專利名稱：一種mask表面附著有機(jī)物的清除方法
—種MASK表面附著有機(jī)物的清除方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及掩膜版的清洗技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件蒸鍍用MASK(掩膜)表面附著有機(jī)物的清除方法。
背景技木蒸鍍用MASK經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的使用，MASK上會(huì)覆蓋ー層有機(jī)物，若有機(jī)物達(dá)到一定厚度后會(huì)堵塞MASK pattern孔，或者有機(jī)物在MASK上粘結(jié)不牢會(huì)掉下來(lái)，對(duì)產(chǎn)品造成很大的影響，此時(shí)需要進(jìn)行清洗，把MASK上的有機(jī)物或其他物質(zhì)處理掉后才可以繼續(xù)使用目前的狀況清洗MASK—般有兩種，一種為干法清洗，一種為濕法清洗。所謂干法清洗，是用C2F8氣體在一定的條件下跟有機(jī)物進(jìn)行反應(yīng)，產(chǎn)生一些其他容易處理的物質(zhì)，這種方法對(duì)MASK的損害不是很大，如果選擇對(duì)MASK基本不腐蝕的氣體又能跟有機(jī)物反應(yīng)，該種方法是比較好的，但一般能跟有機(jī)物反應(yīng)的氣體都有一定的腐蝕性，會(huì)對(duì)MASK產(chǎn)生腐蝕，，反應(yīng)產(chǎn)生的尾氣對(duì)環(huán)境有污染，尾氣不能直接排放，需要増加尾氣處理裝置進(jìn)行尾氣處理，需要的費(fèi)用不少，還需要有特氣，危險(xiǎn)性很大。所謂濕法清洗，是把用過(guò)的MASK浸泡在溶液中，再加以其他輔助作用，使MASK上的有機(jī)材料溶解在溶液中，然后對(duì)溶液進(jìn)行蒸餾提純循環(huán)使用，使用的有機(jī)溶液，多少會(huì)有腐蝕作用，對(duì)MASK腐蝕不能忽略，經(jīng)過(guò)清洗以后，MASK會(huì)變薄，經(jīng)過(guò)幾次清潔后MASK需要進(jìn)行更換，增加了 MASK的購(gòu)買成本，另外產(chǎn)生的廢液也有污染，需要進(jìn)行處理才可排出。以上兩種清洗方式都會(huì)對(duì)MASK產(chǎn)生影響，并且對(duì)蒸鍍有機(jī)物的回收利用等于零，產(chǎn)生的廢液廢氣處理也比較困難。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供ー種MASK表面附著有機(jī)物的清除方法，以解決上述技術(shù)問(wèn)題。為達(dá)到以上目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案ー種MASK表面附著有機(jī)物的清除方法，包括以下步驟步驟I):將使用過(guò)的MASK放入第一真空箱中，該MASK上附著有若干種有機(jī)物；將MASK在第一真空箱中加熱真空蒸發(fā)所述若干種有機(jī)物；步驟2):附著在MASK上的若干種有機(jī)物蒸發(fā)完畢，將MASK移入第二真空箱中，進(jìn)行真空空燒，使附著在MASK表面的雜質(zhì)分解；真空空燒的溫度大于將MASK表面的雜質(zhì)分解的溫度，且小于使MASK發(fā)生形變或MASK發(fā)生形變后不可恢復(fù)的溫度；步驟3):將經(jīng)過(guò)步驟2)處理的MASK冷卻至室溫，然后用純水清洗后風(fēng)干即可。本發(fā)明進(jìn)一步的改進(jìn)在于步驟I)中真空加熱蒸發(fā)所述若干種有機(jī)物時(shí)，蒸發(fā)每ー種有機(jī)物時(shí)的加熱溫度大于該有機(jī)物的升華溫度，小于該有機(jī)物的玻璃化溫度。本發(fā)明進(jìn)一步的改進(jìn)在于步驟I)中按照有機(jī)物升華溫度從低到高的順序依次 真空加熱蒸發(fā)所述若干種有機(jī)物。本發(fā)明進(jìn)一步的改進(jìn)在于步驟2)中真空空燒的溫度為500 600度。
本發(fā)明進(jìn)一步的改進(jìn)在于MASK的材質(zhì)為SUS或INVER合金等熱膨脹系數(shù)小的材質(zhì)。本發(fā)明進(jìn)一步的改進(jìn)在于步驟I)中采用電阻加熱或渦流加熱方式加熱。本發(fā)明進(jìn)一步的改進(jìn)在于步驟3)中MASK自然冷卻或通入惰性氣體、氮?dú)廨o助冷
