磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】一種磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，包括第一間歇性充氣組件、第二間歇性充氣組件、進(jìn)片室、進(jìn)片過渡室、進(jìn)片緩沖室、濺射室、出片緩沖室、出片過渡室和出片室；進(jìn)片過渡室和進(jìn)片緩沖室之間設(shè)置第一門閥，出片過渡室和出片緩沖室之間設(shè)置第二門閥；第一間歇性充氣組件包括第一間歇性開關(guān)、第一間歇性開關(guān)電磁閥和第一延時器，第一間歇性開關(guān)設(shè)于進(jìn)片過渡室上；第二間歇性充氣組件包括第二間歇性開關(guān)、第二間歇性開關(guān)電磁閥和第二延時器，第二間歇性開關(guān)設(shè)于出片過渡室上；第一間歇性開關(guān)電磁閥與第一門閥并聯(lián)，第一延時器與第一門閥串聯(lián)，第二間歇性開關(guān)電磁閥與第二門閥并聯(lián)，第二延時器與第二門閥串聯(lián)。該系統(tǒng)解決了氣體的浪費問題，利于工藝穩(wěn)定。
【專利說明】磁控濺射鍍膜系統(tǒng)【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及磁控濺射【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種磁控濺射鍍膜系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]磁控濺射鍍膜法是目前鍍膜常采用的一種鍍膜方法。在進(jìn)行磁控濺射鍍膜之前，需要進(jìn)行抽氣，以除去雜質(zhì)氣體和使系統(tǒng)達(dá)到一定的真空度。在進(jìn)行鍍膜時，為了平衡濺射室的壓力，經(jīng)常會在進(jìn)片過渡室和出片過渡室充入工藝氣體，使進(jìn)片過渡室的壓力與濺射室的壓力平衡，出片過渡室的真空度與濺射室的壓力平衡。
[0003]然而，目前的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)中，為了平衡濺射室的壓力，只能對進(jìn)片過渡室和出片過渡室持續(xù)充氣，會造成氣體的浪費。并且，連續(xù)鍍膜時，各個室之間的閥門的經(jīng)常性開啟和關(guān)閉會導(dǎo)致進(jìn)片室的雜質(zhì)氣體會進(jìn)入進(jìn)片過渡室，再進(jìn)入濺射室。出片室的雜質(zhì)氣體會進(jìn)入出片過渡室，再進(jìn)入濺射室。而因進(jìn)片過渡室和出片過渡室持續(xù)性地充氣，會導(dǎo)致進(jìn)片過渡室和出片過渡室無法有效地將雜質(zhì)氣體抽干凈，不利于工藝的穩(wěn)定。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種有利于工藝穩(wěn)定的磁控派射鍍膜系統(tǒng)。
[0005]一種磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，包括第一間歇性充氣組件、第二間歇性充氣組件和呈直線式排列的進(jìn)片室、進(jìn)片過渡室、進(jìn)片緩沖室、濺射室、出片緩沖室、出片過渡室和出片室；其中，
[0006]所述進(jìn)片過渡室和進(jìn)片緩沖室之間設(shè)置有第一門閥，所述出片過渡室和出片緩沖室之間設(shè)置有第二門閥，所述第一門閥包括第一控制電磁閥，所述第二門閥包括第二控制電磁閥；
[0007]所述第一間歇性充氣組件包括第一間歇性開關(guān)、第一間歇性開關(guān)電磁閥和第一延時器，所述第一間歇性開關(guān)設(shè)置于所述進(jìn)片過渡室上；
[0008]所述第二間歇性充氣組件包括第二間歇性開關(guān)、第二間歇性開關(guān)電磁閥和第二延時器，所述第二間歇性開關(guān)設(shè)置于所述出片過渡室上；
[0009]所述第一間歇性開關(guān)電磁閥的開關(guān)電線路與所述第一控制電磁閥的開關(guān)電線路并聯(lián)，所述第一延時器的電線路與所述第一控制電磁閥的開關(guān)電線路串聯(lián)，所述第二間歇性開關(guān)電磁閥的開關(guān)線路與所述第二控制電磁閥的開關(guān)線路并聯(lián)，所述第二延時器的電線路與所述第二控制電磁閥的開關(guān)電線路串聯(lián)。
