一種用于卷繞式濺射三層介質(zhì)膜的鍍膜裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種應(yīng)用在卷繞式濺射三層介質(zhì)膜的鍍膜裝置。該鍍膜裝置，包括：冷輥、驅(qū)動(dòng)冷輥的主電機(jī)、包覆住冷輥的真空腔、放卷機(jī)構(gòu)、收卷機(jī)構(gòu)和五個(gè)陰極小室，所述五個(gè)陰極小室中的中間三個(gè)陰極小室結(jié)構(gòu)相同均為雙靶陰極小室，雙靶陰極小室中的陰極靶體為兩個(gè)陰極濺射靶，五個(gè)陰極小室中的兩側(cè)的兩個(gè)陰極小室結(jié)構(gòu)相同均為單靶陰極小室，單靶陰極小室的陰極靶體為一個(gè)陰極濺射靶。采用上述結(jié)構(gòu)后，本實(shí)用新型利用中間的三個(gè)雙靶陰極小室采用相同的氣氛對三層介質(zhì)膜的中間介質(zhì)膜進(jìn)行濺射，延長了中間介質(zhì)膜的成膜時(shí)間，雙靶陰極的濺射靶距更為精確。
【專利說明】一種用于卷繞式濺射三層介質(zhì)膜的鍍膜裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本新型涉及真空鍍膜設(shè)備，特指一種應(yīng)用在卷繞式濺射三層介質(zhì)膜的鍍膜裝置?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]在對陰極濺射成膜裝置中，卷繞式真空鍍膜設(shè)備以其可以連續(xù)生產(chǎn)而明顯的提高了成膜的效率，然而，現(xiàn)有的卷繞式真空鍍膜設(shè)備中對于各個(gè)用來濺射成膜陰極小室的安裝數(shù)量有限，各個(gè)陰極小室的濺射時(shí)間和濺射氣氛難以準(zhǔn)確控制，成膜的穩(wěn)定性差，大都只能生產(chǎn)一層或兩層介質(zhì)膜，而無法連續(xù)濺射三層介質(zhì)膜，因?yàn)槿龑咏橘|(zhì)膜中間的介質(zhì)膜的濺射成膜時(shí)間較長，成膜氣氛與上下兩層介質(zhì)膜的氣氛均不同，現(xiàn)有的卷繞式真空鍍膜設(shè)備同步轉(zhuǎn)動(dòng)，單一的陰極小室的濺射成膜時(shí)間明顯不夠，各個(gè)陰極小室的氣氛也容易相互干涉;
[0003]另外，現(xiàn)有的卷繞式真空鍍膜設(shè)備往往需要和清潔裝置、加熱裝置、放卷和收卷機(jī)構(gòu)配套使用形成生產(chǎn)線，這樣會(huì)造成設(shè)備多、占用產(chǎn)地大的問題；
[0004]有鑒于此，如何設(shè)計(jì)一種僅用單一的真空鍍膜設(shè)備和鍍膜方法就能連續(xù)濺射三層介質(zhì)膜成為有待解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本新型的目的就是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提供的一種應(yīng)用在卷繞式濺射三層介質(zhì)膜的鍍膜裝置。
[0006]為達(dá)到上述目的，本新型的技術(shù)方案是:
