導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明的濺射靶的一種形式具有含0.1～1.5質(zhì)量％的Sn且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成的成分組成，合金晶粒的平均粒徑在30μm以上且小于120μm，所述晶粒的粒徑偏差在平均粒徑的20％以下。本發(fā)明的濺射靶的制造方法的一種形式對(duì)具有所述成分組成的熔煉鑄錠依次實(shí)施熱軋工序、冷卻工序及機(jī)械加工工序，在所述熱軋工序中，以每一道次的軋制率為20～50％、應(yīng)變速度為3～15/sec、及道次后的溫度為400～650℃的條件進(jìn)行1道次以上的精熱軋，在所述冷卻工序中，以200～1000℃/min的冷卻速度進(jìn)行淬冷。
【專(zhuān)利說(shuō)明】導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于形成有機(jī)EL元件的反射電極和觸控面板的配線膜等導(dǎo)電性膜的銀合金濺射靶及其制造方法。
[0002]本申請(qǐng)基于2012年I月13日于日本申請(qǐng)的日本專(zhuān)利申請(qǐng)第2012-005053號(hào)主張優(yōu)先權(quán)。并將其內(nèi)容援用于本申請(qǐng)。
【背景技術(shù)】
[0003]在有機(jī)EL元件中，在形成于有機(jī)EL發(fā)光層兩側(cè)的陽(yáng)極與陰極之間施加電壓，分別從陽(yáng)極和陰極將空穴和電子注入于有機(jī)EL膜。并且在有機(jī)EL發(fā)光層當(dāng)空穴和電子結(jié)合時(shí)發(fā)光。有機(jī)EL元件為使用該發(fā)光原理的發(fā)光元件，作為顯示設(shè)備用發(fā)光元件近年來(lái)備受關(guān)注。該有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)方式中有無(wú)源矩陣方式和有源矩陣方式。該有源矩陣方式通過(guò)在一個(gè)像素上設(shè)置一個(gè)以上的薄膜晶體管而能夠進(jìn)行高速轉(zhuǎn)換。因此，有源矩陣方式為有利于高對(duì)比度、高清晰度且能夠發(fā)揮有機(jī)EL元件特征的驅(qū)動(dòng)方式。
[0004]并且，在光的提取方式中有從透明基板側(cè)提取光的底部發(fā)光方式和從基板的相反側(cè)提取光的頂部發(fā)光方式，且開(kāi)口率較高的頂部發(fā)光方式有利于高亮度化。
[0005]為了更有效地反射由有機(jī)EL層發(fā)出的光，優(yōu)選該頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)中的反射電極膜為高反射率且耐蝕性高。并且，作為電極，還優(yōu)選為低電阻電極。作為這種材料，已知有Ag合金及Al合金，但為了得到更高亮度的有機(jī)EL元件，從可見(jiàn)光反射率較高方面來(lái)看Ag合金為優(yōu)異的。其中，在形成有機(jī)EL元件的反射電極膜時(shí)采用濺射法并使用銀合金靶(專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。
[0006]然而，隨著有機(jī)EL元件制造時(shí)的玻璃基板的大型化，在形成反射電極膜時(shí)使用的銀合金靶也逐漸使用大型靶。其中，當(dāng)對(duì)大型靶投入大功率進(jìn)行濺射時(shí)，產(chǎn)生因靶的異常放電而產(chǎn)生的被稱(chēng)為“噴濺”的現(xiàn)象。若產(chǎn)生該現(xiàn)象，則熔融的微粒子附著于基板上而使配線或電極之間短路。由此，存在有機(jī)EL元件的成品率下降之類(lèi)的問(wèn)題。頂部發(fā)光方式的有機(jī)EL元件的反射電極層成為有機(jī)發(fā)光層的基底層，因此被要求更高的平坦性且需要進(jìn)一步抑制嗔灘。
[0007]為了解決這樣的課題，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2及專(zhuān)利文獻(xiàn)3中提出有隨著靶的大型化即使對(duì)靶投入大功率也能夠抑制噴濺的有機(jī)EL元件的反射電極膜形成用銀合金靶及其制造方法。
