1.一種等離子體參數(shù)自動(dòng)控制磁控濺射鍍膜裝置，包括裝置本體，所述裝置本體包括真空室以及與真空室連接的等離子體射頻電源，其特征在于：所述真空室上設(shè)有用于穿過(guò)等離子體探針的動(dòng)密封結(jié)構(gòu)，所述等離子體探針的輸出端與用于采集等離子體探針上電壓和電流信號(hào)的數(shù)據(jù)采集與處理系統(tǒng)的輸入端連接，數(shù)據(jù)采集與處理系統(tǒng)的輸出端與PC的輸入端連接，所述PC的輸出端與PLC的輸入端連接，所述PLC的輸出端與所述等離子體射頻電源連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體參數(shù)自動(dòng)控制磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：所述等離子體探針為接觸式等離子體探針。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體參數(shù)自動(dòng)控制磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：所述真空室下部設(shè)有至少一個(gè)抽氣口，內(nèi)部設(shè)有靶、用于盛放樣品的陽(yáng)極，所述靶與位于真空室外壁頂部的絕緣板連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體參數(shù)自動(dòng)控制磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：所述陽(yáng)極與旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體參數(shù)自動(dòng)控制磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)與所述PLC連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體參數(shù)自動(dòng)控制磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：所述PLC的輸出端連接所述數(shù)據(jù)采集與處理系統(tǒng)的輸入端。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體參數(shù)自動(dòng)控制磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：所述裝置本體還包括等離子發(fā)生系統(tǒng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體參數(shù)自動(dòng)控制磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：所述等離子發(fā)生系統(tǒng)為微波等離子體發(fā)生系統(tǒng)、射頻等離子體發(fā)生系統(tǒng)、直流/交流放電等離子體發(fā)生系統(tǒng)、電子回旋共振等離子體發(fā)生系統(tǒng)中的一種。