1.一種超低阻硅靶材的生產(chǎn)方法，其特征是：將經(jīng)過酸浸泡處理過的高硼含量母合金和硅料一起加入石英坩堝中，經(jīng)過鑄錠工藝后得到電阻率小于0.01Ω·cm的硅錠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超低阻硅靶材的生產(chǎn)方法，其特征是：所述一種超低阻硅靶材的生產(chǎn)方法，具體包括以下步驟：
第一步：按照硅材料電阻率配比公式T＝(m×n％)/(M+m)計(jì)算需要摻入硼雜質(zhì)的含量，推算出需要加入的高硼含量母合金質(zhì)量，式中T是靶材中的硼雜質(zhì)含量，M是原料質(zhì)量，m是高硼含量母合金質(zhì)量，n是高硼含量母合金中硼含量占比；
第二步：根據(jù)第一步的計(jì)算結(jié)果稱取高硼含量母合金，將高硼含量母合金處理成塊裝，利用鹽酸和氫氟酸的混合溶液浸泡，后經(jīng)清水清洗后烘干，待用；
第三步：計(jì)算出高硼含量母合金經(jīng)過第二步處理前后的質(zhì)量差，由此按照第一步中的公式重新推算酸處理后的高硼含量母合金中硼雜質(zhì)的含量；
第四步：根據(jù)第三步中的計(jì)算結(jié)果，按照第一步的方法重新推算需要加入的酸處理后的高硼含量母合金質(zhì)量；
第五步：將酸處理后的高硼含量母合金和硅料一起加入石英坩堝中，經(jīng)過高效鑄錠工藝處理得到硅鑄錠；
第六步：按需求尺寸對(duì)硅鑄錠頂部以下切割加工，得到電阻率小于0.01Ω·cm的硅靶材產(chǎn)品。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種超低阻硅靶材的生產(chǎn)方法，其特征是：所述第一步中n為8-20，T為4-140ppmw。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種超低阻硅靶材的生產(chǎn)方法，其特征是：所述第二步中高硼含量母合金處理成1-3mm的塊裝。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種超低阻硅靶材的生產(chǎn)方法，其特征是：所述第二步中鹽酸和氫氟酸的混合比例為(3-5):1。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種超低阻硅靶材的生產(chǎn)方法，其特征是：所述第二步中浸泡時(shí)間為1-10h，清水清洗3-5次。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種超低阻硅靶材的生產(chǎn)方法，其特征是：所述第六步中硅鑄錠頂部20-40mm區(qū)域不能切割。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種超低阻硅靶材的生產(chǎn)方法，其特征是：所述第六步中得到的硅靶材產(chǎn)品的純度大于5.5N，致密度大于99％。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一所述的一種超低阻硅靶材的生產(chǎn)方法，其特征是：所述高硼含量母合金為硼單質(zhì)、硅鋁合金、硅鐵合金或其他硅合金中的一種，高硼含量母合金中硼的含量為3000—30000ppmw。