[0007]—種用于卷繞式濺射三層介質(zhì)膜的鍍膜裝置，包括有:冷輥、驅(qū)動(dòng)冷輥的主電機(jī)、包覆住冷棍的真空腔、放卷機(jī)構(gòu)、收卷機(jī)構(gòu)和五個(gè)陰極小室，其中，放卷機(jī)構(gòu)、收卷機(jī)構(gòu)和五個(gè)陰極小室均內(nèi)置于真空腔內(nèi)，放卷機(jī)構(gòu)通過原料薄膜繞過冷輥的圓周表面?zhèn)鬏數(shù)绞站頇C(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)三者的同步聯(lián)動(dòng)，所述真空腔包覆住冷輥的部分為圓柱形腔體，五個(gè)陰極小室間隔排列在所述圓柱形腔體的內(nèi)壁上且向外伸凸形成腔室凸包，所述陰極小室包括有陰極靶體、冷卻水管、補(bǔ)氣機(jī)構(gòu)、抽真空機(jī)構(gòu)、氣氛隔離板，陰極靶體對應(yīng)著冷輥上的原料薄膜設(shè)置在陰極小室內(nèi)，冷卻水管分布在陰極小室的側(cè)壁，補(bǔ)氣機(jī)構(gòu)由外部的補(bǔ)氣單元連通到對應(yīng)的陰極小室內(nèi)，抽真空機(jī)構(gòu)由外部的抽真空機(jī)連通到陰極小室內(nèi)，氣氛隔離板間隔設(shè)置在兩相鄰的陰極小室之間；所述五個(gè)陰極小室中的中間三個(gè)陰極小室結(jié)構(gòu)相同均為雙靶陰極小室，雙靶陰極小室中的陰極靶體為兩個(gè)陰極濺射靶，五個(gè)陰極小室中的兩側(cè)的兩個(gè)陰極小室結(jié)構(gòu)相同均為單靶陰極小室，單靶陰極小室的陰極靶體為一個(gè)陰極濺射靶。
[0008]所述真空腔內(nèi)還設(shè)有離子源預(yù)處理機(jī)構(gòu)，離子源預(yù)處理機(jī)構(gòu)為兩個(gè)，分別設(shè)置在放卷機(jī)構(gòu)與冷輥之間以及冷輥和收卷機(jī)構(gòu)之間，離子源預(yù)處理機(jī)構(gòu)包括有用來清洗的真空室，該真空室為凹型容腔，真空室上部的開口對應(yīng)待清洗的原料薄膜；真空室的底部安裝有用來抽真空的真空機(jī)構(gòu)，在真空室內(nèi)固定設(shè)有絕緣支撐件，在絕緣支撐件上設(shè)有用來提供清潔氣體的布?xì)饪?，在絕緣支撐件上還分別間隔設(shè)有兩個(gè)電極，兩個(gè)電極分別通過各自的電源線與外部的高壓中頻電源電連接。
[0009]所述真空腔內(nèi)還設(shè)有用來對原料薄膜進(jìn)行加熱的加熱裝置，加熱裝置為兩個(gè)，分別為設(shè)置在放卷機(jī)構(gòu)的出口端前加熱裝置以及設(shè)置在收卷機(jī)構(gòu)的進(jìn)口端的后加熱裝置。
[0010]本發(fā)明還涉及一種用于卷繞式濺射三層介質(zhì)膜的鍍膜方法，包括有以下步驟，
[0011]步驟一,對真空腔進(jìn)行抽真空,放卷機(jī)構(gòu)、冷棍、收卷機(jī)構(gòu)三者同步轉(zhuǎn)動(dòng)使原料薄膜從放卷機(jī)構(gòu)卷繞過冷輥的圓周表面?zhèn)鬏數(shù)绞站頇C(jī)構(gòu)；
[0012]步驟二，原料薄膜在傳輸過程中，先通過前加熱裝置對原料薄膜進(jìn)行預(yù)加熱，在經(jīng)過離子源預(yù)處理機(jī)構(gòu)對原料薄膜進(jìn)行預(yù)處理，以清除基底表面異物，改善成膜質(zhì)量，增加沉積層在基底上的附著力；
[0013]步驟三，經(jīng)過前一個(gè)單靶陰極小室時(shí)在原料薄膜上濺射第一層介質(zhì)膜，前一個(gè)單靶陰極小室內(nèi)通過抽真空、補(bǔ)氣后形成用來濺射第一層介質(zhì)膜的第一氣氛；
[0014]步驟四，經(jīng)過三個(gè)雙靶陰極小室時(shí)在原料薄膜上連續(xù)濺射第二層介質(zhì)膜，每個(gè)雙靶陰極小室內(nèi)均通過抽真空、補(bǔ)氣后形成用來濺射第二層介質(zhì)膜的第二氣氛；
[0015]步驟五，經(jīng)過后一個(gè)單靶陰極小室時(shí)在原料薄膜上濺射第三層介質(zhì)膜，后一個(gè)單靶陰極小室內(nèi)通過抽真空、補(bǔ)氣后形成用來濺射第三層介質(zhì)膜的第三氣氛；
