一種薄膜厚度檢測機(jī)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種薄膜厚度檢測機(jī)構(gòu)，包括：薄膜厚度探頭（1），其設(shè)置在薄膜（2）上，用于感應(yīng)檢測所述薄膜（2）的厚度；水冷保護(hù)罩（3），其覆蓋在所述薄膜厚度探頭（1）上，用于降低局部溫度；支撐機(jī)構(gòu)（4），其設(shè)置在所述薄膜（2）的下方，用于撐托薄膜（2），所述支撐機(jī)構(gòu)（4）的下方設(shè)置濺射陰極（5）。本發(fā)明所述薄膜厚度檢測機(jī)構(gòu)能夠在真空狀態(tài)下，對連續(xù)生產(chǎn)的真空濺鍍的薄膜的厚度進(jìn)行在線測量。
【專利說明】一種薄膜厚度檢測機(jī)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及厚度檢測機(jī)構(gòu)，具體為一種薄膜厚度檢測機(jī)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002] 在半導(dǎo)體相關(guān)制造過程中，許多的制程必須在真空狀態(tài)下進(jìn)行，而真空濺鍍技術(shù) 是真空薄膜制程中應(yīng)用層面相當(dāng)廣泛的一項(xiàng)重要技術(shù)，近年來已經(jīng)逐漸取代噴導(dǎo)漆和電解 電鍍的方式，大量應(yīng)用在光電、通信、半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)，成為重要的表面處理技術(shù)。而在真空狀 態(tài)下連續(xù)生產(chǎn)的薄膜，一般很難對其在連續(xù)真空濺射鍍膜時進(jìn)行厚度的測量，而且真空濺 鍍裝置的腔體內(nèi)的高溫環(huán)境，也難以實(shí)現(xiàn)厚度的準(zhǔn)確、實(shí)時測量。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 針對上述技術(shù)問題，本發(fā)明公開一種薄膜厚度檢測機(jī)構(gòu)，包括：薄膜厚度探頭1， 其設(shè)置在薄膜2上，用于感應(yīng)檢測所述薄膜2的厚度；水冷保護(hù)罩3,其覆蓋在所述薄膜厚 度探頭1上，用于降低局部溫度；支撐機(jī)構(gòu)4,其設(shè)置在所述薄膜2的下方，用于撐托薄膜2， 所述支撐機(jī)構(gòu)4的下方設(shè)置濺射陰極5。
[0004] 本發(fā)明的有益效果是通過控制水冷保護(hù)罩，實(shí)現(xiàn)了在真空狀態(tài)下對連續(xù)生產(chǎn)的真 空濺鍍的薄膜厚度的在線測量。
[0005]

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006] 圖1是本發(fā)明所述薄膜厚度檢測機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)正視圖。
[0007]

【具體實(shí)施方式】
[0008] 下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)說明，以令本領(lǐng)域技術(shù)人員參照說明書文 字能夠據(jù)以實(shí)施。
[0009] 如圖所示，本發(fā)明公開一種薄膜厚度檢測機(jī)構(gòu)，包括：薄膜厚度探頭1，其設(shè)置在 薄膜2上，用于感應(yīng)檢測所述薄膜2的厚度；水冷保護(hù)罩3,其覆蓋在所述薄膜厚度探頭1 上，用于降低局部溫度；支撐機(jī)構(gòu)4,其設(shè)置在所述薄膜2的下方，用于撐托薄膜2,所述支撐 機(jī)構(gòu)4的下方設(shè)置濺射陰極5。
[0010] 在工作過程中，薄膜2的連續(xù)生產(chǎn)過程都是在真空腔體內(nèi)完成的，所述薄膜2在支 撐機(jī)構(gòu)4的承托作用下進(jìn)行傳輸，同時設(shè)置在薄膜2上的薄膜厚度探頭1感應(yīng)測試薄膜2 的厚度，而覆蓋在所述薄膜厚度探頭1上的水冷保護(hù)罩3,通過水循環(huán)及時將熱量帶走，降 低局部溫度，保證薄膜厚度探頭1的正常工作。
[0011] 盡管本發(fā)明的實(shí)施方案已公開如上，但其并不僅僅限于說明書和實(shí)施方式中所列 運(yùn)用，它完全可以被適用于各種適合本發(fā)明的領(lǐng)域，對于熟悉本領(lǐng)域的人員而言，可容易地 實(shí)現(xiàn)另外的修改，因此在不背離權(quán)利要求及等同范圍所限定的一般概念下，本發(fā)明并不限 于特定的細(xì)節(jié)和這里示出與描述的圖例。
【權(quán)利要求】
1. 一種薄膜厚度檢測機(jī)構(gòu)，其特征在于，包括： 薄膜厚度探頭（1)，其設(shè)置在薄膜（2)上，用于感應(yīng)檢測所述薄膜（2)的厚度； 水冷保護(hù)罩（3)，其覆蓋在所述薄膜厚度探頭（1)上，用于降低局部溫度； 支撐機(jī)構(gòu)（4)，其設(shè)置在所述薄膜（2)的下方，用于撐托薄膜（2)，所述支撐機(jī)構(gòu)（4)的 下方設(shè)置濺射陰極（5)。
【文檔編號】C23C14/56GK104152855SQ201410328077
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月11日
【發(fā)明者】王振東, 何萬能 申請人:蘇州諾耀光電科技有限公司