熱功率密度徑向分布可調(diào)的電磁感應(yīng)加熱裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及電磁感應(yīng)加熱領(lǐng)域，特別涉及一種熱功率密度徑向分布可調(diào)的電磁感應(yīng)加熱裝置，該裝置主要由加熱基座、基本線圈、疊加線圈、線路切換裝置等組成?；揪€圈匝數(shù)、各匝高度、各匝間距均可調(diào)，疊加線圈位于基本線圈正下方，由多層多匝平面線圈串聯(lián)而成，最上層線圈最內(nèi)匝的末端與基本線圈最內(nèi)匝的末端相連，各匝線圈的高度可調(diào)。線路切換裝置使交流電路存在兩種反復(fù)交替變換的子狀態(tài)，子狀態(tài)各自的持續(xù)時(shí)間可調(diào)節(jié)，各子狀態(tài)熱功率密度分布配合不同的權(quán)重疊加得到不同交流電路合狀態(tài)在加熱基座中產(chǎn)生的熱功率密度分布，大幅減少了仿真工作量。本發(fā)明對(duì)于研究襯底溫場(chǎng)與加熱基座熱功率密度場(chǎng)間內(nèi)在聯(lián)系及靈活調(diào)節(jié)襯底溫度分布有重要意義。
【專利說明】熱功率密度徑向分布可調(diào)的電磁感應(yīng)加熱裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電磁感應(yīng)加熱領(lǐng)域，特別是涉及一種熱功率密度徑向分布可調(diào)的電磁 感應(yīng)加熱裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 1C制造設(shè)備中硅外延設(shè)備及其他CVD類設(shè)備的主要工藝效果，是在襯底（例如半 導(dǎo)體晶片）上形成所需的材料層。工藝過程中，要確保在加熱、處理、冷卻期間，襯底上的溫 度均勻分布。由于襯底上的材料層沉積速率取決于襯底溫度及反應(yīng)物濃度，當(dāng)襯底表面附 近的反應(yīng)物濃度差異可以忽略時(shí)，襯底表面的溫度變化就成為影響沉積層厚度均勻性的主 要因素，因此提高襯底表面的溫度均勻性極其重要。
[0003] 為了達(dá)到襯底表面溫度均勻分布的效果，某些早期開發(fā)的系統(tǒng)提出了以均勻方式 加熱整個(gè)襯底的方法。然而，由于通常是襯底不同位置（例如邊緣與中心）的熱損失有差 異，這種系統(tǒng)會(huì)導(dǎo)致襯底的不同位置之間有明顯的溫度差，并不能使襯底表面溫度梯度減 至最小。
[0004] 目前有些加熱方案采用了電磁感應(yīng)加熱，常用的結(jié)構(gòu)是襯底放置在圓形加熱基座 (材質(zhì)要具有導(dǎo)電性，例如石墨圓盤）上，加熱基座下方安裝有沿徑向由內(nèi)到外排列的多匝 線圈，當(dāng)線圈通入一定頻率的交流電時(shí)，產(chǎn)生交變的激勵(lì)磁場(chǎng)，在加熱基座的內(nèi)部產(chǎn)生渦流 并發(fā)熱，從而通過加熱基座的發(fā)熱來加熱襯底。加熱基座可以安裝在由電機(jī)帶動(dòng)的轉(zhuǎn)軸上， 處于旋轉(zhuǎn)狀態(tài)，這樣會(huì)使加熱基座的同一半徑上各個(gè)位置的熱功率密度分布得均勻，此時(shí)， 襯底的溫度主要沿加熱基座的徑向變化。由于每匝線圈的影響區(qū)域主要集中于其上方的 加熱基座的環(huán)狀區(qū)域，目前有些系統(tǒng)采用了各匝線圈的高度（線圈上表面到加熱基座下表 面）分別可調(diào)的方法來調(diào)節(jié)襯底沿加熱基座的徑向溫度變化，有些系統(tǒng)采用了各匝線圈分 別控制供電的方式來調(diào)節(jié)襯底沿加熱基座的徑向溫度變化。