[0008]通過(guò)這些專(zhuān)利文獻(xiàn)2及專(zhuān)利文獻(xiàn)3中所記載的反射電極膜形成用銀合金靶，即使投入大功率也能夠抑制噴濺。然而，在大型的銀合金靶中，隨著靶的消耗，電弧放電次數(shù)增加，并有基于電弧放電的噴濺會(huì)增加的傾向，要求進(jìn)一步改善。
[0009]并且，除了有機(jī)EL元件用反射電極膜之外，在觸控面板的引出配線等導(dǎo)電性膜中使用銀合金膜也進(jìn)行了研究。作為這種配線膜，若使用例如純Ag，則產(chǎn)生遷移而容易發(fā)生短路故障。因此，對(duì)銀合金膜的采用進(jìn)行了研究。
[0010] 專(zhuān)利文獻(xiàn)1:國(guó)際公開(kāi)第2002/077317號(hào)[0011]專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2011-100719號(hào)公報(bào)
[0012]專(zhuān)利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2011-162876號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明是鑒于這種情況而完成的，其目的在于提供一種能夠進(jìn)一步抑制電弧放電及噴濺的導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶及其制造方法。
[0014]本發(fā)明人等經(jīng)深入研究結(jié)果獲得如下見(jiàn)解，即在含Sn的銀合金靶中，為了抑制電弧放電次數(shù)隨著靶的消耗而增加，將晶粒進(jìn)一步微細(xì)化以使其平均粒徑小于120 μ m，將其偏差控制在平均粒徑的20%以下為有效。
[0015]根據(jù)該研究結(jié)果，本發(fā)明的導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶的第I方式為，具有含0.1~1.5質(zhì)量％的Sn且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成的成分組成,合金晶粒的平均粒徑在30 μ m以上且小于120 μ m,所述晶粒的粒徑偏差在平均粒徑的20%以下。
[0016]Sn固溶于Ag而抑制靶的晶粒成長(zhǎng)，對(duì)晶粒的微細(xì)化有效。Sn提高靶的硬度，因此抑制機(jī)械加工時(shí)的翹曲。Sn提高由濺射形成的膜的耐蝕性及耐熱性。若Sn含量小于0.1質(zhì)量％，則無(wú)法得到上述效果，若Sn含量超過(guò)1.5質(zhì)量％，則膜的反射率或電阻下降。
[0017]以下示出將平均粒徑設(shè)為30 μ m以上且小于120 μ m的理由。小于30 μ m的平均粒徑不具現(xiàn)實(shí)性且導(dǎo)致制造成本的增加。并且，若平均粒徑在120 μ m以上，則濺射時(shí)異常放電隨著靶的消耗 而增加的傾向變得顯著。
[0018]若平均粒徑的偏差超過(guò)20%，則濺射時(shí)異常放電隨著靶的消耗而增加的傾向變得顯著。
[0019]本發(fā)明的導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶的第2方式為，具有含0.1~1.5質(zhì)量％的Sn、還含有共計(jì)0.1~2.5質(zhì)量％的Sb、Ga中的任一種或兩種且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成的成分組成，并且合金晶粒的平均粒徑為30 μ m以上且小于120 μ m,所述晶粒的粒徑偏差在平均粒徑的20%以下。
[0020]Sb及Ga具有固溶于Ag而進(jìn)一步抑制晶粒成長(zhǎng)的效果。Sb及Ga進(jìn)一步提高由派射形成的膜的耐蝕性及耐熱性提高。尤其是Ga提高膜的耐鹽性。若Sb及Ga的共計(jì)含量小于0.1質(zhì)量％，則無(wú)法得到上述效果，若Sb及Ga的共計(jì)含量超過(guò)2.5質(zhì)量％，則不僅膜的反射率或電阻下降，而且出現(xiàn)熱軋時(shí)產(chǎn)生破裂的傾向。
