靶組裝體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種在背襯板上，經(jīng)由粘合材，留出間隔而配置有多個(gè)氧化物靶構(gòu)件的靶組裝體。所述靶組裝體在氧化物靶構(gòu)件和背襯板之間，具有跨越所述間隔而設(shè)的由從Ni、Si、Hf和Ta所構(gòu)成的組中選擇的至少一種或兩種以上構(gòu)成的內(nèi)襯構(gòu)件。
【專利說明】祀組裝體

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及W姍射法成膜作為用于液晶顯示器和有機(jī)化顯示器等的顯示裝置的 薄膜晶體管（TFT)的半導(dǎo)體層（活性層）有用的氧化物薄膜時(shí)所使用的祀組裝體，詳細(xì)地 說，是涉及在一片背襯板上，經(jīng)由粘合材留出間隔而配置有多個(gè)氧化物祀構(gòu)件的祀組裝體。

【背景技術(shù)】
[0002] 用于TFT的半導(dǎo)體層的非晶（非晶質(zhì)）氧化物薄膜（W下，有稱為氧化物半導(dǎo)體 薄膜的情況。），與通用的非晶娃（a-Si)相比，具有高載流子遷移率，光學(xué)帶隙大且能夠 W低溫成膜，因此，期待其面向要求大型、高分辨率、高速驅(qū)動(dòng)的下一代顯示器和耐熱性低 的樹脂基板等中的應(yīng)用。
[0003] 作為氧化物半導(dǎo)體膜，代表性地來說，可列舉含有鋼（In)和鋒狂n)的半導(dǎo)體膜、 和還含有嫁（Ga)和錫（Sn)的至少一種W上的半導(dǎo)體膜。例如，由In、Ga、化和0構(gòu)成的非 晶氧化物半導(dǎo)體（In-Ga-化一0,W下有稱為"IGZ0"的情況。）薄膜，因?yàn)榫哂蟹浅８?的載流子遷移率，所W優(yōu)選使用。另外，在專利文獻(xiàn)1中，公開有一種含有In、Zn、Sn、Ga等 的元素和Mo的氧化物半導(dǎo)體薄膜，在實(shí)施例中公開有在IGZO中添加了Mo。
[0004] 在形成氧化物半導(dǎo)體薄膜時(shí)，優(yōu)選采用使與該膜相同組成的姍射祀發(fā)生姍射的姍 射法。在姍射法中，一邊向真空中導(dǎo)入Ar氣等惰性氣體，一邊在基板和祀構(gòu)件之間外加高 電壓，使離子化后的惰性氣體轟擊祀構(gòu)件，使通過該轟擊而彈飛的祀構(gòu)件的構(gòu)成物質(zhì)沉積 在基板上而形成薄膜。由姍射法形成的薄膜，與離子鍛法、真空蒸鍛法和電子束蒸鍛法所形 成的薄膜相比，膜面方向（膜面內(nèi)）的成分組成和膜厚等的面內(nèi)均勻性優(yōu)異，具有能夠形成 與姍射祀為相同成分組成的薄膜該樣的長處。
[0005]用于姍射法的姍射祀，一般是W在金屬制構(gòu)件的背襯板（支承體）之上，使用粘合 材加W接合的狀態(tài)使用，該樣的姍射祀也被稱為祀接合體。背襯板通用的是耐熱性、導(dǎo)電 性、熱傳導(dǎo)性優(yōu)異的Cu,W純銅或銅合金的形式使用。作為粘合材，通用的是熱傳導(dǎo)性和導(dǎo) 電性良好的低烙點(diǎn)針料（例如，In系、Sn系的材料）。
[0006] 近年來，利用姍射法對(duì)大型基板的成膜的需要增加，隨之而來的是姍射祀的尺寸 也正在大型化。對(duì)于姍射祀來說，因?yàn)殡yW大型化，所W使用的是祀組裝體，其如后述的圖 1、圖2所示，在一片背襯板之上，留出間隔而并排多個(gè)小片的祀構(gòu)件，將祀構(gòu)件和背襯板由 粘合材加W接合。鄰接的祀構(gòu)件之間，W不會(huì)發(fā)生由于背襯板的挽曲而導(dǎo)致鄰接的祀彼此 接觸而產(chǎn)生缺陷的方式，在室溫時(shí)使之大致能夠保持0. 1?1.Omm的間隔（間隙）而進(jìn)行 調(diào)整配置。另外，通常也有在上述間隔的背面（粘合側(cè)，與背襯板對(duì)置側(cè)）設(shè)有高分子耐熱 片和導(dǎo)電性片等的內(nèi)襯構(gòu)件（也稱為墊板）的情況，W使粘合材不會(huì)從上述的間隙漏出。
