專利名稱：標(biāo)靶成形的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種物理氣相沉積(PVD)法標(biāo)靶。尤其是本發(fā)明涉及成形為像截錐體、半球體或菲涅而透鏡(Fresnes lens)的標(biāo)革巴。
背景技術(shù)：
濺鍍沉積是一種物理氣相沉積(PVD)法，其通過從標(biāo)靶噴射或“濺鍍”材料至例如 矽晶片的基板上，而將薄膜加以沉積。濺鍍涂膜設(shè)備為一般所公知。在典型的設(shè)備中，采用能量放電來(lái)激發(fā)例如氬的惰性氣體的原子，以形成電離氣體或等離子體。來(lái)自等離子體的帶電微粒(電子)通過施加磁場(chǎng)而朝向?yàn)R鍍標(biāo)靶的表面加速。濺鍍標(biāo)靶一般以矩形厚片、薄片或板的形式提供。等離子體撞擊標(biāo)靶的表面，因而侵蝕該表面并釋放標(biāo)靶材料。其后被釋放的標(biāo)靶材料可沉積在如金屬、塑料、玻璃或矽晶片的基板上，以在基板上提供標(biāo)靶材料的薄膜涂層。濺鍍?cè)纯蔀榇趴毓?，其使用?qiáng)的電場(chǎng)及磁場(chǎng)，以捕捉靠近磁控管表面或標(biāo)靶的電子。這些磁場(chǎng)可由配置在標(biāo)靶后面的永久磁鐵陣列產(chǎn)生，因而在標(biāo)靶表面上方建立磁隧道。電子被迫沿由電場(chǎng)及磁場(chǎng)所形成的螺旋路徑而行，且在標(biāo)靶表面附近，與以其他方式發(fā)生相比遭受與氣體狀中性粒子更多的電離碰撞。這在磁控管的操作期間造成封閉性等離子環(huán)路。在標(biāo)靶表面上的等離子環(huán)路的位置形成“環(huán)形軌道”式凹槽，其是材料較常侵蝕的區(qū)域。為了增加材料利用，在現(xiàn)有技術(shù)中已知的使用可移動(dòng)磁性設(shè)置以在標(biāo)靶較大面積上掃出等離子環(huán)路。為了減少環(huán)形軌道式凹槽的形成并達(dá)到標(biāo)靶的更有效利用，不平的標(biāo)靶在現(xiàn)有技術(shù)中是已知的。通常，已知的作法是在主要侵蝕區(qū)域增加標(biāo)靶厚度。例如，授予Class等人的美國(guó)專利US4842703以及授予Griinenfelder等人的美國(guó)專利US5688381公開了具有凹面的標(biāo)靶。幾種PVD應(yīng)用需要在標(biāo)靶和基板之間使用長(zhǎng)的距離。這被稱為長(zhǎng)的標(biāo)靶至基板距離(TSD)的濺鍍。長(zhǎng)的TSD濺鍍使從標(biāo)靶濺射的材料的角度輪廓變窄，從而使濺射材料更容易被引導(dǎo)。需要長(zhǎng)的TSD濺鍍以產(chǎn)生具有低側(cè)壁覆蓋的薄膜層，使得當(dāng)光阻被移除時(shí)能夠進(jìn)行剝落加工或能避免側(cè)壁材料的不需要的柵欄。長(zhǎng)的標(biāo)靶至基板距離(TSD)的一個(gè)缺點(diǎn)是最終在基板上沉積材料的均勻性很差。此結(jié)果一般僅可通過增加標(biāo)靶的直徑來(lái)補(bǔ)償。然而，增加標(biāo)靶的直徑可能是麻煩和不實(shí)際的。例如，若基板是300_的晶片，那么將需要非常大和不經(jīng)濟(jì)的標(biāo)靶尺寸。長(zhǎng)的TSD濺鍍的另一個(gè)缺點(diǎn)是嚴(yán)重減少的濺射率。除此之外，由于氣體在增加的距離中擴(kuò)散，因此，減輕了角度分布狹窄化的作用。事實(shí)上，在l-2mT0rr的實(shí)際壓力下，SP使在標(biāo)靶至基板的距離低至150mm，方向性濺鍍的作用也幾乎消失。
