專利名稱：金字塔研磨盤的加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及研磨設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種可以對(duì)寶石、硅片、晶片等晶體材料進(jìn)行精磨的金字塔研磨盤的加工方法。
背景技術(shù)：
在工業(yè)中，經(jīng)常需要對(duì)工件的表面進(jìn)行處理，使其達(dá)到一定的平整度，尤其是對(duì)于藍(lán)寶石、硅片、晶片、襯底片等晶體材料，其表面處理的要求更高。因此，需要通過(guò)研磨盤配以研磨液對(duì)工件的表面進(jìn)行磨削。將研磨盤的表面放大，可以看到其表面具有微小的、鋒利的凸起部，研磨盤在工件上相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，這些鋒利的凸起部可以對(duì)工件的表面進(jìn)行磨削?，F(xiàn)有的研磨盤通常將磨料直接成型為盤狀，研磨盤本身起支撐作用，研磨盤的側(cè)面為研磨面，如申請(qǐng)?zhí)枮?01110143354. 8的中國(guó)發(fā)明專利申請(qǐng)“合成銅盤研磨盤”中，其記載了一種合成銅盤研磨盤的制備方法，其制備方法為在混合容器中加入銅粉90 95%，鎳粉I 5%，鈰粉3 10%，混合完成后向混合組分中加入總量的10 50%的環(huán)氧樹脂和聚氨酯膠的混合物，攪拌，升溫至100 200°C，繼續(xù)充分?jǐn)嚢?，模壓，冷卻8 15h后成形。對(duì)于該研磨盤，其使用一段時(shí)間后，研磨盤的厚度減小，導(dǎo)致其強(qiáng)度降低，需要更換新的研磨盤，這樣就導(dǎo)致研磨盤不能充分利用，造成了材料浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，而提供一種金字塔研磨盤的加工方法，其通過(guò)模壓成型一單獨(dú)的研磨層，再將研磨層固定在研磨盤基體上使用，可以提高研磨盤的利用效率，降低成本。本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種金字塔研磨盤的加工方法，其將磨料均勻混合后，通過(guò)模具模壓成型，獲得用于研磨的研磨層，然后將所述研磨層固定連接用于支撐的研磨盤基體。優(yōu)選的，所述磨料由60% 80% (重量)的金剛石微粉、余量的非金剛石納米級(jí)拋光材料組成，其中，非金剛石納米級(jí)拋光材料為氧化鋁、氧化鈰、碳化硅中的一種或幾種與樹脂的混合物，金剛石微粉和非金剛石納米級(jí)拋光材料的目數(shù)為600 5000目。優(yōu)選的，所述磨料包括70% (重量)的金剛石微粉、30% (重量)的非金剛石納米級(jí)拋光材料。進(jìn)一步的,還包括在研磨層上生成研磨刃的步驟。優(yōu)選的，通過(guò)模具獲得研磨層時(shí)，同時(shí)利用模具生成研磨刃。優(yōu)選的，所述研磨層包括研磨底層、若干個(gè)研磨刃，所述研磨刃為凸出于研磨底層的環(huán)形凸起，所述研磨刃通過(guò)根部與所述研磨底層連接，所述相鄰研磨刃的間距相等。優(yōu)選的，所述相鄰研磨刃的間距為I 3mm，所述研磨刃的高度為0.1 0. 3mm，所述研磨底層的厚度為8 10mm。優(yōu)選的，所述研磨刃的截面形狀為三角形，該三角形的底邊為研磨刃的根部。
優(yōu)選的，所述研磨盤基體為銅盤。優(yōu)選的，所述研磨盤基體還包括鐵盤或鋁盤，所述鐵盤或鋁盤為與所述銅盤同心的圓柱形，所述銅盤的一個(gè)底面與研磨層連接，另一個(gè)底面與所述鐵盤或鋁盤連接，所述銅盤與鐵盤或鋁板通過(guò)粘接、焊接或螺栓連接的一種或幾種進(jìn)行連接。本發(fā)明的有益效果是一種金字塔研磨盤的加工方法，其將磨料均勻混合后，通過(guò)模具模壓成型，獲得用于研磨的研磨層，然后將所述研磨層固定連接用于支撐的研磨盤基體，本發(fā)明通過(guò)模壓成型一單獨(dú)的研磨層，再將研磨層固定在研磨盤基體上使用，研磨盤基體起主體支撐作用，而研磨層用于研磨，可以將研磨層磨損至較小的厚度后再進(jìn)行更換，研磨盤基體可以重復(fù)利用，從而提高研磨盤的利用效率，降低成本。


