具有陽極殼體的磁控管濺射刻蝕設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及具有陽極殼體的磁控管濺射刻蝕設(shè)備。本實用新型涉及一種用于借助濺射工藝進(jìn)行刻蝕的設(shè)備，并且尤其是涉及一種這樣構(gòu)造的陽極殼體，其妨礙刻蝕引起的等離子體離開殼體。這種設(shè)備的應(yīng)用例如適合于在真空中對如金屬帶之類的襯底進(jìn)行預(yù)處理，為此表明一種設(shè)施。根據(jù)克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺點的目標(biāo)，本實用新型的任務(wù)是提出一種用于磁控管濺射刻蝕的設(shè)備，其抑制等離子體的燒掉。本實用新型的特征在于，暗場屏蔽（1）的至少一部分可運(yùn)動，使得可調(diào)節(jié)襯底距離（8）。
【專利說明】具有陽極殼體的磁控管濺射刻蝕設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種用于借助濺射工藝進(jìn)行刻蝕的設(shè)備，并且尤其是一種這樣構(gòu)造的陽極殼體，所述殼體妨礙刻蝕引起的等離子體離開該殼體。這種設(shè)備的應(yīng)用例如適合于在真空中預(yù)處理如金屬帶之類的襯底，為此表明一種設(shè)施(Anlage)。
【背景技術(shù)】
[0002]用于濺射的方法和設(shè)備充分公知，并且也是這種方法和設(shè)備:所述方法和設(shè)備在刻蝕過程的意義上特意(im Zweck)追蹤襯底表面層的剝蝕(Abtrag)。在工藝上所基于的如下原理可被用于均勻地涂層以及刻蝕:在真空中比較重的例如氬原子朝向固體表面加速并且從其中似乎打落原子或者分子。
[0003]磁控管濺射要被理解為:對于所述的加速通常設(shè)置施加在陰極與陽極之間的電場。此外，磁體裝置在陰極的區(qū)域中負(fù)責(zé)提高如電離原子之類的載流子的濃度，由此緊挨著磁體裝置發(fā)生所述的打落。因此，不僅存在提高濃度的載流子。也通過類似環(huán)地實施磁場，電子被俘獲在閉合的軌跡上，這附加地提高該區(qū)域中的濃度并且通過碰撞在那導(dǎo)致相對應(yīng)高的離子濃度。這樣的情況導(dǎo)致構(gòu)造等離子。
[0004]此處在概念上通常提及刻蝕、濺射刻蝕和尤其是磁控管濺射刻蝕。確切地涉及磁場支持的低壓等離子體處理。處理的概念在此要被理解為使得根據(jù)在處理過程中附入的一個或多個氣體進(jìn)行襯底表面上的非反應(yīng)性或者反應(yīng)性過程。通常，如氬之類的惰性氣體被用作所謂的工作氣體。如果給其添加其他反應(yīng)性氣體(稱為過程氣體或者反應(yīng)性氣體)、諸如氧氣，則涉及反應(yīng)性過程。那么常見的是利用概念等離子體刻蝕。
[0005]在區(qū)分濺射刻蝕與濺射涂層中，除了從涂層材料(也為目標(biāo))打落以為還進(jìn)行:涂層材料蒸汽狀傳輸?shù)啬鄢梢r底上的冷凝水。在刻蝕時僅僅進(jìn)行在襯底表面上的打落，由此襯底例如可從氧化層釋放。
[0006]因此，如此處描述地那樣公知設(shè)備:所述設(shè)備按照磁控管濺射刻蝕器的原理工作來使得襯底的涂層也隨著刻蝕而出現(xiàn)。例如，反應(yīng)性氣體的在等離子體中形成的分解產(chǎn)品有助于層形成，對此被理解為稱呼CVD(化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition))。這樣的裝置此處應(yīng)一起被理解為概念“磁控管濺射刻蝕器”。關(guān)于在其下采用這種磁控管濺射刻蝕器的壓力，首先真空合適，但是這不是一定必需的。
