一種帶有復合鍍膜的釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種帶有復合鍍膜的釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，首先進行合金熔煉，在熔融狀態(tài)下將合金澆鑄到帶水冷卻的旋轉(zhuǎn)銅輥上冷卻形成合金片,接著進行氫破碎，氫破碎后進行混料，混料后進行氣流磨，之后在氮氣保護下用混料機混料后送到氮氣保護磁場取向壓機成型，成形后在保護箱內(nèi)封裝，然后取出進行等靜壓，之后送入燒結(jié)設(shè)備燒結(jié)和時效制成釹鐵硼稀土永磁磁體，之后進行機械加工制成釹鐵硼稀土永磁器件，之后對釹鐵硼稀土永磁器件進行鍍膜，鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為：0.02-5μm，第二層為磁控濺射和多弧離子鍍的混合鍍層，鍍層厚度為：1-10μm，第三層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為：0.1-5μm；采用復合鍍膜作稀土永磁器件的表面處理工序，不僅提高了稀土永磁器件的抗腐蝕能力，同時也提高了稀土永磁器件的磁性能。
【專利說明】—種帶有復合鍍膜的釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于永磁器件領(lǐng)域，特別是涉及一種帶有復合鍍膜的釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]釹鐵硼稀土永磁材料，以其優(yōu)良的磁性能得到越來越多的應用，被廣泛用于醫(yī)療的核磁共振成像，計算機硬盤驅(qū)動器，音響、手機等；隨著節(jié)能和低碳經(jīng)濟的要求，釹鐵硼稀土永磁材料又開始在汽車零部件、家用電器、節(jié)能和控制電機、混合動力汽車，風力發(fā)電等領(lǐng)域應用。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)的稀土永磁器件的表面處理工藝主要有電鍍N1-Cu-N1、電鍍Zn、電泳、噴涂等技術(shù)，也有采用真空鍍鋁的方法，如中國專利ZL96192129.3，揭示了真空鍍Ti和AlN的方法；另一個中國專利ZL01111757.5揭示了采用真空蒸發(fā)鍍鋅、鋁、錫、鎂的方法。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)如圖1所示，在真空處理腔I內(nèi)部的上區(qū)有兩個支撐件7并排設(shè)置，可以繞一個水平旋轉(zhuǎn)軸線上的轉(zhuǎn)軸6轉(zhuǎn)動。由不銹鋼絲網(wǎng)形成的六個圓筒5裝入磁件14，由轉(zhuǎn)軸8在支撐件7的轉(zhuǎn)軸6的外側(cè)圓周方向中并支撐為一個環(huán)形，用于繞轉(zhuǎn)軸6旋轉(zhuǎn)。作為用于蒸發(fā)的材料鋁絲9的蒸發(fā)段的多個加熱舟2設(shè)置在一個在處理腔I下區(qū)中的支撐平臺3上升起的加熱舟支撐基座4上。鋁絲9固定和纏繞在支撐平臺3之下的一個供給輥子10上。鋁絲9的前端由面向加熱舟2的一個內(nèi)表面的熱阻保護管11導向達到加熱舟2上，一個凹口 12設(shè)置在保護管11的一部分中，而進給齒輪13對應于凹口 12安裝，并直接與鋁絲9接觸，這樣通過進給鋁絲9可以恒定地將鋁絲供入加熱舟2中，加熱蒸發(fā)沉積到轉(zhuǎn)動的料筒5中的磁件14上完成其表面鍍鋁。