一種磁控濺射裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種磁控濺射裝置，涉及真空鍍膜領(lǐng)域，可改善腔體內(nèi)部的等離子體分布狀態(tài)，提高鍍膜均勻性。所述磁控濺射裝置包括腔體、設(shè)置在所述腔體內(nèi)的基板、靶材；還包括位于所述基板與所述靶材之間的屏蔽罩；所述屏蔽罩包括屏蔽罩支架與懸浮電位板；其中，所述屏蔽罩支架具有第一鏤空區(qū)域；所述懸浮電位板具有第二鏤空區(qū)域；所述懸浮電位板位于所述第一鏤空區(qū)域內(nèi)，且所述懸浮電位板與所述屏蔽罩支架相互絕緣。用于改善腔體內(nèi)部的等離子體分布狀態(tài)，提高鍍膜均勻性的磁控濺射裝置的制備。
【專利說明】一種磁控濺射裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及真空鍍膜領(lǐng)域，尤其涉及一種磁控濺射裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 濺射鍍膜技術(shù)因其具有加工簡單、操作方便、鍍膜膜層致密、結(jié)合強(qiáng)度高、可長時(shí) 間大批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于金屬薄膜、光學(xué)薄膜、半導(dǎo)體領(lǐng)域、太陽能領(lǐng)域、平板 顯示領(lǐng)、以及光學(xué)和電學(xué)的交叉領(lǐng)域。
[0003] 如圖1所示，磁控濺射裝置主要包括設(shè)置在腔體內(nèi)的基板10、屏蔽罩30、以及靶材 20。其工作原理是在真空環(huán)境中通入一定的工藝氣體（通常為性質(zhì)穩(wěn)定的惰性氣體，如氬 氣），當(dāng)靶材被施加一個(gè)負(fù)電位，待鍍膜的基板以及屏蔽罩被施加一個(gè)正電位時(shí)，在靶材所 在的真空腔體內(nèi)部形成電場，將工藝氣體電離形成等離子體，等離子體中的陽離子在電場 的作用下撞擊作為陰極的靶材，使得靶材表面的原子被濺射出進(jìn)而附著在作為陽極的待鍍 基板的表面，從而完成鍍膜過程。
[0004] 目前，濺射鍍膜過程中主要面臨有以下問題；如圖2所示，由于電離形成的等離子 體40具有一定的空間形狀和密度，而屏蔽罩30位于靶材20與待鍍基板10之間，顯然，屏 蔽罩30距離靶材20的間距要小于待鍍基板10距離靶材20的間距。由平行板間的電場強(qiáng) 度公式；E = U/d可知，在電壓⑶固定不變的情況下，靶材20與屏蔽罩30之間形成的電 場強(qiáng)度要大于靶材20與待鍍基板10之間形成的電場強(qiáng)度，使得靠近屏蔽罩30開口邊緣部 分的電場線較為密集，導(dǎo)致屏蔽罩30開口區(qū)域的電場分布不均，牽引部分等離子體40優(yōu)先 聚集在靠近屏蔽罩30開口部分的區(qū)域內(nèi)（即圖中虛線部分），最終導(dǎo)致等離子體空間形狀 發(fā)生變形，產(chǎn)生等離子體密度分布不均的現(xiàn)象，降低了等離子源的整體均勻性。
[0005] 其次，靶材使用末期產(chǎn)生的靶材表面不均勻、屏蔽罩變形、以及基板工件變形等各 因素導(dǎo)致形成的電場分布的均勻性下降，產(chǎn)生局部等離子體均勻性較差，同樣會(huì)降低等離 子源的整體均勻性，最終將導(dǎo)致基板鍍膜不均，使得產(chǎn)品的各項(xiàng)性能發(fā)生離散性分散，降低 產(chǎn)品良率。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)解決這一問題，往往是通過在腔體內(nèi)部增加改善工藝氣體分布方式的結(jié) 構(gòu)（如噴氣管等），使工藝氣體分布更均勻，以此希望能夠達(dá)到優(yōu)化鍍膜均勻性的目的。
[0007] 然而，在實(shí)現(xiàn)上述濺射鍍膜的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)上述的通過增加噴氣管等結(jié)構(gòu) 來改善工藝氣體分布的方式難以從根本上改善等離子源受電場分布的變化而產(chǎn)生的變形； 同時(shí)，額外增加的噴氣管路還存在死角拐角多、拆卸困難、清洗再利用繁瑣的問題。因此，亟 需一種能夠改善等離子體分布，提高鍍膜均勻性的技術(shù)方案。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 鑒于此，為克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種磁控濺射裝置，可改善 腔體內(nèi)部的等離子體分布狀態(tài)，提高鍍膜均勻性。
