磁控濺射鍍膜方法及系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種磁控濺射鍍膜方法及系統(tǒng)，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】。其中，該磁控濺射鍍膜系統(tǒng)包括濺射腔室，還包括設(shè)置在所述濺射腔室內(nèi)的由多條靶材拼接形成的靶材組；與所述靶材組相對設(shè)置、用于承載待成膜基板的基板載體；帶動(dòng)所述基板載體沿所述靶材排列方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)的傳動(dòng)裝置。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠有效提高磁控濺射成膜的均勻性，進(jìn)而保證顯示基板的性能和品質(zhì)。
【專利說明】磁控濺射鍍膜方法及系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種磁控濺射鍍膜方法及系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]在6代及以上的磁控濺射鍍膜設(shè)備中，由于顯示基板尺寸較大，一般采用多條靶材拼接形成靶材組來對顯示基板進(jìn)行濺射成膜，每條靶材由單獨(dú)電源控制，不同靶材之間是相對獨(dú)立和絕緣的，為保證每條靶材的絕緣和獨(dú)立性，靶材間必須進(jìn)行隔離，而靶材之間的隔離區(qū)為非濺射區(qū)。
[0003]在成膜的過程中，由于靶材之間的隔離區(qū)為非濺射區(qū)，會(huì)導(dǎo)致對應(yīng)靶材間縫隙的基板處沉積的膜層偏薄，造成膜層均勻性及穩(wěn)定性較差；特別是對于IGZO、ITO等靶材，如果靶材縫隙處對應(yīng)的膜層偏薄，易導(dǎo)致顯示基板在顯示時(shí)出現(xiàn)Mura(光斑)等不良，對顯示基板的性能和品質(zhì)影響很大。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種磁控濺射鍍膜方法及系統(tǒng)，能夠有效提高磁控濺射成膜的均勻性，進(jìn)而保證顯示基板的性能和品質(zhì)。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下:
[0006]一方面，提供一種磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，包括濺射腔室，還包括設(shè)置在所述濺射腔室內(nèi)的:
[0007]由多條靶材拼接形成的靶材組；
[0008]與所述靶材組相對設(shè)置、用于承載待成膜基板的基板載體；
[0009]帶動(dòng)所述基板載體沿所述靶材排列方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)的傳動(dòng)裝置。
[0010]可選的，所述系統(tǒng)還包括:包圍所述基板載體的腔體掩膜板，所述基板載體在所述腔體掩膜板內(nèi)運(yùn)動(dòng)。
[0011]可選的，所述系統(tǒng)還包括:在所述靶材排列方向上、設(shè)置在所述基板載體兩側(cè)的邊緣掩膜板。
[0012]可選的，所述傳動(dòng)裝置包括:帶動(dòng)所述基板載體運(yùn)動(dòng)的滾輪；
[0013]帶動(dòng)所述滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)的馬達(dá)；
[0014]與所述馬達(dá)連接、能夠控制所述滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)速率從而控制所述基板載體運(yùn)動(dòng)速率的控制器。
[0015]可選的，所述系統(tǒng)還包括:
[0016]排布在所述靶材排列方向上、用于檢測所述基板載體位置的多個(gè)位置傳感器。
[0017]進(jìn)一步可選的，所述系統(tǒng)還包括:
[0018]設(shè)置在所述濺射腔室邊緣的極限位置傳感器。
[0019]另一方面，提供一種磁控濺射鍍膜方法，應(yīng)用于上述任一項(xiàng)所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，所述方法包括:
[0020]在成膜時(shí)，所述基板載體承載待成膜基板在所述靶材排列方向上往復(fù)運(yùn)動(dòng)。
[0021]可選的，所述方法成膜之前還包括:
[0022]向所述濺射腔室內(nèi)通入工藝氣體，并使所述濺射腔室在預(yù)設(shè)壓力下保持預(yù)設(shè)時(shí)間。
[0023]其中所述工藝氣體包括但不限于:氬氣和氧氣。
[0024]可選的，在所述基板載體勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)，所述基板載體的運(yùn)動(dòng)速率V =搖動(dòng)距離S/(T1-T2)；
[0025]其中，所述基板載體承載待成膜基板從濺射室內(nèi)一側(cè)移動(dòng)到另一側(cè)為搖動(dòng)一次，搖動(dòng)一次所述基板載體經(jīng)過的距離為搖動(dòng)距離，Tl =成膜時(shí)間/搖動(dòng)次數(shù)，T2 =搖動(dòng)一次過程中所述基板載體的加速時(shí)間+所述基板載體的減速時(shí)間。