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)采用蒸發(fā)鍍膜，膜層與基體的結(jié)合力差，提高稀土永磁器件的抗腐蝕能力存在不足；也有的現(xiàn)有技術(shù)采用了磁控濺射鍍膜，由于磁控濺射的效率低，不適合低成本大批量生產(chǎn)，也有的沒有解決裝卡技術(shù)，不易裝卡，生產(chǎn)麻煩；也有的現(xiàn)有技術(shù)采用多弧離子鍍膜，由于多弧離子鍍膜時存在大顆粒，不能達到稀土永磁器件的耐腐蝕性要求，為了解決多弧離子鍍的缺點，現(xiàn)有技術(shù)也有人想到了采用多弧離子鍍與磁控濺射鍍復合鍍膜，但都沒有解決高效率、低成本、大批量生產(chǎn)技術(shù)，設(shè)備結(jié)構(gòu)存在不足；特別是現(xiàn)有技術(shù)的稀土永磁器件的電鍍化學處理工藝，能耗高有污染，要求昂貴的水處理設(shè)備，處理不當對生態(tài)環(huán)境有嚴重影響，因本發(fā)明的生產(chǎn)工藝過程在真空中進行，不使用對環(huán)境污染物質(zhì)，不會給生態(tài)環(huán)境造成污染，同時還消除在電鍍工藝過程中的“電池”作用對磁性能的降低的影響。為此，本發(fā)明提供一種新型稀土永磁器件的真空復合鍍膜設(shè)備彌補了現(xiàn)有技術(shù)的不足；另外采用本發(fā)明的設(shè)備生產(chǎn)的釹鐵硼稀土永磁器件不僅提高了稀土永磁器件的抗腐蝕能力，還提高了稀土永磁器件的磁性能，明顯提高稀土永磁器件的磁能積和矯頑力，節(jié)約稀缺的稀土資源，尤其是節(jié)約了更稀缺的重稀土用量。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明是提供一種帶有復合鍍膜的釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)提高稀土永磁器件的磁性能和提高的抗腐蝕能力:
一種釹鐵硼稀土永磁器件復合鍍膜設(shè)備，包括真空鍍膜室、充氣系統(tǒng)、圓柱陰極磁控靶、平面陰極磁控靶、陰極多弧離子靶、陽極層線性離子源、轉(zhuǎn)架和料筐；所述的真空鍍膜室由臥式真空殼體、前門和后蓋組成，前門和真空殼體通過橡膠密封圈密封，后蓋或者焊接在臥式真空殼體上或者通過連接件連接，轉(zhuǎn)架的傳動裝置安裝在后蓋上，真空室外的電機傳動軸通過動密封裝置傳送到真空鍍膜室內(nèi)；轉(zhuǎn)架設(shè)計在真空鍍膜室內(nèi)，通過轉(zhuǎn)軸支撐在框架上，框架固定在真空殼體上；轉(zhuǎn)架的軸線與臥式真空殼體的軸線平行，網(wǎng)狀料筐兩端有轉(zhuǎn)軸安裝在轉(zhuǎn)架上，轉(zhuǎn)軸的軸線與轉(zhuǎn)架的軸線平行，轉(zhuǎn)架圍繞真空殼體的軸線公轉(zhuǎn)，網(wǎng)狀料筐即隨轉(zhuǎn)架一起公轉(zhuǎn)又自轉(zhuǎn)。
[0007]圓柱陰極磁控靶安裝在真空鍍膜室內(nèi)的后蓋上，電源、冷卻水和傳動裝置由外部引入，圓柱陰極磁控靶位于轉(zhuǎn)架的內(nèi)部，軸線與轉(zhuǎn)架軸線平行。所述的圓柱陰極磁控靶設(shè)置為一個以上。
[0008]所述的圓柱陰極磁控靶內(nèi)裝有多個軸向充磁的磁環(huán)，磁環(huán)間有導磁環(huán)，磁環(huán)相對于圓柱陰極磁控靶軸向往復移動。
[0009]所述的圓柱陰極磁控祀內(nèi)或者裝有多條徑向充磁的磁條,磁條在圓柱陰極磁控革巴內(nèi)沿著圓周分布，磁條間有間隔，磁條的數(shù)量為3條或者3條以上，磁條相對于圓柱陰極磁控靶同軸轉(zhuǎn)動。
[0010]所述的磁環(huán)或者磁條由釹鐵硼稀土永磁制造。
[0011]平面陰極磁控靶安裝在真空殼體上，分布在轉(zhuǎn)架的外圍，所述的平面陰極磁控靶內(nèi)設(shè)置有跑道形狀的環(huán)狀磁條，磁條由釹鐵硼稀土永磁制造，用冷卻水冷卻，數(shù)量一個以上。
[0012]陰極多弧離子靶安裝在真空殼體上`，分布在轉(zhuǎn)架的外圍，所述的陰極多弧離子靶為方形或圓形，內(nèi)部設(shè)置有磁鐵，磁鐵由釹鐵硼稀土永磁制造，用冷卻水冷卻，數(shù)量一個以上。
[0013]陽極層線性離子源安裝在真空殼體上，分布在轉(zhuǎn)架的外圍。
[0014]所述的真空鍍膜室內(nèi)設(shè)置有加熱器，加熱溫度范圍在100-600°C。
