一種CrN納米孔陣列之二維納米結(jié)構(gòu)可控尺寸之方法
【專利摘要】一種CrN納米孔陣列之二維納米結(jié)構(gòu)可控尺寸之方法，該方法包括以下步驟：（1）將基板置于氨水與過(guò)氧化氫的混合溶液中，超聲進(jìn)行親水性處理；（2）通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布法在基板上制備周期性排列的高分子納米球的單層模板；（3）使用氧氣作為蝕刻處理氣體，對(duì)高分子納米球進(jìn)行蝕刻，獲得蝕刻后的單層模板；（4）通過(guò)閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射離子鍍系統(tǒng)對(duì)步驟（3）中的蝕刻后的單層模板進(jìn)行CrN的濺射沉積；（5）將步驟（4）中沉積后的模板置于有機(jī)溶劑中，溶解除去高分子納米球。本發(fā)明采用納米球旋布技術(shù)和納米球光刻相結(jié)合的途徑制備陣列模板，通過(guò)對(duì)工藝條件的調(diào)整，能制備出尺寸精度精確可控的陣列模板。
【專利說(shuō)明】一種CrN納米孔陣列之二維納米結(jié)構(gòu)可控尺寸之方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于材料制備【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種CrN納米孔陣列之二維納米結(jié)構(gòu)可 控尺寸之方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 近年來(lái)，對(duì)周期性納米結(jié)構(gòu)陣列的研究得到了越來(lái)越廣泛的重視，幾種能夠制造 周期納米結(jié)構(gòu)陣列的技術(shù)包含電化學(xué)蝕刻，X射線蝕刻方法，電子束蝕刻（EBL)及分子束外 延（MBE)等。蝕刻技術(shù)雖然可以控制這些陣列的形態(tài)，但其高成本和復(fù)雜的過(guò)程限制了其 應(yīng)用。因此，許多研究人員試圖開發(fā)低成本，高通量，高分辨率的蝕刻技術(shù)。
[0003] 納米壓印光刻技術(shù)（NIL)作為一種替代方法，具有低成本和制備簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，能產(chǎn) 生大規(guī)模的納米結(jié)構(gòu)，并可以復(fù)制納米結(jié)構(gòu)的不同時(shí)期。
[0004] 在硬質(zhì)陶瓷涂層的制備過(guò)程中，需要使用閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射離子鍍系統(tǒng)進(jìn)行 薄膜的沉積，使硬質(zhì)陶瓷涂層具有優(yōu)異的摩擦性、熱穩(wěn)定性、抗粘著及抗腐蝕特性。
[0005] 納米球光刻技術(shù)（NSL)是一種用于制造納米模具陣列的技術(shù)，具有低成本和制備 簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，也是一種高產(chǎn)量的方法。
[0006] 然而，目前現(xiàn)有技術(shù)中還存在著許多不足，包括納米模具制備的抗粘效果（高接觸 角和低的表面自由能）的問(wèn)題有待解決，因此，發(fā)展新的低表面自由能涂層材料已成為提高 性能的關(guān)鍵。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本發(fā)明提供了一種CrN納米孔陣列之二維納米結(jié)構(gòu)可 控尺寸之方法，該方法采用納米球旋布技術(shù)和納米球光刻技術(shù)（NSL)相結(jié)合的途徑制備 尺寸精度精確可控的陣列模板，然后依靠該模板利用閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射離子鍍系統(tǒng) (closed field unbalanced magnetron sputtering ion plating system, CFUBMIP)進(jìn)行 CrN薄膜的沉積，形成納米孔陣列結(jié)構(gòu)。
