一種ito鍍膜生產(chǎn)線的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及ITO鍍膜【技術領域】，尤其涉及一種ITO鍍膜生產(chǎn)線，包括玻璃基片輸送線、基片夾具、夾具機械手和真空鍍膜機，真空鍍膜機設置于玻璃基片輸送線的右端；基片夾具用于裝夾玻璃基片，基基片夾具放置在玻璃基片輸送線上進行輸送，夾具機械手夾持基片夾具并將基片夾具放置于真空鍍膜機內(nèi)；真空鍍膜機包括有從左至右依次設置的SiO2膜真空鍍膜室、ITO膜真空鍍膜室、穿透率檢驗室和阻抗特性檢驗室，真空鍍膜機還設置有穿設所述SiO2膜真空鍍膜室、ITO膜真空鍍膜室、穿透率檢驗室和阻抗特性檢驗室的輸送帶，可大大提高ITO鍍膜生產(chǎn)效率，使得產(chǎn)品穿透率和阻抗特性更理想。
【專利說明】一種j TO鍍膜生產(chǎn)線
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及ITO鍍膜【技術領域】，尤其涉及一種ITO鍍膜生產(chǎn)線。
【背景技術】
[0002]氧化銦錫(ΙΤ0)是一種N型半導體，常溫下具有良好的導電性能，對可見光有很好的透過率，是生產(chǎn)液晶屏及觸摸屏的關鍵材料之一。液晶顯示器之所以能顯示特定的圖形，就是利用導電玻璃上的透明導電膜，經(jīng)蝕刻制成特定外形的電極，上下導電玻璃制成液晶盒后，在這些電極上加適當電壓信號，使具有偶極矩的液晶分子在電場作用下特定的方面排列，僅而顯示出與電極波長相對應的圖形。隨著液晶屏及觸摸屏技術的高速發(fā)展，如何使得ITO鍍膜生產(chǎn)效率更高，產(chǎn)品穿透率和阻抗特性更理想，成為函待解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型的目的在于針對現(xiàn)有技術的不足而提供一種ITO鍍膜生產(chǎn)線，可大大提高ITO鍍膜生產(chǎn)效率，使得產(chǎn)品穿透率和阻抗特性更理想。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用以下技術方案來實現(xiàn)。
[0005]一種ITO鍍膜生產(chǎn)線，它包括玻璃基片輸送線、基片夾具、夾具機械手和真空鍍膜機，真空鍍膜機設置于玻璃基片輸送線的右端；所述基片夾具用于裝夾玻璃基片，所述基基片夾具放置在玻璃基片輸送線上進行輸送，夾具機械手夾持基片夾具并將基片夾具放置于真空鍍膜機內(nèi)；所述真空鍍膜機包括有從左至右依次設置的SiO2膜真空鍍膜室、ITO膜真空鍍膜室、穿透率檢驗室和阻抗特性檢驗室，真空鍍膜機還設置有穿設所述SiO2膜真空鍍膜室、ITO膜真空鍍膜室、穿透率檢驗室和阻抗特性檢驗室的輸送帶。
[0006]本實用新型的有益效果為:本實用新型所述一種ITO鍍膜生產(chǎn)線，可大大提高ITO鍍膜生產(chǎn)效率，使得產(chǎn)品穿透率和阻抗特性更理想。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本實用新型的原理框圖。
【具體實施方式】
[0008]下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進一步的說明。
[0009]如圖1所示，一種ITO鍍膜生產(chǎn)線，它包括玻璃基片輸送線1、基片夾具2、夾具機械手3和真空鍍膜機4，真空鍍膜機4設置于玻璃基片輸送線I的右端；所述基片夾具2用于裝夾玻璃基片，所述基片夾具2放置在玻璃基片輸送線I上進行輸送，夾具機械手3夾持基片夾具2并將基片夾具2放置于真空鍍膜機4內(nèi)；所述真空鍍膜機4包括有從左至右依次設置的SiO2膜真空鍍膜室40、ITO膜真空鍍膜室41、穿透率檢驗室42和阻抗特性檢驗室43，真空鍍膜機4還設置有穿設所述Si02膜真空鍍膜室40、ITO膜真空鍍膜室41、穿透率檢驗室42和阻抗特性檢驗室43的輸送帶44。