[0007]典型的例子是金屬帶的涂層。金屬帶(盡可能生滿輕薄氧化層地)在涂層設(shè)施中連續(xù)被混入，這意味著，該金屬帶相繼被真空包圍。在產(chǎn)品起決定性的涂層之前，對于良好的層附著需要去除氧化層。磁控管濺射刻蝕器為此被設(shè)置在真空環(huán)境中，并且位于涂層裝置之前地被布置在真空環(huán)境中。
[0008]前面描述的磁控管濺射刻蝕器首先從DD120474A1中公知并且也是最接近的現(xiàn)有技術(shù)，對此還詳細(xì)地探討。
[0009]根據(jù)前序部分所述的刻蝕設(shè)備要從三篇下面闡明的出版文獻(xiàn)得知。但是，這些出版文獻(xiàn)不是深入研究本實用新型的解決需求，并且也沒有表明所尋求的問題排除，因為沒有進(jìn)一步探討陽極箱(Anodenkasten)的構(gòu)造。
[0010]從EP0879879B2中公知了一種用于使襯底、尤其是鋼板燒紅的連續(xù)方法。在穿越襯底的大氣壓中，被施加到整個襯底寬度上方的所謂的冷等離子體被構(gòu)造，其中最后在穿越等離子體放電時應(yīng)用襯底的再結(jié)晶加熱。要從唯一的圖中得知:除了其給襯底加殼和經(jīng)由兩個縫隙通過襯底以外，與方法相關(guān)的設(shè)備的殼體沒有經(jīng)歷到其他特定的表現(xiàn)方案(Auspraegung)。即使在US6, 933, 460B2中也同樣地表現(xiàn)。
[0011]即使兩篇出版文獻(xiàn)表明等離子體刻蝕器的設(shè)備，但是也沒有關(guān)于陽極殼體的實際啟示源于 W02008/055617 和 DE102004012848A1。
[0012]返回到DD120474A1，優(yōu)選地在金屬帶襯底之上布置平面的磁控管并且給襯底加載陰極電勢或者通常加載接地電勢。在襯底的下側(cè)上構(gòu)造等離子體，該等離子體通過具有在陽極電勢上的內(nèi)壁和在接地上的外壁的雙壁殼體而被包圍。
[0013]此處已經(jīng)表明，以法蘭方式實施用于穿越襯底的縫隙；參見DD120474A1的圖1。因此，在設(shè)備的在兩側(cè)的襯底傳送方向上，施加短隧道(Tunnel )。
[0014]在DE102007004760A1中表明一種磁控管濺射設(shè)備，該磁控管濺射設(shè)備在結(jié)構(gòu)上與前面描述的濺射或者等離子體刻蝕裝置相同。但是，該解決方案中的焦點不在于從襯底剝蝕層或?qū)油扛驳揭r底上。借助所設(shè)置的前驅(qū)體(Precursor)可以制造可具有元素S1、C和O的層。這可給附上此處要尋求的解決方案沒有設(shè)法獲得任何啟示。
[0015]為此作為問題已知的是，尤其是在陽極箱中燃燒的等離子體正好通過兩個襯底通流口從殼體所謂地?zé)?Herausbrennen),并且這樣不受控地其他位于接地電勢上的在陽極箱之外的部分如被稱為暗場屏蔽的外壁或者室壁那樣被濺射下(absputtern)，其與位于陰極電勢上的襯底相同。與該現(xiàn)象相聯(lián)系的缺點可首先通過縮小襯底通流口被消除，但是這在柔性金屬帶的情況下就這點而言碰到如下限制:要絕對避免與襯底的觸碰，所述觸碰接著會尤其是在所述的開口之內(nèi)出現(xiàn)。添加借助真空泵持久地從陽極室中被吸出。這樣，在襯底通流口中的由在該襯底與殼體之間的在襯底之下的高百分比波動弓I起的橫截面變化時，殼體中的壓力遭受類似的波動。這又引起放電參數(shù)的不穩(wěn)定性，并且因此導(dǎo)致襯底的不均勻的預(yù)處理。
[0016]至于張力和拉力，帶形襯底的拉緊在用于直通處理方法的設(shè)施中由于襯底材料的抗拉強(qiáng)度及該設(shè)施的張緊行程而碰到機(jī)械極限。襯底傳送的調(diào)整與可觀的花費相聯(lián)系，因為為此必須在技術(shù)上花費高地給設(shè)施通風(fēng)并且緊接著又必須將該設(shè)備抽空。
