真空蒸鍍裝置制造方法
【專利摘要】真空蒸鍍裝置(1)具備：第1、第2蒸發(fā)源(3、4)，使蒸鍍材料(30、40)蒸發(fā)；蒸鍍速度控制部(81)，分別控制第1、第2蒸發(fā)源的動(dòng)作；設(shè)定蒸鍍速度存儲(chǔ)部(82a、82b)，分別存儲(chǔ)預(yù)先設(shè)定的第1、第2蒸發(fā)源的設(shè)定蒸鍍速度(A1、A2)；第1、第2膜厚計(jì)(7a、7b)，計(jì)量各蒸鍍材料的混合蒸鍍速度(Y1、Y2)。計(jì)量部(85)根據(jù)第2膜厚計(jì)(7b)相對(duì)于第1膜厚計(jì)(7a)的一個(gè)蒸鍍材料的到達(dá)量比(B1)、第1膜厚計(jì)(7a)相對(duì)于第2膜厚計(jì)(7b)的另一蒸鍍材料的到達(dá)量比(B2)和混合蒸鍍速度(Y1、Y2)，分別計(jì)算第1及第2蒸發(fā)源的蒸鍍速度(X1、X2)，蒸鍍速度控制部(81)控制第1、第2蒸發(fā)源(3、4)，以使計(jì)算值和設(shè)定值一致。
【專利說(shuō)明】真空蒸鍍裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種使蒸鍍材料在基板等的多種被蒸鍍體上蒸鍍，來(lái)形成薄膜的真空 蒸鍍裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 真空蒸鍍裝置在真空室內(nèi)配置含有蒸鍍材料的蒸發(fā)源和基板等的被蒸鍍體，在使 真空室內(nèi)減壓后的狀態(tài)下，將蒸發(fā)源加熱使蒸發(fā)源氣化，而使該氣化后的蒸鍍材料在被蒸 鍍體的表面上堆積來(lái)形成薄膜。但是，存在從蒸發(fā)源氣化出的蒸鍍材料一部分不向被蒸鍍 體行進(jìn)，不在被蒸鍍體的表面附著的情況。若這種不在被蒸鍍體上附著的蒸鍍材料增多，則 成為材料使用効率的下降及蒸鍍速度的下降的原因。因此，一種用筒狀體包圍蒸發(fā)源和被 蒸鍍體對(duì)置的空間，以使蒸鍍材料再蒸發(fā)的溫度將該筒狀體加熱，使氣化后的蒸鍍材料，在 筒狀體內(nèi)通過(guò)而在被蒸鍍體的表面進(jìn)行蒸鍍的真空蒸鍍裝置，已為眾所周知（例如，參見(jiàn) 專利文獻(xiàn)1)。
[0003] 但是，例如在有機(jī)EL設(shè)備等的制造中，需要在利用真空蒸鍍裝置制作有機(jī)半導(dǎo)體 層時(shí)，在1個(gè)筒狀體內(nèi)使多類蒸鍍材料混合，使混合膜蒸鍍?cè)诒徽翦凅w的表面?？墒?，這種 情況下，假使在筒狀體內(nèi)配置1個(gè)膜厚計(jì)，監(jiān)視蒸鍍材料的蒸鍍率，由于在膜厚計(jì)上以各蒸 鍍材料被混合后的狀態(tài)附著蒸鍍材料，因而仍無(wú)法單獨(dú)監(jiān)視各蒸鍍材料的蒸鍍率。
[0004] 因此，一種薄膜形成裝置已為眾所周知，該薄膜形成裝置對(duì)被蒸鍍體上所蒸鍍的 混合薄膜照射2種波長(zhǎng)的光，根據(jù)反射光中各波長(zhǎng)的衰減率，計(jì)算混合被膜中的材料成分， 將其值反饋給蒸發(fā)源蒸鍍速度的控制（例如，參見(jiàn)專利文獻(xiàn)2)。
[0005] 在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開(kāi)2003-129224號(hào)公報(bào)
[0008] 專利文獻(xiàn)2 :日本特開(kāi)2011-195871號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 發(fā)明要解決的課題
[0010] 但是，上述專利文獻(xiàn)2所述的薄膜形成裝置用來(lái)計(jì)算實(shí)際被蒸鍍體上所蒸鍍的薄 膜中的材料成分，無(wú)法實(shí)時(shí)監(jiān)視各蒸發(fā)源中蒸鍍材料的蒸發(fā)量。因此，不能在蒸鍍時(shí)適當(dāng)修 正蒸鍍率，并且還另行需要輸出光的激光裝置及檢測(cè)反射光的光電二極管等的結(jié)構(gòu)。
[0011] 本發(fā)明用來(lái)解決上述課題，其目的為，提供一種在被蒸鍍體上使多種蒸鍍材料蒸 鍍的情況下，可以以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)單獨(dú)監(jiān)視使各蒸鍍材料蒸發(fā)的蒸發(fā)源的蒸鍍率，能夠正確 控制薄膜的膜厚及混合濃度比的真空蒸鍍裝置。
[0012] 解決課題的手段
[0013] 為了解決上述課題，本發(fā)明是一種真空蒸鍍裝置，用來(lái)在被蒸鍍體上蒸鍍多個(gè)蒸 鍍材料，其特征為，具備：第1蒸發(fā)源，使一個(gè)蒸鍍材料蒸發(fā)；第2蒸發(fā)源，使另一蒸鍍材料 蒸發(fā)；蒸鍍速度控制部，分別控制上述第1蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源的動(dòng)作；設(shè)定蒸鍍速度存儲(chǔ) 部，分別存儲(chǔ)預(yù)先設(shè)定的上述第1蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源的設(shè)定蒸鍍速度Al、A2 ;第1膜厚 計(jì)，使從上述第1蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源的各自蒸發(fā)出的蒸鍍材料附著，根據(jù)其膜厚計(jì)量各蒸 鍍材料的混合蒸鍍速度Y1，配設(shè)于比上述第2蒸發(fā)源更靠近上述第1蒸發(fā)源的位置上；第 2膜厚計(jì)，計(jì)量各蒸鍍材料的混合蒸鍍速度Y2,配設(shè)于比上述第1蒸發(fā)源更靠近上述第2蒸 