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一種電子材料用微合金的制作方法

文檔序號:8247452閱讀:109來源:國知局
一種電子材料用微合金的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子領(lǐng)域,具體涉及一種電子材料用微合金。
【背景技術(shù)】
[0002]對于用于引線框架、端子、接插件等的電子材料用銅合金來說,作為制品的基本特性,要求高的強(qiáng)度和高的導(dǎo)電性或者導(dǎo)熱性兼?zhèn)?。而且近年來更要求電子器件的小型化、高集成化,因此要求原材料的薄板化,在引線框架、端子、接插件中,引線數(shù)等的增加、狹小間距化正在發(fā)展。進(jìn)一步要求器件形狀的復(fù)雜化并提高組合安裝中的可靠性,因此對于使用的材料來說,除了機(jī)械強(qiáng)度和導(dǎo)電性優(yōu)良之外,還要求良好的彎曲加工型。
[0003]特別地,對于在活動連接器等中使用的銅合金,為了進(jìn)行高電流化,且不使連接器大型化,即使后壁化也具有良好的彎曲性,期望60%IACS以上的導(dǎo)電率和650Mpa左右以上的0.2%屈服強(qiáng)度。
[0004]近年來,作為電子材料用銅合金,代替以往的磷青銅、黃銅等為代表的固溶強(qiáng)化型銅合金,從高強(qiáng)度和高導(dǎo)電性的觀點(diǎn)出發(fā),時效硬化性銅合金的使用量正在增加,時效硬化性銅合金通過固溶處理的過飽和固溶體進(jìn)行時效處理,使細(xì)小的析出物均勻地分散,在提高合金的強(qiáng)度的同時,減少銅中的固溶元素量,從而導(dǎo)電性提高。因此,作為強(qiáng)度、彈性等機(jī)械性能優(yōu)良,而且導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性良好的材料使用。
[0005]一般認(rèn)為合金的彎曲加工性和晶粒度有關(guān),晶粒度越小,彎曲加工性能越優(yōu)良,但是,將晶粒度調(diào)整為小的情況下,即使控制制造條件,也容易形成混合未再結(jié)晶部分的混合晶粒組織,其結(jié)果,產(chǎn)生叫做彎曲性降低的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]發(fā)明目的:針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題和不足,本發(fā)明的目的是提供一種電子材料用微合金。
[0007]技術(shù)方案:本發(fā)明公開了一種電子材料用微合金,其包含質(zhì)量份數(shù)5-15份的鎳、質(zhì)量份數(shù)1-10份的鎂、質(zhì)量份數(shù)1-5份的鋅、質(zhì)量份數(shù)2-3份的氧化鈦和質(zhì)量份數(shù)2-5份的氧化硅;其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
[0008]作為本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)化,本發(fā)明包含質(zhì)量份數(shù)5-15份的鎳、質(zhì)量份數(shù)1-10份的鎂、質(zhì)量份數(shù)1-5份的鋅、質(zhì)量份數(shù)2-3份的氧化鈦、質(zhì)量份數(shù)2-5份的氧化硅、質(zhì)量份數(shù)1-5份的硅鉻合金、質(zhì)量份數(shù)2-3份的Ti和質(zhì)量份數(shù)2-3份的Co,其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
[0009]作為本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)化,本發(fā)明包含質(zhì)量份數(shù)5-15份的鎳、質(zhì)量份數(shù)1-10份的鎂、質(zhì)量份數(shù)1-5份的鋅、質(zhì)量份數(shù)2-3份的氧化鈦、質(zhì)量份數(shù)2-5份的氧化硅、質(zhì)量份數(shù)
1-2份的Sn、質(zhì)量份數(shù)0.5-1份的Mg和質(zhì)量份數(shù)0.5-1份的Li,其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
[0010]作為本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)化,本發(fā)明包含質(zhì)量份數(shù)5-15份的鎳、質(zhì)量份數(shù)1-10份的鎂、質(zhì)量份數(shù)1-5份的鋅、質(zhì)量份數(shù)2-3份的氧化鈦、質(zhì)量份數(shù)2-5份的氧化硅、質(zhì)量份數(shù)
2-3份的T1、質(zhì)量份數(shù)1.5-3.5份的Fe,其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