[0026]本發(fā)明的實(shí)施例具有以下有益效果:
[0027]上述方案中，在不改變現(xiàn)有磁控濺射鍍膜設(shè)備主體結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，通過傳動(dòng)裝置帶動(dòng)基板載體沿靶材排列方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)，從而使待成膜基板相對于靶材往復(fù)運(yùn)動(dòng)，使得在成膜過程中非濺射區(qū)在待成膜基板上往復(fù)交換，非濺射區(qū)域由于基板的運(yùn)動(dòng)得到均攤和補(bǔ)注，從而能夠制備出更加均勻、性能更加穩(wěn)定的薄膜。另外，由于基板和靶材的相對運(yùn)動(dòng)速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于成膜時(shí)等離子體內(nèi)部原子及原子團(tuán)的運(yùn)動(dòng)速度，因此采用本發(fā)明的技術(shù)方案制備的薄膜與傳統(tǒng)磁控濺射方式制備的薄膜相比，膜質(zhì)不受影響。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1為多條靶材拼接形成靶材組的示意圖；
[0029]圖2為現(xiàn)有磁控濺射鍍膜設(shè)備中基板載體承載基板的示意圖；
[0030]圖3和圖4為本發(fā)明實(shí)施例磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖5為本發(fā)明實(shí)施例搖動(dòng)距離和成膜時(shí)間t之間的關(guān)系示意圖。
[0032]附圖標(biāo)記
[0033]I基板2基板載體 3滾輪4位置傳感器
[0034]5邊緣掩膜板6腔體掩模板10靶材組

【具體實(shí)施方式】
[0035]為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0036]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種磁控濺射鍍膜方法及系統(tǒng)，能夠有效提高磁控濺射成膜的均勻性，進(jìn)而保證顯示基板的性能和品質(zhì)。
[0037]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，包括濺射腔室，還包括設(shè)置在所述濺射腔室內(nèi)的:
[0038]由多條靶材拼接形成的靶材組；
[0039]與所述靶材組相對設(shè)置、用于承載待成膜基板的基板載體；
[0040]帶動(dòng)所述基板載體沿所述靶材排列方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)的傳動(dòng)裝置。
[0041]本實(shí)施例在不改變現(xiàn)有磁控濺射鍍膜設(shè)備主體結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，通過傳動(dòng)裝置帶動(dòng)基板載體沿靶材排列方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)，從而使待成膜基板相對于靶材往復(fù)運(yùn)動(dòng)，使得在成膜過程中非濺射區(qū)在待成膜基板上往復(fù)交換，非濺射區(qū)域由于基板的運(yùn)動(dòng)得到均攤和補(bǔ)注，從而能夠制備出更加均勻、性能更加穩(wěn)定的薄膜。另外，由于基板和靶材的相對運(yùn)動(dòng)速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于成膜時(shí)等離子體內(nèi)部原子及原子團(tuán)的運(yùn)動(dòng)速度，因此采用本發(fā)明的技術(shù)方案制備的薄膜與傳統(tǒng)磁控濺射方式制備的薄膜相比，膜質(zhì)不受影響。
[0042]進(jìn)一步地,所述系統(tǒng)還包括:
[0043]包圍所述基板載體的腔體掩膜板，所述基板載體在所述腔體掩膜板內(nèi)運(yùn)動(dòng)，腔體掩膜板可以避免能夠避免靶材濺射到濺射腔室中。
[0044]進(jìn)一步地,所述系統(tǒng)還包括:
[0045]在所述靶材排列方向上、設(shè)置在基板載體兩側(cè)的邊緣掩膜板，邊緣掩膜板能夠避免靶材濺射到基板載體上。
[0046]具體地，所述傳動(dòng)裝置可以包括:
[0047]帶動(dòng)所述基板載體運(yùn)動(dòng)的滾輪；
[0048]帶動(dòng)所述滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)的馬達(dá)；
[0049]與所述馬達(dá)連接、能夠控制所述滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)速率從而控制所述基板載體運(yùn)動(dòng)速率的控制器。