發(fā)源的位置上；混合蒸鍍速度存儲(chǔ)部，分別存儲(chǔ)上述2個(gè)膜厚計(jì)所計(jì)量的混合蒸鍍速度Y1、 Y2;到達(dá)量比存儲(chǔ)部，存儲(chǔ)從上述第1蒸發(fā)源到達(dá)上述2個(gè)膜厚計(jì)各自的每單位時(shí)間的上述 一個(gè)蒸鍍材料之中第2膜厚計(jì)相對(duì)于上述第1膜厚計(jì)的一個(gè)蒸鍍材料的到達(dá)量比B1，和從 上述第2蒸發(fā)源到達(dá)上述2個(gè)膜厚計(jì)的每單位時(shí)間的上述另一蒸鍍材料之中第1膜厚計(jì)相 對(duì)于上述第2膜厚計(jì)的另一蒸鍍材料的到達(dá)量比B2 ;計(jì)量部，根據(jù)上述混合蒸鍍速度存儲(chǔ) 部中所存儲(chǔ)的混合蒸鍍速度Yl、Y2和上述到達(dá)量比存儲(chǔ)部中所存儲(chǔ)的到達(dá)量比Bl、B2,分 別計(jì)算第1蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源的蒸鍍速度X1、X2 ;上述蒸鍍速度控制部分別控制上述第1 蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源的至少任一個(gè)，以便由上述計(jì)量部計(jì)算的第1蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源的 蒸鍍速度X1、X2的至少任一個(gè)和上述設(shè)定蒸鍍速度存儲(chǔ)部中所存儲(chǔ)的設(shè)定蒸鍍速度A1、A2 的至少任一個(gè)分別一致。
[0014] 在上述真空蒸鍍裝置中，優(yōu)選的是，上述計(jì)量部通過(guò)從上述混合蒸鍍速度存儲(chǔ)部 中所存儲(chǔ)的混合蒸鍍速度Yl、Y2,減去對(duì)上述設(shè)定蒸鍍速度存儲(chǔ)部中所存儲(chǔ)的設(shè)定蒸鍍速 度A2、A1各自乘以上述到達(dá)量比存儲(chǔ)部中所存儲(chǔ)的到達(dá)量比B2、B1各自后得到的值，來(lái)分 別計(jì)算第1及第2蒸發(fā)源的蒸鍍速度XI、X2。
[0015] 在上述真空蒸鍍裝置中，優(yōu)選的是，將分別相加了在預(yù)先只使上述第1蒸發(fā)源工 作時(shí)被上述第1膜厚計(jì)及第2膜厚計(jì)分別計(jì)量的第1蒸鍍速度C1、C2和在預(yù)先只使上述第 2蒸發(fā)源工作時(shí)被上述第1膜厚計(jì)及第2膜厚計(jì)分別計(jì)量的第2蒸鍍速度Dl、D2后的值， 設(shè)為第1假想混合蒸鍍速度El、E2,并將在預(yù)先使上述第1蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源的雙方工 作時(shí)被上述第1膜厚計(jì)及第2膜厚計(jì)分別計(jì)量的值設(shè)為第2假想混合蒸鍍速度FI、F2,上 述計(jì)量部將蒸鍍速度修正系數(shù)ΚΙ、K2與上述混合蒸鍍速度Y1、Y2分別相乘來(lái)計(jì)算修正后混 合蒸鍍速度Υ' 1、Υ' 2,在上述混合蒸鍍速度Υ1、Υ2中分別替換使用該修正后混合蒸鍍速度 Υ' 1、Υ' 2,上述蒸鍍速度修正系數(shù)Κ1、Κ2是上述第1假想混合蒸鍍速度Ε1、Ε2分別除以上 述第2假想混合蒸鍍速度FI、F2后的值。
[0016] 在上述真空蒸鍍裝置中，優(yōu)選的是，上述到達(dá)量比存儲(chǔ)部預(yù)先存儲(chǔ)上述到達(dá)量比 Bl、Β2,在上述計(jì)量部中預(yù)先設(shè)定上述蒸鍍速度修正系數(shù)ΚΙ、Κ2。
[0017] 在上述真空蒸鍍裝置中，優(yōu)選的是，還具備顯示部，顯示上述計(jì)量部計(jì)算出的第1 蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源的蒸鍍速度XI、Χ2。
[0018] 在上述真空蒸鍍裝置中，優(yōu)選的是，上述蒸鍍速度控制部分別控制上述第1及第2 蒸發(fā)源的溫度。
[0019] 在上述真空蒸鍍裝置中，優(yōu)選的是，上述蒸鍍速度控制部分別控制閘門(mén)的開(kāi)口度， 該閘門(mén)使上述第1蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源各自的蒸發(fā)開(kāi)口部的開(kāi)口面積產(chǎn)生變化。
[0020] 在上述真空蒸鍍裝置中，優(yōu)選的是，上述第2蒸發(fā)源和上述第2膜厚計(jì)之間的間隔 距離比上述第1蒸發(fā)源和上述第1膜厚計(jì)之間的間隔距離更短。
[0021] 在上述真空蒸鍍裝置中，優(yōu)選的是，在上述第2蒸發(fā)源的蒸發(fā)開(kāi)口部的旁邊和上 述第2膜厚計(jì)的旁邊分別設(shè)有具有開(kāi)口的筒狀流路。
[0022] 在上述真空蒸鍍裝置中，優(yōu)選的是，在上述第1蒸發(fā)源的蒸發(fā)開(kāi)口部的旁邊和上 述第1膜厚計(jì)的旁邊分別設(shè)有具有開(kāi)口的筒狀流路。
[0023] 在上述真空蒸鍍裝置中，優(yōu)選的是，還具備筒狀體，將上述第1蒸發(fā)源及第2蒸發(fā) 源和上述被蒸鍍體之間的空間包圍，在上述被蒸鍍體側(cè)具有開(kāi)口面。
[0024] 發(fā)明效果