[0010]上述一種ITO鍍膜生產(chǎn)線的工作原理是，工作時，將玻璃基片裝夾于基片夾具2，基片夾具放置在玻璃基片輸送線I上進行輸送，夾具機械手3夾持基片夾具2并將基片夾具2放置于真空鍍膜機4的SiO2膜真空鍍膜室40，Si02膜真空鍍膜室40對玻璃基片進行真空鍍膜，在玻璃基片的鍍膜面上鍍上一層30 μ m厚的SiO2膜；輸送帶44將玻璃基片輸送到ITO膜真空鍍膜室41，ITO膜真空鍍膜室41的蒸發(fā)源將第一步所配置的ITO膜膠液蒸發(fā)鍍于玻璃基片的SiO2膜上，形成一層25 μ m厚的ITO膜；輸送帶44將玻璃基片輸送到穿透率檢驗室42，穿透率檢驗室42對玻璃基片的穿透率進行檢驗并得到穿透率檢驗數(shù)據(jù)；輸送帶44將玻璃基片輸送到阻抗特性檢驗室43，阻抗特性檢驗室43對玻璃基片的阻抗特性進行檢驗并得到阻抗特性檢驗數(shù)據(jù)；根據(jù)穿透率檢驗數(shù)據(jù)和阻抗特性檢驗數(shù)據(jù)判斷產(chǎn)品是否為良品，良品即包裝起來。所述一種ITO鍍膜生產(chǎn)線可大大提高ITO鍍膜生產(chǎn)效率，使得產(chǎn)品穿透率和阻抗特性更理想。
[0011]上述一種ITO鍍膜生產(chǎn)線的的ITO鍍膜生產(chǎn)工藝，包括如下步驟:
[0012]第一步，配置ITO膜膠液:將一定量的銦溶解在濃酸鹽中得到InCl3溶液，取出一定量的InCl3溶液，與乙酰丙酮按1:2 —1:3的摩爾比混合攪拌得到透明溶液；再按透明溶液與乙二醇甲醚的質(zhì)量比為80:5的比例加入乙二醇甲醚，在室溫下攪拌，得到In溶膠；按In =Sn質(zhì)量比為25:2的比例加入SnCl4.5H20，攪拌20min得到In-Sn溶膠，然后按In-Sn溶膠與聚乙二醇的質(zhì)量比為80:20的比例加入聚乙二醇，靜置40min得到ITO膜膠液；
[0013]第二步，將玻璃基片裝夾于基片夾具2，基片夾具放置在玻璃基片輸送線I上進行輸送，夾具機械手3夾持基片夾具2并將基片夾具2放置于真空鍍膜機4的SiO2膜真空鍍膜室40 ；
[0014]第三步，SiO2膜真空鍍膜室40對玻璃基片進行真空鍍膜，在玻璃基片的鍍膜面上鍍上一層30 μ m厚的SiO2膜；
[0015]第四步，真空鍍膜機4的輸送帶44將玻璃基片輸送到ITO膜真空鍍膜室41，ITO膜真空鍍膜室41的蒸發(fā)源將第一步所配置的ITO膜膠液蒸發(fā)鍍于玻璃基片的SiO2膜上，形成一層25 μ m厚的ITO膜；
[0016]第五步，真空鍍膜機4的輸送帶44將玻璃基片輸送到穿透率檢驗室42，穿透率檢驗室42對玻璃基片的穿透率進行檢驗并得到穿透率檢驗數(shù)據(jù)；
[0017]第六步，真空鍍膜機4的輸送帶44將玻璃基片輸送到阻抗特性檢驗室43，阻抗特性檢驗室43對玻璃基片的阻抗特性進行檢驗并得到阻抗特性檢驗數(shù)據(jù)；
[0018]第七步，根據(jù)穿透率檢驗數(shù)據(jù)和阻抗特性檢驗數(shù)據(jù)判斷產(chǎn)品是否為良品，良品即包裝起來。
[0019]上述一種ITO鍍膜生產(chǎn)工藝，其特制ITO膜膠液作為蒸發(fā)物料，使得產(chǎn)品穿透率和阻抗特性更理想。
[0020]當然，本實用新型還可有其他多種制作方式，在不背離本實用新型精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領域的技術人員可根據(jù)本實用新型作出相應的改變和變形。以上所述僅是本實用新型的較佳實施方式，故凡依本實用新型專利申請范圍所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾，均包括于本實用新型專利保護范圍內(nèi)。
【權利要求】
1.一種ITO鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于:它包括玻璃基片輸送線、基片夾具、夾具機械手和真空鍍膜機，真空鍍膜機設置于玻璃基片輸送線的右端；所述基片夾具用于裝夾玻璃基片，所述基基片夾具放置在玻璃基片輸送線上進行輸送，夾具機械手夾持基片夾具并將基片夾具放置于真空鍍膜機內(nèi)；所述真空鍍膜機包括有從左至右依次設置的SiO2膜真空鍍膜室、ITO膜真空鍍膜室、穿透率檢驗室和阻抗特性檢驗室，真空鍍膜機還設置有穿設所述SiO2膜真空鍍膜室、ITO膜真空鍍膜室、穿透率檢驗室和阻抗特性檢驗室的輸送帶。
【文檔編號】C23C14/56GK203700486SQ201320807172
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2013年12月11日 優(yōu)先權日:2013年12月11日
【發(fā)明者】郭衛(wèi)軍 申請人:湖北優(yōu)泰顯示技術有限公司