圖I至圖5示出了目前濺鍍標(biāo)靶的上述問題。尤其是，圖I示出了現(xiàn)有技術(shù)標(biāo)靶的濺鍍侵蝕曲線。在圖I的曲線中，Y變量是標(biāo)靶中心區(qū)域的侵蝕百分比，且X變量是標(biāo)靶上一點(diǎn)以cm表示的標(biāo)靶半徑。計(jì)算是根據(jù)400mm標(biāo)靶直徑及300mm基板直徑在變化的標(biāo)靶基板距離下進(jìn)行，標(biāo)靶中心有10%的侵蝕百分比。在標(biāo)靶半徑為10-15cm之間時(shí)，侵蝕百分比開始增加直到最后達(dá)到100%為止。此增加的侵蝕代表環(huán)形軌道式凹槽。圖I示出了雖然環(huán)形軌道式凹槽周圍的材料完全被侵蝕，但是在標(biāo)靶中心附近殘留很多有用的材料。對(duì)于圖I中的侵蝕曲線，圖2繪出在標(biāo)靶至基板距離(TSD)為從120mm至800mm時(shí)，沉積在基板上的層的均勻性。Y變量為在基板上的層的均勻性百分比，而X變量是以mm表示的基板半徑。圖2的曲線示出，最平坦并因此最理想的沉積曲線是在TSD為150mm下達(dá)成。對(duì)于較低距離如120m時(shí)，曲線具有凹面狀。對(duì)于較高距離如175mm、200mm、300mm、400mm或500mm時(shí)，曲線成為凸面狀。但是對(duì)很長(zhǎng)的距離如800mm，凸面度減小，原因是標(biāo)靶可能被越來(lái)越看作點(diǎn)源。在圖3中，圖2的特性被繪成TSD的函數(shù)。Y變量是在基板上沉積的層的表面起伏百分比，且X變量是以mm表示的TSD。與圖2類似，圖3指出最佳的均勻性大約在TSD為 150mm 處。圖4示出了基于與圖1-3相同條件下的濺鍍效率。在圖4中，Y變量是沉積效率百分比，而X變量是以mm表示的TSD。當(dāng)TSD增加時(shí)，沉積效率減少。須了解的是，這些計(jì)算是在0. ImTorr的很低壓力下進(jìn)行的。當(dāng)為支撐穩(wěn)定的等離子可能是必須的而增加壓力時(shí)，均勻性變差很多。圖5示出了在500mm的TSD時(shí)，在均勻性上的壓力效應(yīng)。Y變量是在基板上沉積的層的表面起伏百分比，而X變量為以dm表示的基板半徑。因而，有需要改善濺鍍標(biāo)靶，以在具有完全均勻性及效率特征下量更均勻地侵蝕標(biāo)靶。

發(fā)明內(nèi)容
下列概要是簡(jiǎn)化的概要，以對(duì)本文討論的系統(tǒng)和/或方法的一些方面提供基本了解。本概要并非是對(duì)本文討論的系統(tǒng)和/或方法的廣泛概述并不意圖指出主要/關(guān)鍵元件或描述此系統(tǒng)和/或方法的范圍。其唯一目的是以簡(jiǎn)化方式提供一些觀念，以作為隨后將呈現(xiàn)的更詳細(xì)說(shuō)明的序文。根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種用于物理氣相沉積系統(tǒng)的標(biāo)靶。標(biāo)靶包括頂部、底部及連接頂部和底部的傾斜的邊緣。傾斜的邊緣具有第一部分，其從頂部延伸第一豎直距離。第一部分和頂部限定第一鈍角。傾斜的邊緣還具有第二部分，其從第一部分延伸第二豎直距離。第二部分和頂部限定第二鈍角。第一豎直距離大于第二豎直距離。根據(jù)另一方面，本發(fā)明提供了一種用于物理氣相沉積系統(tǒng)的標(biāo)靶。標(biāo)靶包括具有中心及邊緣的基部、從基部延伸的內(nèi)環(huán)及從基部延伸的外環(huán)。根據(jù)再一方面，本發(fā)明提供了一種濺鍍室。濺鍍室包括外殼；基板支撐構(gòu)件，在外殼內(nèi)面對(duì)基板支撐構(gòu)件的濺鍍標(biāo)靶，以及磁控管。濺鍍標(biāo)靶具有基部、從基部延伸的內(nèi)環(huán)以從基部延伸的外環(huán)。


