實時監(jiān)控淀積設(shè)備的換向閥門的工作狀態(tài)的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種實時監(jiān)控淀積設(shè)備的換向閥門的工作狀態(tài)的方法，包括步驟：在淀積工藝的步驟之前將淀積設(shè)備的工藝腔體內(nèi)的壓力抽至底壓，并將其節(jié)流閥完全關(guān)閉；預(yù)流大流量的氦氣并通過換向閥門直接繞開工藝腔體，氦氣直接被泵抽走；淀積設(shè)備的壓力檢測系統(tǒng)檢測工藝腔體內(nèi)的壓力；若壓力相比于底壓有急劇上升的情形，則認(rèn)定換向閥門存在問題，否則認(rèn)定換向閥門狀態(tài)正常。本發(fā)明的方法能夠整合進入整個工藝菜單之中，在每一次淀積工藝的執(zhí)行之前都可以檢測一遍，從而實現(xiàn)實時監(jiān)控?fù)Q向閥門的工作狀態(tài)，并且在該換向閥門發(fā)生問題時能及時發(fā)現(xiàn)，提高了工藝的穩(wěn)定性，減少了由此造成的良率損失。
【專利說明】實時監(jiān)控淀積設(shè)備的換向閥門的工作狀態(tài)的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，具體來說，本發(fā)明涉及一種實時監(jiān)控淀積設(shè)備的換向閥門的工作狀態(tài)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在當(dāng)前的半導(dǎo)體工藝中，所有硼硅玻璃(BSG)、磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)工藝在淀積薄膜之前，都會在淀積的前一步將反應(yīng)時需要用到的氣體提前進行預(yù)流，從而使得在淀積的初始保持工藝的穩(wěn)定。由于在預(yù)流的時候，氣體和淀積的時候完全一樣，因此為了防止氣體提前發(fā)生反應(yīng)，會通過一個換向閥門將這些氣體直接繞開工藝腔體，直接被泵抽走。由于此時的工藝腔體的壓力是由節(jié)流閥門自動控制，而且工藝在幾百托(torr)的壓力進行下，所以一旦這個換向閥門發(fā)生問題，將導(dǎo)致工藝氣體流入腔體，設(shè)備(機臺)無法及時檢測到，導(dǎo)致所淀積的膜質(zhì)出現(xiàn)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種實時監(jiān)控淀積設(shè)備的換向閥門的工作狀態(tài)的方法，能夠在換向閥門發(fā)生問題時及時發(fā)現(xiàn)，提高工藝的穩(wěn)定性和減少由此造成的良率損失。
[0004]為解決上述技術(shù) 問題，本發(fā)明提供一種實時監(jiān)控淀積設(shè)備的換向閥門的工作狀態(tài)的方法，包括步驟:
[0005]在淀積工藝的步驟之前將所述淀積設(shè)備的工藝腔體內(nèi)的壓力抽至底壓，并將其節(jié)流閥完全關(guān)閉；
[0006]預(yù)流大流量的氦氣并通過所述換向閥門直接繞開所述工藝腔體，所述氦氣直接被泵抽走；
[0007]所述淀積設(shè)備的壓力檢測系統(tǒng)檢測所述工藝腔體內(nèi)的壓力；若所述壓力相比于所述底壓有急劇上升的情形，則認(rèn)定所述換向閥門存在問題，否則認(rèn)定所述換向閥門狀態(tài)正
堂
巾O
[0008]可選地，所述底壓是指所述工藝腔體內(nèi)的壓力范圍為O~30毫托。
[0009]可選地,所述大流量的氦氣是指所述氦氣的流量在3000sccm以上。
[0010]可選地，所述急劇上升的情形是指在所述壓力的檢測時間內(nèi)，所述壓力從所述底
壓上升至數(shù)百毫托。
[0011]可選地，所述檢測時間為3秒鐘。
[0012]可選地，所述淀積設(shè)備為美國應(yīng)用材料公司的CENTURA系列的淀積設(shè)備。
[0013]可選地，所述淀積設(shè)備系用于后段互連工藝中的PSG、BSG和/或BPSG的薄膜淀積工藝。
[0014]可選地，所述方法能被整合進入整個淀積工藝的菜單之中，于每一片晶圓的所述淀積工藝的步驟之前執(zhí)行一遍。[0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
[0016]1.此方法增加的步驟耗時只需短短的幾秒鐘(如3秒鐘)，所以對產(chǎn)能幾乎沒有影響。
[0017]2.可以將出現(xiàn)異常而報廢的晶圓控制在I片，大大提高了良率。
[0018]3.所作的改進無需增加其他設(shè)備部件，成本很低。
[0019]總而言之，本發(fā)明的方法能夠整合進入整個工藝菜單之中，在每一次淀積工藝的執(zhí)行之前都可以檢測一遍，從而達到實時監(jiān)控?fù)Q向閥門的工作狀態(tài)，并且在該換向閥門發(fā)生問題時能及時發(fā)現(xiàn)，提高了工藝的穩(wěn)定性，減少了由此造成的良率損失。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]本發(fā)明的上述的以及其他的特征、性質(zhì)和優(yōu)勢將通過下面結(jié)合附圖和實施例的描述而變得更加明顯，其中:
[0021]圖1為本發(fā)明一個實施例的實時監(jiān)控淀積設(shè)備的換向閥門的工作狀態(tài)的方法流程不意圖。
【具體實施方式】