[0050]進(jìn)一步地,所述系統(tǒng)還包括:
[0051]排布在所述靶材排列方向上、用于檢測所述基板載體位置的多個(gè)位置傳感器，位置傳感器能夠檢測基板載體的位置，保證基板載體在濺射腔室中的安全。
[0052]進(jìn)一步地，所述系統(tǒng)還包括:
[0053]設(shè)置在所述濺射腔室邊緣的極限位置傳感器，極限位置傳感器能夠檢測基板載體的極限運(yùn)動(dòng)位置，保證基板載體在濺射腔室中的安全。
[0054]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種磁控濺射鍍膜方法，應(yīng)用于上述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，所述方法包括:
[0055]在成膜時(shí)，所述基板載體承載待成膜基板在所述靶材排列方向上往復(fù)運(yùn)動(dòng)。
[0056]本實(shí)施例在不改變現(xiàn)有磁控濺射鍍膜設(shè)備主體結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，通過傳動(dòng)裝置帶動(dòng)基板載體沿靶材排列方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)，從而使待成膜基板相對于靶材往復(fù)運(yùn)動(dòng)，使得在成膜過程中非濺射區(qū)在待成膜基板上往復(fù)交換，非濺射區(qū)域由于基板的運(yùn)動(dòng)得到均攤和補(bǔ)注，從而能夠制備出更加均勻、性能更加穩(wěn)定的薄膜。另外，由于基板和靶材的相對運(yùn)動(dòng)速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于成膜時(shí)等離子體內(nèi)部原子及原子團(tuán)的運(yùn)動(dòng)速度，因此采用本發(fā)明的技術(shù)方案制備的薄膜與傳統(tǒng)磁控濺射方式制備的薄膜相比，膜質(zhì)不受影響。
[0057]進(jìn)一步地,成膜之前還包括:
[0058]向所述濺射腔室內(nèi)通入工藝氣體，并使所述濺射腔室在預(yù)設(shè)壓力下保持預(yù)設(shè)時(shí)間。
[0059]具體地，所述工藝氣體包括但不限于:氬氣和氧氣。
[0060]進(jìn)一步地，在所述基板載體勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)，所述基板載體的運(yùn)動(dòng)速率V =搖動(dòng)距離S/ (T1-T2)；
[0061 ] 其中，所述基板載體承載待成膜基板從派射室內(nèi)一側(cè)移動(dòng)到另一側(cè)為搖動(dòng)一次，搖動(dòng)一次所述基板載體經(jīng)過的距離為搖動(dòng)距離，Tl =成膜時(shí)間/搖動(dòng)次數(shù)，T2 =搖動(dòng)一次中所述基板載體的加速時(shí)間+所述基板載體的減速時(shí)間。
[0062]下面結(jié)合附圖以及具體的實(shí)施例對本發(fā)明的磁控濺射鍍膜方法及系統(tǒng)進(jìn)行進(jìn)一步介紹:
[0063]在6代及以上的磁控濺射鍍膜設(shè)備中，由于顯示基板尺寸較大，如圖1所示，一般采用多條靶材拼接形成靶材組10來對顯示基板進(jìn)行濺射成膜，每條靶材由單獨(dú)電源控制，不同靶材之間是相對獨(dú)立和絕緣的，為保證每條靶材的絕緣和獨(dú)立性，靶材間必須進(jìn)行隔離，而靶材之間的隔離區(qū)為非濺射區(qū)，非濺射區(qū)的寬度一般不小于2_。
[0064]現(xiàn)有磁控濺射成膜方式為靜態(tài)成膜，如圖2所示，在濺射腔室內(nèi)設(shè)置有用于承載待成膜基板I的基板載體2，在成膜過程中，基板載體2靜止不動(dòng)。為了避免等離子體濺射在腔體和基板載體2上，在基板I外側(cè)設(shè)置有腔體掩膜板6，腔體掩膜板6的大小與基板I大小吻合。在成膜后，基板I對應(yīng)非濺射區(qū)位置處的膜層較其他處的膜層偏薄，造成制備的膜層均勻性及穩(wěn)定性較差。
[0065]為了解決上述問題，本實(shí)施例提供了一種磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，如圖3和圖4所示，本實(shí)施例的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)包括濺射腔室，位于濺射腔室內(nèi)的:由多條靶材拼接形成的靶材組；與靶材組相對設(shè)置、用于承載待成膜基板I的基板載體2 ;帶動(dòng)基板載體2沿靶材排列方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)的傳動(dòng)裝置，傳動(dòng)裝置還可以將基板載體2傳送進(jìn)入濺射腔室；包圍基板載體2的腔體掩膜板6,由于本實(shí)施例是動(dòng)態(tài)成膜,成膜過程中基板載體2將在腔體掩膜板6內(nèi)運(yùn)動(dòng)，腔體掩膜板6可以避免靶材濺射到濺射腔室中；在靶材排列方向上、設(shè)置在待成膜基板I兩側(cè)的邊緣掩膜板5，成膜過程中邊緣掩膜板5能夠避免靶材濺射到基板載體2上。