在參照附圖閱讀下列說(shuō)明之后，對(duì)于與本明相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，本發(fā)明的前述以及其他方面將變得顯而易見，在附圖中
圖I是現(xiàn)有技術(shù)的標(biāo)靶的濺鍍侵蝕曲線。 圖2是現(xiàn)有技術(shù)的標(biāo)靶的沉積均勻性曲線。圖3是類似于圖2的均勻性曲線，但是作為TSD的函數(shù)繪出；
圖4是現(xiàn)有技術(shù)標(biāo)靶的濺鍍效率的曲線 圖5是類似于圖2的均勻性曲線，但是在較高壓力下算出； 圖6是濺鍍室的示意性示 圖7a是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的標(biāo)靶的透視 圖7b是圖7a中標(biāo)靶的截面 圖7c是圖7a和7b中標(biāo)靶的放大視 圖7d是圖7a-7c中標(biāo)靶的具體尺寸的圖表；
圖8a是具有不同傾斜外形的標(biāo)靶的截面 圖8b是圖8a中標(biāo)靶的均勻性曲線；
圖8c是圖7a_7c中的標(biāo)靶的侵蝕曲線；
圖9是圖7a_7c中的標(biāo)祀的放射特征的示意性圖示；
圖10是根據(jù)本發(fā)明另一方面的標(biāo)靶的截面 圖Ila是根據(jù)本發(fā)明再一方面的標(biāo)靶的截面 圖Ilb是圖Ila中該截面圖的右半部的放大視 圖12是圖Ila中的標(biāo)祀的放射特征的示意性圖示；
圖13a是圖Ila和Ilb中的標(biāo)靶的侵蝕軌道；
圖13b是圖Ila和Ilb中的標(biāo)靶的侵蝕曲線；
圖14a是根據(jù)本發(fā)明的又一方面的標(biāo)靶的截面圖；以及 圖14b是圖14a的截面圖的放大視圖；以及 圖15是圖14a和14b中的標(biāo)靶均勻性曲線。
具體實(shí)施例方式結(jié)合一個(gè)或多個(gè)方面的示例性實(shí)施例并不意圖作為本發(fā)明的整體限制。例如，本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面可應(yīng)用于其他實(shí)施例，甚至是其他類型的裝置中。而且，某些名詞在本文中僅為方便而使用，并不構(gòu)成本發(fā)明的限制。而且，在附圖中，相同的參考標(biāo)記用來(lái)標(biāo)示相同元件。圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的示例性濺鍍室10。濺鍍室10包括具有至少一個(gè)氣體入口 30的室的殼壁20?；?0及基板支撐臺(tái)座50被放置室的下端，并且標(biāo)靶60被容納在室的上端。圖7a示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的標(biāo)靶60的簡(jiǎn)化的透視圖。應(yīng)理解的是，此視圖中(并且在除了圖9和12以外的隨后的視圖中)的標(biāo)靶與圖6相比是顛倒的。標(biāo)靶一般是具有傾斜外緣的盤形，以使其成為截錐體或平截頭圓錐體的形狀。標(biāo)靶具有頂部或基板側(cè)61及底部或壁側(cè)62。傾斜區(qū)域或“斗篷”65連接頂部61和底部62，并且是侵蝕發(fā)生之處。圖7b是標(biāo)靶60的截面圖。在圖7b中，頂部線是標(biāo)靶的初始截面，且隨后的線表示由于濺鍍而侵蝕后的截面。Y變量是以mm表示的標(biāo)靶與基板的距離，而X變量是以mm表示的標(biāo)靶上一點(diǎn)的標(biāo)靶半徑。