[0025] 根據(jù)本發(fā)明，只要預(yù)先計(jì)量到達(dá)量比B1、B2,并且計(jì)量2個(gè)膜厚計(jì)的混合蒸鍍速度 Yl、Y2,就可以單獨(dú)監(jiān)視出自第1、第2蒸發(fā)源的各蒸鍍材料的蒸鍍速度XI、X2(蒸鍍率）。 另外，通過(guò)使蒸鍍速度X1、X2,和設(shè)定蒸鍍速度A1、A2分別相一致，就可以使實(shí)際從第1、第 2蒸發(fā)源蒸發(fā)的蒸鍍材料的蒸鍍速度與設(shè)定值相符，能夠正確控制薄膜的膜厚及混合濃度 比。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0026] 圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的真空蒸鍍裝置的橫截面和控制裝置框 結(jié)構(gòu)的附圖。
[0027] 圖2是表示上述實(shí)施方式的異例所涉及的真空蒸鍍裝置的橫截面和控制部裝置 框結(jié)構(gòu)的附圖。
[0028] 圖3是表示上述實(shí)施方式的另一異例所涉及的真空蒸鍍裝置的橫截面和控制部 裝置框結(jié)構(gòu)的附圖。
[0029] 圖4是表示上述實(shí)施方式的又一異例所涉及的真空蒸鍍裝置的橫截面和控制部 裝置框結(jié)構(gòu)的附圖。
[0030] 圖5是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的真空蒸鍍裝置的橫截面和控制裝置框 結(jié)構(gòu)的附圖。

【具體實(shí)施方式】
[0031] 對(duì)于本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的真空蒸鍍裝置，參照?qǐng)D1進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施 方式的真空蒸鍍裝置1用來(lái)在被蒸鍍體2上蒸鍍多個(gè)（在本例中是2種）蒸鍍材料，具備： 第1蒸發(fā)源3,使一個(gè)蒸鍍材料30蒸發(fā)；第2蒸發(fā)源4,使另一蒸鍍材料40蒸發(fā)。另外，真 空蒸鍍裝置1還具備：筒狀體5,將第1、第2蒸發(fā)源3、4及被蒸鍍體2之間的空間包圍，在 被蒸鍍體2側(cè)具有開(kāi)口面；真空室6,使配置被蒸鍍體2、第1、第2蒸發(fā)源3、4及筒狀體5的 空間成為真空狀態(tài)。真空室6其構(gòu)成為，可以通過(guò)真空泵61將其內(nèi)部減壓為真空狀態(tài)。
[0032] 筒狀體5在其一端具有開(kāi)口面51，配置基板等的被蒸鍍體2使之與該開(kāi)口面51對(duì) 置。例如，被蒸鍍體2通過(guò)輸送機(jī)構(gòu)（未圖示），被從附圖近前方向往進(jìn)深方向進(jìn)行輸送。 在筒狀體5的另一端，第1、第2蒸發(fā)源3、4分別配置于不同的位置上，未配置第1、第2蒸 發(fā)源3、4的部分通過(guò)底部52進(jìn)行了連接。在筒狀體5的外周，卷繞有由電熱線加熱器等構(gòu) 成的筒狀體加熱器（下面為加熱器53)。該加熱器53通過(guò)與電源54連接，接受供電，來(lái)對(duì) 筒狀體5內(nèi)進(jìn)行加熱。另外，在筒狀體5的底部52,設(shè)置測(cè)量筒狀體5內(nèi)的溫度所用的溫度 傳感器55,溫度傳感器55的測(cè)量信息被輸出給由CPU及存儲(chǔ)器等構(gòu)成的筒狀體溫度控制器 56。筒狀體溫度控制器56可以通過(guò)接受溫度傳感器55的測(cè)量信息，控制從電源54給加熱 器53供應(yīng)的電力量，來(lái)調(diào)節(jié)筒狀體5內(nèi)的溫度。借助于該筒狀體5,可以使出自第1、第2 蒸發(fā)源3、4的蒸鍍材料30、40朝向被蒸鍍體2有效行進(jìn)。還有，在開(kāi)口面51上，為了控制 從筒狀體5往被蒸鍍體2的氣化后的蒸鍍材料的流量，也可以設(shè)置具有開(kāi)關(guān)自如的多個(gè)開(kāi) 口的校正板（未圖示）。
[0033] 筒狀體5安裝有第1膜厚計(jì)7a及第2膜厚計(jì)7b，使之面對(duì)其側(cè)壁上所設(shè)置的側(cè)面 開(kāi)口部（未圖示）。這2個(gè)膜厚計(jì)7a、7b由水晶振子膜厚計(jì)等構(gòu)成，通過(guò)檢測(cè)因蒸鍍而附著 到它們表面上的每單位時(shí)間的蒸鍍材料30、40的膜厚，來(lái)計(jì)量蒸鍍速度。第1膜厚計(jì)7a配 置在比第2膜厚計(jì)7b相對(duì)更靠近第1蒸發(fā)源3的位置上，第2膜厚計(jì)7b配置在比第1膜 厚計(jì)7a相對(duì)更靠近第2蒸發(fā)源4的位置上。膜厚計(jì)7a、7b不管蒸鍍材料30、40的種類及 成分，例如第1蒸發(fā)源3的工作過(guò)程中計(jì)量蒸鍍材料30的蒸鍍速度，第2蒸發(fā)源4的工作 過(guò)程中計(jì)量蒸鍍材料40的蒸鍍速度，雙方的工作過(guò)程中計(jì)量蒸鍍材料30、40的混合蒸鍍速 度Yl、Y2。與膜厚計(jì)7a、7b分別所計(jì)量的蒸鍍速度有關(guān)的數(shù)據(jù)被輸出給對(duì)真空蒸鍍裝置1 的動(dòng)作進(jìn)行控制的控制裝置8。
[0034] 第1、第2蒸發(fā)源3、4在熔爐等的加熱容器31、41內(nèi)保持有蒸鍍材料30、40。加熱 容器31、41埋入到筒狀體5內(nèi)，以便其開(kāi)口側(cè)和筒狀體5的底部52成為相同的高度。這些 第1、第2蒸發(fā)源3、4分別配設(shè)在筒狀體5的底部52的不同位置上。
