一種金屬掩膜板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種金屬掩膜板,以解決真空蒸鍍法中襯底基板與金屬掩膜板對位困難、對位誤差較大的問題。所述金屬掩膜板用于真空蒸鍍法中作為襯底基板的掩膜板,所述金屬掩膜板包括掩膜圖形及若干對位孔,所述對位孔在所述金屬掩膜板中的延伸方向與所述金屬掩膜板所在平面的垂直方向不重合,且所述對位孔不穿透所述金屬掩膜板。本發(fā)明實施例中,光線在對位孔內(nèi)多次反射且一部分光線被吸收,CCD系統(tǒng)根據(jù)金屬掩膜板的對位孔和襯底基板的對位標(biāo)記生成的圖像具有較大的顏色對比,因此容易區(qū)分,從而降低對位難度,減小對位誤差。
【專利說明】一種金屬掩膜板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及平板顯示器制造領(lǐng)域,尤其涉及一種金屬掩膜板。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來,有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode, OLED)顯示器已經(jīng)成為國內(nèi)外非常熱門的新興平板顯示器產(chǎn)品,OLED顯示器具有自發(fā)光、廣視角、短反應(yīng)時間、廣色域、低工作電壓、面板薄、易于做成柔性面板、工作溫度范圍廣等優(yōu)勢。
[0003]OLED器件的制備通常采用的真空蒸鍍法,將鍍料在真空中加熱、蒸發(fā),使蒸發(fā)出來的原子或原子基團在溫度較低的襯底基板上析出并形成薄膜。蒸鍍工藝的穩(wěn)定性對成膜質(zhì)量的好壞有很大影響的。為了實現(xiàn)彩色化顯示,在蒸鍍工藝中要分別蒸鍍紅、綠、藍三基色對應(yīng)的材料,常用的方法為掩膜法,即在襯底基板的前面設(shè)置一層很薄的金屬掩膜板,只在金屬掩膜板的開口處蒸鍍紅、綠、藍三基色對應(yīng)的有機材料。而用來蒸鍍紅、綠、藍三基色對應(yīng)的有機材料的位置(也即像素電極的位置)已經(jīng)被精確的定義了出來,所以在蒸鍍工藝中金屬掩膜板的開口就要和像素電極位置對應(yīng),不允許有超出誤差范圍之內(nèi)的偏移,否則將會出現(xiàn)兩種發(fā)光材料重合在一起的情況,發(fā)生混色。所以襯底基板和金屬掩膜板的精確對位是進行蒸鍍工藝的前提條件。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中,通過感光稱合兀件(Charge-Coupled Device, CO))確定襯底基板和金屬掩膜板的對位,但是目前由于金屬掩膜板上對位標(biāo)記設(shè)計的原因,由CCD系統(tǒng)生成的對位示圖無法快速、清晰的辨識出襯底基板和金屬掩膜板的對位標(biāo)記,使得對位困難、對位誤差較大。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明的目的是提供一種金屬掩膜板,以解決真空蒸鍍法中襯底基板與金屬掩膜板對位困難、對位誤差較大的問題。
[0006]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
[0007]本發(fā)明實施例提供一種金屬掩膜板,用于真空蒸鍍法中作為襯底基板的掩膜板,所述金屬掩膜板包括掩膜圖形及若干對位孔,所述對位孔在所述金屬掩膜板中的延伸方向與所述金屬掩膜板所在平面的垂直方向不重合,且所述對位孔不穿透所述金屬掩膜板。
[0008]優(yōu)選的,所述對位孔的內(nèi)壁涂覆有吸光層。本實施例中,通過在對位孔的內(nèi)壁涂覆吸光層,有利于CCD對位時光線的吸收,使CCD系統(tǒng)根據(jù)金屬掩膜板的對位孔和襯底基板的對位標(biāo)記生成的圖像的顏色對比更明顯。