如下將要詳細(xì)討論的，標(biāo)靶的具體斗篷形狀會(huì)在高的沉積率下造成基板上的材料的最佳均勻性。在圖7c中，示出了圖7b的截面圖的放大圖。如在圖7b中一樣，Y變量是以頂表面為參考點(diǎn)的標(biāo)祀表面高度，以mm表示,且X變量是以mm表示的標(biāo)祀半徑。斗篷具有IOmm的高度，其是標(biāo)靶半徑的1/20或5%，且包括兩個(gè)傾斜部分。第一部分66最靠近標(biāo)靶中心并且以第一角度A傾斜。第二部分68在表面高度為6mm與7mm之間的位置7處開始。第二部分68以第二角度B傾斜，且第二角度B大于第一角度A。第一部分66具有陡峭的斜率，且第二部分具有較不陡的斜率。從標(biāo)靶的頂部到傾斜的部分66的轉(zhuǎn)換被圓形化，而從傾斜 的部分66到傾斜的部分68的轉(zhuǎn)換也被圓形化。標(biāo)靶的具體尺寸顯示在圖7d的表中。現(xiàn)在說(shuō)明標(biāo)靶形狀的基礎(chǔ)。圖8a顯出了具有不同傾斜的斗篷及其對(duì)應(yīng)的理想化的侵蝕截面的標(biāo)靶。Omm至30mm的測(cè)量值是指標(biāo)靶表面高度，其是從斗篷的頂部至其底部的豎直距離。具有30mm表面高度的標(biāo)靶有最陡峭的傾斜度，且具有Omm表面高度的標(biāo)靶有最不陡峭的傾斜度，因?yàn)槠涫瞧降膱A盤。與圖7b類似，每個(gè)標(biāo)靶的頂部線都是其初始截面，且隨后的線表示由于濺鍍而侵蝕后的截面。這些標(biāo)靶是以120-150mm的距離與基板相對(duì)。由圖8a的標(biāo)靶導(dǎo)致的均勻性在圖8b中繪出。在圖8b中，Y變量是均勻性百分比，而X變量是以mm表示的基板半徑。理想的標(biāo)靶具有100%的均勻性。曲線顯示，將標(biāo)靶連緣輪廓定為IOmm可顯著地改善140_基板半徑下的均勻性。因而，本發(fā)明采用該尺寸。圖Sc描繪了標(biāo)靶60的侵蝕曲線。Y變量是以mm表示的標(biāo)靶中心區(qū)域的侵蝕，而X變量是以_表示的標(biāo)靶上一點(diǎn)的標(biāo)靶半徑。與圖I 一樣，在靠近標(biāo)靶邊緣處有增強(qiáng)的侵蝕。雖然對(duì)應(yīng)的磁鐵被最優(yōu)化以主要侵蝕靠近邊緣處，但是10%至20%的某些侵蝕實(shí)際上對(duì)保持標(biāo)靶中心區(qū)域的清潔有利?，F(xiàn)在參照?qǐng)D9說(shuō)明本發(fā)明的標(biāo)靶的操作。濺鍍微粒的放射特征常為余弦(cosine)或比余弦稍寬，
/(<9) = COSb 0
其中指數(shù)n是放射的定向性。從0. 5至I. 0的n的值經(jīng)常被報(bào)為試驗(yàn)性放射特征。放射特征在圖9中被繪成橢圓。對(duì)于平坦標(biāo)靶，來(lái)自標(biāo)靶的放射可到達(dá)基板上任一處。靠近標(biāo)靶邊緣的放射將大部分沉積在邊緣對(duì)面最靠近的基板位置。但是，邊緣放射會(huì)以減少速率沉積在基板中心附近。一些邊緣放射可能結(jié)合高放射及入射角度而沉積在基板的遠(yuǎn)處邊緣位置，然而放射率因隨著距離的平方減小而大幅減小。這些沉積性質(zhì)隨傾斜的標(biāo)靶邊緣而改變。如平坦標(biāo)靶一樣，來(lái)自標(biāo)靶邊緣的放射有助于在邊緣對(duì)面的沉積。但是，卻因遮蔽而使得在晶片的相對(duì)側(cè)的沉積為零。甚至到晶片的中心位置的沉積也由于高放射角度而減少。詳細(xì)的計(jì)算顯示，在基板中心位置的沉積率的減小會(huì)比基板邊緣更顯著，從而導(dǎo)致改善的薄膜均勻性。圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的標(biāo)靶的第二實(shí)施例。圖10是標(biāo)靶的截面圖，其與中空半球體或反過來(lái)的碗類似。頂部線是標(biāo)靶的初始截面，而隨后的線代表侵蝕后的截面。Y變量是以mm表示的標(biāo)祀與基板的距離,而X變量是以mm表示的標(biāo)祀上一點(diǎn)的標(biāo)祀半徑。類似于截錐體形標(biāo)靶，半球體形標(biāo)靶具有多個(gè)傾斜部分。由于在此實(shí)施例中的傾斜部分較大且較多，因此比圖9中有更多遮蔽。此會(huì)造成在基板上更均勻地沉積濺射材料。圖10中的半球體形標(biāo)靶需要三維磁鐵的配置。比較而言，截錐體形標(biāo)靶僅需二維的磁鐵。除此之外,半球體形標(biāo)靶更難制造而導(dǎo)致高成本。圖Ila示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例。圖Ila是標(biāo)靶的截面圖，而圖Ilb是該截面圖的右半部的放大圖。標(biāo)號(hào)207表示標(biāo)靶的表面?zhèn)?，?08表示標(biāo)靶的材料(主體)側(cè)。參考標(biāo)號(hào)205是指所述標(biāo)靶的參考平面或基部，獨(dú)立于標(biāo)靶的任何表面結(jié)構(gòu)。如圖10—樣，頂部線是標(biāo)靶的初始截面，而隨后的線代表侵蝕后的截面。Y變量是以mm表示的標(biāo)靶與基板的距離，而X變量是以mm表示的標(biāo)靶上一點(diǎn)的標(biāo)靶半徑。標(biāo)靶包括具有朝向外的傾斜側(cè)壁的同心環(huán)，且形狀上類似于Fresnel透鏡。第一環(huán)200與第二環(huán)210同心且具有相同的高度。第一凹槽220形成于第一環(huán)200之內(nèi)，而第二凹槽230形成于第一環(huán)200和第二環(huán)210之間。平坦邊緣240形成在標(biāo)靶的邊緣周圍。 第一環(huán)200具有第一側(cè)201，其從凹槽220的底部?jī)A斜角度C。第一環(huán)200還具有第二側(cè)202，其從凹槽230的底部?jī)A斜角度D。角度D稍大于角度C。類似地，第二環(huán)210具有第一側(cè)211，其從凹槽220的底部?jī)A斜角度E。第二環(huán)210還具有第二側(cè)212，其從邊緣240傾斜角度F。角度F大于角度C，D和E。因此，角度E小于角度C及角度D。角度C-F均為90度或更大。圖12是圖Ila和圖11中的標(biāo)靶的放射特征的示意性圖示。與圖9 一樣，圖9示出了截錐體形標(biāo)靶的放射特征，有來(lái)自傾斜區(qū)域的遮蔽。但是，由于在此實(shí)施例中有更多的傾斜區(qū)域，故有更多遮蔽。 圖13a示出了圖I Ia和I Ib的Fresnel透鏡形標(biāo)靶的實(shí)施例的示例性侵蝕軌道設(shè)計(jì)。旋轉(zhuǎn)磁鐵配置沿著封閉的侵蝕軌道而行。主要的侵蝕集中在傾斜側(cè)壁的下方，以從面向外的放射得益(圖12)。侵蝕主要是保持在半徑Rl及R2上，其中Rl相當(dāng)于第一環(huán)200的半徑，而R2是相當(dāng)于第二環(huán)210的半徑。侵蝕得跳動(dòng)于這些局部的同心軌道之間且在標(biāo)靶的中心部形成條紋，以減少再沉積。圖13b示出了圖Ila中的Fresnel透鏡形標(biāo)靶的侵蝕曲線。Y變量是侵蝕百分比，而X變量是以mm表示的標(biāo)靶上一點(diǎn)的標(biāo)靶半徑。