專利名稱：基片架磁定位系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及真空鍍膜領(lǐng)域，尤其是ITO玻璃真空鍍膜行業(yè)中基片架的傳動(dòng)定位結(jié)構(gòu)，具體地說是一種基片架磁定位系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
目前，傳統(tǒng)的基片架是以齒條傳動(dòng)為主，如圖1所示，基片架頂部懸空，基片架裝載玻璃在真空室里運(yùn)行時(shí)，由于頂部無定位以及受爐體溫度的影響，在運(yùn)行過程中出現(xiàn)搖晃及刮擦，造成玻璃基片的破損及掉落，使得整個(gè)系統(tǒng)不能正常運(yùn)行，必須停機(jī)處理，對(duì)產(chǎn)品的品質(zhì)及系統(tǒng)的穩(wěn)定性帶來諸多的影響。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是針對(duì)真空鍍膜中，傳統(tǒng)的基片架采用齒條傳動(dòng)所存在的問題，提出一種基片架磁定位系統(tǒng)。該系統(tǒng)是利用磁鐵異性相吸的原理，通過上下磁場(chǎng)的相互作用使得基片架能按其規(guī)定的軌跡運(yùn)行。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:—種基片架磁定位系統(tǒng)，它包括真空箱體以及位于箱體內(nèi)部的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、磁懸浮定位機(jī)構(gòu)、中心加熱器、兩濺射靶和多組基片架，所述的中心加熱器安裝在真空箱體的中部，兩濺射靶分別安裝在真空箱體的兩側(cè)壁上，中心加熱器與兩濺射靶之間的傳動(dòng)軌跡上安裝多組基片架，各組基片架的底部安裝在傳動(dòng)機(jī)構(gòu)上，各組基片架的頂部安裝磁懸浮定位機(jī)構(gòu)，所述的磁懸浮定位機(jī)構(gòu)包括成對(duì)設(shè)置的多組磁鐵，按照基片架的運(yùn)行軌跡在真空箱體的頂部按同一極性排布多個(gè)磁鐵，在對(duì)應(yīng)基片架的頂部按照與前述磁鐵極性相反的排布多個(gè)磁鐵。本實(shí)用新型的多組基片架均為不銹鋼支架。本實(shí)用新型的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)包括多組U型摩擦傳動(dòng)輪，各組U型摩擦傳動(dòng)輪上分別夾裝兩基片架。本實(shí)用新型的磁懸浮定位機(jī)構(gòu)包括成對(duì)設(shè)置的多組磁鐵，安裝在基片架上的磁鐵與安裝在真空箱體的頂部的磁鐵的間隙是3-7mm。本實(shí)用新型的安裝在基片架上的磁鐵與安裝在真空箱體的頂部的磁鐵均采用50X20X10的矩形磁鐵串聯(lián)組合成長(zhǎng)條形磁鐵。本實(shí)用新型的安裝在真空箱體的頂部的磁鐵是按朝上S朝下N，安裝在基片架上的磁鐵是朝上S朝下N排列。本實(shí)用新型的有益效果:本實(shí)用新型由于通過磁場(chǎng)的相互吸引達(dá)到定位的目的，基片架在運(yùn)行過程中與定位系統(tǒng)無機(jī)械接觸，無摩擦，不產(chǎn)生污染，使用壽命長(zhǎng)，不需要過多維護(hù)，通過該系統(tǒng)的安裝，基片架運(yùn)行穩(wěn)定性得以提聞，不再有碎片掉片現(xiàn)象，對(duì)廣品的廣質(zhì)量都有大幅度提聞。
圖1是本實(shí)用新型的傳統(tǒng)的基片架定位及傳動(dòng)結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中:1、真空箱體；2、U型摩擦傳動(dòng)輪；3、磁懸浮定位機(jī)構(gòu)；4、中心加熱器；5、濺射靶；6、基片架；7、齒條傳動(dòng)機(jī)構(gòu)。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。如圖1所示，一種基片架磁定位系統(tǒng)，它包括真空箱體I以及位于箱體內(nèi)部的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、磁懸浮定位機(jī)構(gòu)3、中心加熱器4、兩濺射靶5和多組基片架6，所述的中心加熱器4安裝在真空箱體I的中部，兩濺射靶5分別安裝在真空箱體I的兩側(cè)壁上，中心加熱器4與兩濺射靶5之間的傳動(dòng)軌跡上安裝多組基片架6，各組基片架6的底部安裝在傳動(dòng)機(jī)構(gòu)上，各組基片架6的頂部安裝磁懸浮定位機(jī)構(gòu)3，所述的磁懸浮定位機(jī)構(gòu)3包括成對(duì)設(shè)置的多組磁鐵，按照基片架6的運(yùn)行軌跡在真空箱體I的頂部按同一極性排布多個(gè)磁鐵，在對(duì)應(yīng)基片架6的頂部按照與前述磁鐵極性相反的排布多個(gè)磁鐵。所述的安裝在基片架6上的磁鐵與安裝在真空箱體I的頂部的磁鐵均采用50X20X10的矩形磁鐵串聯(lián)組合成長(zhǎng)條形磁鐵。如圖1所示，安裝在真空箱體I的頂部的磁鐵是按朝上S朝下N，安裝在基片架6上的磁鐵是朝上S朝下N排列，安裝在基片架6上的磁鐵與安裝在真空箱體I的頂部的磁鐵的間隙是