[0007] 例如在專利文獻(xiàn)2中記述有如下要旨；為了抑制因祀材與背襯板的熱膨脹率差異 而引起的姍射祀整體的翅曲，還為了防止因姍射中的熱應(yīng)力引起的祀材與背襯板的剝離、 斷裂而使之可W長期使用，因此在祀材和背襯板之間，配置有帶狀間隔件作為相當(dāng)于內(nèi)襯 構(gòu)件的部件。作為帶狀間隔件的材質(zhì)，與背襯板同樣，推薦銅或銅合金。若將該樣的帶狀間 隔件，沿著分割祀的對(duì)接部分和邊緣部分，配置在其全部或一部分的正下方，則除了使姍射 中的放電均勻W外，還能夠有效地防止低烙點(diǎn)針料從對(duì)接部分滲入到姍射兩側(cè)。
[0008] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0009] 專利文獻(xiàn)
[0010] 專利文獻(xiàn)1;日本國特開2009-164393號(hào)公報(bào)
[0011] 專利文獻(xiàn)2 ;日本國特開平11 - 200028號(hào)公報(bào)
[001引發(fā)明要解決的課題
[0013] 對(duì)于作為TFT的半導(dǎo)體層使用的氧化物，不僅要求載流子濃度（遷移率）高，而且 要求TFT的開關(guān)特性（晶體管特性，TFT特性）優(yōu)異。具體的來說，例如，可列舉通態(tài)電流 (對(duì)柵電極和漏電極外加正電壓時(shí)的最大漏電流）高，斷態(tài)電流（分別對(duì)柵電極外加負(fù)電 壓，對(duì)漏電極外加正電壓時(shí)的漏電流）低，SS值（Subt虹esholdSwing,亞闊值擺幅，使漏電 流提高1個(gè)數(shù)量級(jí)所需要的柵電壓）低等。
[0014] 另一方面，在制造祀組裝體時(shí)，如前述，因?yàn)樵卩徑拥亩鄠€(gè)氧化物祀構(gòu)件之間設(shè)置 間隙，所W在姍射中，離子化后的惰性氣體會(huì)從該間隙侵入。其結(jié)果是，配置在祀構(gòu)件之下 的化制的背襯板也發(fā)生姍射，所形成的氧化物薄膜中有化混入，TFT特性降低。TFT特性 的降低成為制作顯示器時(shí)的圖像斑點(diǎn)的主要原因，招致品質(zhì)的顯著劣化。因此，若像前述的 專利文獻(xiàn)2該樣，不僅背襯板，而且內(nèi)襯構(gòu)件也使用化制時(shí)，則化的污染現(xiàn)象更為顯著，因 此不為優(yōu)選。
[0015] 另外，針對(duì)于前述的專利文獻(xiàn)1所述的含有Mo的IGZO半導(dǎo)體，本
【發(fā)明者】們，使用 具有化制背襯板和化制內(nèi)襯構(gòu)件的祀組裝體而成膜含Mo的IGZO薄膜，調(diào)查TFT特性時(shí) 判明，相比IGZ0,特別是可見通態(tài)電流的降低和SS值的顯著上升。該一結(jié)果意味著，Mo無 法有效地抑制上述化進(jìn)入到薄膜中的污染現(xiàn)象造成的TFT特性的降低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0016] 本發(fā)明鑒于上述情況而形成，其目的在于，提供一種可W防止由姍射形成的氧化 物半導(dǎo)體薄膜的TFT特性劣化（特別是通態(tài)電流的降低和SS值的上升）的祀組裝體。
[0017]用于解決課題的手段