[0009]優(yōu)選的,所述對位孔在所述金屬掩膜板中的延伸方向與所述金屬掩膜板所在平面的垂直方向的夾角為15度至45度。該角度過小會使光線在對位孔內(nèi)部反射的機會減少,不利于吸光材料對光線的充分吸收;角度過大會增加光線直接反射回去的機會,因此夾角的選擇應(yīng)該在一個合適的范圍之內(nèi)。
[0010]優(yōu)選的,所述對位孔在所述金屬掩膜板中的延伸方向與所述金屬掩膜板所在平面的垂直方向的夾角為30度。
[0011 ] 優(yōu)選的,各所述對位孔在所述金屬掩膜板中的延伸方向相同。
[0012]優(yōu)選的,同一行的各所述對位孔在所述金屬掩膜板中的延伸方向相同/相向,同一列的各所述對位孔在所述金屬掩膜板中的延伸方向相向/相同;或者,對角設(shè)置的各所述對位孔在所述金屬掩膜板中的延伸方向相同或相向。
[0013]優(yōu)選的,平行于所述金屬掩膜板所在平面的所述對位孔的截面為規(guī)則的幾何圖形。該截面為規(guī)則的幾何圖形,即對位孔為規(guī)則的孔洞,光線進入該對位孔后反射具有較強的規(guī)律性,可以使該對位孔在CCD系統(tǒng)中的成像的顏色均勻。
[0014]優(yōu)選的, 平行于所述金屬掩膜板所在平面的所述對位孔的截面為圓形。截面為圓形的對位孔能夠更好的使進入的光線反射并被吸收,使該對位孔在CCD系統(tǒng)中的成像的顏色均勻。
[0015]優(yōu)選的,所述對位孔的兩端面之間的間距大于所述金屬掩膜板的厚度的1/3。所述對位孔的該間距適合光線進入所述對位孔后發(fā)生多次反射,從而被吸收。
[0016]優(yōu)選的,所述吸光層為碳納米管材料形成的涂層。
[0017]本發(fā)明實施例有益效果如下:金屬掩膜板的對位孔在所述金屬掩膜板中的延伸方向與所述金屬掩膜板所在平面的垂直方向不重合,且所述對位孔不穿透所述金屬掩膜板,進入該對位孔的光線在對位孔內(nèi)會經(jīng)多次反射,一部分光線被吸收;進一步的,在對位孔的內(nèi)壁涂覆吸光層,使大部分光線被吸收;由于進入對位孔的光線被吸收,CCD系統(tǒng)根據(jù)金屬掩膜板的對位孔和襯底基板的對位標(biāo)記生成的的圖像具有較大的顏色對比,因此容易區(qū)分,從而降低對位難度,減小對位誤差。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明實施例提供的所述金屬掩膜板的俯視圖;
[0019]圖2為本發(fā)明實施例提供的所述金屬掩膜板的剖面示意圖;
[0020]圖3為本發(fā)明實施例提供的對位孔的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0021]圖4為本發(fā)明實施例提供的內(nèi)壁涂覆有吸光層的所述對位孔的截面示意圖,該截面平行于所述金屬掩膜板所在平面;
[0022]圖5為本發(fā)明實施例提供的所述對位孔與襯底基板上對位標(biāo)記成像的示意圖?!揪唧w實施方式】
[0023]下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明實施例的實現(xiàn)過程進行詳細(xì)說明。需要注意的是,自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的,僅用于解釋本發(fā)明,而不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0024]參見圖1,本發(fā)明實施例提供一種金屬掩膜板,用于真空蒸鍍法中作為襯底基板的掩膜板,金屬掩膜板100包括掩膜圖形(未不出)及若干對位孔101,對位孔101在金屬掩膜板100中的延伸方向與金屬掩膜板100所在平面的垂直方向不重合,且對位孔101不穿透金屬掩膜板100。