專利名稱：施加輻射的裝置、沉積玻璃層的設(shè)備和制造預(yù)制件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于在使用中向中空玻璃基管內(nèi)側(cè)的等離子體施加電磁微波輻射的裝置，該裝置包括由金屬壁包圍的環(huán)形空間，所述環(huán)形空間包括輸入口以及作為用作徑向波導(dǎo)的輸出口的施加器狹縫，其中在所述輸入口處安裝有細(xì)長(zhǎng)微波引導(dǎo)件的第一端，所述微波引導(dǎo)件經(jīng)由所述微波引導(dǎo)件的第二端與微波發(fā)生部件相連通。本發(fā)明還涉及一種用于利用這種裝置來制造光纖預(yù)制件的方法、以及利用這種光纖預(yù)制件所獲得的光纖。
背景技術(shù)：
根據(jù)本發(fā)明人的美國專利7，650，853可獲知一種裝置。美國專利7，650，853涉及提供能夠生成和維持幾何性質(zhì)良好的穩(wěn)定等離子體的微波發(fā)生器，其中微波輻射至少在與傳播方向垂直的一個(gè)方向上僅具有一種電磁場(chǎng)分布。根據(jù)本發(fā)明人的歐洲專利11867610已知一種用于執(zhí)行PCVD沉積工藝的設(shè)備，其中:在同軸波導(dǎo)中與饋送(feed)波導(dǎo)交叉的天線可移動(dòng)，以及在該饋送波導(dǎo)的內(nèi)部存在引導(dǎo)元件。根據(jù)美國專利5，223，308已知一種包括微波發(fā)生器的沉積設(shè)備，其中矩形微波波導(dǎo)用于在細(xì)長(zhǎng)中空管連續(xù)地移動(dòng)的空間內(nèi)產(chǎn)生微波能量強(qiáng)烈的電磁場(chǎng)。這種管由例如尼龍材料的合成樹脂構(gòu)成，其中利用前述設(shè)備來施加氧化硅、氮化硅或碳氧化硅的涂層，這些管用作汽車的液壓空調(diào)系統(tǒng)所用的管，從而使諸如氟利昂等的液體冷卻劑進(jìn)入大氣內(nèi)的損耗最小。美國專利申請(qǐng)US2003/0104139涉及一種用于在中空玻璃管的內(nèi)部上沉積等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)涂層的設(shè)備，其中使用包括波導(dǎo)和施加器頭的施加器，該波導(dǎo)用于將微波從微波發(fā)生器引導(dǎo)至施加器頭。波導(dǎo)具有細(xì)長(zhǎng)軸和矩形截面，其中該矩形截面具有長(zhǎng)軸和短軸并且與該波導(dǎo)的細(xì)長(zhǎng)軸垂直。在施加器頭內(nèi)配置有玻璃管，并且使施加器頭沿著要沉積涂層的所述中空玻璃管的縱軸在該管上移動(dòng)。美國專利申請(qǐng)US2003/0115909涉及一種用于在中空基管的內(nèi)部上沉積一個(gè)或多個(gè)玻璃層的設(shè)備，其中微波施加器的活化劑空間包圍該中空基管，以使微波在該中空基管的內(nèi)部產(chǎn)生等離子體，從而使玻璃形成前體將SiO2沉積到該基管的內(nèi)部上。US2004045508涉及一種設(shè)置有用于使環(huán)形波導(dǎo)冷卻的冷卻器的等離子體活化CVD系統(tǒng)，由此期望保護(hù)該環(huán)形波導(dǎo)免于受熱并且實(shí)現(xiàn)微波的安全穩(wěn)定供給。該冷卻器配置在環(huán)形波導(dǎo)和作為反應(yīng)室的石英管之間，即將諸如水、油或氣等的制冷劑所通過的冷卻管安裝至環(huán)形波導(dǎo)的內(nèi)周壁的內(nèi)表面，由此構(gòu)成冷卻器。該冷卻管嵌入環(huán)形波導(dǎo)的內(nèi)周壁中。US4125389涉及一種通過在管內(nèi)進(jìn)行等離子體活化沉積來制造光纖的方法以及這種方法所用的設(shè)備，其中熔融二氧化硅的基管配置為貫通經(jīng)由波導(dǎo)連接至高功率微波發(fā)生器的微波腔。在該微波腔內(nèi)，經(jīng)由該管進(jìn)給氣體并且冷卻氣體沿著該管的外側(cè)通過。例如，使氮作為冷卻氣體在金屬腔和該管的外側(cè)壁之間通過。