[0005] 上述系統(tǒng)可以通過人為調(diào)節(jié)或反饋控制系統(tǒng)調(diào)節(jié)有效提高襯底的溫度均勻性，但 是各匝線圈對(duì)加熱基座影響的區(qū)域是相互交疊的，當(dāng)單獨(dú)調(diào)節(jié)一匝線圈時(shí)，其他線圈上方 的加熱基座功率密度也受影響，同時(shí)調(diào)節(jié)多匝線圈時(shí)，其影響更是復(fù)雜和難以預(yù)測(cè)的，所以 用上述方式調(diào)節(jié)溫場(chǎng)在靈活性上有一些局限性。此外，熱功率密度場(chǎng)的變化是驅(qū)動(dòng)溫場(chǎng)變 化的直接因素，因此，獲取每種溫場(chǎng)對(duì)應(yīng)的熱功率密度場(chǎng)是建立溫場(chǎng)數(shù)學(xué)模型的基礎(chǔ)。上述 系統(tǒng)調(diào)節(jié)各匝線圈實(shí)際上是間接地通過改變功率密度場(chǎng)來調(diào)溫場(chǎng)，這種方式更關(guān)注于溫場(chǎng) 本身的調(diào)節(jié)，卻不利于研究溫場(chǎng)與熱功率密度場(chǎng)間內(nèi)在聯(lián)系，原因是每組線圈高度（或電 流）配置下的溫場(chǎng)較易得到（可由溫度傳感器得到），而對(duì)應(yīng)的熱功率密度場(chǎng)較難得到，熱 功率密度場(chǎng)可以通過仿真軟件求得，但如果想得到多組對(duì)應(yīng)關(guān)系數(shù)據(jù)，每種線圈配置都需 要單獨(dú)進(jìn)行一次仿真，仿真的工作量是特別大的。
[0006] 本發(fā)明提出的電磁感應(yīng)加熱裝置，提供了一種新的調(diào)節(jié)襯底溫場(chǎng)分布的方式，該 裝置還可以與線圈高度可調(diào)的方式相結(jié)合，增強(qiáng)溫場(chǎng)調(diào)節(jié)的靈活性。同時(shí)，該裝置調(diào)節(jié)溫 場(chǎng)，是直接靠改變熱功率密度場(chǎng)來實(shí)現(xiàn)的，可以直接提供改變后的熱功率密度場(chǎng)數(shù)據(jù)，有利 于研究溫場(chǎng)與熱功率密度場(chǎng)間內(nèi)在聯(lián)系，大幅降低仿真工作量。如果建立出了較好的溫場(chǎng) 模型，即可直接根據(jù)熱功率密度場(chǎng)預(yù)測(cè)溫場(chǎng)分布，溫場(chǎng)就可以根據(jù)需要更加靈活的調(diào)節(jié)了， 這是現(xiàn)有同類裝置的溫場(chǎng)調(diào)節(jié)方式所難以實(shí)現(xiàn)的。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明的目的是提出一種熱功率密度徑向分布可調(diào)的電磁感應(yīng)加熱裝置，其特征 在于：由加熱基座、基本線圈、疊加線圈和線路切換裝置組成；加熱基座安裝于工藝氣體參 與反應(yīng)的工藝腔室內(nèi)部，加熱基座的下表面靠近但不接觸工藝腔室底部壁面；基本線圈與 疊加線圈安裝于工藝腔室外部，基本線圈位于加熱基座正下方，疊加線圈與基本線圈串聯(lián)， 位于基本線圈正下方；線路切換裝置包含兩個(gè)支路開關(guān)，與交流電源、基本線圈和疊加線圈 相連，控制基本線圈和疊加線圈在兩種子狀態(tài)間反復(fù)交替工作。
[0008] 所述基本線圈為多匝平面線圈，各匝線圈的半徑依次增大，各匝線圈的高度相同 或不相同；所述疊加線圈由多層多匝平面線圈串聯(lián)而成，同層各匝線圈的高度相同或不相 同；所述基本線圈和所述疊加線圈串聯(lián)后的每匝線圈的繞行方向都一致。
[0009] 所述基本線圈最內(nèi)阻的末端與所述疊加線圈最上層線圈最內(nèi)阻的末端相連；從 基本線圈最外匝線圈的末端引出第一饋電端，從基本線圈與疊加線圈連接處引出第二饋電 端，從疊加線圈最下層最外匝線圈的末端引出第三饋電端；第一饋電端連接于交流電源一 偵牝第二饋電端和第三饋電端分別通過兩個(gè)支路開關(guān)連接至交流電源另一端；所述兩個(gè)支 路開關(guān)交替導(dǎo)通，使電磁感應(yīng)加熱裝置工作在兩種狀態(tài)，兩個(gè)支路開關(guān)各自導(dǎo)通的持續(xù)時(shí) 間能夠調(diào)節(jié)，各導(dǎo)通一次為一個(gè)交替周期。
