一種用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置,其特點是,包含:殼體、間隔設(shè)置在殼體上的一排多個噴頭;所述噴頭包含用于向晶片噴水的直噴頭和用于向化學(xué)機械拋光設(shè)備頂蓋內(nèi)壁噴水的彎噴頭;各所述噴頭通過水管與外部的進水管連接。所述直噴頭垂直設(shè)置在殼體上。所述彎噴頭折彎成一鈍角。各所述彎噴頭設(shè)為出水口方向不同。本發(fā)明設(shè)置在化學(xué)機械拋光設(shè)備的各拋光臺的相鄰位置。本發(fā)明能夠在清洗晶片的同時對化學(xué)機械拋光設(shè)備的頂蓋內(nèi)壁進行清洗,以使其一直保持濕潤狀態(tài),拋光過程中噴濺到頂蓋內(nèi)壁上的研磨液不會干燥結(jié)晶,降低拋光過程中研磨液結(jié)晶掉落劃傷晶片的幾率,提高拋光生產(chǎn)的成品率,并且本發(fā)明裝置結(jié)構(gòu)簡單,使用方便,成本低廉。
【專利說明】一種用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種清洗裝置,尤其涉及一種用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]參閱附圖1所示,在半導(dǎo)體生產(chǎn)中使用的化學(xué)機械拋光設(shè)備,通常包含多個拋光臺10,拋光臺10上方設(shè)置有多個拋光頭,拋光頭的上方設(shè)置有頂蓋,各拋光臺10的相鄰位置設(shè)置有晶片清洗裝置11,拋光臺10的鄰近位置還設(shè)置有晶片傳載機構(gòu)12,參閱附圖2和附圖3所示,晶片清洗裝置11包含殼體I和垂直間隔設(shè)置在殼體I上的多個直噴頭21,該直噴頭21的出水口向正上方,圖3中的箭頭表示直噴頭21的出水口的噴射方向。晶片拋光生產(chǎn)中,在各個拋光臺10上設(shè)置拋光墊,并在拋光墊上添加研磨液,拋光頭將待拋光面朝下的晶片吸持后壓置在拋光墊上進行拋光,完成一次拋光后,拋光頭吸持著晶片移動到設(shè)置在拋光臺10相鄰位置的晶片清潔裝置11上方,晶片清洗裝置11的多個直噴頭21垂直向上噴射高壓去離子水,清洗晶片的拋光面。由于在拋光過程中,拋光臺10或拋光頭快速旋轉(zhuǎn)對晶片進行拋光,拋光墊中的研磨液噴濺到上方的頂蓋內(nèi)壁上,噴濺到頂蓋上的研磨液干燥后成為研磨液結(jié)晶附著在頂蓋內(nèi)壁上。隨著化學(xué)機械拋光設(shè)備使用時間的增加,附著在頂蓋內(nèi)壁上的研磨液結(jié)晶將逐漸增加,在晶片拋光生產(chǎn)過程中,這些附著在頂蓋內(nèi)壁上的研磨液結(jié)晶有時候會掉落下來,劃傷晶片表面。而現(xiàn)有的晶片清洗裝置11僅能對移動到其正上方的晶片進行清洗。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明提供了一種用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置,能夠在清洗晶片的同時對化學(xué)機械拋光設(shè)備的頂蓋內(nèi)壁進行清洗,降低拋光過程中晶片劃傷的幾率,提高拋光生產(chǎn)的成品率,并且本發(fā)明裝置結(jié)構(gòu)簡單,使用方便,成本低廉。
[0004]本發(fā)明采用如下技術(shù)方案實現(xiàn):
一種用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置,包含多個拋光臺,拋光臺上方設(shè)有多個拋光頭,拋光頭的上方設(shè)置有頂蓋,拋光臺的鄰近位置還設(shè)置有晶片傳載機構(gòu),各拋光頭吸持晶片在拋光臺上拋光,各所述拋光頭可移動;其特點是,所述該清洗裝置包含:殼體、間隔設(shè)置在殼體上的一排多個噴頭;所述噴頭包含用于向晶片噴水的直噴頭和用于向化學(xué)機械拋光設(shè)備頂蓋內(nèi)壁噴水的彎噴頭;各所述噴頭通過水管與外部的進水管連接。
[0005]上述的用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置,其特點是,所述直噴頭垂直設(shè)置在殼體上。
[0006]上述的用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置,其特點是,所述彎噴頭折彎成一鈍角。