US4844007涉及一種用于在管的內(nèi)側(cè)上設(shè)置玻璃層的裝置，包括:氣體供給裝置，其連接至該管的一端；加熱爐，用于對(duì)該管進(jìn)行加熱；諧振器，其包括用于在該管內(nèi)產(chǎn)生等離子體的諧振腔、以及用于使該諧振器和該管相對(duì)于彼此移動(dòng)的部件；高頻發(fā)生器，其連接至諧振腔；以及真空泵，其連接至該玻璃管的相對(duì)端。諧振器包括具有用于容納該管的管道的冷卻體，其中在該冷卻體中，至少管道壁包括容易導(dǎo)熱的金屬并且該管道的與管相對(duì)的壁設(shè)置有絕熱層。諧振器的冷卻性能因存在絕熱層而下降并且經(jīng)由冷卻水管道使諧振器冷卻。根據(jù)本發(fā)明人的已授權(quán)的美國專利US6，849，307已知一種用于制造光纖的設(shè)備，其中該設(shè)備可以在制造能夠拉制出光纖的所謂的預(yù)制件的應(yīng)用場(chǎng)景下使用。根據(jù)據(jù)此已知的用于制造這種預(yù)制件的方法，在細(xì)長(zhǎng)玻璃基管(例如，由石英構(gòu)成)的內(nèi)部柱表面上涂覆摻雜二氧化硅(例如，鍺摻雜二氧化硅)層。這可以通過使該基管沿著反應(yīng)區(qū)的柱軸配置并且使例如包含02、SiCl4以及例如GeCl4的可能摻雜物的氣態(tài)混合物涌入該管的內(nèi)部來實(shí)現(xiàn)。在腔內(nèi)同時(shí)產(chǎn)生局部等離子體，由此使S1、O和Ge起反應(yīng)從而實(shí)現(xiàn)Ge摻雜的SiO2直接沉積在基管的內(nèi)表面上。由于這種沉積僅在局部等離子體附近發(fā)生，因此必須沿著管的柱軸對(duì)反應(yīng)區(qū)進(jìn)行掃描，從而均勻地涂覆管的整個(gè)長(zhǎng)度。當(dāng)涂覆完成時(shí)，利用熱使該管徑向收縮成具有鍺摻雜二氧化硅芯部和周圍的未摻雜二氧化硅包層部的塊狀實(shí)心棒。在對(duì)棒的端部進(jìn)行加熱以使得其熔化的情況下，可以從棒拉制出細(xì)玻璃光纖并使該細(xì)玻璃光纖纏繞在卷軸上；由此，所述光纖具有與棒的芯和包層部相對(duì)應(yīng)的纖芯和包層部。由于鍺摻雜纖芯的折射率高于未摻雜包層的折射率，因此光纖可以用作例如傳播光遠(yuǎn)程通信信號(hào)時(shí)所使用的光信號(hào)用波導(dǎo)。應(yīng)當(dāng)注意，經(jīng)由中空玻璃基管涌入的氣態(tài)混合物還可以包含其它成分；例如C2F6的摻雜物的添加例如會(huì)導(dǎo)致?lián)诫s二氧化硅的折射率減小。還應(yīng)當(dāng)注意，在拉制工序之前可以將實(shí)心預(yù)制件放置在所謂的襯套管(例如，由未摻雜二氧化硅構(gòu)成)內(nèi)，從而提高最終光纖內(nèi)未摻雜二氧化硅相對(duì)于摻雜二氧化硅的量。施加額外量的二氧化硅的其它可能性是利用等離子體工藝或外部氣相沉積(OVD)工藝的所謂的外包層(overcladding)。將這種光纖用于遠(yuǎn)程通信目的要求該光纖基本無缺陷(例如，摻雜物的百分比的偏差以及不期望的截面橢圓度等)，這是因?yàn)?在考慮到光纖的長(zhǎng)度很大的情況下，這些缺陷可能會(huì)導(dǎo)致所傳輸信號(hào)發(fā)生大幅衰減。因此，實(shí)現(xiàn)非常均勻且可重復(fù)的PCVD工藝很重要，這是因?yàn)樗练e的PCVD層的質(zhì)量最終將會(huì)決定光纖的質(zhì)量；因而在諧振腔內(nèi)產(chǎn)生的等離子體(繞該腔的柱軸)呈旋轉(zhuǎn)對(duì)稱很重要。另一方面，在可以制造出直徑較大的預(yù)制件的情況下將會(huì)給制造工藝的成本帶來有利影響，這是因?yàn)殡S后可以利用一個(gè)預(yù)制件獲得較大的光纖長(zhǎng)度。為了能夠使用直徑增大的基管而增大諧振腔的直徑將會(huì)使等離子體的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性劣化，并且僅通過使用高得多的微波功率才可能生成這種等離子體。在前述的PCVD設(shè)備中，必須將來自例如微波爐等的能夠產(chǎn)生微波的裝置的能量傳遞至環(huán)形諧振腔內(nèi)，從而在基管的內(nèi)部形成等離子體區(qū)。這意味著微波被供給至饋送波導(dǎo)，并且隨后可以經(jīng)由波導(dǎo)到達(dá)環(huán)形諧振腔。