圖1是本發(fā)明加工的研磨盤的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明加工的研磨刃的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明加工的研磨刃、研磨底層的局部剖面示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明
1—研磨盤基體11—連接孔 12——銅盤 13——鐵盤
2—研磨底層3—研磨刃。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，并不是把本發(fā)明的實(shí)施范圍限制于此。實(shí)施例一。金字塔研磨盤的加工方法，其將磨料均勻混合后，通過(guò)模具模壓成型，獲得用于研磨的研磨層，然后將所述研磨層固定連接用于支撐的研磨盤基體I。本發(fā)明通過(guò)模壓成型一單獨(dú)的研磨層，再將研磨層固定在研磨盤基體I上使用，研磨盤基體I起主體支撐作用，而研磨層用于研磨，可以將研磨層磨損至較小的厚度后再進(jìn)行更換，研磨盤基體I可以重復(fù)利用，從而提高研磨盤的利用效率，降低成本。加工后的金字塔研磨盤的結(jié)構(gòu)如圖1、圖2所示。其中，所述磨料由60% 80% (重量)的金剛石微粉、余量的非金剛石納米級(jí)拋光材料組成，其中，非金剛石納米級(jí)拋光材料為氧化鋁、氧化鈰、碳化硅中的一種或幾種與樹脂的混合物，金剛石微粉和非金剛石納米級(jí)拋光材料的目數(shù)為600 5000目。本實(shí)施例的金字塔研磨盤加工時(shí)使磨料混合后均勻分布，可以獲得穩(wěn)定的切削效率、更長(zhǎng)的使用壽命，金剛石微粉及氧化鋁、氧化鈰、碳化硅可以對(duì)晶體進(jìn)行精磨，不會(huì)損傷被加工的材料，無(wú)破片、無(wú)劃傷，穩(wěn)定性、安全性更好，并且由于金剛石微粉及氧化鋁、氧化鈰、碳化硅化學(xué)性能穩(wěn)定，因此本發(fā)明的金字塔研磨盤與具有腐蝕性的研磨液配合使用時(shí)表現(xiàn)出色。優(yōu)選的，所述磨料包括70% (重量)的金剛石微粉、30% (重量)的非金剛石納米級(jí)拋光材料。對(duì)于本發(fā)明，還包括在研磨層上生成研磨刃3的步驟，優(yōu)選的，通過(guò)模具獲得研磨層時(shí)，同時(shí)利用模具生成研磨刃3。對(duì)于本發(fā)明，所述研磨層包括研磨底層2、若干個(gè)研磨刃3，本發(fā)明的研磨盤基體I為圓柱形，所述研磨刃3為以研磨盤基體I的圓心為中心的環(huán)形凸起，所述研磨刃3通過(guò)根部與所述研磨底層2連接，所述相鄰研磨刃3的間距相等，研磨刃3從根部端部的截面寬度逐漸變小，使用時(shí)，研磨刃3的端部磨損后，露出的部分形成新的端部，可以對(duì)工件進(jìn)行研磨，研磨刃3和工件的碎屑落入相鄰研磨刃3之間的凹槽中，進(jìn)而隨研磨液排出，從而使得研磨刃3的端部保持一定的粗糙度，可以繼續(xù)進(jìn)行研磨，因此，本發(fā)明的研磨盤可以以高切削率進(jìn)行研磨并保持較長(zhǎng)時(shí)間，操作者在研磨的全過(guò)程中施加幾乎相同的壓力條件，可以進(jìn)行平穩(wěn)的、連續(xù)的加工，方便了加工，并且容易得到好的一致的精磨效果。研磨刃3從根部至端部的截面寬度逐漸變小從而形成類似“金字塔”的形狀，在圖3中，所述研磨刃3的截面形狀為三角形，該三角形的底邊為研磨刃3的根部，研磨刃3的截面也可以不必限于圖3所示的形狀。優(yōu)選的，所述相鄰研磨刃3的間距a為I 3mm，所述研磨刃3的高度b為0.1 0. 3mm,所述研磨底層2的厚度c為8 10mm。對(duì)于本發(fā)明，所述研磨盤基體I的中部設(shè)置有貫通的連接孔11，研磨設(shè)備通過(guò)連接塊11固定基體I。研磨盤基體I可以選用不易變形的金屬，并且要求該金屬易于與研磨層連接，優(yōu)選的，所述研磨盤基體I為銅盤12。由于銅的價(jià)格較高，研磨盤基體I不與研磨層接觸的一面還可以采用其他金屬，如鐵、鋁及其合金，優(yōu)選的，如圖1所示，所述基體I還包括鐵盤13，所述鐵盤13為與所述銅盤12同心的圓柱形，所述銅盤12的一個(gè)底面與研磨層連接，另一個(gè)底面與所述鐵盤13連接，所述銅盤12與鐵盤13或鋁板通過(guò)粘接、焊接或螺栓連接的一種或幾種進(jìn)行連接。最后應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作了詳細(xì)地說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求