[0021]本發(fā)明的導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶的制造方法的第I方式為，通過(guò)對(duì)具有含0.1~1.5質(zhì)量％的Sn且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成的成分組成的熔煉鑄錠,依次實(shí)施熱軋工序、冷卻工序及機(jī)械加工工序來(lái)制造銀合金濺射靶，并且在所述熱軋工序中，以每一道次的軋制率為20~50%、應(yīng)變速度為3~15/sec及道次后的溫度為400~650°C的條件下進(jìn)行I道次以上的精熱軋，在所述冷卻工序中，以200~1000°C /min的冷卻速度進(jìn)行淬冷。
[0022]本發(fā)明的導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶的制造方法的第2方式為，通過(guò)對(duì)具有含0.1~1.5質(zhì)量％的Sn、還含有共計(jì)0.1~2.5質(zhì)量％的Sb、Ga中的任一種或兩種且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成的成分組成的熔煉鑄錠，依次實(shí)施熱軋工序、冷卻工序及機(jī)械加工工序來(lái)制造銀合金濺射靶，在所述熱軋工序中，以每一道次的軋制率為20~50%、應(yīng)變速度為3~15/sec、及道次后的溫度為400~650°C的條件下進(jìn)行I道次以上的精熱車(chē)L，在所述冷卻工序中，以200~1000°C /min的冷卻速度進(jìn)行淬冷。
[0023]以下示出將精熱軋的每一道次的軋制率設(shè)為20~50%的理由。若軋制率小于20 %，則晶粒的微細(xì)化變得不充分。若要得到超過(guò)50 %的軋制率，則軋機(jī)的負(fù)荷荷載變得過(guò)大而不具現(xiàn)實(shí)性。
[0024]并且，以下示出將應(yīng)變速度設(shè)為3~15/sec的理由。若應(yīng)變速度小于3/sec，則晶粒的微細(xì)化變得不充分，出現(xiàn)產(chǎn)生微細(xì)粒與粗大粒的混合粒的傾向。若應(yīng)變速度超過(guò)15/sec，則軋機(jī)的負(fù)荷荷載變得過(guò)大而不具現(xiàn)實(shí)性。
[0025]若各道次后的溫度小于400°C，則動(dòng)態(tài)再結(jié)晶變得不充分，結(jié)晶粒徑的偏差增大的傾向變得顯著。若各道次后的溫度超過(guò)650°C，則進(jìn)行晶粒成長(zhǎng)而平均結(jié)晶粒徑成為150 μ m以上。
[0026]并且，通過(guò)在該熱軋后進(jìn)行淬冷而能夠抑制晶粒的成長(zhǎng)，并且能夠得到晶粒微細(xì)的靶。若冷卻速度小于200°C /min，則抑制晶粒成長(zhǎng)的效果差。即使冷卻速度超過(guò)1000°C /min,也不有助于更理想的微細(xì)化。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的方式，能夠得到即使在濺射過(guò)程中投入大功率也能夠進(jìn)一步抑制電弧放電以及噴濺的靶，通過(guò)對(duì)該靶進(jìn)行濺射，能夠得到具有反射率高、耐久性?xún)?yōu)異的導(dǎo)電性膜。 【具體實(shí)施方式】
[0028]以下，對(duì)本發(fā)明的導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶及其制造方法的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。另外，只要未特別表示且除數(shù)值固有的情況之外，“ % ”為質(zhì)量％。
[0029]該靶的靶表面(靶的供濺射側(cè)的面)具有0.25m2以上的面積。在矩形靶的情況下，至少一邊為500mm以上,從祀的處理觀點(diǎn)來(lái)看,長(zhǎng)度的上限優(yōu)選為3000mm。另一方面，從以熱軋工序中所使用的軋機(jī)通?？蛇M(jìn)行軋制的尺寸上限的觀點(diǎn)來(lái)看，寬度的上限優(yōu)選為1700mm。并且，從靶的更換頻率的觀點(diǎn)來(lái)看，靶的厚度優(yōu)選為6mm以上，從磁控濺射的放電穩(wěn)定性的觀點(diǎn)來(lái)看，祀的厚度優(yōu)選為25_以下。
[0030]第I實(shí)施方式的導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶由具有含0.1~1.5質(zhì)量％的Sn且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成的成分組成的銀合金構(gòu)成。該合金晶粒的平均粒徑為30 μ m以上且小于120 μ m,晶粒的粒徑偏差在平均粒徑的20%以下。
