本技術(shù)涉及導(dǎo)電薄膜生產(chǎn)，更具體地說(shuō)，是涉及一種冷卻組輥及鍍膜設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、復(fù)合集流體是指將銅/鋁原子沉積在薄膜表面上，形成復(fù)合銅箔集流體或復(fù)合鋁箔集流體，將聚合物膜的機(jī)械和結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì)與銅和鋁的電化學(xué)性能優(yōu)勢(shì)相結(jié)合，替代傳統(tǒng)的鋰電池鋁箔銅箔集流體材料，具有高安全、高能量密度、節(jié)約金屬資源等優(yōu)勢(shì)。

2、目前，復(fù)合集流體主要的制備過(guò)程是將金屬原子沉積在聚合物基材表面，形成結(jié)合力強(qiáng)同時(shí)導(dǎo)電性好的金屬?gòu)?fù)合材料，主要制備工藝包括真空蒸鍍、磁控濺射鍍膜等，其中真空蒸鍍工藝需要在高分子薄膜表面蒸鍍金屬層，在薄膜兩側(cè)分別形成約1微米厚的金屬導(dǎo)電層，所以復(fù)合集流體制備過(guò)程中由于氣態(tài)原子的轟擊、沉積及換熱導(dǎo)致薄膜表面溫度較高，需要利用主輥進(jìn)行冷卻換熱處理，以防薄膜溫度過(guò)高而引起斷膜。主輥選擇冷卻輥進(jìn)行換熱，冷卻輥是通入冷卻水的輥筒，材質(zhì)一般選用鋼、合金鋼等。

3、目前，真空鍍膜過(guò)程中薄膜與冷卻輥由于貼合效果不佳而且通常僅設(shè)置單根冷卻輥，導(dǎo)致?lián)Q熱效果較差，進(jìn)而容易引起鍍膜過(guò)程中發(fā)生褶皺或斷膜現(xiàn)象。

4、以上不足，有待改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決或緩解現(xiàn)有的真空鍍膜過(guò)程中薄膜與冷卻輥換熱效果較差的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種冷卻組輥及鍍膜設(shè)備。

2、本實(shí)用新型技術(shù)方案如下所述：

3、一種冷卻組輥及鍍膜設(shè)備，包括n個(gè)間隔設(shè)置的冷卻輥，n≥2，n個(gè)所述冷卻輥中第一個(gè)所述冷卻輥靠近鍍膜組件，n個(gè)所述冷卻輥冷卻溫度梯度設(shè)置，所述冷卻輥的冷卻溫度為-30℃～10℃。

4、進(jìn)一步，n個(gè)所述冷卻輥連續(xù)分布。

5、進(jìn)一步，n個(gè)所述冷卻輥之間設(shè)置有過(guò)輥、張力輥或展平輥中至少一個(gè)。

6、進(jìn)一步，n個(gè)所述冷卻輥冷卻溫度梯度上升，-30℃≤第1冷卻輥≤第2冷卻輥≤……≤第n冷卻輥≤10℃。

7、進(jìn)一步，n個(gè)所述冷卻輥冷卻溫度梯度下降，-30℃≤第n冷卻輥≤第n-1冷卻輥≤……≤第1冷卻輥≤10℃。

8、一種鍍膜設(shè)備，包括真空鍍膜腔體，所述真空鍍膜腔體內(nèi)設(shè)置有放卷裝置、冷卻組輥、鍍膜組件和收卷裝置，所述冷卻組輥為上述的冷卻組輥，所述冷卻組輥包括第一冷卻組輥，所述鍍膜組件包括第一鍍膜組件，所述放卷裝置用于釋放需要鍍膜的薄膜，薄膜繞向所述第一冷卻組輥的各個(gè)所述冷卻輥，所述第一鍍膜組件用于對(duì)所述第一冷卻組輥處薄膜未與所述冷卻輥接觸的第一面鍍膜。

9、進(jìn)一步，所述冷卻組輥還包括第二冷卻組輥，所述鍍膜組件還包括第二鍍膜組件，所述第二冷卻組輥和所述第二鍍膜組件設(shè)置在所述真空鍍膜腔體內(nèi)部，第一面鍍膜后的薄膜繞向所述第二冷卻組輥的各個(gè)所述冷卻輥，所述第二鍍膜組件用于對(duì)所述第二冷卻組輥處薄膜未與所述冷卻輥接觸的第二面鍍膜。

10、進(jìn)一步，所述第一鍍膜組件和第二鍍膜組件均為蒸鍍鍍膜組件或磁控濺射鍍膜組件。

11、進(jìn)一步，所述真空鍍膜腔體中設(shè)置有轉(zhuǎn)向輥,沿著薄膜的走帶方向，所述轉(zhuǎn)向輥設(shè)置在第一冷卻組輥與所述第二冷卻組輥之間，薄膜從所述第一冷卻組輥繞出后經(jīng)所述轉(zhuǎn)向輥轉(zhuǎn)向繞向所述第二冷卻組輥。