其中，傳動(dòng)裝置包括:帶動(dòng)基板載體2運(yùn)動(dòng)的滾輪3 ;帶動(dòng)滾輪3轉(zhuǎn)動(dòng)的馬達(dá)；與馬達(dá)連接、能夠控制滾輪3轉(zhuǎn)動(dòng)速率從而控制基板載體2運(yùn)動(dòng)速率的控制器；另外，為精確保證載體基板2在濺射腔室中的移動(dòng)和安全，需在濺射腔室兩側(cè)設(shè)置多個(gè)位置傳感器4，位置傳感器4檢測載體基板2的位置，如果載體基板2未按照預(yù)設(shè)方式運(yùn)動(dòng)，則位置傳感器4將進(jìn)行報(bào)警；進(jìn)一步地，還可以在濺射腔室邊緣設(shè)置極限位置傳感器，極限位置傳感器能夠檢測基板載體的極限運(yùn)動(dòng)位置，如果極限位置傳感器檢測到基板載體2，則說明基板載體2超出靶材濺射范圍，極限位置傳感器將進(jìn)行報(bào)警，保證基板載體在濺射腔室中的安全，通過這些位置傳感器，可以確保在成膜過程中能夠按照設(shè)計(jì)方案引導(dǎo)載體基板2進(jìn)行搖動(dòng)。
[0066]本實(shí)施例的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的工作流程具體包括以下步驟:
[0067]1、傳動(dòng)裝置帶動(dòng)基板載體2運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而運(yùn)送待成膜基板I進(jìn)入濺射腔室，濺射腔室閥門關(guān)閉；
[0068]2、濺射腔室內(nèi)開始通入氬氣或氧氣等工藝氣體，持續(xù)穩(wěn)壓一段時(shí)間，具體地可以在預(yù)設(shè)壓力下持續(xù)30秒鐘，以確保成膜過程中的壓力穩(wěn)定；
[0069]3、工藝氣體通入時(shí)，基板載體2由濺射腔室的中間位置移至A側(cè)，基板載體2的移動(dòng)速度由穩(wěn)壓時(shí)間決定，穩(wěn)壓時(shí)間長，移動(dòng)速度慢，穩(wěn)壓時(shí)間短，移動(dòng)速度快，需要保證穩(wěn)壓時(shí)間完成時(shí)基板載體2已移動(dòng)至A側(cè)；
[0070]4、壓力穩(wěn)定后，電源開始放電，成膜開始，放電時(shí)間可以根據(jù)成膜的厚度來預(yù)先設(shè)置；
[0071]5、放電的同時(shí)，基板載體2承載基板I開始從濺射腔室的A側(cè)向?yàn)R射腔室的B側(cè)往復(fù)運(yùn)動(dòng)，從A側(cè)運(yùn)動(dòng)至B側(cè)一次或從B側(cè)運(yùn)動(dòng)至A側(cè)一次定義為搖動(dòng)一次，成膜時(shí)的搖動(dòng)次數(shù)為預(yù)先設(shè)置的；在基板載體2搖動(dòng)過程中，通過位置傳感器4可以檢測基板載體2的位置，并根據(jù)基板載體2的位置調(diào)整基板載體2的運(yùn)動(dòng)方向，比如可以在基板載體2到達(dá)B側(cè)時(shí)調(diào)整基板載體2的運(yùn)動(dòng)方向，使基板載體2向A側(cè)運(yùn)動(dòng)。另外，還可以通過極限位置傳感器檢測基板載體2的極限運(yùn)動(dòng)位置，防止基板載體2超出靶材濺射范圍。
[0072]其中，控制器通過控制馬達(dá)轉(zhuǎn)速可以控制基板載體2的運(yùn)動(dòng)速度(即基板I的運(yùn)動(dòng)速度)，圖5為本發(fā)明實(shí)施例搖動(dòng)距離和成膜時(shí)間之間的關(guān)系示意圖，如圖5所示，Al為基板載體2在A側(cè)的極限運(yùn)動(dòng)位置，BI為基板載體2在B側(cè)的極限運(yùn)動(dòng)位置，A2為基板載體2在A側(cè)的最大運(yùn)動(dòng)位置，B2為基板載體2在B側(cè)的最大運(yùn)動(dòng)位置，t為基板載體2搖動(dòng)一次所需要的時(shí)間，tl為基板載體2運(yùn)動(dòng)到位置B3時(shí)所對應(yīng)的時(shí)間，t2為基板載體2運(yùn)動(dòng)到位置A3時(shí)所對應(yīng)的時(shí)間，基板載體2在位置A3和位置B3之間做勻速運(yùn)動(dòng)。
[0073]基板載體2的運(yùn)動(dòng)速度由控制器根據(jù)預(yù)先設(shè)置的搖動(dòng)次數(shù)和搖動(dòng)距離(即從A側(cè)到B側(cè)的距離)自動(dòng)計(jì)算得出，計(jì)算公式如下:
[0074]基板載體2的運(yùn)動(dòng)速率V =搖動(dòng)距離S/ (T1-T2)；
[0075]Tl =成膜時(shí)間/搖動(dòng)次數(shù)，T2 =搖動(dòng)一次過程中基板載體2的加速時(shí)間+基板載體2的減速時(shí)間；
[0076]6、放電完成時(shí)，基板載體2剛好移動(dòng)至濺射腔室的A側(cè)或B側(cè)，放電停止后，基板載體2開始向?yàn)R射腔室的中間移動(dòng)；
[0077]7、基板載體2移動(dòng)至中間位置后，濺射腔室閥門打開，基板載體2按正常步驟運(yùn)送成膜后的基板I出濺射腔室，成膜過程結(jié)束，在基板I上形成有預(yù)設(shè)厚度的膜。