[0035] 在蒸鍍材料30、40中，雖然使用任意的材料，但是例如，適合使用有機(jī)電致發(fā)光元 件所用的有機(jī)半導(dǎo)體材料等的有機(jī)材料。在本實(shí)施方式中設(shè)為，填充于第1蒸發(fā)源3中的 蒸鍍材料30是構(gòu)成蒸鍍膜主體的主材料，填充于第2蒸發(fā)源4中的蒸鍍材料40是在上述 主材料中摻雜的摻雜材料。在加熱容器31、41的周邊部，分別配設(shè)蒸發(fā)源加熱器32、42。這 些蒸發(fā)源加熱器32、42通過(guò)與電源33、43連接而被供電，來(lái)對(duì)加熱容器31、41及蒸鍍材料 30、40分別進(jìn)行加熱。在加熱容器31、41中，設(shè)置測(cè)量它們的溫度所用的溫度計(jì)34、44,溫 度計(jì)34、44的測(cè)量信息被輸出給蒸發(fā)源溫度控制器35、45。該蒸發(fā)源溫度控制器35、45連 接于控制裝置8的蒸鍍速度控制部81上。蒸鍍速度控制部81通過(guò)接受溫度計(jì)34、44的測(cè) 量信息，控制從電源33、43給蒸發(fā)源加熱器32、42供應(yīng)的電力量，來(lái)調(diào)節(jié)加熱容器31、41內(nèi) 的溫度，分別控制第1及第2蒸發(fā)源3、4的蒸發(fā)速度。借此，控制對(duì)被蒸鍍體2蒸鍍的實(shí)際 的蒸鍍材料30、40的蒸鍍速度。
[0036] 控制裝置8具備：設(shè)定蒸鍍速度存儲(chǔ)部82a、82b，分別存儲(chǔ)預(yù)先所設(shè)定的第1、第2 蒸發(fā)源3、4的設(shè)定蒸鍍速度Al、A2 ;混合蒸鍍速度存儲(chǔ)部83a、83b，分別存儲(chǔ)膜厚計(jì)7a、7b 所計(jì)量的混合蒸鍍速度Yl、Y2。
[0037] 另外，控制裝置8還具備到達(dá)量比存儲(chǔ)部84a、84b，分別存儲(chǔ)到達(dá)膜厚計(jì)7a、7b各 自的每單位時(shí)間的蒸鍍材料30、40的到達(dá)量比B1、B2。一個(gè)到達(dá)量比存儲(chǔ)部84a存儲(chǔ)從第 1蒸發(fā)源3到達(dá)膜厚計(jì)7a、7b各自的每單位時(shí)間的一個(gè)蒸鍍材料30之中第2膜厚計(jì)7b相 對(duì)于第1膜厚計(jì)7a的蒸鍍材料30的到達(dá)量比B1。也就是說(shuō)，到達(dá)量比B1是指，將在第1 膜厚計(jì)7a中每單位時(shí)間所到達(dá)的蒸鍍材料30的膜厚設(shè)為"1"時(shí)，在第2膜厚計(jì)7b中每單 位時(shí)間所到達(dá)的蒸鍍材料30的膜厚。由于第2膜厚計(jì)7b遠(yuǎn)離第1蒸發(fā)源3,第2膜厚計(jì) 7b的旁邊與第1膜厚計(jì)7a的旁邊相比蒸鍍材料30的濃度薄，因而到達(dá)量比B1的值通常 為" 1"以下。另外，另一個(gè)到達(dá)量比存儲(chǔ)部84b存儲(chǔ)從第2蒸發(fā)源4到達(dá)膜厚計(jì)7a、7b的 每單位時(shí)間的另一蒸鍍材料40之中第1膜厚計(jì)7a相對(duì)于第2膜厚計(jì)7b的另一蒸鍍材料 40的到達(dá)量比B2。到達(dá)量比B2和到達(dá)量比B1相反，是指將在第2膜厚計(jì)7b中每單位時(shí) 間所到達(dá)的另一蒸鍍材料40的膜厚設(shè)為"1"時(shí)，在第1膜厚計(jì)7a中每單位時(shí)間所到達(dá)的 另一蒸鍍材料40的膜厚。到達(dá)量比B1、B2通過(guò)在開(kāi)始對(duì)被蒸鍍體2的真空蒸鍍之前，預(yù)先 分別使第1、第2蒸發(fā)源3、4單獨(dú)進(jìn)行工作來(lái)計(jì)量，只要不變更在真空蒸鍍裝置1中使用的 筒狀體5或膜厚計(jì)7a、7b的配置等，就作為常數(shù)來(lái)提供。
[0038] 再者，控制裝置1具備計(jì)量部85,根據(jù)混合蒸鍍速度存儲(chǔ)部83a、83b中所存儲(chǔ)的 混合蒸鍍速度Yl、Y2和到達(dá)量比存儲(chǔ)部84a、84b中所存儲(chǔ)的到達(dá)量比Bl、B2,分別計(jì)算第 1及第2蒸發(fā)源的蒸鍍速度XI、X2。這里，在混合蒸鍍速度Yl、Y2、到達(dá)量比Bl、B2和第1 及第2蒸發(fā)源的蒸鍍速度XI、X2之間，下面的關(guān)系式成立。
[0039] (數(shù)學(xué)式1)
[0040] Y1 = X1+B2 · X2 · · ·(公式 1)
[0041] (數(shù)學(xué)式2)
[0042] Y2 = B1 · X1+X2 · · ·(公式 2)
[0043] 由于到達(dá)量比Bl、B2預(yù)先作為常數(shù)來(lái)提供，因而只要由2個(gè)膜厚計(jì)7a、7b計(jì)量混 合蒸鍍速度Yl、Y2,計(jì)量部85就可以通過(guò)解開(kāi)上述公式1、2的聯(lián)立方程，來(lái)單獨(dú)計(jì)算第1、 第2蒸發(fā)源3、4的蒸鍍速度XI、X2。
[0044] 另外，控制裝置8還具備顯示部86,顯示由計(jì)量部85所計(jì)量的第1、第2蒸發(fā)源3、 4的蒸鍍速度X1、X2。該顯示部86既可以是采用在控制裝置8自身內(nèi)設(shè)置的液晶顯示器等 的單元，也可以是給裝置外部的顯示用終端輸出預(yù)定的顯示信號(hào)的設(shè)備。
[0045] 蒸鍍速度控制部81向蒸發(fā)源溫度控制器35、45輸出控制信號(hào)，以使由計(jì)量部85 所計(jì)量的第1、第2蒸發(fā)源3、4的蒸鍍速度XI、X2,和設(shè)定蒸鍍速度存儲(chǔ)部82a、82b中所存 儲(chǔ)的設(shè)定蒸鍍速度A1、A2分別一致。然后，通過(guò)由蒸發(fā)源溫度控制器35、45控制從電源33、 43向蒸發(fā)源加熱器32、42供應(yīng)的電力量，來(lái)調(diào)節(jié)加熱容器31、41內(nèi)的溫度，控制出自第1及 第2蒸發(fā)源3、4的蒸鍍材料30、40的蒸發(fā)量。另外，膜厚計(jì)7a、7b分別持續(xù)計(jì)量混合蒸鍍 速度Y1、Y2,接受該信息，計(jì)量部85計(jì)算第1、第2蒸發(fā)源3、4的蒸鍍速度X1、X2。借此，一 次性監(jiān)視第1、第2蒸發(fā)源3、4的蒸鍍速度X1、X2。
