一種波浪式多氣體獨立通道的噴淋結構的制作方法
【專利摘要】一種波浪式多氣體獨立通道的噴淋結構，主要解決現(xiàn)有的噴淋結構由于設計不夠合理，氣體在進入腔室之前已進行接觸，不易于控制沉積的時間及特氣資源浪費的技術問題。該結構采用平面分區(qū)方式，隔離不同的氣體路徑。噴淋頭結構中主體以太極或波浪式的結構形式，均勻布置氣體B分區(qū)及氣體C分區(qū)兩個分區(qū)。分別作為氣體B、C的分區(qū)，氣體B、C在分區(qū)擴散后從各自分區(qū)中的孔中進入反應腔室，氣體A直接從其獨自的氣體A通道的兩個通道進入腔室。本實用新型結構合理，可廣泛應用于半導體薄膜沉積【技術領域】。
【專利說明】 一種波浪式多氣體獨立通道的噴淋結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種新型的噴淋結構，通過平面分區(qū)方式，來實現(xiàn)三種及三種以上氣體獨立、均勻的到達基底表面進行沉積反應，屬于半導體薄膜沉積應用及制造【技術領域】。
【背景技術】
[0002]半導體鍍膜設備在進行沉積反應時，一般需要一種氣體或兩種氣體，有時需要三種(或三種以上)氣體同時進入腔室進行薄膜沉積，要求幾種氣體路徑相互獨立，在進入腔體前不能相遇，進入腔室后都能均勻擴散到基底表面。而現(xiàn)有的噴淋結構大都是針對單獨的氣體設計的路徑，或是最多有兩種氣體路徑，并且大多結構都只是在氣體進口處進行分離，在進入腔室之前兩種氣體已進行接觸，使沉積反應提前進行。這樣一來，即不易于控制沉積的時間及反應條件，也浪費了寶貴的不可再生的特氣資源。當需要三種或三種以上氣體時，之前的噴淋方法已不能滿足要求。針對要求多種(三種及三種以上)氣體同時、獨立、均勻的苛刻要求，本實用新型應運而生。
【發(fā)明內容】
[0003]本實用新型是以解決上述問題為目的，主要解決現(xiàn)有的噴淋結構由于設計不夠合理，氣體在進入腔室之前已進行接觸，不易于控制沉積的時間及特氣資源浪費的技術問題，而提供一種能夠滿足三種氣體同時、獨立、均勻沉積的噴淋新型結構。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用下述技術方案:一種波浪式多氣體獨立通道的噴淋結構，該結構采用平面分區(qū)方式，隔離不同的氣體路徑。氣體分別從各自獨立的氣體進口進入，通過各自獨立的通道，到達各自分區(qū)，并從各自的分區(qū)到達腔室。彼此獨立結構使不同氣體不會提前相遇或反應。通過規(guī)劃不同的分區(qū)結構及分區(qū)形式，能滿足多種氣體的分布，使氣體能均勻、快速的擴散在腔室內，并在基板上進行沉積反應。其具體結構:噴淋頭結構中主體以太極或波浪式的結構形式，均勻布置氣體B分區(qū)及氣體C分區(qū)兩個分區(qū)。分別作為氣體B、C的分區(qū)，氣體B、C在分區(qū)擴散后從各自分區(qū)中的孔中進入反應腔室，氣體A直接從其獨自的氣體A通道的兩個通道進入腔室。
[0005]本實用新型的有益效果及特點:由于該結構采用平面分區(qū)方式，隔離不同的氣體路徑，來實現(xiàn)三種氣體獨立、均勻的到達基底表面進行沉積反應，較好地解決了氣體在進入腔室之前已進行接觸，不易于控制沉積的時間及特氣資源浪費的技術問題。并可在其上安裝加熱或冷卻構件，以滿足更嚴苛的工藝條件要求。具有結構合理及易于推廣的特點。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0006]圖1是本實用新型的結構示意圖(實施例1為太極形式結構)。
[0007]圖2是本實用新型的實施例2 (波浪式)的結構示意圖。
[0008]圖中零件標號分別代表:[0009]1、氣體A通道；2、氣體B分區(qū)；3、氣體C分區(qū)；4、氣體A通道I ;、氣體B分區(qū)I ;
5、氣體C分區(qū)I。
[0010]下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。
【具體實施方式】
[0011]實施例1
[0012]如圖1所示，噴淋頭結構中主體以太極形式均勻布置氣體B分區(qū)2及氣體C分區(qū)3兩個分區(qū)。分別作為氣體B、C的分區(qū)，氣體B、C在分區(qū)擴散后從各自分區(qū)中的孔中進入反應腔室，氣體A直接從其獨自的氣體A通道I的兩個通道進入腔室。
[0013]實施例2
[0014]如圖2所示，噴淋頭結構中主體以波浪式形式均勻布置氣體B分區(qū)I 5及氣體C分區(qū)I 6兩個分區(qū)。分別作為氣體B、C的分區(qū)，氣體B、C在分區(qū)擴散后從各自分區(qū)中的孔中進入反應腔室，氣體A直接從其獨自的氣體A通道I 4的兩個通道進入腔室。
【權利要求】
1.一種波浪式多氣體獨立通道的噴淋結構，其特征在于:噴淋頭結構中主體以太極或波浪式的結構形式，均勻布置氣體B分區(qū)及氣體C分區(qū)兩個分區(qū)，分別作為氣體B、C的分區(qū)，氣體B、C在分區(qū)擴散后從各自分區(qū)中的孔中進入反應腔室，氣體A直接從其獨自的氣體A通道的兩個通道進入腔室。
【文檔編號】C23C16/455GK203559123SQ201320682574
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2013年10月31日 優(yōu)先權日:2013年10月31日
【發(fā)明者】凌復華, 吳鳳麗, 陳英男, 國建花, 王燚, 姜崴 申請人:沈陽拓荊科技有限公司