[0011]有益效果:根據(jù)本發(fā)明所得的電子材料的強(qiáng)度、導(dǎo)電性和彎曲加工性的均衡大大提高,且本發(fā)明的電子材料在應(yīng)力松弛特性和釬焊料潤濕性方面也顯示出優(yōu)良的特性。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合實(shí)施例進(jìn)一步闡明本發(fā)明。
[0013]實(shí)施例1:
本實(shí)施例的一種電子材料用微合金,其包含質(zhì)量份數(shù)5份的鎳、質(zhì)量份數(shù)I份的鎂、質(zhì)量份數(shù)I份的鋅、質(zhì)量份數(shù)2份的氧化鈦和質(zhì)量份數(shù)2份的氧化硅;其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
[0014]實(shí)施例2:
本實(shí)施例的一種電子材料用微合金,其包含質(zhì)量份數(shù)15份的鎳、質(zhì)量份數(shù)10份的鎂、質(zhì)量份數(shù)5份的鋅、質(zhì)量份數(shù)3份的氧化鈦和質(zhì)量份數(shù)5份的氧化硅;其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
[0015]實(shí)施例3:
本實(shí)施例的一種電子材料用微合金,其包含質(zhì)量份數(shù)10份的鎳、質(zhì)量份數(shù)5份的鎂、質(zhì)量份數(shù)3份的鋅、質(zhì)量份2份的氧化鈦和質(zhì)量份數(shù)3份的氧化硅;其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
[0016]實(shí)施例4:
本實(shí)施例的一種電子材料用微合金,包含質(zhì)量份數(shù)5份的鎳、質(zhì)量份數(shù)I份的鎂、質(zhì)量份數(shù)I份的鋅、質(zhì)量份數(shù)2份的氧化鈦、質(zhì)量份數(shù)2份的氧化硅、質(zhì)量份數(shù)I份的硅鉻合金、質(zhì)量份數(shù)2份的Ti和質(zhì)量份數(shù)2份的Co,其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
[0017]實(shí)施例5:
本實(shí)施例的一種電子材料用微合金,包含質(zhì)量份數(shù)15份的鎳、質(zhì)量份數(shù)10份的鎂、質(zhì)量份數(shù)5份的鋅、質(zhì)量份數(shù)3份的氧化鈦、質(zhì)量份數(shù)5份的氧化硅、質(zhì)量份數(shù)5份的硅鉻合金、質(zhì)量份數(shù)3份的Ti和質(zhì)量份數(shù)3份的Co,其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
[0018]實(shí)施例6:
本實(shí)施例的一種電子材料用微合金,包含質(zhì)量份數(shù)10份的鎳、質(zhì)量份數(shù)5份的鎂、質(zhì)量份數(shù)3份的鋅、質(zhì)量份數(shù)2份的氧化鈦、質(zhì)量份數(shù)3份的氧化硅、質(zhì)量份數(shù)3份的硅鉻合金、質(zhì)量份數(shù)3份的Ti和質(zhì)量份數(shù)2份的Co,其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
[0019]實(shí)施例7:
本實(shí)施例的一種電子材料用微合金,包含質(zhì)量份數(shù)5份的鎳、質(zhì)量份數(shù)I份的鎂、質(zhì)量份數(shù)I份的鋅、質(zhì)量份數(shù)2份的氧化鈦、質(zhì)量份數(shù)2份的氧化硅、質(zhì)量份數(shù)I份的Sn、質(zhì)量份數(shù)0.5份的Mg和質(zhì)量份數(shù)0.5份的Li,其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
[0020]實(shí)施例8:
本實(shí)施例的一種電子材料用微合金,包含質(zhì)量份數(shù)15份的鎳、質(zhì)量份數(shù)10份的鎂、質(zhì)量份數(shù)5份的鋅、質(zhì)量份數(shù)3份的氧化鈦、質(zhì)量份數(shù)5份的氧化硅、質(zhì)量份數(shù)2份的Sn、質(zhì)量份數(shù)I份的Mg和質(zhì)量份數(shù)I份的Li,其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
[0021]實(shí)施例9:
本實(shí)施例的一種電子材料用銅合金,包含質(zhì)量份數(shù)10份的鎳、質(zhì)量份數(shù)5份的鎂、質(zhì)量份數(shù)3份的鋅、質(zhì)量份數(shù)2份的氧化鈦、質(zhì)量份數(shù)3份的氧化硅、質(zhì)量份數(shù)I份的Sn、質(zhì)量份數(shù)0.5份的Mg和質(zhì)量份數(shù)0.5份的Li,其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