本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)在等離子體型的內(nèi)部沉積工藝期間使用所謂的高摻雜中空基管可能會(huì)引發(fā)問題?？赡軙?huì)發(fā)生的問題涉及基管的熔融、或者基管在內(nèi)部沉積階段的部分過早徑向收縮。這些問題將需要提早終止沉積工藝。并且，這些問題從工藝穩(wěn)定性以及安全性的角度而言是極不希望的。用以消除這些問題的一種可選方案是施加較低的加熱爐溫度。然而，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)降低加熱爐溫度可能會(huì)導(dǎo)致沉積的玻璃層質(zhì)量有所下降。

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明的一方面是提出一種用于執(zhí)行等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)工藝的裝置，其中該裝置使得能夠采用高摻雜基管來實(shí)現(xiàn)高沉積率。本發(fā)明的另一方面是提出一種用于執(zhí)行等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)工藝的裝置，其中確保了高質(zhì)量玻璃層的沉積。本發(fā)明的又一方面是提供一種用于執(zhí)行等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)工藝的裝置，其中在中空基管的內(nèi)部玻璃層的內(nèi)部沉積期間，施加高的加熱爐溫度。根據(jù)本發(fā)明，如上文所述的用于執(zhí)行等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)工藝的裝置的特征在于:該裝置包括冷卻用部件，所述冷卻用部件用于在施加器狹縫附近的位置處進(jìn)行冷卻。在使用裝置的這種特殊結(jié)構(gòu)、即設(shè)置有用于在施加器狹縫附近的位置處進(jìn)行冷卻的冷卻用部件的情況下，很好地防止了基管被過度加熱。該結(jié)構(gòu)允許在等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)工藝內(nèi)使用高摻雜基管。因而，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn):在諧振器內(nèi)側(cè)的中空基管的外側(cè)溫度保持低于中空基管的熔點(diǎn)的情況下，該基管將保持原始狀態(tài)，即不會(huì)發(fā)生下陷(sagging)或熔融。本發(fā)明人的觀點(diǎn)是基管主要是由于等離子體能量在基管的內(nèi)側(cè)上發(fā)生耗散而被加熱的。在特定實(shí)施例中，所述冷卻用部件包括用于引導(dǎo)冷卻氣體流過所述細(xì)長(zhǎng)微波引導(dǎo)件的內(nèi)部的引導(dǎo)部件。因而，該細(xì)長(zhǎng)微波引導(dǎo)件可用于以非常高效的方式傳輸冷卻氣體。并且，特別是在內(nèi)部沉積工藝期間，特別是在該區(qū)域內(nèi)針對(duì)基管的加熱最明顯的位置處，冷卻氣體的傳輸將會(huì)使基管的外側(cè)溫度大幅下降。冷卻氣體的示例是壓縮空氣。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述環(huán)形空間繞軸、即中空基管在被插入本裝置的情況下的縱軸大致呈圓柱對(duì)稱。這種對(duì)稱結(jié)構(gòu)從基管內(nèi)側(cè)的穩(wěn)定微波的角度而言是優(yōu)選的。根據(jù)本裝置的另一實(shí)施例，以抵接所述裝置的內(nèi)柱壁的方式配置有中空石英玻璃襯管(liner tube)，并且在由所述環(huán)形空間包圍的區(qū)域內(nèi)，所述中空石英玻璃襯管設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)開口。設(shè)置這種襯管防止了不希望地附著有來自加熱爐壁和諧振器自身的小碎片。在沉積工藝期間，中空基管位于由所述環(huán)形空間包圍并且由所述襯管包圍的區(qū)域內(nèi)。在中空石英玻璃襯管中設(shè)置開口使得冷卻氣體能夠沿著基管外側(cè)的方向流動(dòng)。