專利名稱：磁控濺射鍍膜裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及ー種磁控濺射鍍膜裝置。
背景技術：
在磁控濺射鍍膜技術中，工作氣體和反應氣體的供氣設計對鍍膜裝置的成膜質(zhì)量和膜層均勻性起著十分關鍵的作用?，F(xiàn)有的PVD設備沉積薄膜時，工作氣體(如氬氣)和反應氣體(如氧氣、氮氣、こ炔等中的ー種或ー種以上)進入混氣罐中混合均勻，然后通過導氣管進入PVD設備的反應室中，最后經(jīng)出氣管導出到靶材附近。開啟靶材的電源，靶材產(chǎn)生輝光放電，工作氣體離化后轟擊靶材產(chǎn)生靶材離子或原子，靶材離子或原子向基材運動過程中，與反應氣體反應并沉積在基材上。工作氣體的作用在于離化后轟擊出靶材離子或原子；而反應氣體主要用來與濺射出來的靶材離子或原子反應并沉積在基材上。工作氣體和反應氣體混合后同時導出到靶材附近，當工作氣體較多時，濺射出的靶材原子和離子較多，反應氣體能被完全消耗棹。但隨著反應氣體的增多，部份反應氣體就會吸附在靶材表面上，與靶材直接反應，從而在靶材表面形成ー層化合物，導致靶材“中毒”。靶材“中毒”對PVD制程具有不利影響一方面，中毒現(xiàn)象導致靶材的濺射率大幅下降，薄膜沉積速度降低，并且沉積到基材上的膜層附著力差；另ー方面，靶材中毒后，極易導致基材表面薄膜異色，進而導致整爐鍍膜產(chǎn)品報廢，損失極大。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，提供一種能夠有效避免靶材“中毒”的磁控濺射鍍膜裝置。

一種磁控濺射鍍膜裝置，其包括一反應室、位于反應室中央的一轉架及可拆卸地設置于反應室腔壁與轉架之間的至少ー靶材，該磁控濺射鍍膜裝置還包括與反應室連通的ニ氣體氣路，每ー氣體氣路均設置有出氣管，出氣管上開設有出氣孔，且其中ー氣體氣路的出氣孔靠近靶材設置，另ー氣體氣路的出氣孔靠近轉架設置。本發(fā)明磁控濺射鍍膜裝置設置有獨立的工作氣體氣路和反應氣體氣路，工作氣體氣路的出氣孔靠近靶材設置，反應氣體氣路的出氣孔設置于轉架的周圍，如此即使在反應氣體的通入流量很大的情況下，也可避免反應氣體與靶材表面反應引起的靶材中毒現(xiàn)象。此外，該磁控濺射鍍膜裝置可有效將工作氣體均勻分布于靶材周圍，將反應氣體均勻分布在基材附近，可大幅提高所鍍膜層的厚度均勻性和色差均勻性。


圖1為本發(fā)明一較佳實施例的磁控濺射鍍膜裝置的俯視示意 圖2為本發(fā)明一較佳實施例的磁控濺射鍍膜裝置的出氣管的示意圖。主要元件符號說明
權利要求
1.一種磁控濺射鍍膜裝置，其包括一反應室、位于反應室中央的一轉架及可拆卸地設置于反應室腔壁與轉架之間的至少一靶材，其特征在于該磁控濺射鍍膜裝置還包括與反應室連通的二氣體氣路，每一氣體氣路均設置有出氣管，出氣管上開設有出氣孔，且其中一氣體氣路的出氣孔靠近靶材設置，另一氣體氣路的出氣孔靠近轉架設置。
2.如權利要求1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于出氣孔靠近靶材設置的氣體氣路用以導出工作氣體，出氣孔靠近轉架設置的氣體氣路用以導出反應氣體。
3.如權利要求2所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于所述每一氣體氣路包括一導氣管、若干分支管和若干出氣管，該導氣管穿過反應室的腔壁進入到反應室的內(nèi)部，且該導氣管在反應室內(nèi)分別與所述若干分支管相連通，并且每一分支管對應連通一出氣管。
4.如權利要求3所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于所述每一出氣管包括一主體管及一擋板，該主體管的一端連通一分支管，另一端封閉；且該若干出氣孔開設于主體管的管壁上，該若干出氣孔沿管壁的縱向排列，該主體管設置有出氣孔的一側對應連接有所述擋板。
5.如權利要求4所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于該擋板呈拱形，該主體管與擋板通過一連接桿相連接。
6.如權利要求3所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于所述出氣管的一端垂直固定于反應室的底壁或頂壁上。
7.如權利要求3所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于導出工作氣體的出氣管設置于每一靶材的兩側且與所述靶材平行，導出工作氣體的出氣管的出氣孔正對靶材。
8.如權利要求3所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于導出反應氣體的每一出氣管靠近轉架的周圍設置且正對靶材。
9.如權利要求2所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于用以導出反應氣體的氣體氣路，其于反應室的外部還設置有一與導氣管連通的混氣罐。
全文摘要
一種磁控濺射鍍膜裝置，其包括一反應室、位于反應室中央的一轉架及可拆卸地設置于反應室腔壁與轉架之間的至少一靶材，該磁控濺射鍍膜裝置還包括與反應室連通的二氣體氣路，每一氣體氣路設置有出氣孔，且其中一氣體氣路的出氣孔靠近靶材設置，另一氣體氣路的出氣孔設置于轉架的周圍。本發(fā)明磁控濺射鍍膜裝置能夠有效避免靶材“中毒”。
文檔編號C23C14/35GK103031527SQ20111029177
公開日2013年4月10日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權日2011年9月30日
發(fā)明者黃登聰, 彭立全 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司