[0008] 本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：一種CrN納米孔陣列之二維納米結(jié)構(gòu)可控尺寸之 方法，該方法包括以下步驟：（1)將基板置于氨水與過(guò)氧化氫的混合溶液中，超聲進(jìn)行親水 性處理；（2)通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布法在基板上制備周期性排列的高分子納米球的單層模板；（3)使 用氧氣作為蝕刻處理氣體，對(duì)高分子納米球進(jìn)行蝕刻，獲得蝕刻后的單層模板；（4)通過(guò)閉 合場(chǎng)非平衡磁控濺射離子鍍系統(tǒng)對(duì)步驟（3)中的蝕刻后的單層模板進(jìn)行CrN的濺射沉積； (5)將步驟（4)中沉積后的模板置于有機(jī)溶劑中，溶解除去高分子納米球。
[0009] 本發(fā)明采用納米球旋布技術(shù)和納米球光刻相結(jié)合的途徑制備陣列模板，通過(guò)對(duì) 工藝條件的調(diào)整，能制備出尺寸精度精確可控的陣列模板。
[0010] 作為優(yōu)選，所述步驟（1)中氨水與過(guò)氧化氫的混合溶液中氨水和過(guò)氧化氫的體積 比為1: 1。親水性處理的目的在于在基板上創(chuàng)建一個(gè)親水性的表面。
[0011] 作為優(yōu)選，所述步驟（2)中旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速為1200 rpm，轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)間4分鐘。此 條件下能獲得直徑大小差不多的納米球陣列。
[0012] 作為優(yōu)選，所述步驟（3)中蝕刻處理的功率為50w，時(shí)間為1(Γ35分鐘，通過(guò)控制蝕 刻時(shí)間，可以獲得尺寸不同的高分子納米球，且同一時(shí)間下，所獲得的高分子納米球的尺寸 大小差不多。
[0013] 作為優(yōu)選，所述步驟（4)中CrN的濺射沉積過(guò)程中，模板和靶之間的距離為150 mm，濺射腔體的基礎(chǔ)壓力抽至1. 5X 10_5 torr，基板偏壓為-70V，Cr靶電流1A，且利用光譜 發(fā)射監(jiān)控儀調(diào)節(jié)氮?dú)饬髁坎⒖刂棋儗映煞帧?br> [0014] 本發(fā)明利用閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射離子鍍系統(tǒng)進(jìn)行CrN薄膜的沉積，沉積在高分 子納米球之間的空隙中，獲得具有CrN-高分子納米球包裹結(jié)構(gòu)的單層模板，同時(shí)該工藝條 件能保證CrN具有很好的沉積效果，所形成的納米結(jié)構(gòu)具有低表面自由能的特點(diǎn)，且具有 優(yōu)異的抗摩擦性，熱穩(wěn)定性，抗粘著及抗腐蝕特性。
[0015] 作為優(yōu)選，所述步驟（5)中溶解除去高分子納米球的過(guò)程分三次進(jìn)行，其中第一次 有機(jī)溶劑為二氯甲烷，第二次有機(jī)溶劑為丙酮，第三次有機(jī)溶劑為乙醇。選用三種水溶性從 小到大的有機(jī)溶液，能很好的溶解高分子納米球，留下CrN的納米孔結(jié)構(gòu)，該納米孔陣列結(jié) 構(gòu)具有一個(gè)有序的二維周期結(jié)構(gòu)。
[0016] 作為優(yōu)選，所述高分子納米球所用材料為聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯、聚 氯乙烯、聚苯乙烯中的一種。
[0017] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：本發(fā)明實(shí)現(xiàn)通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)在基板 上創(chuàng)建自組裝的周期性排列的高分子納米球單層模板，得到一個(gè)有序的二維周期結(jié)構(gòu)的 CrN納米孔陣列。
[0018] 本發(fā)明制備的CrN納米孔陣列具有低表面自由能。
[0019] 本發(fā)明制備工藝、設(shè)備簡(jiǎn)單，成本低廉，可控性強(qiáng)，并且工藝過(guò)程具有很高的可重 復(fù)性，納米孔陣列結(jié)構(gòu)產(chǎn)率較高，所制備的納米孔陣列結(jié)構(gòu)表面光潔，沒有污染。