為了對(duì)稱和高效冷卻的目的，優(yōu)選地圍繞襯管的圓周配置用于使冷卻氣體流動(dòng)的開口。在本裝置的另一實(shí)施例中，所述襯管被配置成使所述開口配置在所述施加器狹縫內(nèi)，以使來自所述細(xì)長(zhǎng)微波引導(dǎo)件的內(nèi)部的所述冷卻氣體通過所述施加器狹縫。優(yōu)選地，用于引導(dǎo)冷卻氣體的流動(dòng)的所述引導(dǎo)部件包括質(zhì)量流量控制器，所述質(zhì)量流量控制器用于控制引導(dǎo)至所述細(xì)長(zhǎng)微波引導(dǎo)件的內(nèi)部的冷卻氣體的流動(dòng)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述微波弓I導(dǎo)件具有矩形截面。根據(jù)另一實(shí)施例，所述微波引導(dǎo)件具有圓形截面。本發(fā)明還涉及一種用于通過等離子體化學(xué)氣相沉積工藝來制造光學(xué)預(yù)制件的方法，所述方法包括以下步驟:
執(zhí)行所述等離子體化學(xué)氣相沉積工藝以在細(xì)長(zhǎng)玻璃基管的內(nèi)表面上沉積一個(gè)或多個(gè)摻雜或未摻雜的二氧化硅層；以及對(duì)所述基管進(jìn)行熱收縮處理從而形成實(shí)心預(yù)制件，其中在本發(fā)明的實(shí)施例的裝置內(nèi)發(fā)生沉積。更具體地，在由所述環(huán)形空間包圍的區(qū)域內(nèi)配置中空基管，其中所述基管和所述環(huán)形空間大致同軸，以及使所述環(huán)形空間沿著所述基管的長(zhǎng)度往返移動(dòng)從而在所述基管的內(nèi)部上實(shí)現(xiàn)一個(gè)或多個(gè)摻雜或未摻雜的二氧化硅層的沉積，其中在所述沉積期間，向所述環(huán)形空間的內(nèi)部供給冷卻氣體。在本發(fā)明的特定實(shí)施例中，經(jīng)由所述細(xì)長(zhǎng)微波引導(dǎo)件的內(nèi)部來供給所述冷卻氣體。所述冷卻氣體是從空氣、氮、氧和二氧化碳以及它們的組合中選擇出的氣體，其中所述冷卻氣體優(yōu)選是在至少0.1bar的超壓下供給的。供給至環(huán)形空間的內(nèi)部的冷卻氣體的流動(dòng)使得所述玻璃基管的外側(cè)普遍存在的溫度低于所述玻璃基管的熔融溫度。根據(jù)實(shí)施例，所述玻璃基管的外側(cè)普遍存在的溫度是所述沉積工藝期間所述玻璃基管在所述施加器狹縫附近的位置處的溫度。在微波功率在3 IOkW的范圍內(nèi)并且冷卻氣體的流量?jī)?yōu)選在25 250slm的范圍內(nèi)的條件下，所述環(huán)形空間在本沉積工藝期間的速度為300mm/min以下。


現(xiàn)在將參考一幅圖來更加詳細(xì)地說明本發(fā)明，然而應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明決不限于這種特定實(shí)施例。圖1是意性示出用于執(zhí)行等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)工藝的設(shè)備的圖。
具體實(shí)施例方式在該唯一附圖(圖1)中，利用7來示意性示出用于執(zhí)行等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)工藝的設(shè)備。該設(shè)備7包括形狀大致呈環(huán)形的腔6，其中腔6具有內(nèi)柱壁10和外柱壁11。內(nèi)柱壁10包括狹縫4，其中優(yōu)選地，狹縫4(在與圖面垂直的平面內(nèi))以完整圓形繞柱軸延伸。對(duì)于沉積工藝，在由所述環(huán)形空間包圍的區(qū)域內(nèi)配置中空石英玻璃基管。由于玻璃層的沉積僅在等離子體區(qū)附近發(fā)生，因此必須使腔6 (以及等離子體區(qū))沿著柱軸移動(dòng)從而沿著玻璃基管(未示出)的整個(gè)長(zhǎng)度均勻地涂覆該玻璃基管。細(xì)長(zhǎng)微波引導(dǎo)件2的第一側(cè)11作為輸入口連接至裝置7，并且其第二側(cè)12連接至諸如磁控管或速調(diào)管(未示出)等的用于向細(xì)長(zhǎng)微波引導(dǎo)件2供給微波的微波發(fā)生部件，這些微波隨后進(jìn)入裝置7并且最終在位于由腔6包圍的位置處的玻璃基管(未示出)內(nèi)部產(chǎn)生等離子體區(qū)。