[0022]實(shí)施例10:
本實(shí)施例的一種電子材料用微合金,包含質(zhì)量份數(shù)5份的鎳、質(zhì)量份數(shù)I份的鎂、質(zhì)量份數(shù)I份的鋅、質(zhì)量份數(shù)2份的氧化鈦、質(zhì)量份數(shù)2份的氧化硅、質(zhì)量份數(shù)2份的T1、質(zhì)量份數(shù)1.5份的Fe,其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
[0023]實(shí)施例11:
本實(shí)施例的一種電子材料用微合金,包含質(zhì)量份數(shù)15份的鎳、質(zhì)量份數(shù)10份的鎂、質(zhì)量份數(shù)5份的鋅、質(zhì)量份數(shù)3份的氧化鈦、質(zhì)量份數(shù)5份的氧化硅、質(zhì)量份數(shù)3份的T1、質(zhì)量份數(shù)3.5份的Fe,其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
[0024]實(shí)施例12:
本實(shí)施例的一種電子材料用微合金,包含質(zhì)量份數(shù)10份的鎳、質(zhì)量份數(shù)5份的鎂、質(zhì)量份數(shù)3份的鋅、質(zhì)量份數(shù)2份的氧化鈦、質(zhì)量份數(shù)3份的氧化硅、質(zhì)量份數(shù)2份的T1、質(zhì)量份數(shù)2份的Fe,其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電子材料用微合金,其特征在于:其包含質(zhì)量份數(shù)5-15份的鎳、質(zhì)量份數(shù)1-10份的鎂、質(zhì)量份數(shù)1-5份的鋅、質(zhì)量份數(shù)2-3份的氧化鈦和質(zhì)量份數(shù)2-5份的氧化硅;其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子材料用微合金,其特征在于:其包含質(zhì)量份數(shù)5-15份的鎳、質(zhì)量份數(shù)1-10份的鎂、質(zhì)量份數(shù)1-5份的鋅、質(zhì)量份數(shù)2-3份的氧化鈦、質(zhì)量份數(shù)2-5份的氧化硅、質(zhì)量份數(shù)1-5份的硅鉻合金、質(zhì)量份數(shù)2-3份的Ti和質(zhì)量份數(shù)2-3份的Co,其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子材料用微合金,其特征在于:其包含質(zhì)量份數(shù)5-15份的鎳、質(zhì)量份數(shù)1-10份的鎂、質(zhì)量份數(shù)1-5份的鋅、質(zhì)量份數(shù)2-3份的氧化鈦、質(zhì)量份數(shù)2-5份的氧化硅、質(zhì)量份數(shù)1-2份的Sn、質(zhì)量份數(shù)0.5-1份的Mg和質(zhì)量份數(shù)0.5-1份的Li,其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子材料用微合金,其特征在于:其包含質(zhì)量份數(shù)5-15份的鎳、質(zhì)量份數(shù)1-10份的鎂、質(zhì)量份數(shù)1-5份的鋅、質(zhì)量份數(shù)2-3份的氧化鈦、質(zhì)量份數(shù)2-5份的氧化硅、質(zhì)量份數(shù)2-3份的T1、質(zhì)量份數(shù)1.5-3.5份的Fe,其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電子材料用微合金,其包含質(zhì)量份數(shù)5-15份的鎳、質(zhì)量份數(shù)1-10份的鎂、質(zhì)量份數(shù)1-5份的鋅、質(zhì)量份數(shù)2-3份的氧化鈦和質(zhì)量份數(shù)2-5份的氧化硅;其余由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,雜質(zhì)在整個微合金中的含量不超過0.25%。根據(jù)本發(fā)明所得的電子材料的強(qiáng)度、導(dǎo)電性和彎曲加工性的均衡大大提高,且本發(fā)明的電子材料在應(yīng)力松弛特性和釬焊料潤濕性方面也顯示出優(yōu)良的特性。
【IPC分類】C22C32-00, C22C9-06, C22C9-00, H01B1-02
【公開號】CN104561643
【申請?zhí)枴緾N201410816699
【發(fā)明人】張真
【申請人】春焱電子科技(蘇州)有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年12月25日
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