3-7mm。本實(shí)用新型的多組基片架6均為不銹鋼支架。本實(shí)用新型的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)包括多組U型摩擦傳動(dòng)輪2，各組U型摩擦傳動(dòng)輪2上分別夾裝兩基片架6。該系統(tǒng)是利用磁鐵異性相吸的原理，通過上下磁場(chǎng)的相互作用使得基片架能按其規(guī)定的軌跡運(yùn)行。上部磁鐵按同一極性排列在不銹鋼支架內(nèi)，并按照基片架運(yùn)行軌跡固定在真空室頂部，底部磁鐵按相反極性排布在不銹鋼支架內(nèi)，用耐高溫陶瓷作為支撐座固定在基片架頂部，定位系統(tǒng)選用耐高溫磁材釹鐵硼N35AH，上下磁鐵間隙調(diào)整在5mm±2的范圍內(nèi)。本實(shí)用新型未涉及部分均與現(xiàn)有技術(shù)相同或可采用現(xiàn)有技術(shù)加以實(shí)現(xiàn)。
權(quán)利要求1.一種基片架磁定位系統(tǒng)，其特征是它包括真空箱體(I)以及位于箱體內(nèi)部的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、磁懸浮定位機(jī)構(gòu)(3)、中心加熱器(4)、兩濺射靶(5)和多組基片架(6)，所述的中心加熱器(4)安裝在真空箱體(I)的中部，兩濺射靶(5)分別安裝在真空箱體(I)的兩側(cè)壁上，中心加熱器(4)與兩濺射靶(5)之間的傳動(dòng)軌跡上安裝多組基片架(6)，各組基片架(6)的底部安裝在傳動(dòng)機(jī)構(gòu)上，各組基片架(6)的頂部安裝磁懸浮定位機(jī)構(gòu)(3)，所述的磁懸浮定位機(jī)構(gòu)(3)包括成對(duì)設(shè)置的多組磁鐵，按照基片架(6)的運(yùn)行軌跡在真空箱體(I)的頂部按同一極性排布多個(gè)磁鐵，在對(duì)應(yīng)基片架(6)的頂部按照與前述磁鐵極性相反的排布多個(gè)磁鐵。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片架磁定位系統(tǒng)，其特征是所述的多組基片架(6)均為不銹鋼支架。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片架磁定位系統(tǒng)，其特征是所述的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)包括多組U型摩擦傳動(dòng)輪(2 )，各組U型摩擦傳動(dòng)輪(2 )上分別夾裝兩基片架(6 )。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片架磁定位系統(tǒng)，其特征是所述的磁懸浮定位機(jī)構(gòu)(3)包括成對(duì)設(shè)置的多組磁鐵，安裝在基片架(6)上的磁鐵與安裝在真空箱體(I)的頂部的磁鐵的間隙是3-7mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片架磁定位系統(tǒng)，其特征是所述的安裝在基片架(6)上的磁鐵與安裝在真空箱體(I)的頂部的磁鐵均采用50X20X10的矩形磁鐵串聯(lián)組合成長(zhǎng)條形磁鐵。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片架磁定位系統(tǒng)，其特征是所述的安裝在真空箱體(I)的頂部的磁鐵是按朝上S朝下N，安裝在基片架(6)上的磁鐵是朝上S朝下N排列。
專利摘要一種基片架磁定位系統(tǒng)，它包括真空箱體以及位于箱體內(nèi)部的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、磁懸浮定位機(jī)構(gòu)、中心加熱器、兩濺射靶和多組基片架，的中心加熱器安裝在真空箱體的中部，中心加熱器與兩濺射靶之間的傳動(dòng)軌跡上安裝多組基片架，各組基片架的底部安裝在傳動(dòng)機(jī)構(gòu)上，各組基片架的頂部安裝磁懸浮定位機(jī)構(gòu)。本實(shí)用新型由于通過磁場(chǎng)的相互吸引達(dá)到定位的目的，基片架在運(yùn)行過程中與定位系統(tǒng)無機(jī)械接觸，無摩擦，不產(chǎn)生污染，使用壽命長(zhǎng)，不需要過多維護(hù)，通過該系統(tǒng)的安裝，基片架運(yùn)行穩(wěn)定性得以提高，不再有碎片掉片現(xiàn)象，對(duì)產(chǎn)品的產(chǎn)質(zhì)量都有大幅度提高。
文檔編號(hào)C23C14/50GK202913053SQ20122009640
公開日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2012年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月14日
發(fā)明者朱殿榮, 曹俊 申請(qǐng)人:無錫康力電子有限公司