[0009] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案；
[0010] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種磁控濺射裝置，包括腔體、設(shè)置在所述腔體內(nèi)的基板、靶 材；還包括位于所述基板與所述靶材之間的屏蔽罩；所述屏蔽罩包括屏蔽罩支架與懸浮電 位板；其中，所述屏蔽罩支架具有第一鏤空區(qū)域；所述懸浮電位板具有第二鏤空區(qū)域；所述 懸浮電位板位于所述第一鏤空區(qū)域內(nèi)，且所述懸浮電位板與所述屏蔽罩支架相互絕緣。 [0011] 優(yōu)選的，所述屏蔽罩支架靠近所述第一鏤空區(qū)域的內(nèi)側(cè)面上設(shè)置有臺(tái)階狀凸起； 所述懸浮電位板靠近所述第一鏤空區(qū)域的外側(cè)面上設(shè)置有凹槽；所述臺(tái)階狀凸起與所述凹 槽相匹配；所述屏蔽罩還包括第一絕緣墊片，所述第一絕緣墊片位于所述屏蔽罩支架的所 述內(nèi)側(cè)面與所述懸浮電位板的所述外側(cè)面之間。
[0012] 優(yōu)選的，所述屏蔽罩與所述基板之間的距離小于所述屏蔽罩與所述靶材之間的距 離。
[0013] 進(jìn)一步優(yōu)選的，所述屏蔽罩與所述基板之間的距離為2. 0-5. 0mm。
[0014] 可選的，還包括可調(diào)電源；所述懸浮電位板上設(shè)置有至少一個(gè)導(dǎo)線接口，所述導(dǎo)線 接口通過導(dǎo)線與所述可調(diào)電源相連。
[0015] 在上述基礎(chǔ)上優(yōu)選的，所述懸浮電位板包括至少兩個(gè)相互絕緣的懸浮電位單元。 [0016] 優(yōu)選的，所述屏蔽罩還包括第二絕緣墊片，所述第二絕緣墊片位于相互靠近的兩 個(gè)懸浮電位單元之間。
[0017] 進(jìn)一步優(yōu)選的，所述懸浮電位板的形狀為矩形環(huán)狀；所述懸浮電位板包括8個(gè)所 述懸浮電位單元。
[0018] 可選的，所述第二鏤空區(qū)域靠近所述基板一側(cè)的開口面積小于所述開口結(jié)構(gòu)靠近 所述靶材一側(cè)的開口面積。
[0019] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種磁控濺射裝置，一方面，由于所述懸浮電位板與所述屏蔽 罩支架相互絕緣，即二者的電位相互獨(dú)立，可根據(jù)鍍膜情況在所述懸浮電位板上施加一定 的電壓，由于該電壓的存在，使得所述懸浮電位板與所述靶材之間產(chǎn)生獨(dú)立的電場分布，彌 補(bǔ)了現(xiàn)有技術(shù)中由于靶材與屏蔽罩、靶材與基板之間間距的不同而導(dǎo)致的屏蔽罩開口部分 的電場分布不均，使得靠近所述懸浮電位板附近的部分等離子體受電場牽引，即等離子體 的集中區(qū)域部分向靠近所述基板的方向外引，從而提高等離子體的整體均勻性。
[0020] 另一方面，對(duì)于靶材使用末期產(chǎn)生的靶材表面不均勻現(xiàn)象導(dǎo)致的局部等離子體均 勻性較差的問題，由于所述懸浮電位板與所述屏蔽罩支架相互絕緣，二者的電位相互獨(dú)立， 可通過改變施加在所述懸浮電位板上的電壓改變局部電場的分布，減少出現(xiàn)局部等離子體 均勻性較差的現(xiàn)象，無需拆換靶材，減少了設(shè)備的中端次數(shù)、降低了對(duì)人力以及成本較高的 靶材的浪費(fèi)。
[0021] 基于此，本發(fā)明實(shí)施例提供的所述磁控濺射裝置結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉且易于實(shí)施， 可以在不破壞腔體內(nèi)部真空環(huán)境的情況下，通過改變施加在所述懸浮電位板上的電壓，產(chǎn) 生局部電場，等離子體分布均勻，提高鍍膜均勻性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種濺射設(shè)備的腔體內(nèi)部示意圖；
[0024] 圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種濺射設(shè)備的工作原理示意圖；