其中,襯底基板可以為玻璃、石英、塑料、藍寶石等透明材料。進入該對位孔的光線在對位孔內(nèi)會經(jīng)多次反射,一部分光線被吸收,CCD系統(tǒng)根據(jù)金屬掩膜板的對位孔和襯底基板的對位標(biāo)記生成的的圖像具有較大的顏色對比,因此容易區(qū)分。參見圖4,對位孔101的內(nèi)壁涂覆有吸光層102。本實施例中,通過在對位孔101的內(nèi)壁涂覆吸光層102,有利于CCD對位時光線的吸收,使CCD系統(tǒng)根據(jù)金屬掩膜板100的對位孔101和襯底基板的對位標(biāo)記生成的圖像的顏色對比更明顯。
[0025]優(yōu)選的,吸光層102為碳納米管材料形成的涂層。
[0026]為了清楚的描述對位孔101,圖2示出了圖1中金屬掩膜板在AB處的剖面示意圖,圖3示出了對位孔101的結(jié)構(gòu)示意圖。其中,對位孔101在金屬掩膜板100中的延伸方向與金屬掩膜板100所在平面的垂直方向M的夾角φ為15度至45度。該角度過小會使光線在對位孔101內(nèi)部反射的機會減少,不利于吸光材料對光線的充分吸收;角度過大會增加光線直接反射回去的機會,因此夾角φ的選擇應(yīng)該在一個合適的范圍之內(nèi)。
[0027]優(yōu)選的,對位孔101在金屬掩膜板100中的延伸方向與金屬掩膜板100所在平面的垂直方向M的夾角φ為30度。
[0028]平行于金屬掩膜板100所在平面的對位孔101的截面可以為各種圖形,例如規(guī)則的幾何圖形:圓形、橢圓形、矩形、三角形、梯形、五邊形等等;或者也可以為不規(guī)則的圖形。優(yōu)選的,平行于金屬掩膜板100所在平面的對位孔101的截面為規(guī)則的幾何圖形。該截面為規(guī)則的幾何圖形,即對位孔101為規(guī)則的孔洞,光線進入該對位孔101后反射具有較強的規(guī)律性,可以使該對位孔101在CCD系統(tǒng)中的成像的顏色均勻。如該對位孔101的該截面為不規(guī)則圖形,光反射無規(guī)律,則有可能造成在CCD系統(tǒng)中的成像部分區(qū)域顏色深,部分區(qū)域顏色淺,不利于對位時的判斷。
[0029]當(dāng)然還需要說明的是,平行于金屬掩膜板100所在平面的對位孔101的多個截面應(yīng)該是相同的圖形,即大小、形狀均相同。
[0030]優(yōu)選的,平行于金屬掩膜板100所在平面的對位孔101的截面為圓形。截面為圓形的對位孔101能夠更好的使進入的光線反射并被吸收,使該對位孔101在CCD系統(tǒng)中的成像的顏色均勻。
[0031]優(yōu)選的,對位孔101的兩端面之間的間距H大于金屬掩膜板100的厚度的1/3。對位孔101兩端面之間的間距H即對位孔101的相對于金屬掩膜板100的垂直深度,也可以視之為對位孔101的高度。由此,也可知該對位孔101并非貫穿金屬掩膜板100的通孔,而為一個半孔。對位孔101的該間距H適合光線進入對位孔101后發(fā)生多次反射,從而被吸收;若過淺則不利于光線的吸收。
[0032]而對于金屬掩膜板100上多個對位孔101的延伸方向,可以一致,也可以不一致。例如,各對位孔101在金屬掩膜板100中的延伸方向相同。又例如,同一行的各對位孔101在金屬掩膜板100中的延伸方向相同,同一列的各對位孔101在金屬掩膜板100中的延伸方向相向。又例如,同一行的各對位孔101在金屬掩膜板100中的延伸方向相向,同一列的各對位孔101在金屬掩膜板100中的延伸方向相同。又例如,對角設(shè)置的各對位孔101在金屬掩膜板100中的延伸方向相同或相向。為了更清晰的進行說明,以圖2所示金屬掩膜板100為例。對位孔101的延伸 方向800和801,延伸方向800和延伸方向801分別朝向金屬掩膜板100的兩端,即延伸方向相向。當(dāng)然,也可以設(shè)置延伸方向800和延伸方向801相同,或?qū)ξ豢?01的延伸方向可以根據(jù)金屬掩膜板100的設(shè)計和布局需求進行設(shè)置,在此不再贅述。