[0017]因此，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)不知道任何如下技術(shù)方案:利用所述技術(shù)方案可避免在保持相同的或者更好的預(yù)處理品質(zhì)的情況下盡最大可能地或者完全避免所描述的燒掉來自圍繞陽極的殼體的等離子體。
實用新型內(nèi)容
[0018]根據(jù)克服前述缺點的目標(biāo)，本實用新型的任務(wù)是提出一種用于磁控管濺射刻蝕的設(shè)備，該設(shè)備抑制等離子體的燒掉。
[0019]根據(jù)前序部分涉及一種用于磁控管濺射刻蝕的設(shè)備，其在用于以直通方法處理帶形襯底的設(shè)施之內(nèi)。因此，該設(shè)備位于真空中。該設(shè)備被布置成該襯底的兩個表面，使得在被稱為刻蝕面的第一要處理的表面上設(shè)置陽極殼體，而在被稱為對接面的與襯底上的刻蝕面對置的第二表面上設(shè)置磁體裝置。該磁體裝置構(gòu)造貫穿襯底的磁場，使得磁場線構(gòu)成的環(huán)繞閉合的隧道被施加在刻蝕面上方。陽極殼體具有至少一個被實施為金屬導(dǎo)體的具有陽極電勢的陽極和覆蓋陽極以及刻蝕面的暗場屏蔽。在襯底上以及在暗場屏蔽上設(shè)置至少部分附上的陰極電勢。暗場屏蔽達(dá)到襯底地被實施在該設(shè)備的至少一個輸入側(cè)的和/或輸出側(cè)的襯底通流口上以及橫向于其傳送方向被布置，使得在刻蝕面與暗場屏蔽之間的襯底距離被預(yù)給定。
[0020]本實用新型的特征在于，暗場屏蔽的至少一部分可運(yùn)動來使得可調(diào)節(jié)襯底距離。為此，設(shè)置裝置為使得襯底距離根據(jù)襯底的位置可被減少到可預(yù)給定的最小距離。這些裝置具有至少一個測量裝置，以此可檢測襯底的相對于該設(shè)備的至少一部分的位置，并且這些裝置具有提升裝置(Hubmittel)，該設(shè)備的至少一部分可以與該提升裝置一起運(yùn)動。暗場屏蔽可與該提升裝置一起運(yùn)動。
[0021]有利地，這樣過去固定定位的暗場屏蔽可相對應(yīng)地跟蹤襯底的位置。對于燒掉等離子體起決定性的襯底距離可保持恒定并且被限制到如下程度:該程度不低于襯底在該設(shè)備中垂直于襯底表面地運(yùn)動的容差范圍。此外，得到如下優(yōu)點:襯底帶的在連接部位上出現(xiàn)的增厚部可無需手動介入地穿過該設(shè)備。這種連接部位例如用于將第一襯底備用滾筒的終止部與第二襯底備用滾筒的起始部連接，以便保持該設(shè)施的涂層運(yùn)動不中斷。
[0022]不是僅暗場屏蔽的跟蹤襯底的位置的部分，而是該構(gòu)件也可全部運(yùn)動。
[0023]在本實用新型的優(yōu)選實施形式中，陽極和/或磁體裝置可借助提升裝置運(yùn)動。由此，也跟蹤襯底的位置的對于刻蝕起決定性的部分。
[0024]在本實用新型的優(yōu)選實施形式中，陰極電勢接地，使得該電勢與該設(shè)施的殼體的電勢相等。由此，沒有如下危險風(fēng)險起因于該設(shè)施的外部外罩:特別在開銷上限制如隔離陽極之類的安全預(yù)防措施以及其引線。
[0025]在本實用新型的優(yōu)選實施形式中，陽極殼體具有穿通部(Durchbruch),穿過該穿通部可吸走陽極殼體。因此，被濺射下的材料以及水等可直接被置于其從該設(shè)施釋放的地點。
[0026]在本實用新型的優(yōu)選實施形式中，暗場屏蔽尤其是具有這種穿通部，在所述穿通部的情況下，相對于暗場屏蔽電絕緣地實施布置在兩個穿通部之間的接片。
[0027]在本實用新型的優(yōu)選實施形式中，至少一個接片被實施為稱為整流子片(Lamelle)的條形元件，該條形元件平行于該襯底地被布置。
[0028]在本實用新型的優(yōu)選實施形式中，至少一個接片被布置在暗場屏蔽的位于襯底通流口與陽極之間的部分中。