[0010]在其中一個實施例中，所述派射室包括依次排列的第一腔室、第二腔室、第三腔室和第四腔室。
[0011]在其中一個實施例中，所述第一腔室、第二腔室、第三腔室和第四腔室中，每個腔室均設(shè)置有兩個靶位。
[0012]在其中一個實施例中 ，所述第一腔室和第二腔室均為中頻濺射腔室，所述第三腔室和第四腔室均為直流濺射腔室。[0013]在其中一個實施例中，所述磁控濺射鍍膜系統(tǒng)還包括隔離室，所述隔離室設(shè)置于所述第二腔室和第三腔室之間。
[0014]在其中一個實施例中，還包括十個加熱器，所述十個加熱器分別設(shè)置于所述進(jìn)片
室、進(jìn)片過渡室、進(jìn)片緩沖室、第一腔室、第二腔室、隔離室、第三腔室、第四腔室、出片緩沖室和出片過渡室中。
[0015]在其中一個實施例中，還包括氣體流量計，所述氣體流量計與所述第一間歇性開關(guān)通過氣管連通，所述氣體流量計與所述第二間歇性開關(guān)通過氣管連通。
[0016]在其中一個實施例中，還包括抽真空裝置，所述抽真空裝置包括機械泵、羅茨泵和分子泵，所述機械泵均與所述進(jìn)片室、進(jìn)片過渡室、進(jìn)片緩沖室、濺射室、出片緩沖室、出片過渡室和出片室連通，所述羅茨泵均與所述進(jìn)片室、進(jìn)片過渡室、進(jìn)片緩沖室、濺射室、出片緩沖室、出片過渡室和出片室連通，所述分子泵與所述進(jìn)片過渡室、進(jìn)片緩沖室、濺射室、出片緩沖室和出片過渡室連通。
[0017]上述磁控濺射鍍膜系統(tǒng)設(shè)置了第一間歇性充氣組件和第二間歇性充氣組件。通過將第一間歇性開關(guān)電磁閥的開關(guān)電線路與第一控制電磁閥的開關(guān)電線路并聯(lián)及將第一延時器的電線路與第一控制電磁閥的開關(guān)電線路串聯(lián)，以控制第一門閥關(guān)閉時，第一間歇性開關(guān)也處于關(guān)閉狀態(tài)，能夠?qū)⑦M(jìn)片過渡室的雜質(zhì)氣體抽干凈，有利于工藝的穩(wěn)定；并且，在第一門閥打開前幾秒，第一間歇性開關(guān)處于打開狀態(tài)進(jìn)行充氣以平衡真空壓力后，再打開第一門閥，有效地解決了氣體的浪費問題?；谙嗤脑恚诙g隙性充氣組件能夠?qū)⒊銎^渡室的雜質(zhì)氣體抽干凈，有利于工藝的穩(wěn)定，并解決了氣體的浪費問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為一實施方式的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為圖1所示的磁 控濺射鍍膜系統(tǒng)的第一間歇性充氣組件和流量計的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0020]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
[0021]請參閱圖1，一實施方式的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200，包括進(jìn)片室10、進(jìn)片過渡室20、進(jìn)片緩沖室30、濺射室40、出片緩沖室50、出片過渡室60、出片室70、第一間歇性充氣組件和第二間隙性充氣組件。
[0022]進(jìn)片室10、進(jìn)片過渡室20、進(jìn)片緩沖室30、濺射室40、出片緩沖室50、出片過渡室60和出片室70依次排列，且呈直線式排列。
[0023]進(jìn)片過渡室20和進(jìn)片緩沖室30之間設(shè)置有第一門閥100。第一門閥100打開時，進(jìn)片過渡室20和進(jìn)片緩沖室30連通。請同時參閱圖2，第一門閥100包括第一開關(guān)閥(圖未不)、第一控制氣缸101和控制第一氣缸運動的第一控制電磁閥(圖未不)。通過第一控制氣缸101的運動控制第一開關(guān)閥的開啟和關(guān)閉。[0024]出片過渡室60和出片緩沖室50之間設(shè)置有第二門閥110。第二門閥110打開時，出片過渡室60和出片緩沖室50連通。第二門閥110包括第二開關(guān)閥(圖未示)、第二控制氣缸(圖未不)和控制第二氣缸運動第二控制電磁閥(圖未不)。通過第二控制氣缸的運動控制第二開關(guān)閥的開啟和關(guān)閉。