[0016]步驟六，經(jīng)過后一個(gè)離子源預(yù)處理機(jī)構(gòu)對鍍膜后的原料薄膜進(jìn)行預(yù)處理，在經(jīng)過后加熱裝置對鍍膜后的原料薄膜進(jìn)行加熱后通過收卷機(jī)構(gòu)收卷。
[0017]采用上述鍍膜裝置后，本新型具有以下優(yōu)點(diǎn):本新型的采用五個(gè)陰極小室排布的方式，利用中間的三個(gè)雙靶陰極小室采用相同的氣氛對三層介質(zhì)膜的中間介質(zhì)膜進(jìn)行濺射，延長了中間介質(zhì)膜的成膜時(shí)間，雙靶陰極的濺射靶距更為精確，這樣，確保三個(gè)雙靶陰極小室的濺射靶距一致，每個(gè)陰極小室的抽真空和補(bǔ)氣裝置，可以確保三個(gè)雙靶陰極小室的氣氛保持一致，而隔離板能將各個(gè)陰極小室的氣氛相互隔離，這樣才能保證三個(gè)雙靶陰極小室鍍?yōu)R射同一層介質(zhì)膜；另外，本新型將清洗裝置、收卷機(jī)構(gòu)、放卷機(jī)構(gòu)以及加熱裝置均與鍍膜設(shè)備整合為同一臺(tái)設(shè)備，替代了傳統(tǒng)的生產(chǎn)線，節(jié)約了占用空間。由上可知，本新型具有能連續(xù)濺射三層介質(zhì)膜的特點(diǎn)，同時(shí)本發(fā)明的鍍膜設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊、占用空間小。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1是本新型結(jié)構(gòu)原理示意圖。
[0019]圖2是本新型離子源預(yù)處理機(jī)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]如圖1-2所示，一種用于卷繞式濺射三層介質(zhì)膜的鍍膜裝置，包括有:冷輥10、驅(qū)動(dòng)冷輥10的主電機(jī)20、包覆住冷輥10的真空腔30、放卷機(jī)構(gòu)40、收卷機(jī)構(gòu)50和五個(gè)陰極小室60，其中，放卷機(jī)構(gòu)40、收卷機(jī)構(gòu)50和五個(gè)陰極小室60均內(nèi)置于真空腔30內(nèi)，放卷機(jī)構(gòu)40通過原料薄膜70繞過冷棍10的圓周表面?zhèn)鬏數(shù)绞站頇C(jī)構(gòu)40實(shí)現(xiàn)三者的同步聯(lián)動(dòng)，所述真空腔30包覆住冷輥10的部分為圓柱形腔體31，五個(gè)陰極小室60間隔排列在所述圓柱形腔體31的內(nèi)壁上且向外伸凸形成腔室凸包32，所述陰極小室60包括有陰極靶體、冷卻水管62、補(bǔ)氣機(jī)構(gòu)63、抽真空機(jī)構(gòu)64、氣氛隔離板65，陰極靶體對應(yīng)著冷輥10上的原料薄膜70設(shè)置在陰極小室60內(nèi)，冷卻水管62分布在陰極小室60的側(cè)壁，補(bǔ)氣機(jī)構(gòu)63由外部的補(bǔ)氣單元連通到對應(yīng)的陰極小室60內(nèi)，抽真空機(jī)構(gòu)64由外部的抽真空機(jī)連通到陰極小室60內(nèi)，氣氛隔離板65間隔設(shè)置在兩相鄰的陰極小室60之間；所述五個(gè)陰極小室60中的中間三個(gè)陰極小室結(jié)構(gòu)相同均為雙靶陰極小室，雙靶陰極小室中的陰極靶體為兩個(gè)陰極濺射靶611，五個(gè)陰極小室中的兩側(cè)的兩個(gè)陰極小室結(jié)構(gòu)相同均為單靶陰極小室，單靶陰極小室的陰極靶體為一個(gè)陰極濺射靶612。