[0018] 能夠解決上述課題的本發(fā)明的祀組裝體，是在背襯板上，經(jīng)由粘合材留出間隔而 配置有鄰接的多個(gè)氧化物祀構(gòu)件而成的祀組裝體，其具有如下要旨：在所述氧化物祀構(gòu)件 和所述背襯板之間，具有跨越所述間隔而設(shè)的，由從Ni、Si、Hf和化所構(gòu)成的組中選擇的至 少一種或兩種W上構(gòu)成的內(nèi)襯構(gòu)件。
[0019] 在本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述氧化物祀構(gòu)件至少含有In和化。
[0020] 在本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述氧化物祀構(gòu)件還含有Ga和Sn之中至少一個(gè)。
[0021] 在本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述背襯板由純化或化合金構(gòu)成。
[002引在本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述內(nèi)襯構(gòu)件由從Ni、Hf和化所構(gòu)成的組中選擇 的一種或兩種W上構(gòu)成。
[0023] 在本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述粘合材由In基材料或Sn基材料構(gòu)成。
[0024]在本發(fā)明的祀組裝體中，通過在氧化物祀構(gòu)件和背襯板之間，設(shè)置跨越間隔而配 置的內(nèi)襯構(gòu)件，能夠防止背襯板的成分混入到薄膜中（污染）。此外，作為內(nèi)襯構(gòu)件，因?yàn)槭?用不會(huì)使氧化物半導(dǎo)體薄膜的TFT特性劣化的、由規(guī)定金屬元素（Ni、Si、Hf和Ta)中的至 少一種或兩種W上構(gòu)成的材料，所W，即使氧化物半導(dǎo)體薄膜中有上述規(guī)定金屬元素造成 污染，也能夠防止污染導(dǎo)致的TFT特性的劣化，能夠保持良好的TFT特性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[00巧]圖1是本發(fā)明的祀組裝體的俯視圖。
[0026] 圖2是圖1的A-A線放大縱剖面圖。
[0027] 圖3 (a)?（g)是表示使用實(shí)施例1所述的氧化物（IGZO+各種添加元素）半導(dǎo)體 制作的TFT的Id-Vg特性的圖。
[0028] 圖4是表示在實(shí)施例2中，使用在IGZO祀構(gòu)件間的間隙部的背面（粘合側(cè)）配置 有化或Ni的內(nèi)襯構(gòu)件的祀組裝體而制作的TFT的Id-Vg特性的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0029]本
【發(fā)明者】們，為了有效地防止由姍射形成的氧化物半導(dǎo)體薄膜的TFT特性的降低 (特別是通態(tài)電流的降低，SS值的上升），就用于祀構(gòu)件間的間隔（參照后述的圖1和圖2 的T)的背面的內(nèi)襯構(gòu)件反復(fù)進(jìn)行研究。其結(jié)果發(fā)現(xiàn)，使用由從Ni、Si、Hf和化所構(gòu)成的組 中選擇的至少一種或兩種W上的元素（W下，有由X組元素代表的情況。）構(gòu)成的內(nèi)襯構(gòu)件 有效，從而完成了本發(fā)明。
