專利名稱：一種用于防止pecvd鍍膜邊緣發(fā)紅的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種太陽能電池PECVD工序中用于防止PECVD鍍膜邊緣發(fā)紅的
直ο
背景技術(shù)：
PECVD是太陽能電池片生產(chǎn)過程中較常用的設(shè)備。PECVD技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜，起到減反射和鈍化的作用。PECVD —般都是板式的，即同一個載板上規(guī)則的排列5*11 (可能有其他的排列方式)的太陽能電池片，然后載板10依據(jù)箭頭方向勻速地通過帶有氣孔的沉積槽，圖2為沉積槽及管路分別結(jié)構(gòu)的俯視圖，包括沉積槽1，在沉積槽1的中間設(shè)有一排沉積槽氨氣孔2，在每個沉積槽氨氣孔2中間有一個特氣管路氨氣孔3，在一排沉積槽氨氣孔2的左右兩側(cè)分別設(shè)有一排沉積槽硅烷孔4，在每個沉積槽硅烷孔4的中間設(shè)有一個特氣管路硅烷孔5，所以受氣流量的影響靠近載板邊緣的電池片邊緣容易發(fā)生發(fā)紅的現(xiàn)象，發(fā)紅的原因是薄膜厚度不夠。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種使得位于載板邊緣的電池片邊緣不容易發(fā)生發(fā)紅現(xiàn)象的設(shè)備。為了達到上述目的，本實用新型的技術(shù)方案是提供了一種用于防止PECVD鍍膜邊緣發(fā)紅的裝置，包括沉積槽，在沉積槽的中間設(shè)有一排沉積槽氨氣孔，在每個沉積槽氨氣孔中間有一個特氣管路氨氣孔，在一排沉積槽氨氣孔的左右兩側(cè)分別設(shè)有一排沉積槽硅烷孔，在每個沉積槽硅烷孔的中間設(shè)有一個特氣管路硅烷孔，其特征在于在一排沉積槽氨氣孔及兩排沉積槽硅烷孔位于載板兩側(cè)邊緣處的兩個沉積槽氨氣孔及兩個沉積槽硅烷孔之間分別新增一個第一沉積槽氨氣孔及一個第一沉積槽硅烷孔，在每個第一沉積槽氨氣孔的中間設(shè)有一個第一特氣管路氨氣孔，在每個第一沉積槽硅烷孔的中間分別設(shè)有一個第一特氣管路硅烷孔。本實用新型提供了一種有效地防止PECVD鍍膜邊緣發(fā)紅的裝置，只需要將最后的微波管所對應(yīng)的沉積槽和特氣(氨氣和硅烷)管路更改成本實用新型描述的結(jié)構(gòu)，就能有效的防止PECVD鍍膜邊緣發(fā)紅，并且不影響PECVD設(shè)備的產(chǎn)能。

圖1為載板運動示意圖；圖2為原裝置安裝示意圖；圖3為本實用新型提供的一種用于防止PECVD鍍膜邊緣發(fā)紅的裝置示意圖。
具體實施方式
實施例如圖3所示，為本實用新型提供的一種用于防止PECVD鍍膜邊緣發(fā)紅的裝置，包括沉積槽1，在沉積槽1的中間設(shè)有一排沉積槽氨氣孔2，在每個沉積槽氨氣孔2中間有一個特氣管路氨氣孔3，在一排沉積槽氨氣孔2的左右兩側(cè)分別設(shè)有一排沉積槽硅烷孔4，在每個沉積槽硅烷孔4的中間設(shè)有一個特氣管路硅烷孔5，其特征在于在一排沉積槽氨氣孔2 及兩排沉積槽硅烷孔4位于載板1兩側(cè)邊緣處的兩個沉積槽氨氣孔2及兩個沉積槽硅烷孔 4之間分別新增一個第一沉積槽氨氣孔6及一個第一沉積槽硅烷孔7，在每個第一沉積槽氨氣孔6的中間設(shè)有一個第一特氣管路氨氣孔8，在每個第一沉積槽硅烷孔7的中間分別設(shè)有一個第一特氣管路硅烷孔9。本實用新型提供的防止PECVD鍍膜邊緣發(fā)紅的裝置工作過程如下將PECVD設(shè)備的最后一根微波源所對應(yīng)的沉積槽和特氣管路更改成本實用新型，因為本裝置能使靠近載板邊緣的位置，所釋放的特氣比其他地方多，所以沉積的薄膜也會相應(yīng)的加厚，以解決 PECVD設(shè)備載板邊緣發(fā)紅的問題，另外由于本實用新型沒有將其他的孔堵住以解決邊緣發(fā)紅的問題，所以不會影響到PECVD設(shè)備的產(chǎn)能。
權(quán)利要求1. 一種用于防止PECVD鍍膜邊緣發(fā)紅的裝置，包括沉積槽(1)，在沉積槽(1)的中間設(shè)有一排沉積槽氨氣孔(2)，在每個沉積槽氨氣孔(2)中間有一個特氣管路氨氣孔(3)，在一排沉積槽氨氣孔(2 )的左右兩側(cè)分別設(shè)有一排沉積槽硅烷孔(4 )，在每個沉積槽硅烷孔(4 ) 的中間設(shè)有一個特氣管路硅烷孔(5)，其特征在于在一排沉積槽氨氣孔(2)及兩排沉積槽硅烷孔(4)位于載板(1)兩側(cè)邊緣處的兩個沉積槽氨氣孔(2)及兩個沉積槽硅烷孔(4)之間分別新增一個第一沉積槽氨氣孔(6)及一個第一沉積槽硅烷孔(7)，在每個第一沉積槽氨氣孔(6)的中間設(shè)有一個第一特氣管路氨氣孔(8)，在每個第一沉積槽硅烷孔(7)的中間分別設(shè)有一個第一特氣管路硅烷孔(9)。
專利摘要本實用新型提供了一種用于防止PECVD鍍膜邊緣發(fā)紅的裝置，包括沉積槽，其特征在于在一排沉積槽氨氣孔及兩排沉積槽硅烷孔位于載板兩側(cè)邊緣處的兩個沉積槽氨氣孔及兩個沉積槽硅烷孔之間分別新增一個第一沉積槽氨氣孔及一個第一沉積槽硅烷孔，在每個第一沉積槽氨氣孔的中間設(shè)有一個第一特氣管路氨氣孔，在每個第一沉積槽硅烷孔的中間分別設(shè)有一個第一特氣管路硅烷孔。本實用新型提供了一種有效地防止PECVD鍍膜邊緣發(fā)紅的裝置，只需要將最后的微波管所對應(yīng)的沉積槽和特氣(氨氣和硅烷)管路更改成本實用新型描述的結(jié)構(gòu)，就能有效的防止PECVD鍍膜邊緣發(fā)紅，并且不影響PECVD設(shè)備的產(chǎn)能。
文檔編號C23C16/455GK201990726SQ201120058539
公開日2011年9月28日 申請日期2011年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月8日
發(fā)明者孫波遠 申請人:百力達太陽能股份有限公司