卻至室溫。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明方法，通過(guò)在第一真空箱中真空蒸發(fā)掉附著在MASK表面的有機(jī)物，然后再在第二真空箱中真空空燒，分解掉附著在MASK表面的雜質(zhì)，冷卻后用純水清洗即可完全清楚掉附著在MASK表面的有機(jī)物；本發(fā)明方法流程簡(jiǎn)単，容易控制，即對(duì)MASK無(wú)損害還可以實(shí)現(xiàn)有機(jī)物的回收利用，又不產(chǎn)生有害氣體。
圖I為本發(fā)明方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)ー步詳細(xì)描述。請(qǐng)參閱圖I所示，本發(fā)明ー種MASK表面附著有機(jī)物的清除方法，包括以下步驟步驟I :使用過(guò)的MASK根據(jù)以前蒸鍍時(shí)的情況，便可以知道其上附著有機(jī)物的種類；將使用過(guò)的MASK放入第一真空箱中，該MASK上附著有若干種有機(jī)物(根據(jù)該MASK的使用記錄便可以知道其上附著有機(jī)物的種類)JfMASK在第一真空箱中按照有機(jī)物升華溫度從低到高的順序依次真空加熱蒸發(fā)所述若干種有機(jī)物；蒸發(fā)每ー種有機(jī)物時(shí)的加熱溫度大于該有機(jī)物的升華溫度，小于該有機(jī)物的玻璃化溫度；通過(guò)渦流等加熱方式使金屬M(fèi)ASK自身產(chǎn)生熱量，使有機(jī)物融化或升華，從MASK上脫離，使覆蓋MASK的第一化合物蒸發(fā)完畢；步驟2 :將經(jīng)過(guò)步驟I)處理的MASK移入第二真空箱中，進(jìn)行真空空燒，使附著在MASK表面的雜質(zhì)分解；真空燒結(jié)的溫度為500 600度，即能真空分解掉MASK表面的雜質(zhì)，又不會(huì)使金屬材質(zhì)的MASK發(fā)生形變，或發(fā)生形變可以還原；步驟3):將經(jīng)過(guò)步驟2)處理的MASK自然冷卻或通入惰性氣體、氮?dú)廨o助冷卻至室溫，然后用純水清洗后風(fēng)干即可。本發(fā)明方法不會(huì)對(duì)MASK造成腐蝕損害，可以更多次利用MASK。有機(jī)物從金屬M(fèi)ASK中脫離沉積在第一真空箱中，性質(zhì)不發(fā)生變化，對(duì)金屬M(fèi)ASK也沒(méi)有物理性損害，沉積在第一真空箱中的有機(jī)物達(dá)到一定的數(shù)量可以收集起來(lái)進(jìn)行提純重新利用，即對(duì)MASK無(wú)損害還可以達(dá)到有機(jī)物的回收利用，又不產(chǎn)生有害氣體。本發(fā)明方法步驟I)中，如果某幾種有機(jī)物具有重疊的蒸發(fā)溫度區(qū)間，即該蒸發(fā)溫度區(qū)間滿足，該蒸發(fā)溫度區(qū)間的溫度下線大于上述某幾種有機(jī)物的升華溫度，小于上述某幾種有機(jī)物的玻璃化溫度；這樣在該蒸發(fā)溫度區(qū)間加熱蒸發(fā)時(shí)，可以同時(shí)蒸發(fā)掉上述某幾種有機(jī)物，提聞步驟I)真空蒸發(fā)的效率。金屬M(fèi)ASK的材質(zhì)要有比較高的熔沸點(diǎn)，有機(jī)物有相對(duì)低的熔沸點(diǎn)，高溫下金屬M(fèi)ASK不會(huì)發(fā)生形變或發(fā)生形變可以還原。本發(fā)明中MASK的材質(zhì)為SUS或INVAR合金等熱膨脹系數(shù)小的材質(zhì)。本發(fā)明中采用電阻加熱或渦流加熱方式加熱。
金屬M(fèi)ASK的熔點(diǎn)相對(duì)比較高，有機(jī)物的熔點(diǎn)相對(duì)較低，把使用過(guò)的MASK送入真空腔室，控制溫度在有機(jī)物蒸鍍時(shí)的溫度或稍微高一點(diǎn)(有機(jī)物不變質(zhì)即可)，處理一段時(shí)間，有機(jī)物融化從MASK上脫離，即達(dá)到清洗的效果，然后再把MASK放在溫度偏高的地方進(jìn)行再次處理，分解其中的雜質(zhì)，最后進(jìn)行純水沖洗。