[0046] 根據(jù)如此構(gòu)成的真空蒸鍍裝置1，只要預(yù)先計(jì)量到達(dá)量比Bl、B2,并且計(jì)量2個(gè)膜 厚計(jì)7a、7b的混合蒸鍍速度Yl、Y2,就可以單獨(dú)監(jiān)視出自第1、第2蒸發(fā)源3、4的各蒸鍍材 料30、40的蒸鍍速度XI、X2(蒸鍍率）。而且，可以通過(guò)使蒸鍍速度XI、X2,和設(shè)定蒸鍍速 度Al、A2分別相一致，而按照設(shè)定值修正實(shí)際從第1、第2蒸發(fā)源3、4蒸發(fā)的蒸鍍材料30、 40的蒸鍍速度。其結(jié)果為，可以恰當(dāng)管理對(duì)被蒸鍍體2的實(shí)際的蒸鍍材料30、40的蒸鍍速 度，正確控制要形成的薄膜的膜厚及混合濃度比。
[0047]另外，根據(jù)要制造的元件結(jié)構(gòu)的不同，有時(shí)蒸鍍膜中與蒸鍍材料的濃度相比，膜厚 對(duì)發(fā)光特性影響更大。這種情況下，只要控制上述蒸鍍速度X1、X2的任一個(gè)即可。另外，例 如在第1蒸發(fā)源3的蒸鍍速度XI較小時(shí)，該蒸鍍速度XI的測(cè)量準(zhǔn)確度變壞。這種情況下， 如果第2蒸發(fā)源4的蒸鍍速度X2較大，則有時(shí)與控制上述蒸鍍速度XI、X2的雙方相比，最 好只控制第2蒸發(fā)源4的蒸鍍速度X2。通常，由于主材料的蒸鍍速度比摻雜材料的蒸鍍速 度更大，因而優(yōu)選的是，控制主材料的蒸鍍速度。
[0048] 另外，控制裝置8具備操作部（未圖示），用來(lái)通過(guò)手工分別控制第1、第2蒸發(fā)源 3、4的蒸鍍速度。從而，可以通過(guò)由操作者一邊參照顯示部86上所顯示的蒸鍍速度X1、X2， 一邊操作上述操作部，來(lái)適當(dāng)調(diào)整第1、第2蒸發(fā)源3、4的蒸鍍速度。
[0049] 還有，在使第1、第2蒸發(fā)源3、4單獨(dú)工作時(shí)和使它們雙方同時(shí)工作時(shí)，有時(shí)分別在 第1及第2膜厚計(jì)7a、7b中計(jì)量的膜厚稍微不同。因此，可以通過(guò)分別預(yù)先計(jì)量它們的蒸 鍍速度，來(lái)修正上述混合蒸鍍速度Yl、Y2。
[0050] 具體而言，將預(yù)先只使第1蒸發(fā)源3工作時(shí)被第1及第2膜厚計(jì)7a、7b分別計(jì)量 的值設(shè)為第1蒸鍍速度C1、C2。另外，將預(yù)先只使第2蒸發(fā)源4工作時(shí)被第1及第2膜厚計(jì) 7a、7b分別計(jì)量的值設(shè)為第2蒸鍍速度Dl、D2。此時(shí)，將如下述公式（3) (4)所示分別相加 上述第1蒸鍍速度Cl、C2及第2蒸鍍速度Dl、D2后的值，設(shè)為第1假想混合蒸鍍速度E1、 E2〇
[0051] (數(shù)學(xué)式3)
[0052] El = C1+D1 · · ·(公式 3)
[0053] (數(shù)學(xué)式4)
[0054] E2 = C2+D2 · · ·(公式 4)
[0055] 另外，還將預(yù)先使第1及第2蒸發(fā)源3、4的雙方工作時(shí)被第1及第2膜厚計(jì)7a、7b 分別計(jì)量的值設(shè)為第2假想混合蒸鍍速度FI、F2。此時(shí)，計(jì)量部85如下述公式5、6所示， 計(jì)算下述蒸鍍速度修正系數(shù)ΚΙ、K2,該蒸鍍速度修正系數(shù)ΚΙ、K2是第1假想混合蒸鍍速度 El、E2分別除以第2假想混合蒸鍍速度FI、F2后的值。這里，在計(jì)量部85中，預(yù)先設(shè)定了 蒸鍍速度修正系數(shù)K1、K2。
[0056] (數(shù)學(xué)式5)
[0057] K1 = E1/F1 · · ·(公式 5)
[0058] (數(shù)學(xué)式6)
[0059] Κ2 = E2/F2 · · ·(公式 6)
[0060] 然后，計(jì)量部85如下述公式7、8所示，與上述的混合蒸鍍速度Yl、Υ2分別相乘來(lái) 計(jì)算修正后混合蒸鍍速度Υ' 1、Υ' 2,在上述公式（1) (2)中所示的混合蒸鍍速度Yl、Υ2中 分別替換使用這些修正后混合蒸鍍速度Υ' 1、Υ' 2。
[0061] (數(shù)學(xué)式7)
[0062] Υ1 · ΚΙ = Υ1，= Χ1+Β2 · Χ2 · · ·(公式 7)
[0063] (數(shù)學(xué)式8)
[0064] Υ2 · Κ2 = Υ2, = Β1 · Χ1+Χ2 · · ·(公式 8)
[0065] 由于到達(dá)量比Β1、Β2及蒸鍍速度修正系數(shù)Κ1、Κ2預(yù)先作為常數(shù)來(lái)提供，因而只要 由2個(gè)膜厚計(jì)7a、7b計(jì)量混合蒸鍍速度Υ1、Υ2,計(jì)量部85就可以通過(guò)解開(kāi)上述公式1、2的 聯(lián)立方程，單獨(dú)計(jì)算第1、第2蒸發(fā)源3、4的蒸鍍速度Χ1、Χ2。其結(jié)果為，可以更加恰當(dāng)?shù)毓?理對(duì)被蒸鍍體2的實(shí)際的蒸鍍材料30、40的蒸鍍速度。
[0066] 下面，對(duì)于上述實(shí)施方式的異例所涉及的真空蒸鍍裝置，參照?qǐng)D2至圖4進(jìn)行說(shuō) 明。這些異例所涉及的真空蒸鍍裝置1假設(shè)為，在出自第2蒸發(fā)源4的蒸鍍材料40的蒸發(fā) 量比出自第1蒸發(fā)源3的蒸鍍材料30的蒸發(fā)量少的條件下制造薄膜。在該條件下，圖2所 示的異例的真空蒸鍍裝置1已經(jīng)設(shè)定這些設(shè)備的位置關(guān)系，以便第2蒸發(fā)源4和第2膜厚 計(jì)7b之間的間隔距離比第1蒸發(fā)源3和第1膜厚計(jì)7a之間的間隔距離更短。其他的結(jié)構(gòu) 和上述實(shí)施方式相同。