[0021]所述真空腔30內(nèi)還設(shè)有離子源預(yù)處理機(jī)構(gòu)80，離子源預(yù)處理機(jī)構(gòu)80為兩個(gè)，分別設(shè)置在放卷機(jī)構(gòu)40與冷輥10之間以及冷輥10和收卷機(jī)構(gòu)50之間，離子源預(yù)處理機(jī)構(gòu)80包括有用來清洗的真空室81，該真空室81為凹型容腔，真空室81上部的開口對應(yīng)待清洗的原料薄膜70 ;真空室81的底部安裝有用來抽真空的真空機(jī)構(gòu)82，在真空室81內(nèi)固定設(shè)有絕緣支撐件83，在絕緣支撐件83上設(shè)有用來提供清潔氣體的布?xì)饪?4，在絕緣支撐件83上還分別間隔設(shè)有兩個(gè)電極84，兩個(gè)電極84分別通過各自的電源線85與外部的高壓中頻電源電連接。
[0022]所述真空腔30內(nèi)還設(shè)有用來對原料薄膜70進(jìn)行加熱的加熱裝置，加熱裝置為兩個(gè)，分別為設(shè)置在放卷機(jī)構(gòu)40的出口端前加熱裝置91以及設(shè)置在收卷機(jī)構(gòu)50的進(jìn)口端的后加熱裝置92。
[0023]本新型的一種用于卷繞式濺射三層介質(zhì)膜的鍍膜方法，包括有以下步驟，
[0024]步驟一,對真空腔31進(jìn)行抽真空,放卷機(jī)構(gòu)40、冷棍10、收卷機(jī)構(gòu)50三者同步轉(zhuǎn)動(dòng)使原料薄膜70從放卷機(jī)構(gòu)40卷繞過冷棍10的圓周表面?zhèn)鬏數(shù)绞站頇C(jī)構(gòu)50 ；
[0025]步驟二，原料薄膜70在傳輸過程中，先通過前加熱裝置91對原料薄膜70進(jìn)行預(yù)加熱，在經(jīng)過離子源預(yù)處理機(jī)構(gòu)80對原料薄膜70進(jìn)行預(yù)處理，以清除基底表面異物，改善成膜質(zhì)量，增加沉積層在基底上的附著力；
[0026]步驟三，經(jīng)過前一個(gè)單靶陰極小室a時(shí)在原料薄膜70上濺射第一層介質(zhì)膜，前一個(gè)單靶陰極小室a內(nèi)通過抽真空、補(bǔ)氣后形成用來濺射第一層介質(zhì)膜的第一氣氛；
[0027]步驟四，經(jīng)過三個(gè)雙靶陰極小室b、C、d時(shí)在原料薄膜70上連續(xù)濺射第二層介質(zhì)膜，每個(gè)雙靶陰極小室內(nèi)均通過抽真空、補(bǔ)氣后形成用來濺射第二層介質(zhì)膜的第二氣氛；
[0028]步驟五，經(jīng)過后一個(gè)單靶陰極小室e時(shí)在原料薄膜上濺射第三層介質(zhì)膜，后一個(gè)單靶陰極小室內(nèi)通過抽真空、補(bǔ)氣后形成用來濺射第三層介質(zhì)膜的第三氣氛；
[0029]步驟六，經(jīng)過后一個(gè)離子源預(yù)處理機(jī)構(gòu)80對鍍膜后的原料薄膜70進(jìn)行預(yù)處理，在經(jīng)過后加熱裝置92對鍍膜后的原料薄膜70進(jìn)行加熱后通過收卷機(jī)構(gòu)50收卷。
[0030]由上可知，本新型具有能連續(xù)濺射三層介質(zhì)膜的特點(diǎn)，同時(shí)本新型的鍍膜設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊、占用空間小。