1.金字塔研磨盤的加工方法，其特征在于將磨料均勻混合后，通過(guò)模具模壓成型，獲得用于研磨的研磨層，然后將所述研磨層固定連接用于支撐的研磨盤基體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金字塔研磨盤的加工方法，其特征在于所述磨料由60% 80% (重量)的金剛石微粉、余量的非金剛石納米級(jí)拋光材料組成，其中，非金剛石納米級(jí)拋光材料為氧化鋁、氧化鈰、碳化硅中的一種或幾種與樹脂的混合物，金剛石微粉和非金剛石納米級(jí)拋光材料的目數(shù)為600 5000目。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金字塔研磨盤的加工方法，其特征在于所述磨料包括70% (重量)的金剛石微粉、30% (重量)的非金剛石納米級(jí)拋光材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金字塔研磨盤的加工方法，其特征在于還包括在研磨層上生成研磨刃的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金字塔研磨盤的加工方法，其特征在于通過(guò)模具獲得研磨層時(shí)，同時(shí)利用模具生成研磨刃。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金字塔研磨盤的加工方法，其特征在于所述研磨層包括研磨底層、若干個(gè)研磨刃，所述研磨刃為凸出于研磨底層的環(huán)形凸起，所述研磨刃通過(guò)根部與所述研磨底層連接，所述相鄰研磨刃的間距相等。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的金字塔研磨盤的加工方法，其特征在于所述相鄰研磨刃的間距為I 3mm,所述研磨刃的高度為O.1 O. 3mm,所述研磨底層的厚度為8 10mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的金字塔研磨盤的加工方法，其特征在于所述研磨刃的截面形狀為三角形，該三角形的底邊為研磨刃的根部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金字塔研磨盤的加工方法，其特征在于所述研磨盤基體為銅盤。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的金字塔研磨盤的加工方法，其特征在于所述研磨盤基體還包括鐵盤或鋁盤，所述鐵盤或鋁盤為與所述銅盤同心的圓柱形，所述銅盤的一個(gè)底面與研磨層連接，另一個(gè)底面與所述鐵盤或鋁盤連接，所述銅盤與鐵盤或鋁板通過(guò)粘接、焊接或螺栓連接的一種或幾種進(jìn)行連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及研磨設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種金字塔研磨盤的加工方法，其將磨料均勻混合后，通過(guò)模具模壓成型，獲得用于研磨的研磨層，然后將所述研磨層固定連接用于支撐的研磨盤基體，本發(fā)明通過(guò)模壓成型一單獨(dú)的研磨層，再將研磨層固定在研磨盤基體上使用，研磨盤基體起主體支撐作用，而研磨層用于研磨，可以將研磨層磨損至較小的厚度后再進(jìn)行更換，研磨盤基體可以重復(fù)利用，從而提高研磨盤的利用效率，降低成本。
文檔編號(hào)B24D18/00GK103009279SQ201210530698
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月11日
發(fā)明者李衛(wèi)中 申請(qǐng)人:東莞潤(rùn)明電子科技有限公司