[0022]下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明作進一步說明，在以下的描述中闡述了更多的細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明顯然能夠以多種不同于此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下根據(jù)實際應(yīng)用情況作類似推廣、演繹，因此不應(yīng)以此具體實施例的內(nèi)容限制本發(fā)明的保護范圍。
[0023]圖1為本發(fā)明一個實施例的實時監(jiān)控淀積設(shè)備的換向閥門的工作狀態(tài)的方法流程示意圖。該淀積設(shè)備可以為美國應(yīng)用材料公司的CENTURA系列的淀積設(shè)備，可以用于后段互連工藝中的PSG、BSG和/或BPSG的薄膜淀積工藝。如圖1所示，該監(jiān)控方法可以主要包括如下步驟:
[0024]首先執(zhí)行步驟S101，在淀積工藝的步驟之前將淀積設(shè)備的工藝腔體內(nèi)的壓力抽至底壓，并將其節(jié)流閥完全關(guān)閉。
[0025]在本實施例中，該底壓是指工藝腔體內(nèi)的壓力范圍為O~30毫托(mtorr)。
[0026]然后執(zhí)行步驟S102，預(yù)流大流量的氦氣并通過換向閥門直接繞開工藝腔體，氦氣直接被泵抽走。
[0027]在本實施例中，該大流量的氦氣是指氦氣的流量至少在3000sccm以上，例如4000sccm、5000sccm,該流量的最高值受到淀積設(shè)備的構(gòu)造限制。
[0028]最后執(zhí)行步驟S103，淀積設(shè)備的壓力檢測系統(tǒng)檢測工藝腔體內(nèi)的壓力。此時，若壓力相比于底壓有急劇上升的情形，則認(rèn)定換向閥門存在問題，否則認(rèn)定換向閥門狀態(tài)正常。
[0029]在本實施例中，該急劇上升的情形可以是指在壓力的檢測時間內(nèi)，例如為3秒鐘，工藝腔體內(nèi)的壓力從底壓上升至數(shù)百毫托。
[0030]本發(fā)明的該方法能被整合進入整個淀積工藝的菜單之中，于每一片晶圓的淀積工藝的步驟之前執(zhí)行一遍。由于正常情況下，該工藝腔體是處在真空(壓力為O)下，所以此方法不會影響后續(xù)的工藝狀態(tài)，對后續(xù)的淀積也不會造成任何影響。
[0031]綜上所述，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:[0032]1.此方法增加的步驟耗時只需短短的幾秒鐘(如3秒鐘)，所以對產(chǎn)能幾乎沒有影響。
[0033]2.可以將出現(xiàn)異常而報廢的晶圓控制在I片，大大提高了良率。
[0034]3.所作的改進無需增加其他設(shè)備部件，成本很低。
[0035]總而言之，本發(fā)明的方法能夠整合進入整個工藝菜單之中，在每一次淀積工藝的執(zhí)行之前都可以檢測一遍，從而達到實時監(jiān)控?fù)Q向閥門的工作狀態(tài)，并且在該換向閥門發(fā)生問題時能及時發(fā)現(xiàn)，提高了工藝的穩(wěn)定性，減少了由此造成的良率損失。
[0036]本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何修改、等同變化及修飾，均落入本發(fā)明權(quán)利要求所界定的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種實時監(jiān)控淀積設(shè)備的換向閥門的工作狀態(tài)的方法，包括步驟: 在淀積工藝的步驟之前將所述淀積設(shè)備的工藝腔體內(nèi)的壓力抽至底壓，并將其節(jié)流閥完全關(guān)閉； 預(yù)流大流量的氦氣并通過所述換向閥門直接繞開所述工藝腔體，所述氦氣直接被泵抽走; 所述淀積設(shè)備的壓力檢測系統(tǒng)檢測所述工藝腔體內(nèi)的壓力；若所述壓力相比于所述底壓有急劇上升的情形，則認(rèn)定所述換向閥門存在問題，否則認(rèn)定所述換向閥門狀態(tài)正常。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述底壓是指所述工藝腔體內(nèi)的壓力范圍為O~30暈托。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述大流量的氦氣是指所述氦氣的流量在3000sccm以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述急劇上升的情形是指在所述壓力的檢測時間內(nèi)，所述壓力從所述底壓上升至數(shù)百毫托。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述檢測時間為3秒鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述淀積設(shè)備為美國應(yīng)用材料公司的CENTURA系列的淀 積設(shè)備。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述淀積設(shè)備系用于后段互連工藝中的PSG、BSG和/或BPSG的薄膜淀積工藝。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法能被整合進入整個淀積工藝的菜單之中，于每一片晶圓的所述淀積工藝的步驟之前執(zhí)行一遍。
【文檔編號】C23C16/52GK104032284SQ201410306456
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年6月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月30日
【發(fā)明者】陸金, 歸劍, 劉峰松 申請人:上海先進半導(dǎo)體制造股份有限公司