[0031]以上使用方案僅僅是本新型的一個(gè)實(shí)施例，不作為限制本新型的保護(hù)范圍。對于本新型權(quán)利要求的所述的各種結(jié)構(gòu)簡單變換均在本新型保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于卷繞式濺射三層介質(zhì)膜的鍍膜裝置，其特征在于:包括有:冷輥、驅(qū)動(dòng)冷輥的主電機(jī)、包覆住冷輥的真空腔、放卷機(jī)構(gòu)、收卷機(jī)構(gòu)和五個(gè)陰極小室,其中，放卷機(jī)構(gòu)、收卷機(jī)構(gòu)和五個(gè)陰極小室均內(nèi)置于真空腔內(nèi)，放卷機(jī)構(gòu)通過原料薄膜繞過冷輥的圓周表面?zhèn)鬏數(shù)绞站頇C(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)三者的同步聯(lián)動(dòng)，所述真空腔包覆住冷輥的部分為圓柱形腔體，五個(gè)陰極小室間隔排列在所述圓柱形腔體的內(nèi)壁上且向外伸凸形成腔室凸包，所述陰極小室包括有陰極靶體、冷卻水管、補(bǔ)氣機(jī)構(gòu)、抽真空機(jī)構(gòu)、氣氛隔離板，陰極靶體對應(yīng)著冷輥上的原料薄膜設(shè)置在陰極小室內(nèi)，冷卻水管分布在陰極小室的側(cè)壁，補(bǔ)氣機(jī)構(gòu)由外部的補(bǔ)氣單元連通到對應(yīng)的陰極小室內(nèi)，抽真空機(jī)構(gòu)由外部的抽真空機(jī)連通到陰極小室內(nèi)，氣氛隔離板間隔設(shè)置在兩相鄰的陰極小室之間；所述五個(gè)陰極小室中的中間三個(gè)陰極小室結(jié)構(gòu)相同均為雙靶陰極小室，雙靶陰極小室中的陰極靶體為兩個(gè)陰極濺射靶，五個(gè)陰極小室中的兩側(cè)的兩個(gè)陰極小室結(jié)構(gòu)相同均為單靶陰極小室，單靶陰極小室的陰極靶體為一個(gè)陰極濺射靶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于卷繞式濺射三層介質(zhì)膜的鍍膜裝置，其特征在于:所述真空腔內(nèi)還設(shè)有離子源預(yù)處理機(jī)構(gòu)，離子源預(yù)處理機(jī)構(gòu)為兩個(gè)，分別設(shè)置在放卷機(jī)構(gòu)與冷輥之間以及冷輥和收卷機(jī)構(gòu)之間，離子源預(yù)處理機(jī)構(gòu)包括有用來清洗的真空室，該真空室為凹型容腔，真空室上部的開口對應(yīng)待清洗的原料薄膜；真空室的底部安裝有用來抽真空的真空機(jī)構(gòu)，在真空室內(nèi)固定設(shè)有絕緣支撐件，在絕緣支撐件上設(shè)有用來提供清潔氣體的布?xì)饪?，在絕緣支撐件上還分別間隔設(shè)有兩個(gè)電極，兩個(gè)電極分別通過各自的電源線與外部的高壓中頻電源電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于卷繞式濺射三層介質(zhì)膜的鍍膜裝置，其特征在于:所述真空腔內(nèi)還設(shè)有用來對原料薄膜進(jìn)行加熱的加熱裝置，加熱裝置為兩個(gè)，分別為設(shè)置在放卷機(jī)構(gòu)的出口端前加熱裝置以及設(shè)置在收卷機(jī)構(gòu)的進(jìn)口端的后加熱裝置。
【文檔編號(hào)】C23C14/42GK203653686SQ201420031586
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2014年1月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月20日
【發(fā)明者】金烈 申請人:深圳市金凱新瑞光電有限公司