[0015]一種帶有復合鍍膜的釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，首先進行合金熔煉，在熔融狀態(tài)下將合金澆鑄到帶水冷卻的旋轉(zhuǎn)銅輥上冷卻形成合金片，接著進行氫破碎，氫破碎后進行混料，混料后進行氣流磨，之后在氮氣保護下用混料機混料后送到氮氣保護磁場取向壓機成型，成形后在保護箱內(nèi)封裝，然后取出進行等靜壓，之后送入燒結(jié)設(shè)備燒結(jié)和時效制成釹鐵硼稀土永磁磁體，之后進行機械加工制成釹鐵硼稀土永磁器件，之后對釹鐵硼稀土永磁器件進行鍍膜，鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為:0.02-5 μ m，第二層為磁控濺射和多弧離子鍍的混合鍍層，鍍層厚度為:1-10 μ m，第三層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為:0.1-5 μ m。
[0016]所述的復合鍍膜工序，鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍層，鍍層為Dy-Al、Tb-Al中的一種，第二層為磁控濺射和多弧離子鍍的混合鍍層，鍍層為Al、N1-Cr中的一種以上，第三層為磁控濺射鍍層，鍍層為Al。
[0017]所述的鍍膜靶材為Al、Dy-Al、Tb-Al、Dy-Fe、Tb-Fe、N1-Cr、T1、Mo、S1、Al2O3^ZrO2,AZO中的一種以上。
[0018]所述的釹鐵硼稀土永磁器件的膜系，為Al、Dy-Al、Tb-Al, Dy-Fe, Tb-Fe中的一種以上。
[0019]所述的釹鐵硼稀土永磁器件的膜系為Al、Ni_Cr、T1、Mo、S1、Al203、Zr02、AZ0中的一種以上。
[0020]所述的釹鐵硼稀土永磁器件的膜系為Al。
[0021]所述的充氣系統(tǒng)或者充入一種氣體或者充入一種以上的氣體。
[0022]所述的充氣系統(tǒng)充入的氣體為氬氣、氮氣、氧氣、氫氣中的一種以上。
[0023]所述的充氣系統(tǒng)充入的氣體為氬氣。
[0024]所述的鍍膜過程中還充入氬氣和氧氣，氧氣/氬氣的體積百分數(shù)在0.1_5%，氧氣的充入提聞了欽鐵砸稀土永磁器件的電阻率，電阻率提聞有利于減少潤流，提聞磁體的使用溫度。
[0025]所述的真空泵為機械真空泵、羅茨真空泵、油擴散真空泵、分子泵中的一種以上。
[0026]所述的磁控濺射鍍膜條件為，溫度3(T60(TC，沉積壓強為氬氣條件下0.1-ΙΡβ,功率密度為f20w/cm2 ;線性離子源的放電電壓10(T3000V，離子能量10(T2000eV，氬氣條件下工作氣壓0.01-1Ρβο所述的鍍膜工序中采用磁控濺射鍍膜和多弧離子鍍膜，磁控濺射鍍膜和多弧離子鍍膜單獨、交替或同時進行工作。
[0027]稀土永磁器件在機械加工工序之后進行復合鍍膜工序，鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為:0.02-5 μ m，第二層為磁控濺射和多弧離子鍍的混合鍍層，鍍層厚度為=1-1Oym,第三層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為:0.1-5 μ m。
[0028]所述的復合鍍膜工序，鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍層，鍍層為Al、Dy-Al、Tb-Al, Dy-Fe, Tb-Fe中的一種，第二層為磁控濺射和多弧離子鍍的混合鍍層，鍍層為Al、Ni_Cr、T1、Mo、S1、Al203、Zr02、AZ0中的一種以上，第三層為磁控濺射鍍層，鍍層為Al、N1-Cr、T1、Mo、S1、Al2O3、ZrO2、AZO 中的一種以上。
[0029]所述的復合鍍膜工序，鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍層，鍍層為Dy-Al、Tb-Al, Dy-Fe, Tb-Fe中的一種，第二層為磁控濺射和多弧離子鍍的混合鍍層，鍍層為Al、N1-Cr、A1203、ZrO2, AZO中的一種以上，第三層為磁控濺射鍍層，鍍層為Al、N1-Cr, A1203、Zr02、AZ0中的一種以上。