如此形成的等離子體區(qū)建立了如下的情況:供給至基管的內(nèi)部的玻璃形成前體將會(huì)沉積在該基管的內(nèi)壁上，從而在該基管的內(nèi)部形成一個(gè)或多個(gè)玻璃層。在腔6的環(huán)形空間5內(nèi)配置有中空襯管3。襯管3的外周抵接裝置7的內(nèi)柱壁10。襯管3設(shè)置有圍繞其圓周配置的多個(gè)開口 9。經(jīng)由細(xì)長(zhǎng)微波引導(dǎo)件2供給冷卻氣體。通過使用質(zhì)量流量控制器(未示出)來控制冷卻氣體的流動(dòng)。優(yōu)選地，由箭頭I所表示的位于第二側(cè)12附近的冷卻氣體的供給通過細(xì)長(zhǎng)微波引導(dǎo)件2的內(nèi)部向著配置在腔6的環(huán)形空間內(nèi)部的基管的外側(cè)進(jìn)行。盡管在第二側(cè)12的附近示出冷卻氣體的供給，但本發(fā)明不限于該特定位置。在特定實(shí)施例中，例如可以在靠近第一側(cè)11的位置處選擇冷卻氣體的供給位置。在沉積工藝期間，中空基管由襯管3包圍，并且襯管3的外周抵接裝置7的內(nèi)柱壁
10。在施加器狹縫4附近的位置處供給冷卻氣體防止了基管在沉積工藝期間發(fā)生過早徑向收縮。在內(nèi)部沉積工藝期間，在環(huán)形空間內(nèi)配置基管，并且使裝置7沿著該基管的長(zhǎng)度在氣體或入口側(cè)處的換向點(diǎn)與泵或出口側(cè)的換向點(diǎn)之間往返移動(dòng)。向該基管的內(nèi)部供給玻璃形成前體。供給至腔6的微波將會(huì)創(chuàng)建等離子體條件并且玻璃層將會(huì)沉積在中空基管的內(nèi)壁上。在沉積工藝之后，基管將會(huì)以塊狀實(shí)心形式徑向收縮。如此獲得的塊狀實(shí)心形式可以附加設(shè)置有位于該塊狀實(shí)心形式的外側(cè)上的一個(gè)或多個(gè)玻璃層。將最終預(yù)制件放置在拉絲塔內(nèi)，并且通過對(duì)該最終預(yù)制件的一端進(jìn)行加熱，將會(huì)拉制出玻璃光纖并使該玻璃光纖纏繞在卷軸上。
權(quán)利要求
1.一種用于在使用中向基管內(nèi)側(cè)的等離子體施加電磁微波輻射的裝置，所述裝置包括由金屬壁包圍的環(huán)形空間，所述環(huán)形空間包括輸入口以及作為用作徑向波導(dǎo)的輸出口的施加器狹縫，其中在所述輸入口處安裝有細(xì)長(zhǎng)微波引導(dǎo)件的第一端，所述微波引導(dǎo)件經(jīng)由所述微波引導(dǎo)件的第二端與微波發(fā)生部件相連通，其特征在于，所述裝置包括冷卻用部件，所述冷卻用部件用于在所述施加器狹縫附近的位置處進(jìn)行冷卻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述冷卻用部件包括用于引導(dǎo)冷卻氣體流過所述細(xì)長(zhǎng)微波引導(dǎo)件的內(nèi)部的引導(dǎo)部件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中，所述環(huán)形空間繞軸大致呈圓柱對(duì)稱。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，以抵接所述裝置的內(nèi)柱壁的方式配置有中空石英玻璃襯管，并且在由所述環(huán)形空間包圍的區(qū)域內(nèi)，所述中空石英玻璃襯管設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述開口圍繞所述襯管的圓周配置。
6.根據(jù)權(quán)利要求 4或5所述的裝置，其中，所述襯管被配置成使所述開口配置在所述施加器狹縫附近，以使來自所述細(xì)長(zhǎng)微波引導(dǎo)件的內(nèi)部的冷卻氣體通過所述施加器狹縫。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，用于引導(dǎo)冷卻氣體的流動(dòng)的所述引導(dǎo)部件包括質(zhì)量流量控制器，所述質(zhì)量流量控制器用于控制引導(dǎo)至所述細(xì)長(zhǎng)微波引導(dǎo)件的內(nèi)部的冷卻氣體的流動(dòng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述微波引導(dǎo)件具有矩形截面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述微波引導(dǎo)件具有圓形截面。