[0020] 本發(fā)明制備二維納米孔陣列結(jié)構(gòu)的方法具有一定的普適性，理論上在基板上利用 不同尺寸的納米球?yàn)閱螌幽０澹倮眉{米球光刻技術(shù)進(jìn)行納米球的尺寸調(diào)控，即可獲得 具有不同尺寸大小的納米孔陣列的納米結(jié)構(gòu)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021] 圖1為本發(fā)明制備CrN納米孔陣列的步驟1、2示意圖。
[0022] 圖2為本發(fā)明制備CrN納米孔陣列的步驟3、4、5示意圖。
[0023] 圖3為本發(fā)明平面掃描電鏡（SEM)圖。
[0024] 其中，（a)為本發(fā)明的自組裝540 nm的周期性排列聚苯乙烯（PS)納米球的單層 模板的平面掃描電鏡（SEM)圖。（b)經(jīng)由蝕刻（RIE)工藝對(duì)PS納米球尺寸減薄(蝕刻功率 50W，時(shí)間20 min)后的平面掃描電鏡（SEM)圖。
[0025] 圖4為本發(fā)明CrN納米孔陣列的平面掃描電鏡（SEM)圖及統(tǒng)計(jì)圖。
[0026] 其中，圖（a)、（b)、（c)和（d)為經(jīng)由RIE工藝對(duì)PS納米球尺寸減薄的不同尺寸 的CrN二維納米結(jié)構(gòu)，蝕刻功率為50W，蝕刻時(shí)間分別為10 min，20 min，25 min，35 min;圖 (e)、（f)為不同樣品中納米孔的尺寸和間距蝕刻時(shí)間的關(guān)系圖。
[0027] 圖5為本發(fā)明樣品的原子力顯微鏡圖和CrN納米孔陣列深度誤差圖。
[0028] 其中，該樣品的RIE工藝參數(shù)為功率50W，蝕刻時(shí)間10 min，顯示的圖像和相應(yīng)的 線掃描的二維形貌和深度剖面，表明納米孔的深度約為1〇〇±5 nm。
[0029] 圖6為CrN納米孔陣列的直徑和表面自由能之間的關(guān)系圖。

【具體實(shí)施方式】
[0030] 下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步描述。
[0031] 實(shí)施例1包括以下步驟：（1)將硅基材浸沒到體積比為1:1氨水（ΝΗ40Η)和過(guò)氧化 氫（H 202)混合溶液中，進(jìn)行超聲波清洗30分鐘，然后用去離子水洗滌10分鐘。
[0032] (2)以聚苯乙烯（PS)為高分子原料，利用旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布，設(shè)定轉(zhuǎn)速 1200 rpm，進(jìn)行4 min，待停止后即可得到自組裝的周期性排列的聚苯乙烯（PS)納米球 單層模板如圖3(a)所示。
[0033] (3)通過(guò)反應(yīng)性離子蝕刻對(duì)單層模板上的納米球進(jìn)行尺寸調(diào)控，功率參數(shù)設(shè)定為 50W，蝕刻時(shí)間為lOmin，使用氧氣作為蝕刻處理氣體，獲得尺寸調(diào)控后的聚苯乙烯納米球 單層模板。
[0034] (4)接著使用閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射離子鍍系統(tǒng)（CFUBMIP)，將調(diào)整好尺寸的聚 苯乙烯（PS)納米球的硅基材模板裝在腔體內(nèi)，進(jìn)行CrN薄膜的濺射沉積，濺射腔體的基 礎(chǔ)壓力抽至1.5X10_ 5torr，設(shè)定的氬氣流量為25 sccm，基板偏壓設(shè)定為-70V，Cr靶電 流1A，基材和祀之間的距離設(shè)定為150 mm,同時(shí)利用光譜發(fā)射監(jiān)控儀（Optical Emission Monitor，OEM)來(lái)調(diào)節(jié)氮?dú)饬髁浚跃S持靶表面濺射擊及沉積狀態(tài)的動(dòng)態(tài)恒定，從而精 確控制鍍層成分。
[0035] (5) CrN薄膜的沉積結(jié)束后，將基材浸沒到在二氯甲烷（CH2C12)溶液中進(jìn)行超聲 波洗滌10分鐘，二氯甲烷溶解聚苯乙烯納米球以除去該聚苯乙烯納米球單層模板；然后 利用丙酮（CH 3C0CH3)超聲波清洗5分鐘；最后在乙醇（C2H50H)超聲波清洗5分鐘。由此 獲得的CrN納米孔陣列結(jié)構(gòu)具有一個(gè)有序的二維周期結(jié)構(gòu)，并通過(guò)使用三種試驗(yàn)液體測(cè) 量計(jì)算表面自由能：蒸饋水（distilled water),乙二醇（ethylene glycol)和二碘甲燒 (di iodomethane)〇