[0030] 首先，對(duì)于達(dá)成本發(fā)明的原委進(jìn)行說明。構(gòu)成本發(fā)明的基礎(chǔ)的祀組裝體，使用化 制的背襯板，并且作為氧化物祀構(gòu)件，使用至少含有In和化，此外還含有Ga和Sn的至少一 種W上的氧化物。優(yōu)選使用In或Sn的低烙點(diǎn)針料作為粘合材。另外，提供本發(fā)明中作為 對(duì)象的內(nèi)襯構(gòu)件時(shí)，著眼于向本發(fā)明作為對(duì)象的上述氧化物中添加時(shí)，不會(huì)使TFT特性劣 化的元素進(jìn)行研究。該是由于考慮到如果是該樣的元素，則在姍射時(shí)，即使上述元素從祀構(gòu) 件的間隙侵入，也是在與間隙對(duì)應(yīng)的基板位置，形成在上述氧化物中含有上述元素的薄膜 (對(duì)TFT特性提高有用的薄膜），而成膜后的氧化物半導(dǎo)體薄膜的TFT特性不會(huì)劣化。其結(jié) 果證實(shí)，W純金屬或合金元素的形態(tài)，使用從Ni、Si、Hf和化所構(gòu)成的組中選擇的至少一種 或兩種W上的元素（W下，有用X組元素代表的情況。）作為內(nèi)襯構(gòu)件即可。
[0031] W下，對(duì)于本發(fā)明的祀組裝體，一邊參照?qǐng)D1和圖2,一邊詳細(xì)地說明。圖1是本發(fā) 明的祀組裝體的俯視圖，圖2是圖1的A-A線放大縱剖面圖。但是，圖1和圖2的祀組裝 體，是本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式的一例，本發(fā)明的祀組裝體決沒有限定于此的意思。例如W 下的圖中，顯示長方形的姍射祀，但不受其限定，例如也可W使用圓盤狀的姍射祀。
[0032] 圖1和圖2所示的祀組裝體1由如下構(gòu)成；將4片氧化物祀構(gòu)件4a?4d前后左右 各排列兩片而構(gòu)成的姍射祀2 ;將其固定（支承）的背襯板3 ;接合多個(gè)氧化物祀構(gòu)件4a? 4d和背襯板3的低烙點(diǎn)針料粘合材Ila?11c。在鄰接的多個(gè)氧化物祀構(gòu)件4a?4d的間 隔T的背面（低烙點(diǎn)針料粘合材Ila側(cè)），W堵塞間隔T的方式設(shè)有內(nèi)襯構(gòu)件5。在氧化物 祀構(gòu)件4a?4d和背襯板3之間，W能夠形成均勻的間隔的方式配置間隔件12 (化絲）。
[0033] 還有，雖然圖1和圖2中未顯示，但在背襯板3的背面?zhèn)龋ㄅ渲糜醒趸镬霕?gòu)件 4a?4d-側(cè)的相反側(cè)）設(shè)有冷卻機(jī)構(gòu)，W能夠經(jīng)由背襯板3而間接地冷卻氧化物祀構(gòu)件 4a?4d的方式構(gòu)成。
[0034] 氧化物祀構(gòu)件4a?4d，由本發(fā)明中作為對(duì)象的氧化物（至少含有In和化，還含 有Ga和/或Sn的氧化物；W下，有W[In-化(Ga/Sn)氧化物]表現(xiàn)的情況。）構(gòu)成。具 體來說，可列舉In_ 化 _O(IZO)、In_Ga_ 化 _O(IGZO)、In_ 化 _Sn_O(IZTO)、 In-Ga-化一Sn- 0 (IGZSO)。各兀素的比率，根據(jù)成膜于基板（圖1、圖2中未顯不） 的氧化物薄膜的組成而適當(dāng)決定。
[0035] 在圖1和圖2中，氧化物祀構(gòu)件4a?4d由長方形的板材構(gòu)成，但不受其限定，也 可W是通常采用的形狀（例如圓盤狀）。另外，氧化物祀構(gòu)件4a?4d的厚度和尺寸也未特 別限定，能夠選擇在祀組裝體的領(lǐng)域中通常使用的。
[0036] 在氧化物祀構(gòu)件4a?4d之間，設(shè)有間隔T。間隔T的寬度，優(yōu)選根據(jù)所使用的氧 化物祀構(gòu)件、和低烙點(diǎn)針料粘合材Ila?Ilc的尺寸、還有背襯板3的尺寸等適當(dāng)設(shè)定，但 優(yōu)選大致為0. 2mm?1. 0mm。W下，有將上述間隔T稱為"間隙部"的情況。