[0007]上述的用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置,其特點是,所述彎噴頭優(yōu)選折彎成一135°鈍角。
[0008]上述的用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置,其特點是,各所述彎噴頭設(shè)為出水口方向不同。[0009]上述的用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置,其特點是,所述用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置設(shè)置在各拋光臺的相鄰位置。
[0010]上述的用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置,其特點是,各所述噴頭通過水管與外部的進水管連接,通過設(shè)置在外部的進水管上的閥門控制,各所述噴頭可同時噴水。
[0011]一種包含清洗裝置的化學(xué)機械拋光設(shè)備,其特點是,包含:多個拋光臺,設(shè)置在拋光臺上方的多個拋光頭,設(shè)置在拋光頭上方的頂蓋,設(shè)置在所述拋光臺相鄰位置的多個清洗裝置,設(shè)置在拋光臺鄰近位置的晶片傳載機構(gòu);各所述拋光頭吸持晶片在拋光臺上拋光,各所述拋光頭可移動;所述清洗裝置包含:殼體、間隔設(shè)置在殼體上的一排多個噴頭;所述噴頭包含用于向晶片噴水的直噴頭和用于向化學(xué)機械拋光設(shè)備頂蓋內(nèi)壁噴水的彎噴頭;所述直噴頭垂直設(shè)置在殼體上;各所述噴頭通過水管與外部的進水管連接;通過設(shè)置在外部的進水管上的閥門控制,各所述噴頭可同時噴水。
[0012]上述的包含清洗裝置的化學(xué)機械拋光設(shè)備,其特點是,所述彎噴頭折彎成一鈍角。
[0013]上述的包含清洗裝置的化學(xué)機械拋光設(shè)備,其特點是,各所述彎噴頭設(shè)為出水口方向不同。
[0014]本發(fā)明具有以下積極效果:
本發(fā)明由于包含用于向晶片噴水的直噴頭和用于向化學(xué)機械拋光設(shè)備頂蓋內(nèi)壁噴水的多個彎噴頭,彎噴頭折彎成一鈍角,并且各個彎噴頭的出水口方向不一致,各噴頭可同時噴水,因此本發(fā)明裝置可以向其正上方和周圍斜上方各個方向噴射去離子水,從而可以在清洗移動到本發(fā)明正上方的晶片的同時清洗周圍上方的化學(xué)機械拋光設(shè)備的拋光頭和頂蓋內(nèi)壁,并使拋光頭和頂蓋內(nèi)壁保持濕潤狀態(tài),拋光過程中噴濺到頂蓋內(nèi)壁和拋光頭上的研磨液不會干燥結(jié)晶,降低拋光過程中頂蓋內(nèi)壁上的研磨液結(jié)晶掉落劃傷晶片拋光表面的幾率,提高拋光生產(chǎn)的成品率,并且本發(fā)明裝置結(jié)構(gòu)簡單,因此使用方便,成本低廉。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0015]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的化學(xué)機械拋光設(shè)備的平面示意圖;
圖2為現(xiàn)有技術(shù)的化學(xué)機械拋光設(shè)備晶片清洗裝置示意圖;
圖3為現(xiàn)有技術(shù)的化學(xué)機械拋光設(shè)備晶片清洗裝置的直噴頭外形示意圖;
圖4為本發(fā)明一種化學(xué)機械拋光設(shè)備清洗裝置示意圖;
圖5為本發(fā)明一種化學(xué)機械拋光設(shè)備清洗裝置的彎噴頭外形示意圖;
圖6為本發(fā)明一種化學(xué)機械拋光設(shè)備清洗裝置的應(yīng)用實施例的示意圖。
【具體實施方式】
[0016]以下結(jié)合附圖,通過詳細說明一個較佳的具體實施例,對本發(fā)明做進一步闡述。
[0017]在半導(dǎo)體生產(chǎn)中使用的一種化學(xué)機械拋光設(shè)備,包含多個拋光臺10,拋光臺10上方設(shè)置有多個拋光頭,拋光頭的上方設(shè)置有頂蓋,拋光臺10的鄰近位置還設(shè)置有晶片傳載機構(gòu)12,晶片拋光生產(chǎn)中,在各個拋光臺10上設(shè)置拋光墊,并在拋光墊上添加研磨液,拋光頭將待拋光面朝下的晶片吸持后壓置在拋光臺10上的拋光墊上進行拋光,各拋光頭可移動。