[0025]請一并參閱圖1和圖2，第一間歇性充氣組件包括第一間歇性開關(guān)82、第一間歇性開關(guān)電磁閥84和第一延時器86。第一間歇性開關(guān)82設(shè)置于進(jìn)片過渡室20的室壁上。當(dāng)?shù)谝婚g歇性開關(guān)82打開時，使工藝氣體能經(jīng)流量計140向進(jìn)片過渡室20充氣。
[0026]第一間歇性開關(guān)電磁閥84的開關(guān)電線路與第一門閥100的開關(guān)電線路并聯(lián)，即第一間歇性開關(guān)電磁閥84的開關(guān)線路與第一門閥100的第一控制電磁閥的開關(guān)線路并聯(lián)。第一延時器86的電線路與第一門閥100的第一控制電磁閥的開關(guān)電線路串聯(lián)。
[0027]通過設(shè)置第一間歇性充氣組件，控制第一門閥100關(guān)閉時，第一間歇性開關(guān)82也處于關(guān)閉狀態(tài)，此時，進(jìn)片過渡室20處于不充氣狀態(tài)，能夠用抽真空裝置將進(jìn)片過渡室20中的雜質(zhì)氣體抽干凈。
[0028]由于第一延時器86的電線路與第一門閥100的第一控制電磁閥的開關(guān)電線路串聯(lián)，打開第一間歇性開關(guān)82時，第一門閥100不同時打開，而是延后一定的時間再打開，待工藝氣體經(jīng)過第一間歇性開關(guān)82進(jìn)入進(jìn)片過渡室20，平衡濺射室40的壓力后再打開第一門閥100，有效地解決了氣體的浪費問題。
[0029]第二間隙性充氣組件包括第二間歇性開關(guān)92、第二間歇性開關(guān)電磁閥和第二延時器。第二間歇性開關(guān)92設(shè)置于出片過渡室60的室壁上。第二間歇性開關(guān)92與流量計140通過氣管連通。當(dāng)?shù)诙g歇性開關(guān)92打開時，使工藝氣體經(jīng)流量計140流向出片過渡室60。
[0030]第二間歇性開關(guān)電磁閥的開關(guān)電線路與第二門閥110的開關(guān)電線路并聯(lián)，即第二間歇性開關(guān)電磁閥的開關(guān)線路與 第二門閥110的第二控制電磁閥的開關(guān)線路并聯(lián)。第二延時器的電線路與第二門閥110的第二控制電磁閥的開關(guān)電線路串聯(lián)。
[0031]通過設(shè)置第二間歇性充氣組件，控制第二門閥110關(guān)閉時，第二間歇性開關(guān)92也處于關(guān)閉狀態(tài)，此時，出片過渡室60處于不充氣狀態(tài)，能夠用抽真空裝置將出片過渡室60中的雜質(zhì)氣體抽干凈。
[0032]由于第二延時器的電線路與第二門閥110的第二控制電磁閥的開關(guān)電線路串聯(lián)，打開第二間歇性開關(guān)92時，第二門閥110不同時打開，而是延后一定的時間再打開，待工藝氣體經(jīng)第二間歇性開關(guān)92進(jìn)入出片過渡室60，平衡濺射室40的壓力后再打開第二門閥110，有效地解決了氣體的浪費問題。
[0033]上述磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200通過設(shè)置和合理布局第一間歇性充氣組件和第二間歇性充氣組件，在進(jìn)行抽氣時，能夠?qū)㈦s質(zhì)氣體抽干凈，有利于工藝的穩(wěn)定，提高產(chǎn)品質(zhì)量；在進(jìn)行充氣時，只打開第一間歇性開關(guān)82和第二間歇性開關(guān)92進(jìn)行充氣，避免了氣體的浪費，降低成本。
[0034]可以理解，可以通過調(diào)節(jié)第一延時器86和第二延時器的延時時間，分別調(diào)節(jié)第一門閥100和第二門閥110延后打開的時間，例如分別延后3s再打開。
[0035]上述磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200在濺射室40的前方設(shè)置進(jìn)片室10、進(jìn)行過渡室20和進(jìn)片緩沖室30，使得基片能夠經(jīng)歷真空度的緩沖和過渡后再進(jìn)入一定真空度環(huán)境的濺射室40中鍍膜。在濺射室40的后方設(shè)置出片緩沖室50、出片過渡室60和出片室70，使得鍍膜后的基片經(jīng)過真空度的緩沖和過渡后再進(jìn)入大氣壓環(huán)境中。因此，該磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200能夠有效避免破片現(xiàn)象，提聞生廣良率。
