亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

復(fù)式軌道雙對(duì)稱可分離腔體磁控濺射鍍膜設(shè)備的制作方法

文檔序號(hào):3280598閱讀:221來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:復(fù)式軌道雙對(duì)稱可分離腔體磁控濺射鍍膜設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及磁控濺射鍍膜設(shè)備。
背景技術(shù)
在材料表面上鍍上一層薄膜,可使該種材料具有許多新的物理和化學(xué)性能。真空鍍膜法是一種嶄新的鍍膜工藝,由于薄膜制備工藝是在真空條件下進(jìn)行的,故稱真空鍍膜法。真空下制備薄膜,環(huán)境清潔,膜不易受污染,可獲得致密性好、純度高、厚度均勻的薄膜層,并具有膜與基體附著強(qiáng)度好、膜層牢固的優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)前,幾乎任何材料都可以通過(guò)真空鍍膜工藝涂覆到其他基體材料 表面上,這就為真空鍍膜技術(shù)在各種工業(yè)領(lǐng)域中的應(yīng)用開(kāi)辟了更廣闊的前景。磁控濺射鍍膜是電子在正交電磁場(chǎng)的共同作用下加速飛向靶材的過(guò)程中與IS原子發(fā)生碰撞,電尚出大量的IS尚子和電子,IS尚子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊祀材,派射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子或分子或者是靶材離子沉積在基體上成膜。磁控濺射就是在普通的陰極濺射基礎(chǔ)上外加在相互正交的磁場(chǎng)和電場(chǎng)中,利用磁場(chǎng)的約束來(lái)改變電子在氣體放電中的運(yùn)動(dòng)方向,并束縛和延長(zhǎng)電子的運(yùn)動(dòng)軌跡,極大提高電子對(duì)工作氣體分子或原子的碰撞電尚幾率及更充分的利用電子的能量,從而使氣體正尚子對(duì)靶材的轟擊所引起的靶原子的濺射更有效。同時(shí),受到正交電磁場(chǎng)束縛的電子只有在其能量耗盡時(shí)才能脫離靶表面附近。這樣沉積到基體上的電子傳給基體的能量很小,使基體的溫升較慢并保持在較低的程度上。磁控濺射是在濺射過(guò)程中利用產(chǎn)生的二次電子在磁場(chǎng)洛倫磁力的作用下加速飛向靶材的過(guò)程中,被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi),該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高,在二次電子在磁場(chǎng)的作用下圍繞靶面作螺旋運(yùn)動(dòng),該電子的運(yùn)動(dòng)路徑很長(zhǎng),在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中不斷的與氬原子發(fā)生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材,經(jīng)過(guò)多次碰撞后電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛和延長(zhǎng)電子的運(yùn)動(dòng)路徑,改變電子的運(yùn)動(dòng)方向,提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量,濺射是熱蒸發(fā)和彈性碰撞的綜合過(guò)程。