侵蝕百分比達(dá)到相當(dāng)于侵蝕環(huán)形軌道的3個(gè)峰值，其中最大值是在標(biāo)靶半徑為170mm與180mm之間。圖14a示出了根據(jù)本發(fā)明的標(biāo)靶的第四實(shí)施例。圖14a是標(biāo)靶從半徑至邊緣的截面圖，且圖14b是該截面的放大圖。如前述附圖一樣，頂部線是標(biāo)靶的初始截面，且隨后的線表示侵蝕后的截面。Y變量是以mm表示的標(biāo)祀與基板的距離,而X變量是以mm表示的標(biāo)靶上的一點(diǎn)的標(biāo)靶半徑。與第三實(shí)施例類似，第四實(shí)施例的標(biāo)靶有朝向外的傾斜側(cè)壁的同心環(huán)，且形狀上與Fresnel透鏡相似。第一環(huán)300、第二環(huán)310、第三環(huán)320、第四環(huán)330以及第五環(huán)340為同心且具有相同的高度。第一凹槽350形成于第一環(huán)300的之內(nèi)，第二凹槽360形成于第一環(huán)300與第二環(huán)310之間，第三凹槽370形成于第二環(huán)310和第三環(huán)320之間，第四凹槽380形成于第三環(huán)320和第四環(huán)330之間，且第五凹槽390形成于第四環(huán)330和第五環(huán)340之間。邊緣400形成于標(biāo)靶的邊緣周圍。
第一環(huán)300具有第一側(cè)301，其從凹槽350的底部?jī)A斜角度G。第一環(huán)300還具有第二側(cè)302，其從凹槽360的底部?jī)A斜角度H。角度H大于角度G。第二環(huán)310具有第一側(cè)311，其從凹槽360的底部?jī)A斜角度I。第二環(huán)310還具有第二側(cè)312，其從凹槽370的底部?jī)A斜角度J。角度J大于角度I。第三環(huán)320具有第一側(cè)321，其從凹槽370的底部?jī)A斜角度K。第三環(huán)320還具有第二側(cè)322，其從凹槽380傾斜角度L。角度L大于角度K。第四環(huán)330具有第一側(cè)331，其從凹槽380的底部?jī)A斜角度M。第四環(huán)330還具有第二側(cè)332，其從凹槽390傾斜角度N。角度N大于角度M。第五環(huán)340具有第一側(cè)341，其從凹槽390的底部?jī)A斜角度O。第五環(huán)340還具有第二側(cè)342，其從邊緣400傾斜角度P。角度P大于角度O。 整體上,角度0最小，而角度P最大。每一個(gè)環(huán)的面對(duì)中心側(cè)上的這些角度從標(biāo)靶的中心，即第一環(huán)300的角度G朝標(biāo)靶的邊緣(即第五環(huán)340的角度0)減小。因而，角度G大于角度I，角度I大于角度K，角度K大于角度M，而角度M大于角度O。類似地,每一環(huán)的面對(duì)邊緣側(cè)上的這些角度從標(biāo)靶的中心，即第一環(huán)300的角度H朝標(biāo)靶的邊緣(即第五環(huán)340的角度P)增加。因而，角度H小于角度J，角度J小于角度L，角度L小于角度N，而角度N小于角度P。角度G-P均為90度或更大。對(duì)于圖14a及圖14b示出的實(shí)施例，圖15繪出了 TSD為200mm時(shí)沉積的層的均勻性曲線。Y變量是層的均勻性百分比，而X變量是以_表示的基板半徑。薄膜在整體基板上幾乎完全是均勻的，且僅稍微向基板的邊緣逐漸減少。
權(quán)利要求
1.一種用于物理氣相沉積系統(tǒng)的標(biāo)靶，標(biāo)靶包括基部(205 )，具有中心和邊緣(240 );第一內(nèi)環(huán)(200)，從基部(205)延伸；及第二外環(huán)(210)，從基部(205)延伸。