[0030]所述的復合鍍膜工序，鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍層，鍍層為Al、Ni_Cr中的一種或一種以上，第二層為磁控濺射和多弧離子鍍的混合鍍層，鍍層為Al、N1-Cr中的一種或一種以上,第三層為磁控派射鍍層,鍍層為Al、N1-Cr中的一種或一種以上。
[0031]鍍膜工序前稀土永磁器件要進行噴砂工序，噴砂采用的材料是石英、玻璃微珠、氧化招、氧化鋪、氧化鑭、氧化鋪和氧化鑭的混合物、氧化錯的一種或一種以上。
[0032]鍍膜工序前或者有噴涂工序，噴涂材料為鋁或含鋁的化合物、電泳漆中的一種。
[0033]鍍膜工序中或者有控制鍍膜過程的永磁器件加熱工序，溫度范圍在100-600°C。
[0034]鍍膜工序后或者有熱處理工序。
[0035]所述的熱處理工序的熱處理溫度在110_890°C。
[0036]所述的熱處理工序的熱處理在真空或保護氣氛下進行。
[0037]臥式釹鐵硼稀土永磁器件復合鍍膜設(shè)備或者安裝在潔凈廠房中，廠房的潔凈度在10，OOO級以上。
[0038]金相分析顯示，所述的一種帶有復合鍍膜的釹鐵硼稀土永磁器件從器件表面向內(nèi)延伸Imm范圍內(nèi)主相晶粒中的重稀土的含量高于器件主相晶粒中重稀土的含量，含量高的重稀土分布在主相R2T14B的外圍，形成RH2T14B包圍R2T14B的新主相結(jié)構(gòu)，RH2T14B相與R2T14B相間無晶界相；其中，R代表在釹鐵硼稀土永磁體金相結(jié)構(gòu)中主相中的稀土，T代表元素Fe和Co，RH表示主相中重稀土的含量高于平均值的稀土。
[0039]本發(fā)明的有益效果:找到了一種帶有復合鍍膜的釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，明顯提高釹鐵硼稀土永磁器件的耐腐蝕性能，使釹鐵硼稀土永磁器件能用于海上風電、混合動力汽車等高耐蝕性要求的領(lǐng)域，擴大了釹鐵硼稀土永磁的用途；一般情況下，釹鐵硼稀土永磁的表面涂層都會降低磁性能，本發(fā)明發(fā)現(xiàn)采用本發(fā)明的設(shè)備和工藝生產(chǎn)的釹鐵硼稀土永磁器件的磁性能，尤其是磁能積和矯頑力得到明顯提高，為提高釹鐵硼稀土永磁的磁性能找到了新方法，對減少稀土用量，保護稀缺的自然資源具有重要意義。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0040]下面通過附圖進一步說明本發(fā)明:
圖1為現(xiàn)有技術(shù)的的真空鍍膜示意圖 圖2為本發(fā)明的的真空鍍膜示意圖
圖中:1、真空處理腔；2、加熱舟；3、支撐平臺；4、加熱舟支撐基座；5、裝料圓筒；6、繞轉(zhuǎn)軸；7、支撐件；8、轉(zhuǎn)軸；9、鋁絲；10、輥子；11、熱阻保護管；12、凹口 ；13、進給齒輪；14、磁件；15、真空殼體；16、陽極層線性離子源；17、多弧離子源；18、真空泵；19、平面磁控靶；20、加熱裝置；21、I級自動齒輪；22、I級從動齒輪；23、II級主動齒輪；24、II級從動齒輪；25、轉(zhuǎn)架；26、料筐；27、永磁器件；28、圓柱磁控靶；29、轉(zhuǎn)軸I ;30、轉(zhuǎn)軸II ;31、抽真空管路。
[0041]如圖2所示，本發(fā)明為磁控濺射鍍膜和多弧離子鍍膜組合工作的真空鍍膜設(shè)備。在一個連接有真空泵18的臥式真空殼體15的中心線上設(shè)有一個圓柱型旋轉(zhuǎn)磁控靶28，在轉(zhuǎn)架25的圓周上布置有多個(圖中為8個)不銹鋼網(wǎng)制成的料筐26，料筐26內(nèi)裝有永磁器件27。真空室外的驅(qū)動電機(未標出)通過動密封傳動軸連接I級主動齒輪21，帶動固定在轉(zhuǎn)架25上的I級從動齒輪22完成轉(zhuǎn)架25繞轉(zhuǎn)軸I 29公轉(zhuǎn)。固定在真空殼體15上的II級主動齒輪23通過轉(zhuǎn)架25的公轉(zhuǎn)帶動II級從動齒輪24繞轉(zhuǎn)軸II 30自轉(zhuǎn)，料筐26的兩端設(shè)有轉(zhuǎn)軸與轉(zhuǎn)軸II 30聯(lián)接，因此料筐26可以達到公轉(zhuǎn)加自轉(zhuǎn)目的，使永磁器件27在料筐26內(nèi)翻炒被均勻沉積上靶材材料。在圓形真空殼體15外部設(shè)有陽極層線性離子源16，多個多弧離子源17，連接真空泵18的抽真空管路31，多個平面磁控靶19和加熱裝置20。