[0029]適合的是，影響在陽極電勢與陰極電勢之間、即在靠近襯底的陽極邊緣與襯底本身之間的電場，為此需要暗場屏蔽中的如接片之類的絕緣設(shè)置的部分。同樣，該設(shè)備的會與必要時導(dǎo)電的襯底觸碰的部分應(yīng)被絕緣到那個程度或者與接地連接，以便在襯底上不附上危險的電壓。
[0030]在本實用新型的優(yōu)選實施形式中，在接片上施加大于陰極電勢和小于陽極電勢的中間電勢。
[0031]對此，在接片或整流子片附近達(dá)到離子能量的降低，由此在該部位上的濺射剝蝕減少。施加在陽極電勢與陰極電勢之間的分壓器提供該中間電勢。[0032]在本實用新型的優(yōu)選的實施形式中，沒有電勢被施加在該絕緣接片上，使得根據(jù)載流子環(huán)境和離子環(huán)境出現(xiàn)所謂的浮置電勢。
[0033]在本實用新型的優(yōu)選實施形式中，測量裝置機(jī)械接觸刻蝕面的至少一部分，使得可確定刻蝕面的位置。因為首先重要的是刻蝕面，所以主要確定其位置，其中當(dāng)測量裝置接觸對接面上的襯底時，在具有等距的刻蝕面和對接面的襯底的情況下可以是有利的。
[0034]在本實用新型的優(yōu)選實施形式中，提升裝置是可垂直于刻蝕面運(yùn)動的彈簧元件，測量裝置的檢測在機(jī)械上可轉(zhuǎn)移到該彈簧元件上，使得提升裝置以將該設(shè)備的可運(yùn)動的部分置于與襯底等距的位置的方式被構(gòu)造。換言之，機(jī)械設(shè)備以如下方式已經(jīng)足夠:借助至少一個附在襯底上的通過杠桿連接的滾輪或者軋輥形式的機(jī)械掃描器(Abtaster)，彈性放置的膜片作為暗場屏蔽的部分這樣(例如向上和向下)運(yùn)動，如襯底那樣。
[0035]在本實用新型的優(yōu)選實施形式中，提升裝置是可垂直于刻蝕面運(yùn)動的驅(qū)動元件(Antriebselement)，測量裝置的檢測在電方面可被轉(zhuǎn)移到該驅(qū)動元件上，使得提升裝置以將該設(shè)備的可運(yùn)動的部分置于與襯底的等距的位置的方式被構(gòu)造。前者因此也可借助提升裝置的電驅(qū)動器來實現(xiàn)。
[0036]在本實用新型的優(yōu)選實施形式中，測量裝置以提升電測量信號的方式被實施，使得可確定刻蝕面的位置，當(dāng)一定要避免機(jī)械觸碰或者接觸時，那么這尤其是必需的。
[0037]在本實用新型的優(yōu)選實施形式中，通過滾輪、刷或者石墨氈來制造機(jī)械接觸。利用這樣實施的機(jī)械接觸，刻蝕箱在襯底通流口上鎖閉，使得在那可不出現(xiàn)等離子體。
[0038]在本實用新型的優(yōu)選實施形式中，暗場屏蔽的至少一部分可在襯底通流口上運(yùn)動。該實施方案允許陽極箱保留在其固定布局中并且將為暗場屏蔽的部分的任意形成的構(gòu)件以膜片、蓋、滾輪等的方式在對于燒掉關(guān)鍵的襯底縫隙上盡可能地引入到刻蝕面上。
[0039]在本實用新型的優(yōu)選實施形式中，暗場屏蔽的可運(yùn)動的部分是屏蔽軋輥。該屏蔽軋輥會在軸向上被劃分為使得軋輥鏈、即軋輥-軸序列方式的軋輥鏈被構(gòu)造。
[0040]在本實用新型的優(yōu)選實施形式中，屏蔽軋輥也是測量裝置。
[0041 ] 只要與襯底的機(jī)械接觸不關(guān)鍵，以彈性地壓到襯底的刻蝕面上的方式這樣運(yùn)動的這種軋輥就合適。這樣，至少在襯底上不會存在襯底距離。
[0042]該設(shè)備在如下程度上沒有給襯底傳送的構(gòu)造方案施加限制:垂直的、水平的以及其他傾斜的襯底引導(dǎo)是可能的。
[0043]在優(yōu)選實施形式中，磁體裝置被布置在這樣的處理軋輥之內(nèi)，帶形襯底通過該處理軋棍被引導(dǎo)。
[0044]暗場屏蔽和陽極的典型形狀是箱形或者也是槽形。
[0045]在優(yōu)選實施形式中，由陽極和暗場屏蔽形成的箱在這些側(cè)上閉合。
[0046]因為至少在與襯底觸碰的如軋輥、滾輪、氈或者刷之類的裝置中要從磨損現(xiàn)象出發(fā)，所以要以可交換的方式實施這些裝置或者做出這種設(shè)置。