[0010] 所述工藝腔室內(nèi)壓強(qiáng)在OPa - 500MPa之間。
[0011] 工藝腔室的底部材料、基本線圈與加熱基座之間的介質(zhì)材料的磁導(dǎo)率為真空磁導(dǎo) 率。
[0012] 所述加熱基座采用具有導(dǎo)電性的材料，能通過正向和反向渦電流，電阻率在工藝 溫度附近的變化率較小，無突變。
[0013] 所述加熱基座主體外形為圓盤形，上表面具有一定數(shù)量的凹凸結(jié)構(gòu)，下表面中心 處有一定的凹陷或凸起結(jié)構(gòu)。
[0014] 所述兩種線路連接子狀態(tài)的合狀態(tài)的加熱基座的熱功率密度徑向分布的計(jì)算公 式為：
[0015] F 合=(^XFi+C^XFs
[0016] 其中：
[0017] F &為合狀態(tài)的加熱基座的熱功率密度徑向分布；
[0018] Fp F2為兩種線路連接子狀態(tài)的加熱基座的熱功率密度徑向分布；
[0019] Qi、Q2為兩種線路連接子狀態(tài)對(duì)合狀態(tài)的權(quán)重，由兩種線路連接子狀態(tài)在每個(gè)交替 周期內(nèi)的持續(xù)時(shí)間與交替周期的占比確定。
[0020] 本發(fā)明的有益效果是通過特有的線圈結(jié)構(gòu)以及線路切換裝置，使交流電路可以靈 活的在兩種連接狀態(tài)間切換。和目前現(xiàn)有的電磁感應(yīng)加熱裝置相比，將交流電路由原來的 單一工作狀態(tài)拆解成由兩種工作狀態(tài)（子狀態(tài)）交替而成的合狀態(tài)。通過控制信號(hào)調(diào)節(jié)每 個(gè)交替周期內(nèi)的兩種連接狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間，即可調(diào)整兩種狀態(tài)對(duì)合狀態(tài)的權(quán)重。通過電磁 場(chǎng)仿真軟件進(jìn)行兩次仿真，求得的狀態(tài)一、二的熱功率密度徑向分布，可以預(yù)測(cè)任意多個(gè)不 同合狀態(tài)（權(quán)重因子在0 < Ql < 1的情況下可任意變化）的F合，S卩加熱基座熱功率密度 徑向分布可方便的進(jìn)行連續(xù)調(diào)整。同時(shí)，不用再對(duì)每種合狀態(tài)進(jìn)行單獨(dú)仿真，大幅降低了仿 真工作量。此外，可結(jié)合安裝溫度傳感器，讀取每種合狀態(tài)下襯底沿加熱基座徑向的溫度分 布，即可得到襯底沿加熱基座的徑向溫度分布與加熱基座的熱功率密度徑向分布對(duì)應(yīng)的多 組數(shù)據(jù)，這些數(shù)據(jù)對(duì)于研究溫場(chǎng)與熱功率密度場(chǎng)間內(nèi)在聯(lián)系襯底的熱損失規(guī)律及對(duì)靈活調(diào) 節(jié)襯底溫度分布有重要意義。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021] 圖1是電磁感應(yīng)加熱裝置的水平視角視圖；
[0022] 圖2是加熱基座的傾斜俯視圖；
[0023] 圖3是基本線圈及置加線圈的傾斜俯視圖；
[0024] 圖4是基本線圈及置加線圈的傾斜仰視圖；
[0025] 圖5是交流電路的等效電路圖；
[0026] 圖6是狀態(tài)一、狀態(tài)二、合狀態(tài)的加熱基座熱功率密度徑向分布圖。
[0027] 圖中標(biāo)號(hào)：
[0028] 1-加熱基座；2-基本線圈；3-疊加線圈；4-卡槽；5-底面凹槽；6-第一饋電端； 第二饋電端；8_第二饋電端；9-線路切換裝置；10-支路開關(guān)S1 ; 11-支路開關(guān)S2 ; 12-交 流電源。