[0036] 圖4(a)為540 nm的CrN納米孔陣列結(jié)構(gòu)的平面掃描電鏡（SEM)圖，由圖可量測(cè) 出納米孔的直徑是347 ± 9 nm，CrN納米孔陣列的高度為100± 5 nm。所計(jì)算出的表面 自由能為43. 52 MN / M，如圖6所示。
[0037] 實(shí)施例2包括以下步驟：（1)將硅基材浸沒到體積比為1:1氨水（ΝΗ40Η)和過(guò)氧化 氫（H 202)混合溶液中，進(jìn)行超聲波清洗30分鐘，然后用去離子水洗滌10分鐘。
[0038] (2)以聚苯乙烯（PS)為高分子原料，利用旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布，設(shè)定轉(zhuǎn)速 1200 rpm，進(jìn)行4 min，待停止后即可得到自組裝的周期性排列的聚苯乙烯（PS)納米球 單層模板如圖3(a)所示。
[0039] (3)通過(guò)反應(yīng)性離子蝕刻對(duì)單層模板上的納米球進(jìn)行尺寸調(diào)控，功率參數(shù)設(shè)定為 50W，蝕刻時(shí)間20min，使用氧氣作為蝕刻處理氣體，如圖3(b)所示為尺寸調(diào)控后的聚苯 乙烯納米球單層模板。
[0040] (4)接著使用閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射離子鍍系統(tǒng)（CFUBMIP)，將調(diào)整好尺寸的聚 苯乙烯（PS)納米球的硅基材模板裝在腔體內(nèi)，進(jìn)行CrN薄膜的濺射沉積，濺射腔體的基 礎(chǔ)壓力抽至1.5X10_5torr，設(shè)定的氬氣流量為25 sccm，基板偏壓設(shè)定為-70V，Cr靶電 流1A，基材和祀之間的距離設(shè)定為150 mm,同時(shí)利用光譜發(fā)射監(jiān)控儀（Optical Emission Monitor，OEM)來(lái)調(diào)節(jié)氮?dú)饬髁?，以維持靶表面濺射擊及沉積狀態(tài)的動(dòng)態(tài)恒定，從而精 確控制鍍層成分。
[0041] (5) CrN薄膜的沉積結(jié)束后，將基材浸沒到在二氯甲烷（CH2C12)溶液中進(jìn)行超聲 波洗滌10分鐘，二氯甲烷溶解聚苯乙烯納米球以除去該聚苯乙烯納米球單層模板；然后 利用丙酮（CH 3C0CH3)超聲波清洗5分鐘；最后在乙醇（C2H50H)超聲波清洗5分鐘。由此 獲得的CrN納米孔陣列結(jié)構(gòu)具有一個(gè)有序的二維周期結(jié)構(gòu)，并通過(guò)使用三種試驗(yàn)液體測(cè) 量計(jì)算表面自由能：蒸饋水（distilled water),乙二醇（ethylene glycol)和二碘甲燒 (di iodomethane)〇
[0042] 圖4(b)為540 nm的CrN納米孔陣列結(jié)構(gòu)的平面掃描電鏡（SEM)圖，由圖可量測(cè) 出納米孔的直徑是266 ± llnm，CrN納米孔陣列的高度為100± 5 nm。所計(jì)算出的表面 自由能為38. 24 MN / M，如圖6所示。
[0043] 實(shí)施例3包括以下步驟：（1)將硅基材浸沒到體積比為1:1氨水（ΝΗ40Η)和過(guò)氧化 氫（H 202)混合溶液中，進(jìn)行超聲波清洗30分鐘，然后用去離子水洗滌10分鐘。
[0044] (2)以聚苯乙烯（PS)為高分子原料，利用旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布，設(shè)定轉(zhuǎn)速 1200 rpm，進(jìn)行4 min，待停止后即可得到自組裝的周期性排列的聚苯乙烯（PS)納米球 單層模板如圖3(a)所示。
[0045] (3)通過(guò)反應(yīng)性離子蝕刻對(duì)單層模板上的納米球進(jìn)行尺寸調(diào)控，功率參數(shù)設(shè)定為 50W，蝕刻時(shí)間25min，使用氧氣作為蝕刻處理氣體，獲得尺寸調(diào)控后的聚苯乙烯納米球單 層模板。