[0047]對于本實用新型重要的是用于對帶形襯底進(jìn)行真空處理的設(shè)施，該設(shè)施具有前面描述的磁控管濺射刻蝕設(shè)備。
[0048]在本實用新型的優(yōu)選實施形式中，設(shè)置用于以直通方法處理的設(shè)施。
[0049]在本實用新型的優(yōu)選實施形式中，帶形襯底在一部分被次氣壓圍繞，而在其余部分被大氣壓圍繞。[0050]這指的是，例如滾輪展開位于空氣上的金屬帶或者薄膜，通過該設(shè)施引導(dǎo)襯底并且該襯底在該設(shè)施的另一端上又被纏起，在其間在真空下進(jìn)行襯底上的處理。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0051]以下依據(jù)實施例進(jìn)一步描述本實用新型。為此，在如下附圖中:
[0052]圖1示出了設(shè)備截面圖，
[0053]圖2示出了測量裝置和提升裝置截面圖；
[0054]圖3不出了具有屏蔽軋棍的設(shè)備截面圖。
【具體實施方式】
[0055]如在圖1中所示，襯底5 (即金屬帶)在拉的情況下被張緊地在下面附在兩個傳送滾輪6上。襯底5為了進(jìn)行處理連續(xù)地在傳送方向9上運(yùn)動，并且處于接地12。磁體裝置4構(gòu)造磁場，使得該磁場首先貫穿襯底5，并且其次在襯底5的刻蝕面10上形成環(huán)繞閉合的隧道，這導(dǎo)致磁控管放電時的等離子體3。這樣作為所謂的軌道是可見的:襯底5的刻蝕面10上的照明現(xiàn)象但是在整個襯底寬度上或者也例如此外被延伸，該現(xiàn)象大致具有帶有平行的縱側(cè)的伸長的橢圓形狀。為了構(gòu)造等離子體3，在襯底5的陽極2與刻蝕面10之間提供電場，只要在陽極2上附上陽極電勢11。暗場屏蔽I首先避免在陽極2與該設(shè)施之內(nèi)的其他裝配件之間構(gòu)造不想要的電場；因此具有法拉第籠的功能。整流子片7被設(shè)置用于:利用濺射刻蝕來剝蝕的易失性物質(zhì)或者也為水從圍繞其借助真空泵被吸出的設(shè)備并且因此從該設(shè)施到達(dá)。通常，暗場屏蔽I是一類白鐵箱。雙箭頭使得整個陽極箱(這指的是暗場屏蔽I和陽極2)的可運(yùn)動性明顯，由此可尤其是改變襯底距離8。
[0056]在圖2中示出了一列如測量裝置14和提升裝置之類的裝置，作為針對從暗場屏蔽到襯底5的過渡的構(gòu)型的實施形式。
[0057]圖2a示出了整流子片7和被固定在彈簧元件上的用于襯底5與整流子片系統(tǒng)之間的機(jī)械接觸13的石磨氈。
[0058]在圖2d中，刷占據(jù)石磨氈的位置。根據(jù)圖2b，滾輪被用作機(jī)械接觸部13，所述機(jī)械接觸部13借助平臺或者蝶形彈簧被壓向襯底5。
[0059]從圖2c得知具有屏蔽軋輥16的實施方案。該屏蔽軋輥16彈性地從下面并且因此從刻蝕面10出發(fā)被壓到襯底上，而且如箭頭所示的那樣，根據(jù)襯底位置向下或者向上一起運(yùn)動。提升裝置在最簡單的情況下會是此處未示出的彈簧設(shè)備。
[0060]根據(jù)圖2e，以電實施方案繪制了不僅測量裝置而且提升裝置。距離傳感器18在襯底5的對接側(cè)上檢測其位置，將信息轉(zhuǎn)交給調(diào)節(jié)裝置17，該調(diào)節(jié)裝置17又針對提升裝置提供輸出信號19,由此所示出的蓋可運(yùn)動。
[0061]根據(jù)圖3的實施方案考慮具有屏蔽軋輥16的圖2c的實施方案，該屏蔽軋輥16作為暗場屏蔽I的部分是可運(yùn)動的并且與襯底5處于機(jī)械接觸13。因此，襯底距離此處為O。如已經(jīng)在前面的附圖中那樣示出傳送方向9、傳送滾輪6、磁體裝置4、整流子片7和等離子體3。
[0062]此處除了屏蔽軋輥16和與其鄰接的膜片以外，還要注意布線。在屏蔽軋輥15上如在襯底5上那樣附上接地12，而在陽極2上附上陽極電勢11。分壓器(在該圖的右側(cè))提供附在整流子片7上的中間電勢20。