[0037] 背襯板3由耐熱性、導(dǎo)電性、熱傳導(dǎo)性優(yōu)異的純化或化合金構(gòu)成。化制的背襯板 如果是姍射祀的領(lǐng)域中通常使用的，則全部能夠使用。作為化合金，例如，可列舉化一化 合金等。背襯板3W能夠載置氧化物祀構(gòu)件4a?4d的方式，具有規(guī)定的平面面積和規(guī)定 的厚度。
[0038]作為低烙點(diǎn)針料粘合材1Ia?1Ic,代表性地可列舉In基材料或Sn基材料。其種 類未特別限定，如果是姍射祀的領(lǐng)域通常使用的，則全部能夠使用。作為In基材料，例如， 可列舉In-Ag合金等。作為Sn基材料，例如可列舉Sn-化合金等。優(yōu)選為In基材料。 在圖2中，Ila?Ilc能夠使用相同或不同的低烙點(diǎn)針料粘合材，但若考慮到作業(yè)效率等，貝U 優(yōu)選使用相同材料。
[0039] 間隔件12W能夠在氧化物祀構(gòu)件4a?4d和背襯板3之間形成均勻的間隔，并使 粘合材流入的方式配置。間隔件只要是導(dǎo)電性和熱傳導(dǎo)性優(yōu)異便沒有特別限定，如果是在 姍射祀的領(lǐng)域通常使用的，則全部都能夠使用。作為間隔件12,例如可列舉化絲等。還有， 在圖1和圖2中，顯示的是形成為環(huán)狀的間隔件，但不限定為該形狀。
[0040]在本發(fā)明中，作為間隔件12,也能夠使用作為內(nèi)襯構(gòu)件所用的X組元素的純金屬 或合金元素。目P，本發(fā)明所用的內(nèi)襯構(gòu)件，作為間隔件也有用，例如若W低烙點(diǎn)針料粘合材 11固定使用，則能夠防止由于姍射中的熱應(yīng)力引起的祀材與背襯板的剝離、斷裂，因此可W 長期使用。
[0041] 賦予本發(fā)明W特征的內(nèi)襯構(gòu)件5,由Ni、Ta、Si或Hf狂組元素）的純金屬，或上述 X組元素的兩種W上所構(gòu)成的合金成分構(gòu)成。上述X組元素，不僅導(dǎo)電性和熱傳導(dǎo)性優(yōu)異， 而且添加到本發(fā)明中作為對(duì)象的氧化物[In-化(Ga/Sn)氧化物]中時(shí)，不會(huì)使TFT的遷 移率、通態(tài)電流、SS值的特性劣化，而發(fā)揮著同等或更高的特性（參照后述的實(shí)施例1的表 。。另外，除去Si的上述X組元素肌、化、Hf)，因?yàn)楸鹊屠狱c(diǎn)針料粘合材Ila?Ilc的作 為代表性的構(gòu)成成分即In或Sn的比重大（參照后述的實(shí)施例1的表1)，所W若考慮祀組 裝體制造時(shí)的作業(yè)效率，則優(yōu)選使用。上述X組元素之中，從通態(tài)電流等的觀點(diǎn)出發(fā)則優(yōu)選 的是Ni、Si,更優(yōu)選為Ni。
[004引在圖2中，內(nèi)襯構(gòu)件可W由單一的材料（例如純化）構(gòu)成，也可W作為層疊體（例 女口，純Ni與Ni合金）構(gòu)成。
[0043]詳細(xì)地說如圖2所示，內(nèi)襯構(gòu)件5和背襯板3由低烙點(diǎn)針料粘合材1化接合，并且 內(nèi)襯構(gòu)件5和氧化物祀構(gòu)件4a、4b，由低烙點(diǎn)針料粘合材Ila接合。在間隔T的正下方部分Q，因?yàn)榈屠狱c(diǎn)針料粘合材Ila被刮掉而不存在，所W在此，內(nèi)襯構(gòu)件5不經(jīng)由低烙點(diǎn)針料粘 合材Ila,而與氧化物祀構(gòu)件4a、4b直接接合。
