技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開一種高溫下納米結構可控的金屬氧化物半導體薄膜電極材料的制備方法。本發(fā)明以鈦片為導電基底、鈦片表面通過水熱法生長羥基氧化鐵納米棒、利用葡萄糖為碳源在高溫下合成納米結構可控的復合電極材料碳層包覆的鈦摻雜三氧化二鐵納米棒，即C/Ti?Fe2O3。所述電極材料包括鈦金屬片和三氧化二鐵納米棒、碳層。所述碳層包覆在三氧化二鐵納米棒表面，在高溫下能有效維持納米棒的微觀形貌，顯著改善電極材料的光電化學性能?？蓱糜谔柲芄夥姵刂苽洹⒐怆娀瘜W傳感器構建以及光催化水分解制氫、光催化降解有機污染物等領域。

技術研發(fā)人員：劉冀鍇;顏德健;羅和安
受保護的技術使用者：湘潭大學
技術研發(fā)日：2017.03.07
技術公布日：2017.07.07