[0018]參閱附圖4所示,本發(fā)明一種用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置,包含:殼體I和間隔設(shè)置在殼體I上的一排多個噴頭2 ;噴頭2包含用于向晶片噴水的直噴頭21和用于向化學(xué)機械拋光設(shè)備頂蓋內(nèi)壁噴水的彎噴頭22 ;各噴頭2通過水管與外部的進水管連接。
[0019]直噴頭21垂直設(shè)置在殼體I上,其出水口的噴射方向為垂直于殼體I向正上方噴射。
[0020]參閱附圖5所示,彎噴頭22折彎成一鈍角,其出水口的噴射方向為斜向上。圖5中的箭頭表示彎噴頭的噴射方向。彎噴頭22優(yōu)選折彎成一 135°鈍角。
[0021]各彎噴頭22設(shè)為出水口方向不同。各彎噴頭22可以同時向本發(fā)明裝置周圍多個方向的斜上方噴射高壓去離子水。
[0022]本實施例中,在殼體I上設(shè)置的一排多個噴頭2中,在直噴頭21的兩側(cè)分別間隔設(shè)置多個彎噴頭22,各噴頭的設(shè)置方向如附圖4所不。直噴頭21相鄰兩側(cè)的兩個彎噴頭22的出水口方向互為相反。直噴頭21相間隔一個噴頭的兩側(cè)的兩個彎噴頭22的出水口方向互為相反。直噴頭21 —側(cè)的多個彎噴頭22的出水口方向互為夾角。
[0023]參閱附圖6所示,本發(fā)明設(shè)置在化學(xué)機械拋光設(shè)備的各個拋光臺10的相鄰位置,本發(fā)明的的各個噴頭2通過水管與化學(xué)機械拋光設(shè)備的進水管連接,由化學(xué)機械拋光設(shè)備的進水管為本發(fā)明提供高壓去離子水,并且通過設(shè)置在進水管上的閥門控制,各噴頭2可同時噴水。拋光頭吸持晶片壓置在設(shè)置在拋光臺10上的拋光墊上完成一次拋光后,拋光頭吸持著晶片轉(zhuǎn)移到設(shè)置在拋光臺10相鄰位置的本發(fā)明清洗裝置的正上方,化學(xué)機械拋光設(shè)備的控制系統(tǒng)開啟供水管路,本發(fā)明中的直噴頭21向正上方垂直于晶片拋光面噴射高壓的去離子水,清洗晶片的拋光面,同時,各個彎噴頭22向各個不同方向的斜上方噴射高壓的去離子水,這些噴向斜上方的高壓去離子水噴射到拋光頭和頂蓋內(nèi)壁上,對各個拋光頭和頂蓋內(nèi)壁進行清洗。同時由于拋光頭和頂蓋內(nèi)壁頻繁受到去離子水的清洗,保持濕潤狀態(tài),拋光過程中噴濺到頂蓋內(nèi)壁和拋光頭上的研磨液不會干燥結(jié)晶,從而降低了拋光過程中頂蓋內(nèi)壁上的研磨液結(jié)晶掉落劃傷晶片拋光表面的幾率,提高了拋光生產(chǎn)的合格率。
[0024]一種包含清洗裝置的化學(xué)機械拋光設(shè)備,包含:多個拋光臺10,設(shè)置在拋光臺10上方的多個拋光頭,設(shè)置在拋光頭上方的頂蓋,設(shè)置在各拋光臺10相鄰位置的多個清洗裝置,拋光臺10的鄰近位置還設(shè)置有晶片傳載機構(gòu)12。晶片拋光生產(chǎn)中,在各個拋光臺10上設(shè)置拋光墊,并在拋光墊上添加研磨液,各拋光頭將待拋光面朝下的晶片吸持后壓置在拋光臺10上的拋光墊上進行拋光,各拋光頭可移動。其中,清洗裝置包含:殼體1、間隔設(shè)置在殼體I上的一排多個噴頭2 ;噴頭2包含用于向晶片噴水的直噴頭21和用于向化學(xué)機械拋光設(shè)備頂蓋內(nèi)壁噴水的彎噴頭22。直噴頭21垂直設(shè)置在殼體I上。各噴頭2通過水管與外部的進水管連接。通過設(shè)置在外部的進水管上的閥門控制,各噴頭2可同時噴水。彎嗔頭22折彎成一純角。各彎嗔頭22設(shè)為出水口方向不冋。
[0025]綜上所述,本發(fā)明由于包含用于向晶片噴水的直噴頭和用于向化學(xué)機械拋光設(shè)備頂蓋內(nèi)壁噴水的多個彎噴頭,彎噴頭折彎成一鈍角,并且各個彎噴頭的出水口方向不一致,各噴頭可同時噴水,因此本發(fā)明裝置可以向其正上方和周圍斜上方各個方向噴射去離子水,從而可以在清洗移動到本發(fā)明正上方的晶片的同時清洗周圍上方的化學(xué)機械拋光設(shè)備的拋光頭和頂蓋內(nèi)壁,并使拋光頭和頂蓋內(nèi)壁保持濕潤狀態(tài),拋光過程中噴濺到頂蓋內(nèi)壁和拋光頭上的研磨液不會干燥結(jié)晶,降低拋光過程中頂蓋內(nèi)壁上的研磨液結(jié)晶掉落劃傷晶片拋光表面的幾率,提高拋光生產(chǎn)的成品率,并且本發(fā)明裝置結(jié)構(gòu)簡單,只需對噴頭進行更換,而不需要對化學(xué)機械拋光設(shè)備進行大的改造,因此使用方便,成本低廉。