[0031]Ag具有對(duì)由濺射形成的有機(jī)EL元件的反射電極膜或觸控面板的配線膜賦予高反射率與低電阻的效果。
[0032]Sn提高靶的硬度，因此抑制機(jī)械加工時(shí)的翹曲。尤其能夠抑制靶表面具有0.25m2以上面積的大型靶的機(jī)械加工時(shí)的翹曲。并且，Sn具有提高由濺射形成的有機(jī)EL元件的反射電極膜的耐蝕性及耐熱性的效果。該效果根據(jù)以下作用而獲得。Sn使膜中的晶粒微細(xì)化的同時(shí)降低膜的表面粗糙度。并且，Sn固溶于Ag而提高晶粒的強(qiáng)度，并且抑制晶粒因熱量而變粗。因此，In具有抑制膜的表面粗糙度增大、或者抑制因膜的腐蝕而反射率下降的效果。從而，在利用該導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶來(lái)形成的反射電極膜或配線膜中，膜的耐蝕性及耐熱性會(huì)提高。因此，該導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶有助于改善有機(jī)EL元件的高亮度或觸控面板等配線的可靠性。
[0033]以下示出將Sn的含量限定于上述范圍的理由。若Sn的含量小于0.1質(zhì)量％,貝丨J無(wú)法得到上述記載的基于添加Sn的效果。若Sn的含量超過(guò)1.5質(zhì)量％，則膜的電阻增大，或者由濺射形成的膜的反射率或耐蝕性反而下降。因此不優(yōu)選。從而，膜的組成取決于靶的組成，因此包含于銀合金濺射靶中的Sn的含量設(shè)定為0.1~1.5質(zhì)量％。Sn含量更優(yōu)選為0.2~1.0質(zhì)量％。
[0034]第2實(shí)施方式的導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶由具有含0.1~1.5質(zhì)量％的Sn、還含有共計(jì)0.1~2.5質(zhì)量％的Sb、Ga中的任一種或兩種且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成的成分組成的銀合金構(gòu)成。該合金晶粒的平均粒徑為30 μ m以上且小于120 μ m,晶粒的粒徑偏差在平均粒徑的20%以下。
[0035]在第2實(shí)施方式中，Sb及Ga具有固溶于Ag而進(jìn)一步抑制晶粒成長(zhǎng)的效果。進(jìn)一步提高由濺射形成的膜的耐蝕性及耐熱性。尤其Ga提高膜的耐鹽性。將由濺射形成的膜用于觸控面板的引出配線膜的情況下，觸控面板用手指觸摸進(jìn)行操作，因此配線膜需要對(duì)包含于人體汗液中的鹽成分具有耐受性。通過(guò)添加Ga而能夠形成耐鹽性?xún)?yōu)異的膜。
[0036]若這些Sb及Ga的共計(jì)含量小于0.1質(zhì)量％，則無(wú)法得到上述效果。若Sb及Ga的共計(jì)含量超過(guò)2.5質(zhì)量％，則不僅膜的反射率或電阻下降，而且出現(xiàn)熱軋時(shí)產(chǎn)生破裂的傾向。
[0037]以上各組成的實(shí)施方式中，銀合金濺射靶中的銀合金晶粒的平均粒徑為30μπι以上且小于120 μ m。關(guān)于銀合金晶粒的平均粒徑，小于30 μ m的平均粒徑不具現(xiàn)實(shí)性且導(dǎo)致制造成本的增加。并且，不易制造均勻的晶粒，粒徑的偏差變大。由此，在大功率的濺射過(guò)程中容易產(chǎn)生異常放電且產(chǎn)生噴濺。另一方面，若平均粒徑在120 μ m以上，則隨著靶通過(guò)濺射而消耗，并基于各晶粒的結(jié)晶方位不同而產(chǎn)生的濺射速率的差異，濺射表面的凹凸變大。因此，在大功率的濺射過(guò)程中容易產(chǎn)生異常放電且容易產(chǎn)生噴濺。 [0038]在此，銀合金晶粒的平均粒徑是如下進(jìn)行測(cè)定。
[0039]在靶的濺射面內(nèi)均等地從16處地點(diǎn)采取一邊為IOmm左右的長(zhǎng)方體樣品。具體而言，將靶區(qū)分為縱4X橫4的16處并從各部分的中央部進(jìn)行采取。另外，在本實(shí)施方式中，由于構(gòu)想的是500X500 (mm)以上的濺射面，即靶表面具有0.25m2以上面積的大型的靶，因此所記載的采取法為從通常用作大型靶的矩形靶采取樣品。然而，本發(fā)明在抑制產(chǎn)生圓形靶的噴濺中當(dāng)然也發(fā)揮效果。此時(shí)，以大型矩形靶中的樣品采取法為準(zhǔn)，在靶的濺射面內(nèi)均等地區(qū)分為16處并進(jìn)行采取。