由于氣體正離子轟擊陰極靶,使得靶材表面受轟擊的部位產(chǎn)生局部高溫區(qū),該區(qū)靶材表面達(dá)到蒸發(fā)溫度而產(chǎn)生蒸發(fā),濺射速率則是靶材升華熱和轟擊離子能量?jī)烧叩暮瘮?shù),逸出的靶材原子將呈現(xiàn)正弦分布。當(dāng)氣體正離子轟擊陰極靶時(shí),直接將其能量傳給靶表面上某個(gè)原子或分子,使該原子或分子脫離附近其它原子或分子的束縛而離開(kāi)靶材的表面彈射出來(lái)。如果轟擊離子的能量不足,只發(fā)生振動(dòng)而不產(chǎn)生濺射。如果轟擊離子能量很高時(shí),轟擊離子能量過(guò)高而發(fā)生離子注入現(xiàn)象。對(duì)于一般的濺射裝置,濺射鍍膜的形成是利用真空輝光放電,加速正離子使其轟擊靶材表面而引起的濺射現(xiàn)象,使靶材表面放出的粒子沉積到基體上而形成薄膜的。當(dāng)離子轟擊固體表面時(shí)會(huì)產(chǎn)生許多效應(yīng),除了靶材的中性粒子,即原子和分子,最終沉積成膜之夕卜,其它效應(yīng)對(duì)薄膜的生長(zhǎng)也會(huì)產(chǎn)生很大的影響。目前幾乎所有的各類立式磁控濺射鍍膜設(shè)備,無(wú)論是單腔體鍍膜機(jī),還是大型串列式的自動(dòng)生產(chǎn)線,都是采取各個(gè)獨(dú)立的腔體整體焊接而成。腔體的結(jié)構(gòu)復(fù)雜,腔體內(nèi)部組成各種功能的零件、部件及組件的設(shè)計(jì)、布置和安裝經(jīng)常存在多種不便和矛盾。其中最為關(guān)鍵的濺射靶材陰極的結(jié)構(gòu)形式,重量,冷卻水路的結(jié)構(gòu)和布置形式,靶材陰極與腔體外部的電氣連接方式以及冷卻水的接口布置,靶材陰極與腔體的結(jié)構(gòu)布置,使得靶材陰極在腔體內(nèi)的安裝限制較多;各種工藝氣體的管路在腔體內(nèi)布置,安裝形式及其在腔體內(nèi)的配置難以達(dá)到最佳,從而影響工藝氣體在腔體內(nèi)的分布和流場(chǎng)形態(tài),造成濺射沉積時(shí)各種工藝參數(shù)不穩(wěn)定,使沉積的薄膜質(zhì)量產(chǎn)生波動(dòng);整體焊接的腔體內(nèi)部的多種零、部件一旦安裝好,多數(shù)不便于拆卸維修和長(zhǎng)期運(yùn)行,濺射形成的多種雜質(zhì)成份累積沉積,無(wú)法有效去除,使整個(gè)腔體內(nèi)部存在多處潔凈死角,在真空抽取狀態(tài)下多種雜質(zhì)微粒漂浮在腔體內(nèi)部空間,一方面夾雜在所需沉積的薄膜結(jié)構(gòu)中間,導(dǎo)致沉積后的薄膜品質(zhì)下降,同時(shí)各種雜質(zhì)顆粒附著在各種腔體內(nèi)的傳動(dòng)部件的表面,長(zhǎng)期運(yùn)行導(dǎo)致傳動(dòng)部件卡死,造成設(shè)備失效和影響薄膜沉積進(jìn)程;由于整體焊接的腔體是將所有各種腔體內(nèi)部組成各種功能的零件、部件及組件盡可能地布置和安裝到同一個(gè)腔體上,腔體的結(jié)構(gòu)復(fù)雜,當(dāng)所沉積的薄膜必須加熱時(shí),還需安裝額外的加熱系統(tǒng),但要求加熱系統(tǒng)工作時(shí),不能影響到整個(gè)真空系統(tǒng)的正常運(yùn)行,更不能出現(xiàn)加熱系統(tǒng)的安裝布置所造成的設(shè)備功能組件的局部過(guò)熱現(xiàn)象,因此,種復(fù)雜的腔體結(jié)構(gòu)對(duì)加熱系統(tǒng)安裝布置限制很多;同樣,由于整體焊接的腔體是將所有各種腔體內(nèi)部組成各種功能的零件、部件及組件盡可能地布置和安裝到一起,腔體的結(jié)構(gòu)復(fù)雜再加上經(jīng)過(guò)綜合折中后安裝的加熱系統(tǒng),為保證整個(gè)真空系統(tǒng)的