[0042]鍍膜工序前真空室抽真空達到E_4Pa量級，回充氬氣，工作氣壓0.01-1Ρβ,料筐26公轉(zhuǎn)加自轉(zhuǎn)，啟動陽極層線性離子源，放電電壓10(T3000V，離子轟擊永磁器件27，經(jīng)過5~10分鐘停止轟擊。料筐26是絕緣的，也可以接負壓-5(T-200V。先期離子轟擊清洗的目的，是清洗永磁器件27表面的氧化物、含碳氫化物，使其表面粗化增加表面能和離子輔助沉積等作用。加熱裝置20對料筐26和料筐26內(nèi)永磁器件27加熱到12(T600°C，起到除去水汽，提高膜層附著力作用。鍍膜工序是在加熱到200°C時，料筐26公轉(zhuǎn)加自轉(zhuǎn)并經(jīng)高壓離子清洗后，真空室15再次抽真空達到E-4Pa量級，回充氬氣，工作氣壓0.flPa，分別或同時啟動平面磁控靶19、圓柱型磁控濺射靶28和多弧離子源17，使其分別單獨工作或交替工作或同時工作，將靶材材料沉積到永磁器件27上形成單質(zhì)膜和介質(zhì)膜的涂層。
【具體實施方式】
[0043]下面通過實施例的對比進一步說明本發(fā)明的顯著效果。
[0044]實施例1
按如下工藝制造:
1、分別按表一 A1、A2、A3、A4成分選取合金600Kg熔煉，在熔融狀態(tài)下將合金澆鑄到帶水冷卻的旋轉(zhuǎn)銅輥上冷卻形成合金片，接著進行氫破碎，氫破碎后進行混料，混料后進行氣流磨，之后在氮氣保護下用混料機混料后送到氮氣保護磁場取向壓機成型，保護箱內(nèi)的氧含量150ppm，取向磁場強度1.8T，模腔內(nèi)溫度2°C，磁塊尺寸62 X 52 X 42mm，取向方向為42尺寸方向，成形后在保護箱內(nèi)封裝，然后取出進行等靜壓，等靜壓壓力200MPa，之后送入燒結(jié)設(shè)備燒結(jié)和時效。
[0045]2、時效后進行機械加工，加工成方片30X20X10 mm尺寸，將工件選擇性進行倒角、噴砂、噴鋁、電泳、噴涂、之后進行真空鍍膜，第一層采用磁控濺射鍍膜，第二層為磁控濺射和多弧離子鍍的混合鍍層，第三層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度分別為:0.02-5 μ m，
0.1-15 μ m, 1-5 μ m，有的實驗還進行了鍍第四層，第四層為磁控濺射鍍層，厚度0.1-5 μ m，第四層未標注元素符號的為只有三層鍍膜，各層選用的材料、磁性能和耐腐蝕性能的測量結(jié)果列入表二。
[0046]表一、實施例和對比例的稀土永磁合金的成分_
【權(quán)利要求】
1.一種帶有復合鍍膜的釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于:首先進行合金熔煉，在熔融狀態(tài)下將合金澆鑄到帶水冷卻的旋轉(zhuǎn)銅輥上冷卻形成合金片，接著進行氫破碎，氫破碎后進行混料，混料后進行氣流磨，之后在氮氣保護下用混料機混料后送到氮氣保護磁場取向壓機成型，成形后在保護箱內(nèi)封裝，然后取出進行等靜壓，之后送入燒結(jié)設(shè)備燒結(jié)和時效制成釹鐵硼稀土永磁磁體，之后進行機械加工制成釹鐵硼稀土永磁器件，之后在真空鍍膜室內(nèi)對釹鐵硼稀土永磁器件進行磁控濺射鍍膜和多弧離子鍍的復合鍍膜，鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為:0.02-5 μ m，第二層為磁控濺射和多弧離子鍍的復合鍍層，鍍層厚度為:1-10μm，第三層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為:0.1-5 μ m0