12、進(jìn)一步，所述真空鍍膜腔體內(nèi)部還設(shè)置有過(guò)輥、張力輥或展平輥中的至少一個(gè)。

13、根據(jù)上述方案的本實(shí)用新型，其有益效果在于，本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置多個(gè)冷卻輥可以增加冷卻面積，從而增加換熱面積和換熱效率，提高冷卻效果，有助于更好地控制薄膜的溫度，防止過(guò)熱和斷膜現(xiàn)象。相較于現(xiàn)有技術(shù)中單根冷卻主輥，一旦薄膜局部隆起就可能導(dǎo)致無(wú)法與冷卻輥接觸，從而影響薄膜生產(chǎn)質(zhì)量。而多個(gè)冷卻輥的設(shè)置可以降低這種影響，因?yàn)榧词鼓硞€(gè)冷卻輥無(wú)法接觸到薄膜的某個(gè)部分，其他冷卻輥仍然可以對(duì)其進(jìn)行冷卻。通過(guò)多個(gè)冷卻輥的配合，可以更精細(xì)地控制薄膜的溫度，有助于提高薄膜質(zhì)量的一致性，因?yàn)槊總€(gè)冷卻輥都可以根據(jù)其位置和溫度梯度對(duì)薄膜進(jìn)行適當(dāng)?shù)睦鋮s，從而實(shí)現(xiàn)薄膜在真空鍍膜后溫度穩(wěn)步下降，防止因驟冷驟熱導(dǎo)致的薄膜變形、性能下降等情況，提高薄膜質(zhì)量的一致性。

技術(shù)特征：

1.一種冷卻組輥，其特征在于，包括n個(gè)間隔設(shè)置的冷卻輥，n≥2，n個(gè)所述冷卻輥中第一個(gè)所述冷卻輥靠近鍍膜組件，n個(gè)所述冷卻輥冷卻溫度梯度設(shè)置，所述冷卻輥的冷卻溫度為-30℃～10℃。

2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的一種冷卻組輥，其特征在于，n個(gè)所述冷卻輥連續(xù)分布。

3.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的一種冷卻組輥，其特征在于，n個(gè)所述冷卻輥之間設(shè)置有過(guò)輥、張力輥或展平輥中至少一個(gè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的一種冷卻組輥，其特征在于，n個(gè)所述冷卻輥冷卻溫度梯度上升，-30℃≤第1冷卻輥≤第2冷卻輥≤……≤第n冷卻輥≤10℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的一種冷卻組輥，其特征在于，n個(gè)所述冷卻輥冷卻溫度梯度下降，-30℃≤第n冷卻輥≤第n-1冷卻輥≤……≤第1冷卻輥≤10℃。

6.一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括真空鍍膜腔體，所述真空鍍膜腔體內(nèi)設(shè)置有放卷裝置、冷卻組輥、鍍膜組件和收卷裝置，所述冷卻組輥為權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的冷卻組輥，所述冷卻組輥包括第一冷卻組輥，所述鍍膜組件包括第一鍍膜組件，

7.根據(jù)權(quán)利要求6中所述的一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述冷卻組輥還包括第二冷卻組輥，所述鍍膜組件還包括第二鍍膜組件，所述第二冷卻組輥和所述第二鍍膜組件設(shè)置在所述真空鍍膜腔體內(nèi)部，第一面鍍膜后的薄膜繞向所述第二冷卻組輥的各個(gè)所述冷卻輥，所述第二鍍膜組件用于對(duì)所述第二冷卻組輥處薄膜未與所述冷卻輥接觸的第二面鍍膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求7中所述的一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述第一鍍膜組件和第二鍍膜組件均為蒸鍍鍍膜組件或磁控濺射鍍膜組件。

9.根據(jù)權(quán)利要求8中所述的一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述真空鍍膜腔體中設(shè)置有轉(zhuǎn)向輥,沿著薄膜的走帶方向，所述轉(zhuǎn)向輥設(shè)置在第一冷卻組輥與所述第二冷卻組輥之間，薄膜從所述第一冷卻組輥繞出后經(jīng)所述轉(zhuǎn)向輥轉(zhuǎn)向繞向所述第二冷卻組輥。

10.根據(jù)權(quán)利要求6中所述的一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述真空鍍膜腔體內(nèi)部還設(shè)置有過(guò)輥、張力輥或展平輥中的至少一個(gè)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開(kāi)了一種冷卻組輥及鍍膜設(shè)備，包括N個(gè)間隔設(shè)置的冷卻輥，N≥2，N個(gè)所述冷卻輥中第一個(gè)所述冷卻輥靠近鍍膜組件，N個(gè)所述冷卻輥冷卻溫度梯度設(shè)置，所述冷卻輥的冷卻溫度為?30℃～10℃。本技術(shù)通過(guò)設(shè)置多個(gè)冷卻輥可以增加冷卻面積，從而增加換熱面積和換熱效率，提高冷卻效果，有助于更好地控制薄膜的溫度，防止過(guò)熱和斷膜現(xiàn)象。相較于現(xiàn)有技術(shù)中單根冷卻主輥，一旦薄膜局部隆起就可能導(dǎo)致無(wú)法與冷卻輥接觸，從而影響薄膜生產(chǎn)質(zhì)量。而多個(gè)冷卻輥的設(shè)置可以降低這種影響，因?yàn)榧词鼓硞€(gè)冷卻輥無(wú)法接觸到薄膜的某個(gè)部分，其他冷卻輥仍然可以對(duì)其進(jìn)行冷卻。

技術(shù)研發(fā)人員：臧偉,羅能鐵
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市鐳煜科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231228
技術(shù)公布日：2024/12/26