[0044] 但是，在本發(fā)明中，在間隔T的背面至少配置內(nèi)襯構(gòu)件即可，內(nèi)襯構(gòu)件的存在形態(tài) 不受圖2的形態(tài)限定。另外，如圖2所示，優(yōu)選在間隔T的正下方部分Q不存在低烙點(diǎn)針料 粘合材1Ia的方法，該是由于，若在Q部分有低烙點(diǎn)針料粘合材，則在姍射中加熱，粘合材烙 化而產(chǎn)生異常放電，發(fā)生顆粒、飛姍。特別是若粘合材順著間隙蠕升（原文；這^>上力、'& )， 則該樣的現(xiàn)象變得顯著，因此在避免該現(xiàn)象上，可W的方法是在正下方部分Q盡可能不存 在粘合材。
[0045] 內(nèi)襯構(gòu)件5的尺寸（寬度、厚度），優(yōu)選根據(jù)所使用的氧化物祀構(gòu)件4a?4山和低 烙點(diǎn)針料粘合材Ila?Ilc的尺寸，還有背襯板3的尺寸等適當(dāng)設(shè)定，但厚度優(yōu)選大致為 0. 2?1. 0mm。若內(nèi)襯構(gòu)件5的厚度比0. 2mm薄，則對(duì)于因祀材和背襯板的熱收縮率差引起 的、姍射祀整體的翅曲的抑制效果得不到充分發(fā)揮。另一方面，若內(nèi)襯構(gòu)件5的厚度超過 1. Omm,則低烙點(diǎn)針料粘合材Ila?Ilc有可能在固化前從間隙部流出。更優(yōu)選的內(nèi)襯構(gòu)件 5的厚度大致為0. 25?0. 50mm。
[004引內(nèi)襯構(gòu)件5的寬度優(yōu)選大致為5?30mm。若內(nèi)襯構(gòu)件5的寬度比5mm小，則沿著 氧化物祀構(gòu)件4a?4d間的間隔而在其正下方配置內(nèi)襯構(gòu)件時(shí)，難W對(duì)準(zhǔn)。另一方面，若內(nèi) 襯構(gòu)件5的寬度超過30mm，則有可能難W充分獲得姍射祀整體的翅曲抑制效果。更優(yōu)選的 內(nèi)襯構(gòu)件5的寬度大致為10?25mm。
[0047]W上，對(duì)于本發(fā)明的祀組裝體進(jìn)行了詳述。
[0048] 上述本發(fā)明的祀組裝體的制造方法沒有特別限定，例如，能夠參照前述的專利文 獻(xiàn)2所述的方法等。W下展示優(yōu)選的制造方法的實(shí)施方式的一例。首先，在背襯板之上填 充低烙點(diǎn)金屬材料等的粘合材，加熱至低烙點(diǎn)金屬材料的烙點(diǎn)W上而成為烙融狀態(tài)。其次， 將內(nèi)襯構(gòu)件并排配置在規(guī)定的地方。根據(jù)需要，配置間隔件。其結(jié)果是，相比低烙點(diǎn)金屬材 料，比重大的內(nèi)襯構(gòu)件沉降在低烙點(diǎn)金屬材料之中。內(nèi)襯構(gòu)件的比重比低烙點(diǎn)金屬材料小 時(shí)，按壓而使之沉降。接著，將多個(gè)氧化物祀構(gòu)件留出間隔而并排配置后，進(jìn)行冷卻。通過 冷卻，低烙點(diǎn)金屬材料再度凝固，可得到氧化物祀構(gòu)件和背襯板經(jīng)由低烙點(diǎn)金屬層接合的 祀組裝體。
[004引【實(shí)施例】
[0050] W下，列舉實(shí)施例更具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不受下述實(shí)施例限制，在能夠符 合前、后述的宗旨的范圍內(nèi)也可W加W變更實(shí)施，該些均包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
[00川 實(shí)施例1
[0052] 在本實(shí)施例中調(diào)查的是，具備含有本發(fā)明中作為內(nèi)襯構(gòu)件的構(gòu)成成分而選擇的X 組元素（Ni,Si,Hf,Ta)的氧化物半導(dǎo)體薄膜的TFT,具有遷移率和良好的TFT特性。