正常運(yùn)行和薄膜沉積的順利,就必須要有相應(yīng)的循環(huán)冷卻管路系統(tǒng),整體焊接腔體的結(jié)構(gòu)復(fù)雜再加上安裝的加熱系統(tǒng),造成冷卻管路布置安裝難以達(dá)到合理,不利于整個(gè)真空系統(tǒng)的正常運(yùn)行和薄膜沉積的順利進(jìn)行,導(dǎo)致薄膜沉積工藝過(guò)程的眾多限制,降低所沉積薄膜的質(zhì)量;另外,整體焊接腔體的結(jié)構(gòu)復(fù)雜,使傳動(dòng)機(jī)構(gòu)在腔體內(nèi)的結(jié)構(gòu)布置和安裝約束較多,工件輸送系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)形式、傳動(dòng)體系和動(dòng)力系統(tǒng)等方面的配置就達(dá)不到薄膜沉積的最優(yōu)設(shè)計(jì)要求,造成工件輸送方式不穩(wěn)定、輸送進(jìn)程可控性差;整體焊接腔體在整個(gè)真空系統(tǒng)的日常運(yùn)行和薄膜沉積過(guò)程中,一旦出現(xiàn)設(shè)備運(yùn)行和薄膜沉積過(guò)程中的異常情況,結(jié)構(gòu)復(fù)雜的整體焊接腔體內(nèi)部的狀態(tài)多數(shù)情形下難以及時(shí)跟蹤和有效處理,生產(chǎn)過(guò)程的可維護(hù)性差,存在過(guò)多制約,不便于采取及時(shí)的應(yīng)急處理方案,常常需要完全停機(jī),進(jìn)行徹底的清理修復(fù),延長(zhǎng)了設(shè)備維護(hù)保養(yǎng)過(guò)程和事件,并加大了工序的復(fù)雜性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問(wèn)題是:
1、解決現(xiàn)有磁控濺射鍍膜設(shè)備設(shè)計(jì)復(fù)雜的問(wèn)題;
2、解決現(xiàn)有磁控濺射鍍膜設(shè)備制造復(fù)雜的問(wèn)題;
3、解決現(xiàn)有磁控濺射鍍膜設(shè)備安裝復(fù)雜的問(wèn)題;
4、解決現(xiàn)有磁控濺射鍍膜設(shè)備維護(hù)復(fù)雜的問(wèn)題。為解決上述問(wèn)題,本發(fā)明采用的方案如下:
復(fù)式軌道雙對(duì)稱可分離腔體磁控濺射鍍膜設(shè)備,包括鍍膜腔體單元。鍍膜腔體單元由左右對(duì)稱的左腔體和右腔體組成。左腔體和右腔體分別構(gòu)成獨(dú)立的鍍膜腔。鍍膜腔包括靶材架和基片架。左腔體和右腔體 的基片架位于鍍膜腔體單元的中間,中間通過(guò)隔板隔開(kāi)。左腔體和右腔體的靶材架位于鍍膜腔體單元的外側(cè)。靶材架上安裝有開(kāi)合裝置。開(kāi)合裝置由液壓或氣壓驅(qū)動(dòng)。
進(jìn)一步,上述的鍍膜腔體單元還可以包括滑軌,靶材架安裝于滑軌上。本發(fā)明的復(fù)式軌道雙對(duì)稱可分離腔體磁控濺射鍍膜設(shè)備,可以包括單個(gè)的鍍膜腔體單元,也可以包括兩個(gè)以上的鍍膜腔體單元,相鄰的鍍膜腔體單元之間通過(guò)隔離閥相連接,組成連續(xù)鍍膜設(shè)備。本發(fā)明的技術(shù)效果如下:
1、本發(fā)明不同于傳統(tǒng)焊接工藝制造的鍍膜腔,而采用結(jié)構(gòu)化組件模塊設(shè)計(jì),結(jié)構(gòu)件之間通過(guò)密封膠條密封。這種方法設(shè)計(jì)的磁控濺射鍍膜設(shè)備結(jié)構(gòu)件復(fù)用率高。2、鍍膜腔體呈左右對(duì)稱的形式,空間利用率高。3、靶材架安裝有開(kāi)合裝置,可以側(cè)向張開(kāi),即可以對(duì)腔體內(nèi)部進(jìn)行如更換靶材、內(nèi)部清潔等的常規(guī)性維護(hù),維護(hù)保養(yǎng)方便,也大大縮短了維護(hù)保養(yǎng)所需要的時(shí)間。4、靶材架還可以通過(guò)靶材架基座可以沿著滑軌橫向滑動(dòng),需要腔體內(nèi)部維護(hù)時(shí),只需要將靶材架基座沿著橫向滑軌移開(kāi),并通過(guò)開(kāi)合裝置側(cè)向張開(kāi)靶材架即可以對(duì)腔體內(nèi)部進(jìn)行如更換靶材、內(nèi)部清潔等的常規(guī)性維護(hù),維護(hù)保養(yǎng)方便,也大大縮短了維護(hù)保養(yǎng)所需要的時(shí)間。
·
5、靶材架安裝在靶材架基座上,而靶材架基座安裝在滑軌上,可以沿著滑軌橫向滑動(dòng),從而實(shí)現(xiàn)在一定范圍內(nèi)調(diào)整靶距。6、本發(fā)明的復(fù)式軌道雙對(duì)稱可分離腔體磁控濺射鍍膜設(shè)備由多個(gè)相互獨(dú)立的鍍膜腔體單元組成,當(dāng)某個(gè)鍍膜腔出現(xiàn)故障需要維修時(shí),無(wú)需要停止整臺(tái)設(shè)備,只需要停止故障鍍膜腔單元即可。7、本發(fā)明采用結(jié)構(gòu)化組件模塊設(shè)計(jì),可以便于在腔體內(nèi)增加各類擋板機(jī)構(gòu),隔絕背繞射的現(xiàn)象,提高沉積薄膜的品質(zhì)。8、本發(fā)明采用結(jié)構(gòu)化組件模塊設(shè)計(jì),可以便于在腔體內(nèi)增加加熱設(shè)備,實(shí)現(xiàn)薄膜沉積工藝過(guò)程的多樣性,提高所沉積薄膜的質(zhì)量。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例1的鍍膜腔體單元內(nèi)部俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明實(shí)施例1的鍍膜腔體單元內(nèi)部側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明實(shí)施例2的鍍膜腔體單元內(nèi)部俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明實(shí)施例2的鍍膜腔體單元內(nèi)部側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本發(fā)明多個(gè)鍍膜腔體單元組成連續(xù)鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例1
復(fù)式軌道雙對(duì)稱可分離腔體磁控濺射鍍膜設(shè)備,包括鍍膜腔體單元。鍍膜腔體單元,如圖1、圖2所示,包括兩個(gè)基片架3、兩個(gè)靶材架4、底座11、端板13、頂板14?;?、靶材架4、端板13安裝在底座11上。兩個(gè)基片架3、兩個(gè)靶材架4、底座11、端板13、頂板14組成左右對(duì)稱的兩個(gè)腔體:左腔體8和右腔體9。左腔體8和右腔體9分別構(gòu)成獨(dú)立的鍍膜腔。鍍膜腔包括靶材架4和基片架3?;?與靶材架4構(gòu)成鍍膜腔的兩側(cè)壁。鍍膜腔的兩端由端板13密封,頂部由頂板14密封,形成封閉的空腔。端板13由密封法蘭制成。靶材架4上安裝由磁控濺射的靶材6。工作時(shí),該鍍膜腔被抽成真空。左腔體8和右腔體9的基片架3位于鍍膜腔體單元的中間,中間通過(guò)隔板31隔開(kāi),左腔體8和右腔體9的靶材架4位于鍍膜腔體單元的外側(cè),兩個(gè)腔體形成背靠背對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。靶材架4上安裝有開(kāi)合裝置。開(kāi)合裝置位于左右腔體的外側(cè)。本實(shí)施例中的開(kāi)合裝置由壓力機(jī)45實(shí)現(xiàn),壓力機(jī)45可以是液壓機(jī)或氣壓機(jī),即開(kāi)合裝置由液壓或氣壓驅(qū)動(dòng)。壓力機(jī)45底部安裝在底座11上,壓力機(jī)45的壓力桿斜頂在靶材架4的外側(cè)。當(dāng)鍍膜腔內(nèi)部需要維護(hù)保養(yǎng)時(shí),壓力機(jī)45向外側(cè)拉開(kāi)靶材架4,從而打開(kāi)鍍膜腔。實(shí)施例2