10.一種用于通過等離子體化學(xué)氣相沉積工藝來在根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的裝置所處理的中空玻璃管的內(nèi)側(cè)上沉積一個(gè)或多個(gè)玻璃層的設(shè)備。
11.一種用于通過等離子體化學(xué)氣相沉積工藝來制造光學(xué)預(yù)制件的方法，所述方法包括以下步驟:執(zhí)行所述等離子體化學(xué)氣相沉積工藝以在細(xì)長(zhǎng)玻璃基管的內(nèi)表面上沉積一個(gè)或多個(gè)摻雜或未摻雜的二氧化硅層；以及對(duì)所述基管進(jìn)行熱收縮處理從而形成實(shí)心預(yù)制件，其特征在于:利用根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備來執(zhí)行所述等離子體化學(xué)氣相沉積工藝，其中，在由所述環(huán)形空間包圍的區(qū)域內(nèi)配置所述基管，所述基管和所述環(huán)形空間大致同軸，以及使所述環(huán)形空間沿著所述基管的長(zhǎng)度往返移動(dòng)從而在所述基管的內(nèi)部上實(shí)現(xiàn)一個(gè)或多個(gè)摻雜或未摻雜的二氧化硅層的沉積，其中在所述沉積期間，向所述環(huán)形空間的內(nèi)部供給冷卻氣體。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，經(jīng)由所述細(xì)長(zhǎng)微波引導(dǎo)件的內(nèi)部來供給所述冷卻氣體。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其中，所述冷卻氣體是從空氣、氮、氧和二氧化碳以及它們的組合中選擇出的氣體，其中所述冷卻氣體優(yōu)選是在至少0.1bar的超壓下供給的。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的方法，其中，供給至所述環(huán)形空間的內(nèi)部的冷卻氣體的流動(dòng)使得所述玻璃基管的外側(cè)普遍存在的溫度低于所述玻璃基管的熔融溫度。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述玻璃基管的外側(cè)普遍存在的溫度是所述沉積工藝期間所述玻璃基管在所述施加器狹縫附近的位置處的溫度。
16.根據(jù)權(quán)利要求11至15中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在微波功率在3 10kW的范圍內(nèi).并且冷卻氣體的流量在25 250slm的范圍內(nèi)的條件下，所述環(huán)形空間在所述沉積工藝期間的速度為300mm/min以下。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種施加輻射的裝置、沉積玻璃層的設(shè)備和制造預(yù)制件的方法，所述裝置在使用中向中空玻璃基管內(nèi)側(cè)的等離子體施加電磁微波輻射，包括由金屬壁包圍的環(huán)形空間，所述環(huán)形空間包括輸入口以及作為用作徑向波導(dǎo)的輸出口的施加器狹縫，其中在所述輸入口處安裝有細(xì)長(zhǎng)微波引導(dǎo)件的第一端，所述微波引導(dǎo)件經(jīng)由所述微波引導(dǎo)件的第二端與微波發(fā)生部件相連通。
文檔編號(hào)C23C16/40GK103137416SQ20121051126
公開日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2012年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月1日
發(fā)明者I·米莉瑟維克, M·J·N·范·斯特勞倫, J·A·哈特蘇克 申請(qǐng)人:德拉克通信科技公司