2.如權(quán)利要求I所述的標(biāo)靶，其中內(nèi)環(huán)(200)具有第一內(nèi)側(cè)(201)，第一內(nèi)側(cè)(201)與基部(205)限定朝向基部的中心開放的第一鈍角(C);以及第二外側(cè)(202)，第二外側(cè)(202)與基部(205)限定朝向基部(205)的邊緣(240)開放的第二鈍角(D)。
3.如權(quán)利要求1-2所述的標(biāo)靶，其中外環(huán)(210)具有第一內(nèi)側(cè)(211)，第一內(nèi)側(cè)與基部限定朝向基部(205)的中心開放的第三鈍角(E);以及第二外側(cè)(212)，第二外側(cè)(212)與基部(205 )限定朝向基部(205 )的邊緣開放的第四鈍角(F)。
4.如權(quán)利要求1-3所述的標(biāo)靶，其中第一環(huán)(200)和第二環(huán)(210)是同心的。
5.如權(quán)利要求3-4所述的標(biāo)靶，其中第四鈍角(F)大于第二鈍角(D)。
6.如權(quán)利要求3-5所述的標(biāo)靶，其中第二鈍角(D)大于第三鈍角(E)。
7.如權(quán)利要求2-6所述的標(biāo)靶，其中第二鈍角(D)大于第一鈍角(C)。
8.如權(quán)利要求3-7所述的標(biāo)靶，其中第四鈍角(F)大于第三鈍角(E)。
9.如權(quán)利要求2-8所述的標(biāo)靶，其中外環(huán)(210)的外側(cè)(212)比外環(huán)(210)的內(nèi)側(cè)(211)長(zhǎng)。
10.如權(quán)利要求3-9所述的標(biāo)靶，其中在外環(huán)(210)的外側(cè)(212)上由濺鍍產(chǎn)生的侵蝕比在外環(huán)的內(nèi)偵彳(211)更多。
11.如權(quán)利要求3-10所述的標(biāo)靶，其中在外環(huán)(210)的外側(cè)(212)上由濺鍍產(chǎn)生的侵蝕比在內(nèi)環(huán)(200)的外側(cè)(202)上更多。
12.—種派鍍室,包括夕卜殼;基板支撐構(gòu)件；如權(quán)利要求I至11中任一項(xiàng)所述的標(biāo)靶，在外殼內(nèi)面對(duì)基板支撐構(gòu)件，標(biāo)靶具有基部(205)、從基部(205)延伸的內(nèi)環(huán)(200)和外環(huán)(210)；永久磁鐵陣列，配置在標(biāo)靶的后面，用于在標(biāo)靶表面上建立封閉的磁性隧道。
13.如權(quán)利要求12所述的濺鍍室，其中磁鐵配置將磁性隧道主要集中于半徑Rl和R2，其中Rl相當(dāng)于第一環(huán)(200)的半徑，而R2相當(dāng)于第二環(huán)(210)的半徑。
全文摘要
一種用于物理氣相沉積系統(tǒng)的標(biāo)靶，包括頂部、底部及基部。所述基部主要是由待濺鍍的標(biāo)靶的表面所形成。第一內(nèi)環(huán)及第二內(nèi)環(huán)從基部延伸。每一個(gè)環(huán)都具有內(nèi)側(cè)和外側(cè)，其中通過靠近標(biāo)靶的磁鐵配置，濺鍍集中在外側(cè)。
文檔編號(hào)C23C14/34GK102834543SQ201180010710
公開日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2011年2月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月23日
發(fā)明者S.卡德萊克, J.魏夏特 申請(qǐng)人:Oc 歐瑞康巴爾斯公司