[0036]并且，設(shè)置有進(jìn)片室10、進(jìn)片過渡室20、進(jìn)片緩沖室30、出片過渡室50、出片過渡室60和出片室70，有利于進(jìn)行連續(xù)性生產(chǎn)，提高連續(xù)性生產(chǎn)的有序性。
[0037]優(yōu)選地,派射室40包括依次排列的第一腔室41、第二腔室42、第三腔室43和第四腔室44。第一腔室41、第二腔室42、第三腔室43和第四腔室44呈直線式排列。
[0038]第一腔室41、第二腔室42、第三腔室43和第四腔室44中，每個腔室均設(shè)置有兩個靶位，在進(jìn)行鍍膜時，依次用八個靶位進(jìn)行鍍膜。
[0039]優(yōu)選地，第一腔室41和第二腔室42均為中頻濺射腔室，第三腔室43和第四腔室44均為直流濺射腔室，以使磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200能夠滿足不同工藝的需求。
[0040]更優(yōu)選的，第二腔室42和第三腔室43之間還設(shè)置有隔離室120。設(shè)置隔離室120以進(jìn)行氣氛隔離，以滿足中頻濺射腔室和直流濺射腔室鍍不同薄膜的工藝需求，使得磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200的適應(yīng)性較好，能夠滿足不同的工藝需求。
[0041]優(yōu)選地，還設(shè)置有與第一門閥100相對的第三門閥和第四門閥，當(dāng)?shù)谌T閥開啟時，基片進(jìn)入進(jìn)片室10中。當(dāng)?shù)谒拈T閥開啟時，基片從進(jìn)片室10出來進(jìn)入進(jìn)片過渡室20中。還設(shè)置有與第二門閥110相對的第五門閥和第六門閥，當(dāng)?shù)谖彘T閥開啟時，鍍好膜的基片從出片緩沖室50中出來進(jìn)入出片過渡室60中。當(dāng)?shù)诹T閥開啟時，鍍好膜的基片從出片過渡室60中出來進(jìn)入出片室70中。
[0042]請再次參閱圖1，磁控濺射鍍膜系統(tǒng)100還包括十個加熱器130。十個加熱器130分別設(shè)置于進(jìn)片室10、進(jìn)片過渡室20、進(jìn)片緩沖室30、第一腔室41、第二腔室42、隔離室120、第三腔室43、第四腔室44、出片緩沖室50和出片過渡室60中，用以對各個室進(jìn)行加熱。
[0043]設(shè)置十個加熱器130，不僅能夠滿足第一腔室41、第二腔室42、第三腔室43和第四腔室44中鍍膜時的溫度需求，使各個室中的溫度較為均勻，并且還能夠使基片經(jīng)歷溫度的緩沖和過渡后再進(jìn)入高溫的第一腔室41、第二腔室42、隔離室120、第三腔室43和第四腔室44中進(jìn)行鍍膜，鍍膜后經(jīng)過溫度的緩沖和過渡，再進(jìn)入到常溫環(huán)境中，避免破片現(xiàn)象，提高良率。
[0044]請再次參閱圖2,磁控派射鍍膜系統(tǒng)200還包括氣體流量計140。氣體流量計140與第一間歇性開關(guān)82通過第一氣管150連通。氣體流量計140與第二間歇性開關(guān)92通過第二氣管(圖未示)連通。
[0045]第一間歇性開關(guān)82與第一間歇性開關(guān)電磁閥84通過第三氣管160連通，第二間歇性開關(guān)92與第二間歇性開關(guān)電磁閥通過第四氣管連通(圖未示)。同時，氣體流量計140通過第五氣管170與濺射室40連通。
[0046]使用一個氣體流量計140能夠?qū)Τ淙脒M(jìn)片過渡室20、出片過渡室60和濺射室40中的氣體進(jìn)行流量控制，提高工藝的穩(wěn)定性?？梢岳斫?，第三氣管160遠(yuǎn)離第一間歇性開關(guān)電磁閥84的另一端和第四氣管遠(yuǎn)離第二間歇性開關(guān)電磁閥的另一端均與壓縮空氣連通，以控制第一間歇性開關(guān)82和第二間歇性開關(guān)92的運動。第五氣管170遠(yuǎn)離流量計140的一端與工藝氣體連通，以向濺射室40充入工藝氣體。[0047]磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200還包括抽真空裝置(圖未示)。抽真空裝置包括機械泵、羅茨泵和分子泵。
[0048]其中，機械泵均與進(jìn)片室10、進(jìn)片過渡室20、進(jìn)片緩沖室30、濺射室40、出片緩沖室50、出片過渡室60、出片室70和隔離室120連通。羅茨泵均與進(jìn)片室10、進(jìn)片過渡室20、進(jìn)片緩沖室30、濺射室40、出片緩沖室50、出片過渡室60、出片室70和隔離室120連通。分子泵與進(jìn)片過渡室20、進(jìn)片緩沖室30、濺射室40、出片緩沖室50、出片過渡室60和隔離室120連通。