[0033]以襯底基板上的對位標(biāo)記為圓形的圖案為例,該對位標(biāo)記為金屬,且該對位標(biāo)記的半徑小于金屬掩膜板100的對位孔101的半徑。利用本發(fā)明實施例提供的金屬掩膜板100,由(XD系統(tǒng)生成的對位孔101與襯底基板上對位標(biāo)記成像的示意圖如5所示出,其中,根據(jù)襯底基板上對位標(biāo)記生成的圖像為200,根據(jù)對位孔101生成的圖像為103,顯然圖像103與圖像200有較明顯的顏色對比。
[0034]本發(fā)明實施例有益效果如下:金屬掩膜板的對位孔在所述金屬掩膜板中的延伸方向與所述金屬掩膜板所在平面的垂直方向不重合,且所述對位孔不穿透所述金屬掩膜板,進入該對位孔的光線在對位孔內(nèi)會經(jīng)多次反射,一部分光線被吸收;進一步的,在對位孔的內(nèi)壁涂覆吸光層,使大部分光線被吸收;由于進入對位孔的光線被吸收,CCD系統(tǒng)根據(jù)金屬掩膜板的對位孔和襯底基板的對位標(biāo)記生成的的圖像具有較大的顏色對比,因此容易區(qū)分,從而降低對位難度,減小對位誤差。
[0035]顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本發(fā)明也意圖包含 這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種金屬掩膜板,用于真空蒸鍍法中作為襯底基板的掩膜板,所述金屬掩膜板包括掩膜圖形及若干對位孔,其特征在于,所述對位孔在所述金屬掩膜板中的延伸方向與所述金屬掩膜板所在平面的垂直方向不重合,且所述對位孔不穿透所述金屬掩膜板。
2.如權(quán)利要求1所述的金屬掩膜板,其特征在于,所述對位孔的內(nèi)壁涂覆有吸光層。
3.如權(quán)利要求2所述的金屬掩膜板,其特征在于,所述對位孔在所述金屬掩膜板中的延伸方向與所述金屬掩膜板所在平面的垂直方向的夾角為15度至45度。
4.如權(quán)利要求3所述的金屬掩膜板,其特征在于,所述對位孔在所述金屬掩膜板中的延伸方向與所述金屬掩膜板所在平面的垂直方向的夾角為30度。
5.如權(quán)利要求1至4任一項所述的金屬掩膜板,其特征在于,各所述對位孔在所述金屬掩膜板中的延伸方向相同。
6.如權(quán)利要求1至4任一項所述的金屬掩膜板,其特征在于,同一行的各所述對位孔在所述金屬掩膜板中的延伸方向相同/相向,同一列的各所述對位孔在所述金屬掩膜板中的延伸方向相向/相同;或者,對角設(shè)置的各所述對位孔在所述金屬掩膜板中的延伸方向相同或相向。
7.如權(quán)利要求1至4任一項所述的金屬掩膜板,其特征在于,平行于所述金屬掩膜板所在平面的所述對位孔的截面為規(guī)則的幾何圖形。
8.如權(quán)利要求7所述的金屬掩膜板,其特征在于,平行于所述金屬掩膜板所在平面的所述對位孔的截面為圓形。
9.如權(quán)利要求1至4任一項所述的金屬掩膜板,其特征在于,所述對位孔的兩端面之間的間距大于所述金屬掩膜板的厚度的1/3。
10.如權(quán)利要求2至4任一項所述的金屬掩膜板,其特征在于,所述吸光層為碳納米管材料形成的涂層。
【文檔編號】C23C14/24GK103966546SQ201410178390
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年4月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月29日
【發(fā)明者】張鵬 申請人:京東方科技集團股份有限公司