[0063]屏蔽軋輥16本來在導(dǎo)通襯底5和如傳送滾輪6那樣的構(gòu)件的情況下與接地12相連，正好出于所述的原因只保證，不應(yīng)將高于接地12的電勢通過陽極箱1、2導(dǎo)向襯底。在整流子片7上施加的中間電勢20追蹤弱化整流子片7上的陽極箱1、2中的電場的目標(biāo)。
[0064]附圖標(biāo)記列表
[0065]I暗場屏蔽
[0066]2 陽極
[0067]3等離子體/磁控管放電
[0068]4磁體裝置
[0069]5 襯底
[0070]6傳送滾輪
[0071]7整流子片/接片
[0072]8襯底距離
[0073]9傳送方向
[0074]10刻蝕面
[0075]11陽極電勢
[0076]12接地/陰極電勢
[0077]13機(jī)械接觸
[0078]14測量裝置
[0079]15提升裝置
[0080]16屏蔽軋輥
[0081]17調(diào)節(jié)裝置
[0082]18距離傳感器
[0083]19輸出信號
[0084]20中間電勢
【權(quán)利要求】
1.一種用于磁控管濺射刻蝕的設(shè)備，其在用于以直通方法處理帶形襯底(5)的設(shè)施之內(nèi)，其在真空中，所述設(shè)備被布置成襯底(5)的兩個表面，使得在被稱為刻蝕面(10)的第一要處理的表面上設(shè)置陽極殼體(1，2)，并且 在被稱為對接面的與襯底(5)上的刻蝕面對置的第二表面上設(shè)置磁體裝置(4)， 磁體裝置(4)構(gòu)造貫穿襯底(5)的磁場，使得由磁場線構(gòu)成的環(huán)繞閉合的隧道被施加在刻蝕面(10)上方， 陽極殼體(1，2)具有至少一個被實施為金屬導(dǎo)體的帶有陽極電勢(11)的陽極(2)和覆蓋陽極和刻蝕面(10)的暗場屏蔽(1)， 在襯底(5)上以及在暗場屏蔽(I)上設(shè)置至少部分附上的陰極電勢(12)，以及 暗場屏蔽(I)到達(dá)襯底(5)上地被實施在該設(shè)備的至少一個輸入側(cè)的和/或輸出側(cè)的襯底通流口上以及橫向于其傳送方向(9)地被布置，使得在刻蝕面(10)與暗場屏蔽(I)之間的襯底距離(8 )被預(yù)給定， 其特征在于， 暗場屏蔽(I)的至少一部分能運(yùn)動，使得能調(diào)節(jié)襯底距離(8)， 裝置(14，15)被設(shè)置為使得襯底距離(8)根據(jù)襯底(5)的位置能被減小到可預(yù)給定的最小距離， 裝置(14，15)具有至少一個測量裝置(14)和提升裝置(15)，利用所述測量裝置(14)能檢測到襯底(5)相對于該設(shè)備的至少一部分的位置，該設(shè)備的至少一個部分能與所述提升裝置(15) —起運(yùn)動，以及· 借助提升裝置(15 )，暗場屏蔽(I)能運(yùn)動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，借助提升裝置(15)，陽極(2)和/或磁體裝置(4)能運(yùn)動。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其特征在于，陰極電勢(12)接地，使得該電勢與所述設(shè)施的殼體的電勢相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其特征在于，陽極殼體(1，2)具有能穿過其吸走陽極殼體(1，2)的穿通部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，暗場屏蔽(I)具有這種穿通部，在所述穿通部的情況下，在兩個穿通部之間布置的接片(7)相對于暗場屏蔽(I)電絕緣地被實施。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，至少一個接片(7)被實施為稱為整流子片的條形元件，所述條形元件平行于襯底(5)地被布置。