【具體實(shí)施方式】
[0029] 本發(fā)明提出一種熱功率密度徑向分布可調(diào)的電磁感應(yīng)加熱裝置，下面結(jié)合附圖和 具體實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明。
[0030] 圖1是電磁感應(yīng)加熱裝置的水平視角視圖，加熱基座1安裝于工藝氣體參與反應(yīng) 的工藝腔室內(nèi)部中央，工藝腔室中包含一種或多種任意的工藝氣體，腔室內(nèi)壓強(qiáng)在〇Pa與 500MPa之間；加熱基座的下表面靠近但不接觸腔室底部壁面（圖1中省略了腔室結(jié)構(gòu)）；基 本線圈2及疊加線圈3位于工藝腔室外部，加熱基座1和基本線圈2之間隔著一層腔室底 部的壁，材料為石央；加熱基座1下表面距基本線圈2上表面的間距為25mm。加熱基座1的 工作溫度約1350K。
[0031] 圖2為加熱基座的傾斜俯視圖，加熱基座1為直徑334mm且厚度12mm的圓盤形 石墨，加熱基座1的上表面有4個(gè)大小相同的圓形凹陷卡槽4,用來放置和固定晶片，4個(gè) 凹陷卡槽4的圓心均在加熱基座1半徑100mm的圓邊上；待放置的晶片直徑100mm，厚度約 0. 5mm，晶片全部位于加熱基座1半徑50mm?150mm之間的圓環(huán)狀區(qū)域。加熱基座1底面 中心處制作有底面凹槽5,用于與轉(zhuǎn)軸的一端卡緊，使加熱基座在旋轉(zhuǎn)時(shí)不與轉(zhuǎn)軸發(fā)生相對(duì) 移動(dòng)。
[0032] 圖3和圖4分別是基本線圈2及置加線圈3的傾斜俯視圖和傾斜仰視圖，基本線 圈2及疊加線圈3的材質(zhì)均為銅，其外部由冷卻系統(tǒng)使其保持正常工作溫度?；揪€圈2 共9匝，最外匝線圈的外徑與加熱基座直徑相等，9匝線圈位于同一高度，相鄰線圈的水平 間距各異；疊加線圈3由3層線圈組成，每層線圈均為4匝，每層線圈的各匝線圈位于同一 高度，層間隙2mm。所有線圈的繞行方向均一致?；揪€圈2最內(nèi)匝線圈的末端與疊加線圈 3最上層線圈最內(nèi)匝的末端相連；從基本線圈2的最外匝線圈引出第一饋電端6,從基本線 圈2與疊加線圈3連接處引出第二饋電端7,從疊加線圈3的最下層結(jié)構(gòu)的最外匝線圈引出 第二饋電端8。
[0033] 在3個(gè)饋電端之間配置交流電源12與線路切換裝置9,組成了交流電路。如圖5 所示，第一饋電端6連接交流電源12的一端，第二饋電端7和第三饋電端8分別通過支路 開關(guān)10和支路開關(guān)11連接交流電源12的另一端；支路開關(guān)10與支路開關(guān)11為雙向可控 硅元件，控制著分支線路接通或斷開，可由遠(yuǎn)程控制端通過信號(hào)控制；交流電源12提供頻 率4000Hz的正弦交流電。
[0034] 線路切換裝置9可在兩種工作狀態(tài)間切換，狀態(tài)一是指支路開關(guān)10接通，支路開 關(guān)11斷開，即第一饋電端6、第二饋電端7連接交流電源12,第三饋電端8斷路；狀態(tài)二是指 支路開關(guān)10斷開，支路開關(guān)11接通，即第一饋電端6、第三饋電端8連接交流電源12,第二 饋電端7斷路。正常工作時(shí)兩種狀態(tài)反復(fù)交替變換，交替周期為3s，每個(gè)交替周期內(nèi)狀態(tài)一 和狀態(tài)二的持續(xù)時(shí)間T1、T2可人為調(diào)節(jié)。每個(gè)正常工藝周期里，線圈工作時(shí)間約為50min， 遠(yuǎn)大于交替周期，因此合狀態(tài)可認(rèn)為包含相等個(gè)數(shù)的ΤΙ，T2,狀態(tài)一和狀態(tài)二的權(quán)重分別為 其持續(xù)周期T1和T2在交替周期中的占比。
