技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種核殼結(jié)構(gòu)CuO/Al納米含能薄膜材料的制備方法。所述方法首先利用真空物理氣相沉積技術(shù)在基底上制備Cr過(guò)渡層及Cu薄膜，再在室溫下將基底置于含有NaOH和(NH4)2S2O8的混合液中得到具有一維納米結(jié)構(gòu)的Cu(OH)2薄膜材料，然后經(jīng)熱處理得到具有一維納米結(jié)構(gòu)的CuO薄膜材料，最后利用物理氣相沉積技術(shù)，將納米Al包覆至CuO一維納米結(jié)構(gòu)上得到核殼結(jié)構(gòu)CuO/Al納米含能薄膜材料。本發(fā)明制備過(guò)程中溫度限制在200℃以下，相較現(xiàn)有的采用的≥450℃高溫處理過(guò)程，能耗顯著降低，并且制得核殼結(jié)構(gòu)CuO/Al納米含能薄膜材料能與后端CMOS工藝相兼容，制備過(guò)程重復(fù)性好。

技術(shù)研發(fā)人員：周翔;姜煒;柯香
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南京理工大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.21
技術(shù)公布日：2017.10.27