[0049]設(shè)置機械泵、羅茨泵和分子泵，能夠根據(jù)實際需要逐級抽真空，并能夠快速進(jìn)行抽真空，提高生產(chǎn)效率。尤其是分子泵具有抽速塊的優(yōu)點和無油的優(yōu)點，保證了濺射室40和隔離室120的真空度和潔凈度。
[0050]以上所述實施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保 護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，包括第一間歇性充氣組件、第二間歇性充氣組件和呈直線式排列的進(jìn)片室、進(jìn)片過渡室、進(jìn)片緩沖室、濺射室、出片緩沖室、出片過渡室和出片室；其中， 所述進(jìn)片過渡室和進(jìn)片緩沖室之間設(shè)置有第一門閥，所述出片過渡室和出片緩沖室之間設(shè)置有第二門閥，所述第一門閥包括第一控制電磁閥，所述第二門閥包括第二控制電磁閥； 所述第一間歇性充氣組件包括第一間歇性開關(guān)、第一間歇性開關(guān)電磁閥和第一延時器，所述第一間歇性開關(guān)設(shè)置于所述進(jìn)片過渡室上； 所述第二間歇性充氣組件包括第二間歇性開關(guān)、第二間歇性開關(guān)電磁閥和第二延時器，所述第二間歇性開關(guān)設(shè)置于所述出片過渡室上； 所述第一間歇性開關(guān)電磁閥的開關(guān)電線路與所述第一控制電磁閥的開關(guān)電線路并聯(lián)，所述第一延時器的電線路與所述第一控制電磁閥的開關(guān)電線路串聯(lián)，所述第二間歇性開關(guān)電磁閥的開關(guān)線路與所述第二控制電磁閥的開關(guān)線路并聯(lián)，所述第二延時器的電線路與所述第二控制電磁閥的開關(guān)電線路串聯(lián)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述濺射室包括依次排列的第一腔室、第二腔室、第三腔室和第四腔室。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述第一腔室、第二腔室、第三腔室和第四腔室中，每個腔室均設(shè)置有兩個靶位。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述第一腔室和第二腔室均為中頻濺 射腔室，所述第三腔室和第四腔室均為直流濺射腔室。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述磁控濺射鍍膜系統(tǒng)還包括隔離室，所述隔離室設(shè)置于所述第二腔室和第三腔室之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，還包括十個加熱器，所述十個加熱器分別設(shè)置于所述進(jìn)片室、進(jìn)片過渡室、進(jìn)片緩沖室、第一腔室、第二腔室、隔離室、第三腔室、第四腔室、出片緩沖室和出片過渡室中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，還包括氣體流量計，所述氣體流量計與所述第一間歇性開關(guān)通過氣管連通，所述氣體流量計與所述第二間歇性開關(guān)通過氣管連通。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，還包括抽真空裝置，所述抽真空裝置包括機械泵、羅茨泵和分子泵，所述機械泵均與所述進(jìn)片室、進(jìn)片過渡室、進(jìn)片緩沖室、濺射室、出片緩沖室、出片過渡室和出片室連通，所述羅茨泵均與所述進(jìn)片室、進(jìn)片過渡室、進(jìn)片緩沖室、濺射室、出片緩沖室、出片過渡室和出片室連通，所述分子泵與所述進(jìn)片過渡室、進(jìn)片緩沖室、濺射室、出片緩沖室和出片過渡室連通。
【文檔編號】C23C14/35GK103866255SQ201410085940
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2014年3月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月10日
【發(fā)明者】鄭芳平, 張迅, 易偉華 申請人:江西沃格光電股份有限公司