溫后開(kāi)爐取下成品。
[0026]磁控濺射離子鍍雙層膜用爐具有如下有益效果:
[0027]1、可實(shí)現(xiàn)一道磁控濺射工序鍍兩層膜層；
[0028]2、設(shè)置自動(dòng)開(kāi)合的第一側(cè)置擋板及第二側(cè)置擋板，防止鈀材電極互相污染；
[0029]3、旋盤(pán)公轉(zhuǎn)與工件架自轉(zhuǎn)相結(jié)合，保證了鍍層均勻；
[0030]4、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單易操作。
[0031]通過(guò)設(shè)計(jì)一種磁控濺射離子鍍雙層膜用爐，提高磁控濺射離子鍍膜生產(chǎn)自動(dòng)化程度，實(shí)現(xiàn)工件在一道工序過(guò)程中完成兩道鍍膜工序，減少能耗、提高生產(chǎn)效率與良率。
【附圖說(shuō)明】
[0032]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的磁控濺射離子鍍雙層膜用爐的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]下面結(jié)合實(shí)施例及附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的描述，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。
[0034]如圖1所示，其為本發(fā)明一實(shí)施例的磁控濺射離子鍍雙層膜用爐10的示意圖。
[0035]磁控濺射離子鍍雙層膜用爐10包括:爐體100、第一側(cè)置靶材210、第二側(cè)置靶材220、第一側(cè)置擋板310、第二側(cè)置擋板320、第一中頻離化器410、第二中頻離化器420、旋盤(pán)500、工件架600、中置靶材700、中置擋板800。
[0036]爐體100具有一中空腔體110，旋盤(pán)500位于中空腔體110內(nèi)并轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)于爐體100的底部。在本實(shí)施例中，爐體100為圓筒形結(jié)構(gòu)，且旋盤(pán)500為行星旋盤(pán)。第一側(cè)置靶材210、第二側(cè)置靶材220、第一側(cè)置擋板310、第二側(cè)置擋板320、第一中頻離化器410、第二中頻離化器420、旋盤(pán)500、工件架600、中置靶材700、中置擋板800均收容于中空腔體110內(nèi)。
[0037]中置靶材700位于中空腔體110中部，中置擋板800安裝于中置靶材700外側(cè)。在本實(shí)施例中，中置靶材700垂直安裝于中空腔體110的正中心位置。
[0038]第一側(cè)置靶材210及第二側(cè)置靶材220分別位于中置靶材700的兩側(cè)，第一側(cè)置擋板310位于第一側(cè)置靶材210及中置靶材700之間，第二側(cè)置擋板320位于第二側(cè)置靶材220及中置靶材700之間。其中，第一側(cè)置擋板310及第二側(cè)置擋板320可自動(dòng)打開(kāi)或關(guān)閉。
[0039]在本實(shí)施例中，第一側(cè)置靶材210及第二側(cè)置靶材220均垂直安裝于爐體100的內(nèi)壁，且中置靶材700、第一側(cè)置靶材210、第二側(cè)置靶材220具有通電電極及水循環(huán)裝置。要說(shuō)明的是，第一側(cè)置靶材210及第二側(cè)置靶材220的材質(zhì)各不相同。
[0040]第一中頻離化器410位于第一側(cè)置擋板210及中置靶材700之間，第二中頻離化器420位于第二側(cè)置擋板220及中置靶材700之間。在本實(shí)施例中，第一中頻離化器410及第二中頻離化器420均安裝于爐體100的頂部。
[0041 ] 工件架600轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)于旋盤(pán)500上，工件架60