金屬M(fèi)ASK在一定的高溫真空環(huán)境下，性質(zhì)不會(huì)發(fā)生變化，達(dá)不到固定的有機(jī)物在真空特定高溫情況下發(fā)生物理變化，從金屬M(fèi)ASK中脫離沉積在腔室中，性質(zhì)不發(fā)生變化，對(duì)金屬M(fèi)ASK也沒(méi)有物理性損害，沉積在腔室中的有機(jī)物達(dá)到一定的數(shù)量可以收集起來(lái)進(jìn)行提純重新利用，即對(duì)MASK無(wú)損害還可以達(dá)到有機(jī)物的回收利用，又不產(chǎn)生有害氣體，最后進(jìn)行清水處理，洗掉粘在MASK上的分解后的雜質(zhì)。 以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.ー種MASK表面附著有機(jī)物的清除方法，其特征在于，包括以下步驟 步驟I):將使用過(guò)的MASK放入第一真空箱中，該MASK上附著有若干種有機(jī)物^fMASK在第一真空箱中真空加熱蒸發(fā)所述若干種有機(jī)物； 步驟2):覆蓋MASK的若干種有機(jī)物蒸發(fā)完畢，將MASK移入第二真空箱中，進(jìn)行真空空燒，使附著在MASK表面的雜質(zhì)分解；真空空燒的溫度大于將MASK表面的雜質(zhì)分解的溫度，且小于使MASK發(fā)生形變或MASK發(fā)生形變后不可恢復(fù)的溫度； 步驟3):將經(jīng)過(guò)步驟2)處理的MASK冷卻至室溫，然后用純水清洗后風(fēng)干即可。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種MASK表面附著有機(jī)物的清除方法，其特征在于，步驟I)中真空加熱蒸發(fā)所述若干種有機(jī)物時(shí)，蒸發(fā)每ー種有機(jī)物時(shí)的加熱溫度大于該有機(jī)物的升華溫度，小于該有機(jī)物的玻璃化溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的ー種MASK表面附著有機(jī)物的清除方法，其特征在于，步驟I)中按照有機(jī)物升華溫度從低到高的順序依次真空加熱蒸發(fā)所述若干種有機(jī)物。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種MASK表面附著有機(jī)物的清除方法，其特征在干，步驟2)中真空空燒的溫度為500 600度。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種MASK表面附著有機(jī)物的清除方法，其特征在于，MASK的材質(zhì)為SUS或INVAR合金。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種MASK表面附著有機(jī)物的清除方法，其特征在于，步驟I)中采用電阻加熱或渦流加熱方式加熱。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種MASK表面附著有機(jī)物的清除方法，其特征在于，步驟3)中MASK自然冷卻或通入惰性氣體、氮?dú)廨o助冷卻至室溫。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種MASK表面附著有機(jī)物的清除方法，包括以下步驟步驟1)將MASK放入第一真空箱中加熱真空蒸發(fā)有機(jī)物，加熱溫度大于有機(jī)物的升華溫度，小于有機(jī)物的玻璃化溫度；步驟2)覆蓋MASK的化合物蒸發(fā)完畢，將MASK移入第二真空箱中，進(jìn)行真空空燒，使附著在MASK表面的雜質(zhì)變質(zhì)分解；真空空燒的溫度大于將MASK表面的雜質(zhì)分解溫度，且小于使MASK發(fā)生形變或MASK發(fā)生形變后不可恢復(fù)的溫度；步驟3)將經(jīng)過(guò)步驟2)處理的MASK冷卻(自然冷卻或通入惰性氣體、N2等)至室溫，然后用純水清洗后風(fēng)干即可。本發(fā)明方法流程簡(jiǎn)單，容易控制，即對(duì)MASK無(wú)損害還可以實(shí)現(xiàn)有機(jī)物的回收利用，又不產(chǎn)生有害氣體。
文檔編號(hào)C23C14/04GK102650031SQ201210116509
公開(kāi)日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2012年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月19日
發(fā)明者王信超 申請(qǐng)人:彩虹(佛山)平板顯示有限公司