復(fù)式軌道雙對(duì)稱可分離腔體磁控濺射鍍膜設(shè)備,包括鍍膜腔體單元。鍍膜腔體單元,如圖3、圖4所示,包括兩個(gè)基片架3、兩個(gè)靶材架4、底座11、端板13、頂板14?;?通過(guò)基片架基座32固定在底座11上。靶材架4安裝在靶材架基座5上,靶材架基座5安裝在滑軌12上,滑軌12安裝在底座11上。即靶材架4安裝于滑軌12上,可以沿著滑軌12移動(dòng)。兩個(gè)基片架3、兩個(gè)靶材架4、底座11、端板13、頂板14組成左右對(duì)稱的兩個(gè)腔體:左腔體8和右腔體9。左腔體8和右腔體9分別構(gòu)成獨(dú)立的鍍膜腔。鍍膜腔包括靶材架4和基片架3。基片架3與靶材架4構(gòu)成鍍膜腔的兩側(cè)壁。鍍膜腔的兩端由端板13密封,頂部由頂板14密封,形成封閉的空腔。端板13由密封法蘭制成。靶材架4上安裝由磁控濺射的靶材6。工作時(shí),該鍍膜腔被抽成真空。左腔體8和右腔體9的基片架3位于鍍膜腔體單元的中間,中間通過(guò)隔板31隔開(kāi),左腔體8和右腔體9的靶材架4位于鍍膜腔體單元的外側(cè),兩個(gè)腔體形成背靠背對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。靶材架4上安裝有開(kāi)合裝置。開(kāi)合裝置位于左右腔體的外側(cè)。本實(shí)施例中的開(kāi)合裝置包括驅(qū)動(dòng)桿41、軸套42、轉(zhuǎn)軸43、傳動(dòng)臂44、壓力機(jī)45。驅(qū)動(dòng)桿41的一端斜頂在靶材架4上,另一端固定在軸套42上。軸套42套在轉(zhuǎn)軸43外,可以沿著轉(zhuǎn)軸43轉(zhuǎn)動(dòng)。傳動(dòng)臂44的一端也固定在軸套42上。壓力機(jī)45的壓力桿頂在傳動(dòng)臂44的另一端。轉(zhuǎn)軸43、傳動(dòng)臂44、壓力機(jī)45安裝于靶材架基座5上。壓力機(jī)45可以是液壓機(jī)或氣壓機(jī),即開(kāi)合裝置由液壓或氣壓驅(qū)動(dòng)。當(dāng)鍍膜腔內(nèi)部需要維護(hù)保養(yǎng)時(shí),首先將靶材架基座5沿著滑軌12向外活動(dòng),然后開(kāi)動(dòng)壓力機(jī)45使得壓力桿上頂,使得傳動(dòng)臂44和驅(qū)動(dòng)桿41壓著轉(zhuǎn)軸43轉(zhuǎn) 動(dòng),從而拉開(kāi)靶材架4,從而打開(kāi)鍍膜腔。實(shí)施例3
本發(fā)明的復(fù)式軌道雙對(duì)稱可分離腔體磁控濺射鍍膜設(shè)備可以包括單個(gè)的鍍膜腔體單元,也可以將兩個(gè)或多個(gè)鍍膜腔體單元連接在一起構(gòu)成連續(xù)多腔體的磁控濺射鍍膜設(shè)備。如圖5所示,復(fù)式軌道雙對(duì)稱可分離腔體磁控濺射鍍膜設(shè)備,包括多個(gè)鍍膜腔體單元I。鍍膜腔體單元I之間通過(guò)隔離閥2隔開(kāi)。實(shí)施例1、實(shí)施例2中的開(kāi)合裝置用于張開(kāi)靶材架,打開(kāi)鍍膜腔內(nèi)部,方便鍍膜腔內(nèi)部的維護(hù)保養(yǎng)。本領(lǐng)域技術(shù)人員知道該開(kāi)合裝置并不限于實(shí)施例1或?qū)嵤├?