[0046] (4)接著使用閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射離子鍍系統(tǒng)（CFUBMIP)，將調(diào)整好尺寸的聚 苯乙烯（PS)納米球的硅基材模板裝在腔體內(nèi)，進(jìn)行CrN薄膜的濺射沉積，濺射腔體的基 礎(chǔ)壓力抽至1.5X10_ 5torr，設(shè)定的氬氣流量為25 sccm，基板偏壓設(shè)定為-70V，Cr靶電 流1A，基材和祀之間的距離設(shè)定為150 mm,同時(shí)利用光譜發(fā)射監(jiān)控儀（Optical Emission Monitor，OEM)來(lái)調(diào)節(jié)氮?dú)饬髁?，以維持靶表面濺射擊及沉積狀態(tài)的動(dòng)態(tài)恒定，從而精 確控制鍍層成分。
[0047] (5) CrN薄膜的沉積結(jié)束后，將基材浸沒到在二氯甲烷（CH2C12)溶液中進(jìn)行超聲 波洗滌10分鐘，二氯甲烷溶解聚苯乙烯納米球以除去該聚苯乙烯納米球單層模板；然后 利用丙酮（CH 3C0CH3)超聲波清洗5分鐘；最后在乙醇（C2H50H)超聲波清洗5分鐘。由此 獲得的CrN納米孔陣列結(jié)構(gòu)具有一個(gè)有序的二維周期結(jié)構(gòu)，并通過(guò)使用三種試驗(yàn)液體測(cè) 量計(jì)算表面自由能：蒸饋水（distilled water),乙二醇（ethylene glycol)和二碘甲燒 (di iodomethane)〇
[0048] 圖4(c)為540 nm的CrN納米孔陣列結(jié)構(gòu)的平面掃描電鏡（SEM)圖，由圖可量測(cè) 出納米孔的直徑是228±11 nm，CrN納米孔陣列的高度為100± 5 nm。所計(jì)算出的表面自 由能為34. 85 MN / M，如圖6所示。
[0049] 實(shí)施例4包括以下步驟：（1)將硅基材浸沒到體積比為1:1氨水（ΝΗ40Η)和過(guò)氧化 氫（H 202)混合溶液中，進(jìn)行超聲波清洗30分鐘，然后用去離子水洗滌10分鐘。
[0050] (2)以聚苯乙烯（PS)為高分子原料，利用旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布，設(shè)定轉(zhuǎn)速 1200 rpm，進(jìn)行4 min，待停止后即可得到自組裝的周期性排列的聚苯乙烯（PS)納米球 單層模板如圖3(a)所示。
[0051] (3)通過(guò)反應(yīng)性離子蝕刻對(duì)單層模板上的納米球進(jìn)行尺寸調(diào)控，功率參數(shù)設(shè)定為 50W，蝕刻時(shí)間35min，使用氧氣作為蝕刻處理氣體，獲得尺寸調(diào)控后的聚苯乙烯納米球單 層模板。
[0052] (4)接著使用閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射離子鍍系統(tǒng)（CFUBMIP)，將調(diào)整好尺寸的聚 苯乙烯（PS)納米球的硅基材模板裝在腔體內(nèi)，進(jìn)行CrN薄膜的濺射沉積，濺射腔體的基 礎(chǔ)壓力抽至1.5X10_ 5torr，設(shè)定的氬氣流量為25 sccm，基板偏壓設(shè)定為-70V，Cr靶電 流1A，基材和祀之間的距離設(shè)定為150 mm,同時(shí)利用光譜發(fā)射監(jiān)控儀（Optical Emission Monitor，OEM)來(lái)調(diào)節(jié)氮?dú)饬髁?，以維持靶表面濺射擊及沉積狀態(tài)的動(dòng)態(tài)恒定，從而精 確控制鍍層成分。
[0053] (5) CrN薄膜的沉積結(jié)束后，將基材浸沒到在二氯甲烷（CH2C12)溶液中進(jìn)行超聲 波洗滌10分鐘，二氯甲烷溶解聚苯乙烯納米球以除去該聚苯乙烯納米球單層模板；然后 利用丙酮（CH 3C0CH3)超聲波清洗5分鐘；最后在乙醇（C2H50H)超聲波清洗5分鐘。由此 獲得的CrN納米孔陣列結(jié)構(gòu)具有一個(gè)有序的二維周期結(jié)構(gòu)，并通過(guò)使用三種試驗(yàn)液體測(cè) 量計(jì)算表面自由能：蒸饋水（distilled water),乙二醇（ethylene glycol)和二碘甲燒 (di iodomethane)〇
[0054] 圖4(d)為540 nm的CrN納米孔陣列結(jié)構(gòu)的平面掃描電鏡（SEM)圖，由圖可量測(cè) 出納米孔的直徑是166±12 nm，CrN納米孔陣列的高度為100± 5 nm。所計(jì)算出的表面自 由能為26. 75 MN / M，如圖6所示。
[0055] 圖5顯示了納米孔直徑和表面自由能之間的關(guān)系。表面自由能隨納米孔直徑的增 加而線性因?yàn)榻佑|角可以提高納米孔粗糙度的降低。因此，表面自由能隨納米孔直徑的減 小而呈現(xiàn)較低的表面自由能。