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶有復合鍍膜的釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于:所述的真空鍍膜室內(nèi)設(shè)置有加熱器，加熱溫度范圍在30-600°C。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶有復合鍍膜的釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于:所述的復合鍍膜工序后還有熱處理工序，熱處理溫度60-900°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶有復合鍍膜的釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于:所述的真空鍍膜室內(nèi)設(shè)置有陽極層線性離子源，所述的復合鍍膜條件為，溫度3(T600°C，沉積壓強為氬氣條件下0.1~1Pa,功率密度為f 20w/cm2，線性離子源的放電電壓10(T3000V，離子能量10(T2000eV，氬氣條件下工作氣壓0.01~IPa，所述的復合鍍膜工序中采用磁控濺射鍍膜和多弧離子鍍膜單獨、交替或同時進行工作。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶有復合鍍膜的釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于:所述的復合鍍膜過程中還充入氬氣和氧氣，氧氣/氬氣的體積百分數(shù)在0.1-5%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶有復合鍍膜的釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于:所述的復合鍍膜屬于物理氣相沉積，磁控鍍膜材料為Al、Dy-Al、Tb-Al, Dy-Fe,Tb-Fe、T1、Mo、S1、不銹鋼、A1203、ZrO、AZO中的一種，所述的磁控濺射和多弧離子鍍的復合鍍層，鍍膜材料為Al、T1、Mo、S1、不銹鋼、A1203、ZrO、ITO、AZO中的一種以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶有復合鍍膜的釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于:所述的復合鍍膜工序前還有噴砂工序，噴砂采用的材料是石英、玻璃微珠、氧化鋁、氧化鈰、氧化鑭、氧化鈰和氧化鑭的混合物、氧化鋯的一種以上，鍍膜工序前或者還有噴涂工序，噴涂材料為鋁或含鋁的化合物、電泳漆中的一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶有復合鍍膜的釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于:所述的復合鍍膜工序，鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍層，鍍層為Al、Dy-Al、Tb-Al, Dy-Fe, Tb-Fe中的一種，第二層為磁控濺射和多弧離子鍍的復合鍍層，鍍層為Al、N1-Cr、T 1、Mo、S 1、A1203、Zr O2、AZO中的一種以上，第三層為磁控濺射鍍層，鍍層為A1、N1-Cr、T1、Mo、S1、Al2O3、ZrO2、AZO 中的一種以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶有復合鍍膜的釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于:所述的復合鍍膜工序，鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍層，鍍層為Dy-Al、Tb-Al中的一種，第二層為磁控濺射和多弧離子鍍的混合鍍層，鍍層為Al、N1-Cr中的一種以上，第三層為磁控濺射鍍層，鍍層為Al。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶有復合鍍膜的釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于:所述的一種帶有復合鍍膜的釹鐵硼稀土永磁器件表面外向內(nèi)延伸0.5mm范圍內(nèi)，主相晶粒中重稀土的含量高于晶粒主相中重稀土的含量，含量高的重稀土分布在主相R2T14B的外圍，形成RH2T14B包圍R2T14B的新主相結(jié)構(gòu)，RH2T14B相與R2T14B相間無晶界相。