[0040]接著，研磨各樣品片的濺射面一側(cè)。此時(shí)，以#180~#4000的防水紙進(jìn)行研磨，接著，以3μηι~Ιμπι的磨粒進(jìn)行拋光。
[0041]另外，進(jìn)行蝕刻至用光學(xué)顯微鏡能夠觀察到晶界的程度。其中，蝕刻液使用過(guò)氧化氫水與氨水的混合液在常溫下浸潰I~2秒鐘使晶界顯現(xiàn)。接著，用光學(xué)顯微鏡對(duì)各樣品拍攝倍率為60倍或120倍的照片。照片的倍率選擇容易計(jì)數(shù)晶粒的倍率。
[0042]在各照片中，將60mm的線段以井字狀(如記號(hào)#)間隔20mm縱橫引出共計(jì)4條線，對(duì)由各直線切斷的晶粒的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)。另外，線段端的晶粒計(jì)為0.5個(gè)。以L = 60000/(M.N)(在此，M為真實(shí)倍率，N為被切斷的晶粒數(shù)的平均值)求出平均切片長(zhǎng)度:L( μ m)。
[0043]接著，由所求出的平均切片長(zhǎng)度:L(ym)，以d= (3/2).L來(lái)算出樣品的平均粒徑:d ( μ m)。
[0044]這樣，將從16處采樣的樣品的平均粒徑的平均值作為靶的銀合金晶粒的平均粒徑。
[0045]若該銀合金晶粒的粒徑偏差在銀合金晶粒的平均粒徑的20%以下，則能夠更可靠地抑制濺射時(shí)的噴射。其中，如下計(jì)算粒徑的偏差。在16處求出的16個(gè)平均粒徑中特定與平均粒徑平均值的偏差的絕對(duì)值(I [(某I處平均粒徑)-(16處平均粒徑的平均值)]I )成為最大的平均粒徑。接著，利用其特定的平均粒徑(特定平均粒徑)通過(guò)下述公式來(lái)算出粒徑偏差。
[0046]{ I [(特定平均粒徑)-(16處平均粒徑的平均值)]I /(16處平均粒徑的平均值)} X100(% )
[0047]接著，對(duì)本實(shí)施方式的導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0048]在第I實(shí)施方式的導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶的制造方法中，作為原料，使用純度:99.99質(zhì)量％以上的Ag、純度:99.9質(zhì)量％以上的Sn。
[0049]首先，將Ag在高真空或 惰性氣體氣氛中進(jìn)行熔煉，在所得到的熔融金屬中添加規(guī)定含量的Sn。此后，在真空或惰性氣體氣氛中進(jìn)行熔煉而制作含Sn:0.1~1.5質(zhì)量％且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成的銀合金的熔煉鑄錠。
[0050]其中，優(yōu)選如下進(jìn)行Ag的熔煉與Sn的添加。將氣氛暫且設(shè)為真空，接著替換為氬，在該氣氛中進(jìn)行Ag的熔煉。接著，在進(jìn)行Ag的熔煉之后在氬氣氛中將Sn添加于Ag的熔融金屬中。由此，Ag與Sn的組成比穩(wěn)定。
[0051]并且，在第2實(shí)施方式的導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶的制造方法中，作為原料，使用純度:99.99質(zhì)量％以上的Ag、純度:99.9質(zhì)量％以上的Sn、Sb及Ga。在Ag的熔融金屬中添加Sn:0.1~1.5質(zhì)量％、共計(jì)0.1~3.0質(zhì)量％的Sb及Ga中的任意一種或兩種。在該情況下，也將Ag在高真空或惰性氣體氣氛中進(jìn)行熔煉，在所得到的熔融金屬中添加規(guī)定含量的Sn、Sb及Ga，此后，在真空或惰性氣體氣氛中進(jìn)行熔煉。
[0052]并且，以上熔煉或鑄造優(yōu)選在真空中或惰性氣體替換氣氛中進(jìn)行，但也可在大氣中使用熔煉爐。在大氣中使用熔煉爐時(shí)，對(duì)熔融金屬表面噴吹惰性氣體或通過(guò)木炭等碳系固體密封材料邊包覆熔融金屬表面邊進(jìn)行熔煉、鑄造。由此，能夠降低錠中的氧或非金屬夾雜物的含量。
[0053]為了使成分均勻化，熔煉爐優(yōu)選為感應(yīng)加熱爐。