[0035] 在獲取加熱基座1的熱功率密度場(chǎng)分布情況時(shí)，首先將加熱基座1的幾何模型分 解為一個(gè)中心區(qū)和20個(gè)等寬且依次相鄰的環(huán)形區(qū)，針對(duì)這21個(gè)區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域，就狀態(tài) 一和狀態(tài)二分別進(jìn)行仿真，得到狀態(tài)一和狀態(tài)二情況下各自的加熱基座熱功率密度徑向分 布。劃分區(qū)域多少需結(jié)合具體精度需求、計(jì)算機(jī)計(jì)算能力和問題時(shí)效性綜合考慮而定。圖6 所示為狀態(tài)一、狀態(tài)二和合狀態(tài)的加熱基座熱功率密度徑向分布，其中狀態(tài)一、狀態(tài)二的該 分布可由仿真得出，合狀態(tài)的該分布由狀態(tài)一、狀態(tài)二的該分布以及權(quán)重Q1即可求出。在 T1 = L 5s，T2 = L 5s，交替周期 3s 的情況下，Q1 = Τ1ΛΤ1+Τ2) = 0· 5, Q2 = Τ2ΛΤ1+Τ2) =1-Q1 = 0. 5 ;在Excel中拖動(dòng)滾動(dòng)條改變狀態(tài)一的權(quán)重值時(shí)（對(duì)應(yīng)不同的Τ1和Τ2值）， 合狀態(tài)的加熱基座熱功率密度徑向分布亦同時(shí)在圖中發(fā)生變化，由此可以清楚直觀的看到 合狀態(tài)的分布與Q1的關(guān)系，不用再對(duì)每一種射頻電路合狀態(tài)單獨(dú)進(jìn)行仿真，大幅降低了仿 真工作量。
[0036] 圖6中矩形虛線框橫跨的半徑區(qū)間是晶圓所在的半徑區(qū)間，狀態(tài)一分布、狀態(tài)二 分布在晶圓所在半徑區(qū)間內(nèi)的趨勢(shì)一個(gè)是上升的，一個(gè)是下降的，通過調(diào)節(jié)Q1，可以靈活的 調(diào)節(jié)晶圓所在半徑區(qū)間的熱功率密度徑向分布，進(jìn)而調(diào)節(jié)襯底上的溫度分布。另外，可結(jié)合 安裝溫度傳感器，讀取每種合狀態(tài)下襯底沿加熱基座徑向的溫度分布，即可得到襯底沿加 熱基座的徑向溫度分布與加熱基座的熱功率密度徑向分布對(duì)應(yīng)的多組數(shù)據(jù)，這些數(shù)據(jù)對(duì)于 研究襯底的熱損失規(guī)律及對(duì)靈活調(diào)節(jié)襯底溫度分布有重要意義。
[0037] 以上【具體實(shí)施方式】及附圖中提到的裝置結(jié)構(gòu)、應(yīng)用環(huán)境以及裝置所用材料，只是 一個(gè)具體特例，不應(yīng)作為本發(fā)明的限制條件。本發(fā)明所用的兩組線圈，在滿足技術(shù)方案中所 述的連接方式下，其各匝線圈的高度、截面、間隔等均不做具體限制，每層線圈不必在同一 平面。在實(shí)際使用中，本發(fā)明中部分或全部的線圈，可根據(jù)具體需要，結(jié)合安裝線圈高度可 調(diào)的實(shí)現(xiàn)裝置（例如需要調(diào)節(jié)高度的線圈可以打上螺紋孔，安裝相應(yīng)附加裝置以實(shí)現(xiàn)其高 度可調(diào)），使之同時(shí)具有調(diào)節(jié)線圈高度的功能并具有兩種線圈連接狀態(tài)交替變換的功能，以 增強(qiáng)溫場(chǎng)調(diào)節(jié)的靈活性。
【權(quán)利要求】
1. 一種熱功率密度徑向分布可調(diào)的電磁感應(yīng)加熱裝置，其特征在于：由加熱基座、基 本線圈、疊加線圈和線路切換裝置組成；加熱基座安裝于工藝氣體參與反應(yīng)的工藝腔室內(nèi) 部，加熱基座的下表面靠近但不接觸工藝腔室底部壁面；基本線圈與疊加線圈安裝于工藝 腔室外部，基本線圈位于加熱基座正下方，疊加線圈與基本線圈串聯(lián)，位于基本線圈正下 方；線路切換裝置包含兩個(gè)支路開關(guān)，與交流電源、基本線圈和疊加線圈相連，控制基本線 圈和疊加線圈在兩種子狀態(tài)間反復(fù)交替工作。