[0053] 在本實(shí)施例中，按^下方式制造1。1'。首先，玻璃基板（3-二シ少社制^^ 一少 2000,直徑IOOmmX厚度0. 7mm)上，依次作為柵電極成膜Ti薄膜IOOnm和柵極絕緣膜 Si化(200nm)。柵電極使用純Ti的姍射祀，通過DC姍射法，W成膜溫度；室溫，成膜功率： 300W，載氣；Ar,氣壓；2mTorr進(jìn)行成膜。另外，柵極絕緣膜使用等離子體CVD法，W載氣： SiH4和馬0的混合氣體，成膜功率；100W，成膜溫度；30(TC進(jìn)行成膜。
[0054] 其次，使用姍射祀（后述。）成膜表I所述的各種組成的氧化物薄膜。姍射使用 (株）7Wyク制"CS- 200"裝置，通過DC姍射法，成膜溫度；室溫，成膜功率；200W， 氣壓；lmTo;r;r，氧分壓；100X02/(Ar+02)=10%，使用祀尺寸；101.6mm的條件，成膜膜厚： SOnm的IGZO薄膜[In:Ga:Zn:0 = 1:1:1:4(原子比）]。
[0055] 作為氧化物薄膜，除了在IGZO中含有X元素的IGZO - X W外，為了進(jìn)行比較，也 成膜IGZO和在IGZO中含有X組元素W外的元素（Cu、Cr、Mo)的薄膜。
[005引其中，在IGZO的成膜時(shí)，使用In:Ga:化的比（原子比）為1:1:1的姍射祀，在IGZO中含有其他的元素的氧化物半導(dǎo)體薄膜的成膜時(shí)，運(yùn)用使組成不同的2個(gè)姍射祀同時(shí)放電 的共姍射法（Co-Sputter法）進(jìn)行成膜。詳細(xì)地說，作為姍射祀，使用In:Ga:化=1:1:1 的姍射祀，和在上述姍射祀上裝配有X組元素、化、化、或Mo的純金屬片的2個(gè)祀。
[0057] 如此得到的氧化物薄膜中的金屬元素的各含有量，通過XPS狂一ray Photoelectron Spectroscopy)法進(jìn)行分析。詳細(xì)地說，對(duì)于距離最表面至5nm左右深度的 范圍W Ar離子姍射后，按下述條件進(jìn)行分析。
[0058] X線源；AlK。
[0059]X線輸出功率；350W
[0060] 光電子飛離角；20。
[0061] 如上述成膜氧化物半導(dǎo)體薄膜后，通過光刻和濕蝕刻進(jìn)行圖案化。使用關(guān)東化學(xué) 制"ITO- 07N"作為濕蝕刻液。
[0062] 使氧化物半導(dǎo)體薄膜圖案化后，為了提高膜質(zhì)而進(jìn)行預(yù)退火處理。預(yù)退火在100% 氧氣氛，大氣壓下，W35(TC進(jìn)行1小時(shí)。
[0063] 接著，使用純Ti,通過剝離法形成源/漏電極。具體來說，使用光致抗蝕劑進(jìn)行圖 案化后，通過DC姍射法成膜Ti薄膜（膜厚為IOOnm)。源/漏電極用Ti薄膜的成膜方法， 與前述的柵電極的情況相同。接著，W丙麗中放入超聲波清洗器中除去多余的光致抗蝕劑， 使TFT的溝道長度為10ym，溝道寬度為200ym。
[0064] 如此形成源/漏電極后，再形成用于保護(hù)氧化物半導(dǎo)體的保護(hù)膜。作為保護(hù)膜，使 用Si〇2(膜厚200nm)和SiN(膜厚200nm)的層疊膜。上述Si〇2和SiN的形成，使用寸厶 3巧lJ"PD- 220化"，用等離子體CVD法進(jìn)行。在本實(shí)施例中，利用馬0氣進(jìn)行等離子體處理 后，依次形成Si〇2和SiN膜。Si〇2膜的形成使用馬0和Si&的混合氣體，SiN膜的形成使 用SiH4、N2、NH3的混合氣體。成膜功率均為100W，成膜溫度均為15(TC。
[0065] 接著通過光刻和干蝕刻，在保護(hù)膜上形成用于晶體管特性評(píng)價(jià)用探測的接觸孔。 接著，使用DC姍射法，W載氣；氮?dú)夂脱鯕獾幕旌蠚怏w、成膜功率；200W、氣壓；5mTorr成膜 ITO膜（膜厚80nm)，制作TFT。