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的設(shè)備，其特征在于，至少一個接片(7)被布置在暗場屏蔽(I)的位于襯底通流口與陽極(2 )之間的部分中。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的設(shè)備，其特征在于，在接片(7)上施加大于陰極電勢(12)和小于陽極電勢(11)的中間電勢(20)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其特征在于，測量裝置(14)機(jī)械接觸刻蝕面(10)的至少一部分，使得能確定刻蝕面(10)的位置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其特征在于，提升裝置(15)是至少一個垂直于刻蝕面(10)可運(yùn)動的彈簧元件，測量裝置(14)的檢測能被機(jī)械轉(zhuǎn)移到所述彈簧元件上，使得提升裝置(15)以將該設(shè)備的可運(yùn)動部分(1，2，4)置于與襯底(5)等距的位置的方式被構(gòu)造。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其特征在于，提升裝置(15)是至少一個可垂直于刻蝕面(10)運(yùn)動的驅(qū)動元件，測量裝置(14)的檢測能被電轉(zhuǎn)移到所述驅(qū)動元件上，使得提升裝置(15)以將該設(shè)備的可運(yùn)動部分(1，2，4)置于與襯底(5)等距的位置的方式被構(gòu)造。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其特征在于，測量裝置(15)以提升至少一個電測量信號的方式被實施，使得刻蝕面(10)的位置能被確定。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，機(jī)械接觸(13)通過滾輪、刷或者石磨氈來制造。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其特征在于，暗場屏蔽(I)的至少一部分能在襯底通流口上運(yùn)動。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其特征在于，暗場屏蔽的可運(yùn)動的部分是至少一個屏蔽軋輥(16)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其特征在于，屏蔽軋輥(16)也是測量裝置(15)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其特征在于，磁體裝置(4)被布置在通過帶形襯底(5)引導(dǎo)的這樣的處理軋輥之內(nèi)。
18.一種用于對帶形襯底進(jìn)行真空處理的設(shè)施，其具有根據(jù)權(quán)利要求1至17之一所述的磁控管濺射刻蝕的設(shè)備。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)施，其特征在于，所述設(shè)施被設(shè)置用于以直通方法進(jìn)行處理。·
20.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的設(shè)施，其特征在于，帶形襯底在一部分被次氣壓圍繞，而在其余部分被大氣壓圍繞。
【文檔編號】C23C16/04GK203639538SQ201320509601
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月20日
【發(fā)明者】約爾格·法貝爾, 彼得·博茨勒, 迪特里希·豪費 申請人:馮·阿登納真空技術(shù)有限公司