[0078]本實(shí)施例在不改變現(xiàn)有磁控濺射鍍膜設(shè)備主體結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，通過移動(dòng)組件帶動(dòng)基板載體沿靶材排列方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)，從而使待成膜基板相對于靶材往復(fù)運(yùn)動(dòng)，使得在成膜過程中非濺射區(qū)在待成膜基板上往復(fù)交換，非濺射區(qū)域由于基板的運(yùn)動(dòng)得到均攤和補(bǔ)注，從而能夠制備出更加均勻、性能更加穩(wěn)定的薄膜。另外，由于基板和靶材的相對運(yùn)動(dòng)速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于成膜時(shí)等離子體內(nèi)部原子及原子團(tuán)的運(yùn)動(dòng)速度，因此采用本發(fā)明的技術(shù)方案制備的薄膜與傳統(tǒng)磁控濺射方式制備的薄膜相比，膜質(zhì)不受影響。
[0079]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，包括濺射腔室，還包括設(shè)置在所述濺射腔室內(nèi)的: 由多條靶材拼接形成的靶材組； 與所述靶材組相對設(shè)置、用于承載待成膜基板的基板載體； 帶動(dòng)所述基板載體沿所述靶材排列方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)的傳動(dòng)裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括: 包圍所述基板載體的腔體掩膜板，所述基板載體在所述腔體掩膜板內(nèi)運(yùn)動(dòng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括: 在所述靶材排列方向上、設(shè)置在所述基板載體兩側(cè)的邊緣掩膜板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述傳動(dòng)裝置包括: 帶動(dòng)所述基板載體運(yùn)動(dòng)的滾輪； 帶動(dòng)所述滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)的馬達(dá)； 與所述馬達(dá)連接、能夠控制所述滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)速率從而控制所述基板載體運(yùn)動(dòng)速率的控制器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括: 排布在所述靶材排列方向上、用于檢測所述基板載體位置的多個(gè)位置傳感器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括: 設(shè)置在所述濺射腔室邊緣的極限位置傳感器。
7.一種磁控派射鍍膜方法，其特征在于，應(yīng)用于如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，所述方法包括: 在成膜時(shí)，所述基板載體承載待成膜基板在所述靶材排列方向上往復(fù)運(yùn)動(dòng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁控濺射鍍膜方法，其特征在于，成膜之前還包括: 向所述濺射腔室內(nèi)通入工藝氣體，并使所述濺射腔室在預(yù)設(shè)壓力下保持預(yù)設(shè)時(shí)間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁控濺射鍍膜方法，其特征在于，所述工藝氣體包括但不限于:気氣和氧氣。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁控濺射鍍膜方法，其特征在于， 在所述基板載體勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)，所述基板載體的運(yùn)動(dòng)速率V =搖動(dòng)距離S/(T1-T2)；其中，所述基板載體承載待成膜基板從派射室內(nèi)一側(cè)移動(dòng)到另一側(cè)為搖動(dòng)一次，搖動(dòng)一次所述基板載體經(jīng)過的距離為搖動(dòng)距離，Tl =成膜時(shí)間/搖動(dòng)次數(shù)，T2 =搖動(dòng)一次過程中所述基板載體的加速時(shí)間+所述基板載體的減速時(shí)間。
【文檔編號】C23C14/35GK104404466SQ201410828442
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月26日
【發(fā)明者】王效坤, 樸祥秀, 張勛澤, 王召波, 沙磊, 程貫杰, 張文俊, 王化露, 聞慶亮, 呂雷雷 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司