[0056] 本發(fā)明中用于形成高分子納米球所用材料還可以為聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、 聚丙烯、聚氯乙烯中的一種。
[0057] 以上所選為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原 則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)，均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種CrN納米孔陣列之二維納米結(jié)構(gòu)可控尺寸之方法，該方法包括以下步驟：（1)將 基板置于氨水與過(guò)氧化氫的混合溶液中，超聲進(jìn)行親水性處理；（2)通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布法在基 板上制備周期性排列的高分子納米球的單層模板；（3)使用氧氣作為蝕刻處理氣體，對(duì)高 分子納米球進(jìn)行蝕刻，獲得蝕刻后的單層模板；（4)通過(guò)閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射離子鍍系 統(tǒng)對(duì)步驟（3 )中的蝕刻后的單層模板進(jìn)行CrN的濺射沉積；（5 )將步驟（4 )中沉積后的模板 置于有機(jī)溶劑中，溶解除去高分子納米球。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種CrN納米孔陣列之二維納米結(jié)構(gòu)可控尺寸之方法，其特 征在于，所述步驟（1)中氨水與過(guò)氧化氫的混合溶液中氨水和過(guò)氧化氫的體積比為1:1。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種CrN納米孔陣列之二維納米結(jié)構(gòu)可控尺寸之方法，其特 征在于，所述步驟（2)中旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速為1200 rpm，轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)間4分鐘。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種CrN納米孔陣列之二維納米結(jié)構(gòu)可控尺寸之方法，其特 征在于，所述步驟（3)中蝕刻處理的功率為50w，時(shí)間為1(Γ35分鐘。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種CrN納米孔陣列之二維納米結(jié)構(gòu)可控尺寸之方法，其特 征在于，所述步驟（4)中CrN的濺射沉積過(guò)程中，模板和靶之間的距離為150 mm，濺射腔體 的基礎(chǔ)壓力抽至1. 5 X 10_5 torr，基板偏壓為-70V，Cr靶電流1A，且利用光譜發(fā)射監(jiān)控儀調(diào) 節(jié)氮?dú)饬髁坎⒖刂棋儗映煞帧?br> 6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種CrN納米孔陣列之二維納米結(jié)構(gòu)可控尺寸之方法，其特 征在于，所述步驟（5)中溶解除去高分子納米球的過(guò)程分三次進(jìn)行，其中第一次有機(jī)溶劑為 二氯甲烷，第二次有機(jī)溶劑為丙酮，第三次有機(jī)溶劑為乙醇。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的一種提高金屬納米孔結(jié)構(gòu)可控出光效率的方法， 其特征在于，所述高分子納米球所用材料為聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、 聚苯乙烯中的一種。
【文檔編號(hào)】C23C14/06GK104141108SQ201410382387
【公開日】2014年11月12日 申請(qǐng)日期:2014年8月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月6日
【發(fā)明者】吳泓均, 鮑明東, 徐雪波 申請(qǐng)人:寧波工程學(xué)院