本發(fā)明涉及太陽能硅片切割領(lǐng)域，具體涉及一種帶有磁場的硅片切割方法。
背景技術(shù)：
目前太陽能發(fā)電用的硅片大多采用砂漿切割的方式。這種切割方式采用高速運(yùn)動(dòng)的鋼線線網(wǎng)帶動(dòng)sic漿料運(yùn)動(dòng)，通過漿料中的sic磨料對(duì)硅塊進(jìn)行切割獲得晶體硅片。使用這種切割方式，加工成本高，單刀切割的時(shí)間長，生產(chǎn)效率較低。
硅片切割的另一種方式是使用固結(jié)在鋼線上的金剛石代替sic磨料對(duì)硅塊進(jìn)行切割加工。由于金剛石的切割能力大于sic，因此這種切割方式具有加工效率高、成本低的優(yōu)點(diǎn)。但同時(shí)，由于金剛石對(duì)硅塊的切割能力過強(qiáng)，切割時(shí)對(duì)垂直硅片表面的擠壓研磨作用比較弱，因此導(dǎo)致切割后的硅片表面損傷層比較小。多晶硅片的損傷層對(duì)后續(xù)電池制作陷光絨面有重要的意義，太少的損傷層會(huì)導(dǎo)致陷光絨面難以制出，進(jìn)而導(dǎo)致多晶電池光電轉(zhuǎn)換效率降低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種帶有磁場的硅片切割方法，可以提高垂直硅片表面的受力情況，加大硅片表面的切割損傷層，從而有利于金剛線切割的多晶硅片制作陷光絨面。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：
一種帶有磁場的硅片切割方法，包括如下步驟：在多線切割機(jī)床上通過切割線對(duì)加工工件進(jìn)行磨削加工，在加工過程中，向切割區(qū)域噴射切削液，在磨削區(qū)域施加電磁場，所述電磁場的磁力線方向與切割線垂直；同時(shí)在切割線上通電流。
優(yōu)選的，所述電磁場由磁鐵、永磁體或通電螺線圈產(chǎn)生。
更優(yōu)選的，所述通電螺線圈中所通電流是直流電或交流電。
優(yōu)選的，所述切割線中所通電流是直流電或交流電。
本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明通過在硅塊的多線切割區(qū)域建立一個(gè)垂直于線網(wǎng)的磁場，在切割鋼線中通上適當(dāng)?shù)碾娏?，通過磁場對(duì)通電導(dǎo)線的洛倫茨力，使切割鋼線在垂直硅片表面方向以及切割方向進(jìn)行小范圍的晃動(dòng)，進(jìn)而增加對(duì)垂直硅片表面方向的作用力，加大硅片表面損傷層的形成。鋼線在切縫處的輕微晃動(dòng)，還可以提高鋼線在切縫處的切割能力。
附圖說明
圖1為磁場方向的示意圖；
圖中標(biāo)號(hào)：1、磁力線；2、硅片；3、切割線。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供一種在硅片切割時(shí)加強(qiáng)對(duì)硅片表面作用的方法，可以提高垂直硅片表面的受力情況，加大硅片表面的切割損傷層，從而有利于金剛線切割的多晶硅片制作陷光絨面。
本發(fā)明通過在硅片2的多線切割區(qū)域建立一個(gè)垂直于切割線網(wǎng)的磁場，磁場的磁力線1方向垂直于切割線3網(wǎng)，在切割線3中通上適當(dāng)?shù)碾娏鳎ㄟ^磁場對(duì)通電導(dǎo)線的洛倫茨力，使切割線3在垂直硅片2表面方向以及切割方向進(jìn)行小范圍的晃動(dòng)，進(jìn)而增加對(duì)垂直硅片2表面方向的作用力，加大硅片2表面損傷層的形成。切割線3在切縫處的輕微晃動(dòng)，還可以提高其在切縫處的切割能力。
具體的，切割區(qū)域所加磁場，可以由磁鐵、永磁體、通電螺線圈產(chǎn)生；上述通電螺線圈中所通電流可以是直流電或交流電；切割鋼線中所通電流也可以是直流電或交流電。在多線切割機(jī)的切割室中安裝好磁鐵、永磁體或通電螺線圈，可以采用螺栓連接或者螺釘連接的方式固定。
本發(fā)明相對(duì)于專利cn101797713a和專利cn103056730a在實(shí)質(zhì)上有明顯差異。此兩項(xiàng)專利是都是通過電流來實(shí)現(xiàn)切割加強(qiáng)的，其中專利cn103056730a，雖然也在磨削區(qū)域施加了一定的電磁場，但是是通過磁場產(chǎn)生電流，而本專利是在通一定電流的同時(shí)，施加一定的磁場，磁場對(duì)通電導(dǎo)線產(chǎn)生的洛倫茨力，使得鋼線在切割位置處產(chǎn)生小范圍晃動(dòng)，來加大切割硅片表面損傷層及提高切割能力。
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出：對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。