[0067] 根據(jù)圖2所示的異例的真空蒸鍍裝置1，因?yàn)榈?蒸發(fā)源4和第2膜厚計(jì)7b之間 的間隔距離較短，所以從第2蒸發(fā)源4蒸發(fā)出的蒸鍍材料40的濃度在第2膜厚計(jì)7b的旁 邊相應(yīng)地變高。因此，在第2膜厚計(jì)7b中，易于從第2蒸發(fā)源4檢測(cè)蒸鍍材料40的附著， 可以使制造低摻雜濃度的薄膜時(shí)蒸鍍速度的控制準(zhǔn)確度得到提高。
[0068] 圖3所示的異例的真空蒸鍍裝置1在第2蒸發(fā)源4的蒸發(fā)開(kāi)口部的旁邊和第2膜 厚計(jì)7b的旁邊分別設(shè)有具有開(kāi)口的筒狀流路91。其他的結(jié)構(gòu)和上述實(shí)施方式相同。在該 異例的真空蒸鍍裝置1中，也是從第2蒸發(fā)源4蒸發(fā)出的蒸鍍材料40通過(guò)筒狀流路91流 向第2膜厚計(jì)7b的旁邊。因此，在第2膜厚計(jì)7b中，易于從第2蒸發(fā)源4檢測(cè)蒸鍍材料40 的附著，可以使制造低摻雜濃度的薄膜時(shí)蒸鍍速度的控制準(zhǔn)確度得到提高。
[0069]圖4所示的異例的真空蒸鍍裝置1除圖3所示的異例的結(jié)構(gòu)之外，還在第1蒸發(fā) 源3的蒸發(fā)開(kāi)口部的旁邊和第1膜厚計(jì)7a的旁邊分別設(shè)有具有開(kāi)口的筒狀流路92。在該 異例的真空蒸鍍裝置1中，由于從第1蒸發(fā)源3蒸發(fā)出的蒸鍍材料30通過(guò)筒狀流路92流 向第1膜厚計(jì)7a的旁邊，因而蒸鍍材料30的檢測(cè)能力得以提升，可以使蒸鍍速度的控制準(zhǔn) 確度得到提高。
[0070] 對(duì)于本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的真空蒸鍍裝置，參照?qǐng)D5進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施 方式的真空蒸鍍裝置1其計(jì)量部85中的計(jì)量方法和上述第1實(shí)施方式不同。另外，在第1、 第2蒸發(fā)源3、4各自的蒸發(fā)開(kāi)口部上，設(shè)有使各自的開(kāi)口面積產(chǎn)生變化的閘門(mén)36、46。而 且，蒸鍍速度控制部81通過(guò)分別控制這些閘門(mén)36、46的開(kāi)口度，來(lái)控制第1、第2蒸發(fā)源3、 4的蒸鍍速度。還有，蒸鍍速度控制部81如上述第1實(shí)施方式所示，也可以是同時(shí)執(zhí)行第 1、第2蒸發(fā)源3、4的溫度控制的單元。
[0071] 由于第1膜厚計(jì)7a遠(yuǎn)離第2蒸發(fā)源4,因而在第1膜厚計(jì)7a計(jì)量混合蒸鍍速度 Y1的基礎(chǔ)上，第2蒸發(fā)源4的蒸鍍速度X2的影響較少，第2蒸發(fā)源4的蒸鍍速度X2和預(yù)先 所設(shè)定的設(shè)定蒸鍍速度A2幾乎沒(méi)有差異。另外，由于第2膜厚計(jì)7b遠(yuǎn)離第1蒸發(fā)源3,因 而在第2膜厚計(jì)7b計(jì)量混合蒸鍍速度Y2的基礎(chǔ)上，第1蒸發(fā)源3的蒸鍍速度XI的影響較 少，第1蒸發(fā)源3的蒸鍍速度XI和預(yù)先所設(shè)定的設(shè)定蒸鍍速度A1幾乎沒(méi)有差異。從而，在 混合蒸鍍速度Y1、Y2、到達(dá)量比B1、B2、第1及第2蒸發(fā)源的蒸鍍速度X1、X2和設(shè)定蒸鍍速 度A1、A2之間，下面的關(guān)系式成立。
[0072] (數(shù)學(xué)式9)
[0073] Y1 = X1+B2 · A2 · · ·(公式 9)
[0074] (數(shù)學(xué)式 10)
[0075] Y2 = B1 · A1+X2 · · ·(公式 10)
[0076] 由于到達(dá)量比B1、B2預(yù)先作為常數(shù)來(lái)提供，設(shè)定蒸鍍速度A1、A2為設(shè)定值，因而只 要由2個(gè)膜厚計(jì)7a、7b計(jì)量混合蒸鍍速度Yl、Y2,并且只要分別計(jì)算上述公式9、公式10， 就可以單獨(dú)計(jì)算第1、第2蒸發(fā)源3、4的蒸鍍速度XI、X2。也就是說(shuō)，控制裝置8中所設(shè)置 的計(jì)量部85a、85b通過(guò)分別從混合蒸鍍速度Yl、Y2,減去對(duì)設(shè)定蒸鍍速度A2、A1各自相乘 到達(dá)量比B2、B1各自后的值，就可以分別計(jì)算第1、第2蒸發(fā)源3、4的蒸鍍速度X1、X2。也 就是說(shuō)，只要不是第1實(shí)施方式中所示的聯(lián)立方程的解，而是分別計(jì)算上述公式9、公式10， 就可以計(jì)算第1、第2蒸發(fā)源3、4的蒸鍍速度XI、X2。
[0077] 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，只要由第1膜厚計(jì)7a計(jì)量混合蒸鍍速度Y1，就可以計(jì)算第1蒸發(fā)源 3的蒸鍍速度XI，并且只要由第2膜厚計(jì)7b計(jì)量混合蒸鍍速度Y2,就可以計(jì)算第2蒸發(fā)源 4的蒸鍍速度X2。從而，本實(shí)施方式的真空蒸鍍裝置1在單獨(dú)計(jì)算第1、第2蒸發(fā)源3、4的 蒸鍍速度XI、X2任一個(gè)的方面是有用的，可以按照要制作的薄膜所要求的材料成分，正確 控制各材料的蒸鍍速度。