[0054]并且，以方形鑄模進(jìn)行鑄造而得到長(zhǎng)方體錠為有效而優(yōu)選，但也可以對(duì)以圓形鑄模鑄造的圓柱形錠進(jìn)行加工而得到大致長(zhǎng)方體的錠。
[0055]對(duì)所得到的長(zhǎng)方體狀錠加熱且熱軋至規(guī)定厚度，接著進(jìn)行淬冷。
[0056]該情況下，熱軋最終階段的精熱軋條件很重要，通過(guò)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定該精熱軋條件，能夠制造晶粒微細(xì)且均勻的銀合金板。
[0057]具體而言，在精熱軋中每一道次的軋制率為20~50%、應(yīng)變速度為3~15/sec及各軋制道次后的軋制溫度為400~650°C。將該精熱軋進(jìn)行I道次以上。作為整體熱軋的總軋制率例如為70%以上。
[0058]其中，精熱軋是指對(duì)軋制后板材的結(jié)晶粒徑產(chǎn)生極大影響的軋制道次，包括最終軋制道次，根據(jù)需要可以考慮從最終軋制道次至倒數(shù)第3道次。在該最終軋制之后，為了調(diào)整板材厚度，在所述軋制溫度范圍內(nèi)也可以追加軋制率在7 %以下的軋制。
[0059]并且，由下式可得到應(yīng)變速度ε (sec—1)。[0060][數(shù)I]
【權(quán)利要求】
1.一種導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶，其特征在于， 具有含0.1~1.5質(zhì)量％的Sn且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成的成分組成， 合金晶粒的平均粒徑在30 μ m以上且小于120 μ m,所述晶粒的粒徑偏差在平均粒徑的20%以下。
2.一種導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶，其特征在于， 具有含0.1~1.5質(zhì)量％的Sn、還含有共計(jì)0.1~2.5質(zhì)量％的Sb、Ga中任一種或兩種且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成的成分組成， 合金晶粒的平均粒徑在30 μ m以上且小于120 μ m，所述晶粒的粒徑偏差在平均粒徑的20%以下。
3.一種導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶的制造方法，其特征在于， 通過(guò)對(duì)具有含0.1~1.5質(zhì)量％的Sn且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成的成分組成的熔煉鑄錠，依次實(shí) 施熱軋工序、冷卻工序及機(jī)械加工工序來(lái)制造銀合金濺射靶， 在所述熱軋工序中，以每一道次的軋制率為20~50%、應(yīng)變速度為3~15/sec、及道次后的溫度為400~650°C的條件進(jìn)行I道次以上的精熱軋， 在所述冷卻工序中，以200~1000°C /min的冷卻速度進(jìn)行淬冷。
4.一種導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶的制造方法，其特征在于， 通過(guò)對(duì)具有含0.1~1.5質(zhì)量％的Sn、還含有共計(jì)0.1~2.5質(zhì)量％的Sb、Ga中任一種或兩種且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成的成分組成的熔煉鑄錠，依次實(shí)施熱軋工序、冷卻工序及機(jī)械加工工序來(lái)制造銀合金濺射靶， 在所述熱軋工序中，以每一道次的軋制率為20~50%、應(yīng)變速度為3~15/sec、及道次后的溫度為400~650 °C的條件進(jìn)行I道次以上的精熱軋， 在所述冷卻工序中，以200~1000°C /min的冷卻速度進(jìn)行淬冷。
【文檔編號(hào)】C22C5/06GK103958727SQ201280058004
【公開(kāi)日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2012年5月9日 優(yōu)先權(quán)日:2012年1月13日
【發(fā)明者】小見(jiàn)山昌三, 船木真一, 小池慎也, 奧田圣 申請(qǐng)人:三菱綜合材料株式會(huì)社