中的形式。最后說(shuō)明的是,以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案所做的其他修改或者等同替換,只要不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍,均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1.復(fù)式軌道雙對(duì)稱可分離腔體磁控濺射鍍膜設(shè)備,包括鍍膜腔體單元,其特征在于,鍍膜腔體單元由左右對(duì)稱的左腔體和右腔體組成,左腔體和右腔體分別構(gòu)成獨(dú)立的鍍膜腔;鍍膜腔包括靶材架和基片架;左腔體和右腔體的基片架位于鍍膜腔體單元的中間,中間通過(guò)隔板隔開(kāi);左腔體和右腔體的靶材架位于鍍膜腔體單元的外側(cè);靶材架上安裝有開(kāi)合裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)式軌道雙對(duì)稱可分離腔體磁控濺射鍍膜設(shè)備,其特征在于,所述的鍍膜腔體單元還包括滑軌,靶材架安裝于滑軌上。
3.如權(quán)利要求1所述的復(fù)式軌道雙對(duì)稱可分離腔體磁控濺射鍍膜設(shè)備,其特征在于,所述的開(kāi)合裝置由液壓或氣壓驅(qū)動(dòng)。
4.如權(quán)利要求1所述的復(fù)式軌·道雙對(duì)稱可分離腔體磁控濺射鍍膜設(shè)備,其特征在于,所述的開(kāi)合裝置包括:驅(qū)動(dòng)桿、軸套、轉(zhuǎn)軸、傳動(dòng)臂、壓力機(jī);驅(qū)動(dòng)桿的一端斜頂在靶材架上,另一端固定在軸套上;軸套套在轉(zhuǎn)軸外;傳動(dòng)臂的一端固定在軸套上;壓力機(jī)的壓力桿頂在傳動(dòng)臂的另一端。
5.如權(quán)利要求1所述的復(fù)式軌道雙對(duì)稱可分離腔體磁控濺射鍍膜設(shè)備,其特征在于,該設(shè)備包括兩個(gè)以上的鍍膜腔體單元,相鄰的鍍膜腔體單元之間通過(guò)隔離閥相連接。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種復(fù)式軌道雙對(duì)稱可分離腔體磁控濺射鍍膜設(shè)備,包括鍍膜腔體單元。鍍膜腔體單元由左右對(duì)稱的左腔體和右腔體組成,左腔體和右腔體分別構(gòu)成獨(dú)立的鍍膜腔;鍍膜腔包括靶材架和基片架;左腔體和右腔體的基片架位于鍍膜腔體單元的中間,中間通過(guò)隔板隔開(kāi);左腔體和右腔體的靶材架位于鍍膜腔體單元的外側(cè);靶材架上安裝有開(kāi)合裝置。鍍膜腔體單元還可以進(jìn)一步包括滑軌,靶材架可以沿著滑軌移動(dòng)。本發(fā)明通過(guò)結(jié)構(gòu)化組件設(shè)計(jì)使得本發(fā)明安裝非常方便。本發(fā)明的鍍膜腔可以側(cè)向打開(kāi),從而非常方便地實(shí)現(xiàn)鍍膜腔內(nèi)部的維護(hù)保養(yǎng)。本發(fā)明還可以將多個(gè)鍍膜腔體單元組成連續(xù)鍍膜設(shè)備。
文檔編號(hào)C23C14/35GK103147057SQ20131010426
公開(kāi)日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2013年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月28日
發(fā)明者田秋麗 申請(qǐng)人:有度功能薄膜材料揚(yáng)州有限公司
網(wǎng)友詢問(wèn)留言 已有0條留言
  • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1