[0078] 另外，根據(jù)本實(shí)施方式的真空蒸鍍裝置1，由于分別控制第1、第2蒸發(fā)源3、4上所 設(shè)置的閘門(mén)36、46的開(kāi)口度，因而與控制它們的溫度的情形相比，可以快速調(diào)整第1、第2蒸 發(fā)源3、4的蒸鍍速度。
[0079] 還有，本發(fā)明不限于上述的實(shí)施方式，而能夠進(jìn)行各種變通，在上述實(shí)施方式中， 雖然根據(jù)由2個(gè)蒸發(fā)源使2種蒸鍍材料蒸発的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但是例如，也可以是由3個(gè) 蒸發(fā)源使3種蒸鍍材料蒸發(fā)的方式。這種情況下，只要采用第3膜厚計(jì)，計(jì)量混合蒸鍍速度， 求取3個(gè)公式的聯(lián)立方程的解，就可以單獨(dú)計(jì)算各個(gè)蒸發(fā)源的蒸鍍速度。
[0080] 本申請(qǐng)基于日本專利申請(qǐng)2012-013969號(hào)，其內(nèi)容通過(guò)參照上述專利申請(qǐng)的說(shuō)明 書(shū)及附圖，編入本申請(qǐng)發(fā)明。
[0081] 符號(hào)說(shuō)明
[0082] 1真空蒸鍍裝置
[0083] 2被蒸鍍體
[0084] 3第1蒸發(fā)源
[0085] 30 -個(gè)蒸鍍材料
[0086] 4第2蒸發(fā)源
[0087] 40另一蒸鍍材料
[0088] 5 筒狀體
[0089] 7a第1膜厚計(jì)
[0090] 7b第2膜厚計(jì)
[0091] 81蒸鍍速度控制部
[0092] 82a設(shè)定蒸鍍速度存儲(chǔ)部
[0093] 82b設(shè)定蒸鍍速度存儲(chǔ)部
[0094] 83a混合蒸鍍速度存儲(chǔ)部
[0095] 83b混合蒸鍍速度存儲(chǔ)部
[0096] 84a到達(dá)量比存儲(chǔ)部
[0097] 84b到達(dá)量比存儲(chǔ)部
[0098] 85計(jì)量部
[0099] 86 顯示部
[0100] 91筒狀流路
[0101] 92筒狀流路
[0102] A1第1蒸發(fā)源的設(shè)定蒸鍍速度
[0103] A2第2蒸發(fā)源的設(shè)定蒸鍍速度
[0104] B1第2膜厚計(jì)的一個(gè)蒸鍍材料的到達(dá)量比
[0105] B2第1膜厚計(jì)的另一蒸鍍材料的到達(dá)量比
[0106] XI第1蒸發(fā)源的蒸鍍速度
[0107] X2第2蒸發(fā)源的蒸鍍速度
[0108] Y1由第1膜厚計(jì)計(jì)量的混合蒸鍍速度
[0109] Y2由第2膜厚計(jì)計(jì)量的混合蒸鍍速度
[0110] C1由第1膜厚計(jì)計(jì)量的只是第1蒸發(fā)源的蒸鍍速度
[0111] C2由第2膜厚計(jì)計(jì)量的只是第1蒸發(fā)源的蒸鍍速度
[0112] D1由第1膜厚計(jì)計(jì)量的只是第2蒸發(fā)源的蒸鍍速度
[0113] D2由第2膜厚計(jì)計(jì)量的只是第2蒸發(fā)源的蒸鍍速度
[0114] E1由第1膜厚計(jì)計(jì)量的第1假想混合蒸鍍速度
[0115] E2由第2膜厚計(jì)計(jì)量的第1假想混合蒸鍍速度
[0116] F1由第1膜厚計(jì)計(jì)量的第2假想混合蒸鍍速度
[0117] F2由第2膜厚計(jì)計(jì)量的第2假想混合蒸鍍速度
[0118] K1第1膜厚計(jì)中的蒸鍍速度修正系數(shù)
[0119] K2第2膜厚計(jì)中的蒸鍍速度修正系數(shù)
[0120] Y'l第1膜厚計(jì)中的混合蒸鍍速度
[0121] Y' 2第2膜厚計(jì)中的混合蒸鍍速度
【權(quán)利要求】
1. 一種真空蒸鍍裝置，用來(lái)在被蒸鍍體上蒸鍍多個(gè)蒸鍍材料，其特征為， 具備： 第1蒸發(fā)源，使一個(gè)蒸鍍材料蒸發(fā)； 第2蒸發(fā)源，使另一蒸鍍材料蒸發(fā)； 蒸鍍速度控制部，分別控制上述第1蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源的動(dòng)作； 設(shè)定蒸鍍速度存儲(chǔ)部，分別存儲(chǔ)預(yù)先設(shè)定的上述第1蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源的設(shè)定蒸鍍 速度A1、A2 ; 第1膜厚計(jì)，使從上述第1蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源的各自蒸發(fā)出的蒸鍍材料附著，根據(jù)其 膜厚計(jì)量各蒸鍍材料的混合蒸鍍速度Y1，配設(shè)于比上述第2蒸發(fā)源更靠近上述第1蒸發(fā)源 的位置上； 第2膜厚計(jì)，計(jì)量各蒸鍍材料的混合蒸鍍速度Y2,配設(shè)于比上述第1蒸發(fā)源更靠近上述 第2蒸發(fā)源的位置上； 混合蒸鍍速度存儲(chǔ)部，分別存儲(chǔ)上述2個(gè)膜厚計(jì)所計(jì)量的混合蒸鍍速度Yl、Y2 ; 到達(dá)量比存儲(chǔ)部，存儲(chǔ)從上述第1蒸發(fā)源到達(dá)上述2個(gè)膜厚計(jì)各自的每單位時(shí)間的上 述一個(gè)蒸鍍材料之中第2膜厚計(jì)相對(duì)于上述第1膜厚計(jì)的一個(gè)蒸鍍材料的到達(dá)量比B1，和 從上述第2蒸發(fā)源到達(dá)上述2個(gè)膜厚計(jì)的每單位時(shí)間的上述另一蒸鍍材料之中第1膜厚計(jì) 相對(duì)于上述第2膜厚計(jì)的另一蒸鍍材料的到達(dá)量比B2 ; 計(jì)量部，根據(jù)上述混合蒸鍍速度存儲(chǔ)部中所存儲(chǔ)的混合蒸鍍速度Yl、Y2和上述到達(dá)量 比存儲(chǔ)部中所存儲(chǔ)的到達(dá)量比Bl、B2,分別計(jì)算第1蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源的蒸鍍速度XI、 X2 ； 上述蒸鍍速度控制部分別控制上述第1蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源的至少任一個(gè)，以便由上 述計(jì)量部計(jì)算的第1蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源的蒸鍍速度X1、X2的至少任一個(gè)和上述設(shè)定蒸鍍 速度存儲(chǔ)部中所存儲(chǔ)的設(shè)定蒸鍍速度A1、A2的至少任一個(gè)分別一致。