[0066] 對(duì)于如此獲得的各TFT,按W下方式，求得晶體管特性（漏電流一柵電壓特性、 Id-Vg特性）、通態(tài)電流、SS值和場效應(yīng)遷移率（W下，有稱為"遷移率"的情況）yW。
[0067] (1)晶體管特性的測量
[006引 晶體管特性（Id-Vg特性），使用AgilentTechnology社制"4156C"的半導(dǎo)體參 數(shù)分析儀。詳細(xì)的測量條件如下。
[0069] 源電壓；OV
[0070]漏電壓；IOV
[0071] 柵電壓：一30V?30V(測量間隔；IV)
[0072] (2)通態(tài)電流和SS值
[0073] 所謂通態(tài)電流，就是柵電壓為30V的漏電流，是晶體管為接通狀態(tài)時(shí)的電流值，使 漏電流增加一個(gè)數(shù)量級(jí)所需要的柵電壓的最小值為SS值。
[0074] 做遷移率UFE
[007引場效應(yīng)遷移率UPE，根據(jù)TFT特性由Vg>Vd-Vth的線性區(qū)導(dǎo)出。在線性區(qū)，Vg、Vd分別為柵電壓、漏電壓，Vth為漏電流超過InA時(shí)的電壓，Id為漏電流，UW分別為TFT元件 的溝道長、溝道寬，。為柵極絕緣膜的靜電容，Uw為場效應(yīng)遷移率。由下式導(dǎo)出。在本 實(shí)施例中，根據(jù)滿足線性區(qū)的柵電壓附近的漏電流一柵電壓特性（Id-Vg特性）的斜率， 導(dǎo)出場效應(yīng)遷移率Uw。
[0076]【算式1】

【權(quán)利要求】
1. 一種靶組裝體，其特征在于，其為在背襯板上經(jīng)由粘合材留出間隔而配置有多個(gè)氧 化物靶構(gòu)件而成的靶組裝體， 在所述氧化物靶構(gòu)件和所述背襯板之間，具有跨越所述間隔而設(shè)的由從Ni、Si、Hf?和Ta所構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上構(gòu)成的內(nèi)襯構(gòu)件。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶組裝體，其中，所述氧化物靶構(gòu)件至少含有In和Zn。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的靶組裝體，其中，所述氧化物靶構(gòu)件還含有Ga和Sn之中的至 少一個(gè)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶組裝體，其中，所述背襯板由純Cu或Cu合金構(gòu)成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶組裝體，其中，所述內(nèi)襯構(gòu)件由從Ni、Hf和Ta所構(gòu)成的組 中選擇的一種或兩種以上構(gòu)成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的祀組裝體，其中，所述粘合材由In基材料或Sn基材料構(gòu)成。
【文檔編號(hào)】C23C14/34GK104379802SQ201380031944
【公開日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2013年7月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月20日
【發(fā)明者】越智元隆, 畠英雄, 松村仁實(shí) 申請(qǐng)人:株式會(huì)社鋼臂功科研