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱功率密度徑向分布可調(diào)的電磁感應(yīng)加熱裝置，其特 征在于：所述基本線圈為多匝平面線圈，各匝線圈的半徑依次增大，各匝線圈的高度相同或 不相同；所述疊加線圈由多層多匝平面線圈串聯(lián)而成，同層各匝線圈的高度相同或不相同； 所述基本線圈和所述疊加線圈串聯(lián)后的每匝線圈的繞行方向都一致。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種熱功率密度徑向分布可調(diào)的電磁感應(yīng)加熱裝置，其特征 在于：所述基本線圈最內(nèi)匝的末端與所述疊加線圈最上層線圈最內(nèi)匝的末端相連；從基本 線圈最外匝線圈的末端引出第一饋電端，從基本線圈與疊加線圈連接處引出第二饋電端， 從疊加線圈最下層最外匝線圈的末端引出第三饋電端；第一饋電端連接于交流電源一側(cè)， 第二饋電端和第三饋電端分別通過兩個(gè)支路開關(guān)連接至交流電源另一端；所述兩個(gè)支路開 關(guān)交替導(dǎo)通，使電磁感應(yīng)加熱裝置工作在兩種狀態(tài)，兩個(gè)支路開關(guān)各自導(dǎo)通的持續(xù)時(shí)間能 夠調(diào)節(jié)，各導(dǎo)通一次為一個(gè)交替周期。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱功率密度徑向分布可調(diào)的電磁感應(yīng)加熱裝置，其特征 在于：所述工藝腔室內(nèi)壓強(qiáng)在〇Pa - 500MPa之間。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱功率密度徑向分布可調(diào)的電磁感應(yīng)加熱裝置，其特征 在于：工藝腔室的底部材料、基本線圈與加熱基座之間的介質(zhì)材料的磁導(dǎo)率為真空磁導(dǎo)率。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱功率密度徑向分布可調(diào)的電磁感應(yīng)加熱裝置，其特征 在于：所述加熱基座采用具有導(dǎo)電性的材料，能通過正向和反向渦電流，電阻率在工藝溫度 附近的變化率較小，無突變。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱功率密度徑向分布可調(diào)的電磁感應(yīng)加熱裝置，其特征 在于：所述加熱基座主體外形為圓盤形，上表面具有一定數(shù)量的凹凸結(jié)構(gòu)，下表面中心處有 一定的凹陷或凸起結(jié)構(gòu)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種熱功率密度徑向分布可調(diào)的電磁感應(yīng)加熱裝置，其特 征在于：所述兩種線路連接子狀態(tài)的合狀態(tài)的加熱基座的熱功率密度徑向分布的計(jì)算公式 為： F 合=Q! X FJQ2 X F2 其中： 為合狀態(tài)的加熱基座的熱功率密度徑向分布； FpF2為兩種線路連接子狀態(tài)的加熱基座的熱功率密度徑向分布； Qi、Q2為兩種線路連接子狀態(tài)對(duì)合狀態(tài)的權(quán)重，由兩種線路連接子狀態(tài)在每個(gè)交替周期 內(nèi)的持續(xù)時(shí)間與交替周期的占比確定。
【文檔編號(hào)】C23C16/46GK104046964SQ201410310128
【公開日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年7月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月1日
【發(fā)明者】程嘉, 曹自立, 季林紅, 吳曉晶, 路益嘉, 張可, 周競(jìng)輝 申請(qǐng)人:清華大學(xué)