[0026] 盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實施例作了詳細介紹,但應(yīng)當認識到上述的描述不應(yīng)被認為是對本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后,對于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此,本發(fā)明的保護范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來限定。
【權(quán)利要求】
1.一種用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置,包含多個拋光臺(10),拋光臺(10)上方設(shè)有多個拋光頭,拋光頭的上方設(shè)置有頂蓋,拋光臺(10)的鄰近位置還設(shè)置有晶片傳載機構(gòu)(12),各拋光頭吸持晶片在拋光臺上拋光,各所述拋光頭可移動;其特征在于,所述該清洗裝置包含:殼體(I)、間隔設(shè)置在殼體(I)上的一排多個噴頭(2);所述噴頭(2)包含用于向晶片噴水的直噴頭(21)和用于向化學(xué)機械拋光設(shè)備頂蓋內(nèi)壁噴水的彎噴頭(22 );各所述噴頭(2 )通過水管與外部的進水管連接。
2.如權(quán)利要求1所述的用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置,其特征在于,所述直噴頭(21)垂直設(shè)置在殼體(I)上。
3.如權(quán)利要求1所述的用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置,其特征在于,所述彎噴頭(22)折彎成一鈍角。
4.如權(quán)利要求1所述的用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置,其特征在于,所述彎噴頭(22)優(yōu)選折彎成一 135°鈍角。
5.如權(quán)利要求1所述的用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置,其特征在于,各所述彎噴頭(22)設(shè)為出水口方向不同。
6.如權(quán)利要求1所述的用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置,其特征在于,所述該清洗裝置設(shè)置在化學(xué)機械拋光設(shè)備的各拋光臺(10)的相鄰位置。
7.如權(quán)利要求1所述的用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的清洗裝置,其特征在于,各所述噴頭(2)通過水管與外部的進水管連接,通過設(shè)置在外部的進水管上的閥門控制,各所述噴頭(2)可同時噴水。
8.一種包含清洗裝置的化學(xué)機械拋光設(shè)備,其特征在于,包含:多個拋光臺(10),設(shè)置在拋光臺(10)上方的多個拋光頭,設(shè)置在拋光頭上方的頂蓋,設(shè)置在所述拋光臺(10)相鄰位置的多個清洗裝置,設(shè)置在拋光臺(10)鄰近位置的晶片傳載機構(gòu)(12);各所述拋光頭吸持晶片在拋光臺上拋光,各所述拋光頭可移動;所述清洗裝置包含:殼體(I)、間隔設(shè)置在殼體(I)上的一排多個噴頭(2);所述噴頭(2)包含用于向晶片噴水的直噴頭(21)和用于向化學(xué)機械拋光設(shè)備頂蓋內(nèi)壁噴水的彎噴頭(22);所述直噴頭(21)垂直設(shè)置在殼體(I)上;各所述噴頭(2)通過水管與外部的進水管連接;通過設(shè)置在外部的進水管上的閥門控制,各所述噴頭(2)可同時噴水。
9.如權(quán)利要求7所述的包含清洗裝置的化學(xué)機械拋光設(shè)備,其特征在于,所述彎噴頭(22)折彎成一鈍角。
10.如權(quán)利要求7所述的包含清洗裝置的化學(xué)機械拋光設(shè)備,其特征在于,各所述彎噴頭(22)設(shè)為出水口方向不同。
【文檔編號】B24B29/02GK103878668SQ201210557495
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2012年12月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月20日
【發(fā)明者】顧軍, 邱麟, 劉波 申請人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司