[0025] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種濺射設(shè)備的腔體內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0026] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種濺射設(shè)備的腔體內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0027] 圖5為圖4中虛線部分的放大結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028] 圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種濺射設(shè)備的懸浮電位板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029] 圖7(a)為圖6中虛線部分示意出的塊狀懸浮電位單元的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030] 圖7(b)為圖6中虛線部分示意出的L狀懸浮電位單元的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031] 圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種濺射設(shè)備的懸浮電位板沿圖6中A-A'方向的剖 面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032] 附圖標(biāo)記；
[0033] 10-基板；20-靶材；30-屏蔽罩；31-屏蔽罩支架；310-第一鏤空區(qū)域；311-內(nèi)側(cè) 面；312-臺(tái)階狀凸起；32-懸浮電位板；320-第二鏤空區(qū)域；321-外側(cè)面；322-凹槽；33-第 一絕緣墊片；34-第二絕緣墊片；40-等離子體；50-可調(diào)電源。

【具體實(shí)施方式】
[0034] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于 本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0035] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種磁控濺射裝置，如圖3所示，所述磁控濺射裝置包括腔 體、設(shè)置在所述腔體內(nèi)的基板10、靶材20、以及位于所述基板10與所述靶材20之間的屏蔽 罩30 ;所述屏蔽罩30包括屏蔽罩支架31與懸浮電位板32 ;其中，所述屏蔽罩支架31具有 第一鏤空區(qū)域310 ;所述懸浮電位板32具有第二鏤空區(qū)域320 ;所述懸浮電位板32位于所 述第一鏤空區(qū)域310內(nèi)，且所述懸浮電位板32與所述屏蔽罩支架31相互絕緣。
[0036] 需要說明的是，第一、對(duì)所述懸浮電位板32的形狀、材料不作限定，其形狀可根據(jù) 所述磁控濺射裝置腔體內(nèi)的尺寸及待鍍基板的形狀靈活設(shè)計(jì)；為了避免所述懸浮電位板 32對(duì)所述腔體內(nèi)的磁場的影響，其材料優(yōu)選為不導(dǎo)磁的不銹鋼、鋁等金屬材料。
[0037] 第二、所述第二鏤空區(qū)域320對(duì)應(yīng)于所述基板10上需要沉積薄膜的區(qū)域，以便從 所述靶材20表面濺射出的原子可以順利沉積到所述基板10上；其中，所述第二鏤空區(qū)域 320的形狀可根據(jù)所述基板10及待鍍區(qū)域的面積靈活設(shè)計(jì)為矩形、圓形、或橢圓形。
[0038] 如圖4所示，一方面，由于在本發(fā)明實(shí)施例提供的所述磁控濺射裝置中，所述懸浮 電位板32與所述屏蔽罩支架31相互絕緣，即二者的電位相互獨(dú)立，可根據(jù)鍍膜情況在所述 懸浮電位板32上施加一定的電壓，由于該電壓的存在，使得所述懸浮電位板32與所述革巴材 20之間產(chǎn)生獨(dú)立的電場分布，彌補(bǔ)了現(xiàn)有技術(shù)中由于靶材與屏蔽罩、靶材與基板之間間距 的不同而導(dǎo)致的屏蔽罩開口部分電場分布不均，使得靠近所述懸浮電位板32附近的等離 子體40受電場牽引，即等離子體40的集中區(qū)域部分（即參考圖2中的虛線區(qū)域）向靠近 所述基板10的方向外引，從而提高等離子體40的整體均勻性。
[0039] 另一方面，對(duì)于靶材使用末期產(chǎn)生的靶材20表面不均勻現(xiàn)象導(dǎo)致的局部等離子 體均勻性較差的問題，由于所述懸浮電位板32與所述屏蔽罩支架31相互絕緣，二者的電位 相互獨(dú)立，可通過改變施加在所述懸浮電位板32上的電壓改變局部電場的分布，減少出現(xiàn) 局部等離子體均勻性較差的現(xiàn)象，無需拆換靶材，減少了設(shè)備的中斷次數(shù)、降低了對(duì)人力以 及成本較高的靶材的浪費(fèi)。