11.一種如權(quán)利要求1所述的釹鐵硼稀土永磁器件的復合鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述的復合鍍膜設(shè)備包括真空鍍膜室、圓柱陰極磁控靶、平面陰極磁控靶、陰極多弧離子靶、陽極層線性離子源、轉(zhuǎn)架和料筐；所述的真空鍍膜室由真空殼體、前門和后蓋組成，前門和真空殼體通過橡膠密封圈密封，后蓋或者焊接在真空殼體上或者通過連接件連接；轉(zhuǎn)架設(shè)計在真空鍍膜室內(nèi)，通過轉(zhuǎn)軸支撐在框架上，框架固定在真空殼體上；轉(zhuǎn)架的軸線與真空殼體的軸線平行，網(wǎng)狀料筐兩端有轉(zhuǎn)軸安裝在轉(zhuǎn)架上，轉(zhuǎn)軸的軸線與轉(zhuǎn)架的軸線平行，轉(zhuǎn)架圍繞真空殼體的軸線公轉(zhuǎn)，網(wǎng)狀料筐即隨轉(zhuǎn)架一起公轉(zhuǎn)又自轉(zhuǎn)；所述的圓柱陰極磁控靶安裝在真空鍍膜室內(nèi)的后蓋上，圓柱陰極磁控靶位于轉(zhuǎn)架的內(nèi)部，軸線與轉(zhuǎn)架軸線平行；圓柱陰極磁控靶設(shè)置為一個以上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的復合鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述的圓柱陰極磁控靶內(nèi)裝有多個軸向充磁的磁環(huán)，磁環(huán)間有導磁環(huán)，磁環(huán)相對于圓柱陰極磁控靶軸向往復移動，所述的磁環(huán)由釹鐵硼稀土永磁制造。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的復合鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述的圓柱陰極磁控靶內(nèi)或者裝有多條徑向充磁的磁條，磁條在圓柱陰極磁控靶內(nèi)沿著圓周分布，磁條間有間隔，磁條的數(shù)量為3條或者3條以上，磁條相對于圓柱陰極磁控靶材套管同軸轉(zhuǎn)動，所述的磁條由釹鐵硼稀土永磁制造。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的復合鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述的平面陰極磁控靶安裝在真空殼體上，分布在轉(zhuǎn)架的外圍，所述的平面陰極磁控靶內(nèi)設(shè)置有跑道形狀的環(huán)形磁條，磁條由釹鐵硼稀土永磁制造，用冷卻水冷卻，數(shù)量為一個以上。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的復合鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述的陰極多弧離子靶安裝在真空殼體上，分布在轉(zhuǎn)架的外圍，所述的陰極多弧離子靶為方形或圓形，內(nèi)部設(shè)置有磁鐵`，磁鐵由釹鐵硼稀土永磁制造，用冷卻水冷卻，數(shù)量為一個以上。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的復合鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述的陽極層線性離子源安裝在真空殼體上，分布在轉(zhuǎn)架的外圍。
【文檔編號】C23C14/35GK103824693SQ201410107547
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2014年3月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月22日
【發(fā)明者】孫寶玉, 陳曉東 申請人:沈陽中北通磁科技股份有限公司