2. 如權(quán)利要求1所述的真空蒸鍍裝置，其特征為， 上述計(jì)量部通過(guò)從上述混合蒸鍍速度存儲(chǔ)部中所存儲(chǔ)的混合蒸鍍速度Yl、Y2,減去對(duì) 上述設(shè)定蒸鍍速度存儲(chǔ)部中所存儲(chǔ)的設(shè)定蒸鍍速度A2、A1各自乘以上述到達(dá)量比存儲(chǔ)部 中所存儲(chǔ)的到達(dá)量比B2、B1各自后得到的值，來(lái)分別計(jì)算第1及第2蒸發(fā)源的蒸鍍速度XI、 X2〇
3. 如權(quán)利要求1或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征為， 將分別相加了在預(yù)先只使上述第1蒸發(fā)源工作時(shí)被上述第1膜厚計(jì)及第2膜厚計(jì)分別 計(jì)量的第1蒸鍍速度C1、C2和在預(yù)先只使上述第2蒸發(fā)源工作時(shí)被上述第1膜厚計(jì)及第2 膜厚計(jì)分別計(jì)量的第2蒸鍍速度Dl、D2后的值，設(shè)為第1假想混合蒸鍍速度El、E2， 將在預(yù)先使上述第1蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源的雙方工作時(shí)被上述第1膜厚計(jì)及第2膜厚 計(jì)分別計(jì)量的值設(shè)為第2假想混合蒸鍍速度FI、F2， 上述計(jì)量部將蒸鍍速度修正系數(shù)ΚΙ、K2與上述混合蒸鍍速度Y1、Y2分別相乘來(lái)計(jì)算修 正后混合蒸鍍速度Υ' 1、Υ' 2,在上述混合蒸鍍速度Υ1、Υ2中分別替換使用該修正后混合蒸 鍍速度Υ' 1、Υ' 2,上述蒸鍍速度修正系數(shù)Κ1、Κ2是上述第1假想混合蒸鍍速度Ε1、Ε2分別 除以上述第2假想混合蒸鍍速度FI、F2后的值。
4. 如權(quán)利要求3所述的真空蒸鍍裝置，其特征為， 上述到達(dá)量比存儲(chǔ)部預(yù)先存儲(chǔ)上述到達(dá)量比B1、B2， 在上述計(jì)量部中，預(yù)先設(shè)定上述蒸鍍速度修正系數(shù)ΚΙ、K2。
5. 如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的真空蒸鍍裝置，其特征為， 還具備顯示部，顯示上述計(jì)量部計(jì)算出的第1蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源的蒸鍍速度X1、X2。
6. 如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的真空蒸鍍裝置，其特征為， 上述蒸鍍速度控制部分別控制上述第1蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源的溫度。
7. 如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的真空蒸鍍裝置，其特征為， 上述蒸鍍速度控制部分別控制閘門(mén)的開(kāi)口度，該閘門(mén)使上述第1蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源 各自的蒸發(fā)開(kāi)口部的開(kāi)口面積產(chǎn)生變化。
8. 如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的真空蒸鍍裝置，其特征為， 上述第2蒸發(fā)源和上述第2膜厚計(jì)之間的間隔距離比上述第1蒸發(fā)源和上述第1膜厚 計(jì)之間的間隔距離更短。
9. 如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的真空蒸鍍裝置，其特征為， 在上述第2蒸發(fā)源的蒸發(fā)開(kāi)口部的旁邊和上述第2膜厚計(jì)的旁邊分別設(shè)有具有開(kāi)口的 筒狀流路。
10. 如權(quán)利要求9所述的真空蒸鍍裝置，其特征為， 在上述第1蒸發(fā)源的蒸發(fā)開(kāi)口部的旁邊和上述第1膜厚計(jì)的旁邊分別設(shè)有具有開(kāi)口的 筒狀流路。
11. 如權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述的真空蒸鍍裝置，其特征為， 還具備筒狀體，將上述第1蒸發(fā)源及第2蒸發(fā)源和上述被蒸鍍體之間的空間包圍，在上 述被蒸鍍體側(cè)具有開(kāi)口面。
【文檔編號(hào)】C23C14/24GK104066865SQ201380006704
【公開(kāi)日】2014年9月24日 申請(qǐng)日期:2013年1月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年1月26日
【發(fā)明者】北村一樹(shù), 宮川展幸 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社