[0040] 基于此，本發(fā)明實(shí)施例提供的所述磁控濺射裝置結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉且易于實(shí)施， 可以在不破壞腔體內(nèi)部真空環(huán)境的情況下，通過改變施加在所述懸浮電位板32上的電壓， 產(chǎn)生局部電場，牽引等離子體40的分布，使等離子體40分布均勻，提高鍍膜均勻性；對(duì)于靶 材末期靶材表面不均勻，屏蔽罩變形，基板工件變形等各因素引起的鍍膜不均勻，均可在不 影響或不更換靶材20的情況下，通過改變所述懸浮電位板32上的電壓，達(dá)到使等離子體40 分布均勻，提高鍍膜均勻性。
[0041] 在上述基礎(chǔ)上，參考圖4所示，所述磁控濺射裝置還包括可調(diào)電源50 ;所述懸浮電 位板32上設(shè)置有至少一個(gè)導(dǎo)線接口，所述導(dǎo)線接口通過導(dǎo)線與所述可調(diào)電源50相連。
[0042] 這里，所述可調(diào)電源50可以是直流電源或交流電源，可與所述磁控濺射裝置工作 時(shí)的工作電源同步工作，也可以單獨(dú)工作。
[0043] 進(jìn)一步的，為了簡化實(shí)現(xiàn)所述懸浮電位板32與所述屏蔽罩支架31相互絕緣的方 式，優(yōu)選的，如圖5所示，所述屏蔽罩支架31靠近所述第一鏤空區(qū)域310 (圖中未標(biāo)示出） 的內(nèi)側(cè)面311上設(shè)置有臺(tái)階狀凸起312 ;所述懸浮電位板32靠近所述第一鏤空區(qū)域310的 外側(cè)面321上設(shè)置有凹槽322 ;所述臺(tái)階狀凸起312與所述凹槽322相匹配。
[0044] 所述屏蔽罩30還包括第一絕緣墊片33,所述第一絕緣墊片33位于所述屏蔽罩支 架31的所述內(nèi)側(cè)面311與所述懸浮電位板32的所述外側(cè)面321之間。這里，所述第一絕 緣墊片33例如可由絕緣性良好的陶瓷材料制備而成。
[0045] 考慮到所述第二鏤空區(qū)域320,即開口結(jié)構(gòu)可使從所述靶材20表面濺射出的原子 順利地沉積到所述基板10上，因此，進(jìn)一步優(yōu)選的，所述屏蔽罩30與所述基板10之間的距 離小于所述屏蔽罩30與所述靶材20之間的距離。
[0046] 這里，若所述屏蔽罩30與所述基板10之間的距離過小，會(huì)導(dǎo)致所述屏蔽罩30上 的所述懸浮電位板32與在所述基板10表面沉積的鍍膜發(fā)生短路；若距離過大，則不利于 靶材原子順利地沉積到所述基板10上。因此，所述屏蔽罩30與所述基板10之間的距離在 2. 0-5. 0mm 為宜。
[0047] 在上述基礎(chǔ)上，為了更進(jìn)一步的將濺射出靶材原子導(dǎo)向待鍍基板，參考圖5所示， 所述第二鏤空區(qū)域320靠近所述基板一側(cè)的開口面積小于所述開口結(jié)構(gòu)靠近所述靶材一 側(cè)的開口面積。
[0048] 進(jìn)一步的，如圖6-圖7 (b)所示，所述懸浮電位板32包括至少兩個(gè)相互絕緣的懸 浮電位單元323。
[0049] 此處，本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)一步將所述懸浮電位板32拆分成多個(gè)相互絕緣的懸浮電 位單元323,則每個(gè)所述懸浮電位單元323的電位都相互獨(dú)立，其電壓可獨(dú)立控制，這樣以 來，可控制不同的所述懸浮電位單元323與所述靶材20之間產(chǎn)生的局部電場，更為精確地 調(diào)整局部電場的分布，進(jìn)一步減少出現(xiàn)局部等離子體均勻性較差的現(xiàn)象。
[0050] 其中，每個(gè)所述懸浮電位單元323上都可設(shè)置有一個(gè)所述導(dǎo)線接口，所述導(dǎo)線接 口通過導(dǎo)線與所述可調(diào)電源50相連，從而控制每個(gè)所述懸浮電位單元323上的電壓。
[0051] 為了簡化實(shí)現(xiàn)各個(gè)懸浮電位單元323相互絕緣的方式，優(yōu)選的，如圖8所示，所述 屏蔽罩30還包括第二絕緣墊片34,所述第二絕緣墊片34位于相互靠近的兩個(gè)懸浮電位單 元323之間。
[0052] 由上述描述可知，當(dāng)所述懸浮電位板32拆分的數(shù)量越多，相應(yīng)地形成局部電場的 數(shù)量也越大，即對(duì)腔體內(nèi)的電場調(diào)控更為精確。考慮到絕大多數(shù)基板的待鍍區(qū)均為矩形，相 應(yīng)地，所述懸浮電位板32的形狀也為矩形環(huán)狀；因此，為了更精確地控制各個(gè)局部電場，所 述懸浮電位板包括8個(gè)所述懸浮電位單元323。
[0053] 需要指出的是，各個(gè)所述懸浮電位單元323應(yīng)盡可能對(duì)稱分布，且各個(gè)所述懸浮 電位單元323的形狀可根據(jù)磁控濺射裝置的尺寸需要自主設(shè)計(jì)，可以為任意形狀。圖6僅 示意性地提供了所述懸浮電位單元323可能具有的形狀，并非對(duì)其形狀地限定。
[0054] 例如，當(dāng)所述懸浮電位板32的整體形狀為矩形環(huán)狀時(shí)，為了簡化拆分過程，所述 懸浮電位板32拆分后，可包括4個(gè)參考圖7 (a)所示的塊狀懸浮電位單元323,以及4個(gè)參 考圖7(b)所示的"L"狀懸浮電位單元323 ;其中，各個(gè)所述懸浮電位單元323的大小尺寸 可靈活設(shè)計(jì)，在此不作限定。
[0055] 需要說明的是，本發(fā)明所有附圖是磁控濺射裝置的簡略的示意圖，只為清楚描述 本方案體現(xiàn)了與發(fā)明點(diǎn)相關(guān)的結(jié)構(gòu)，對(duì)于其他的與發(fā)明點(diǎn)無關(guān)的結(jié)構(gòu)是現(xiàn)有結(jié)構(gòu)，在附圖 中并未體現(xiàn)或只體現(xiàn)部分。
[0056] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何 熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵 蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種磁控濺射裝置，包括腔體、設(shè)置在所述腔體內(nèi)的基板、靶材；其特征在于，還包 括位于所述基板與所述靶材之間的屏蔽罩；所述屏蔽罩包括屏蔽罩支架與懸浮電位板；其 中， 所述屏蔽罩支架具有第一鏤空區(qū)域； 所述懸浮電位板具有第二鏤空區(qū)域； 所述懸浮電位板位于所述第一鏤空區(qū)域內(nèi)，且所述懸浮電位板與所述屏蔽罩支架相互 絕緣。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射裝置，其特征在于， 所述屏蔽罩支架靠近所述第一鏤空區(qū)域的內(nèi)側(cè)面上設(shè)置有臺(tái)階狀凸起；所述懸浮電位 板靠近所述第一鏤空區(qū)域的外側(cè)面上設(shè)置有凹槽；所述臺(tái)階狀凸起與所述凹槽相匹配； 所述屏蔽罩還包括第一絕緣墊片，所述第一絕緣墊片位于所述屏蔽罩支架的所述內(nèi)側(cè) 面與所述懸浮電位板的所述外側(cè)面之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射裝置，其特征在于，所述屏蔽罩與所述基板之間的 距離小于所述屏蔽罩與所述靶材之間的距離。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁控濺射裝置，其特征在于，所述屏蔽罩與所述基板之間的 距離為2. 0-5. 0_。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射裝置，其特征在于，還包括可調(diào)電源； 所述懸浮電位板上設(shè)置有至少一個(gè)導(dǎo)線接口，所述導(dǎo)線接口通過導(dǎo)線與所述可調(diào)電源 相連。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的磁控濺射裝置，其特征在于，所述懸浮電位板包括 至少兩個(gè)相互絕緣的懸浮電位單元。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁控濺射裝置，其特征在于，所述屏蔽罩還包括第二絕緣墊 片，所述第二絕緣墊片位于相互靠近的兩個(gè)懸浮電位單元之間。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁控濺射裝置，其特征在于，所述懸浮電位板的形狀為矩形 環(huán)狀； 所述懸浮電位板包括8個(gè)所述懸浮電位單元。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射裝置，其特征在于，所述第二鏤空區(qū)域靠近所述基 板一側(cè)的開口面積小于所述開口結(jié)構(gòu)靠近所述靶材一側(cè)的開口面積。
【文檔編號(hào)】C23C14/35GK104099575SQ201410332106
【公開日】2014年10月15日 申請(qǐng)日期:2014年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月11日
【發(fā)明者】馬海船, 辛旭, 陳曉斌, 劉鵬 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司