專利名稱：用于pvd腔室的濺射靶材的制作方法
用于PVD腔室的濺射靶材
技術領域：
本發(fā)明的實施例大致有關于物理氣相沉積領域。更明確地，本發(fā)明的實施例是關于用以改善沉積于物理氣相沉積腔室中的薄膜的薄膜均勻性的凹面濺射靶材設計、包括凹面濺射靶材的腔室、及利用凹面靶材濺射材料于基板上的方法。
背景技術：
濺射是一種物理氣相沉積(PVD)處理，其中高能離子撞擊且侵蝕固體靶材并將靶材材料沉積于基板(例如，半導體基板，特定實例為硅晶圓)的表面上。半導體制造中，濺射處理通常實現(xiàn)于半導體制造腔室(此腔室也為已知的PVD處理腔室或濺射腔室)中。濺射腔室用來濺射沉積材料于基板上以制造電子電路，電子電路是諸如集成電路晶片與顯示器。一般而言，濺射腔室包括封圍壁，該封圍壁圍繞處理氣體被導引進入其中的處理區(qū)；氣體激發(fā)器，該氣體激發(fā)器用以激發(fā)處理氣體；及排氣口，該排氣口用以排氣且控制腔室中的處理氣體壓力。腔室用于自濺射靶材濺射沉積材料于基板上，材料諸如金屬 (諸如，鋁、銅、鎢或鉭)或金屬化合物(諸如，氮化鉭、氮化鎢或氮化鈦)。濺射處理中，濺射靶材由充能離子(例如，等離子體)所沖擊，致使材料離開靶材而沉積成基板上的薄膜。典型半導體制造腔室具有一靶材組件，該靶材組件包括固體金屬或其他材料的盤形靶材，靶材由固持靶材的背板所支撐。為了促進均勻沉積，PVD腔室可具有環(huán)繞盤形靶材周圍的環(huán)狀同心金屬環(huán)(通常稱為擋板)。擋板的內(nèi)表面與靶材的周圍表面間的縫隙一般稱為暗區(qū)(darkspace)縫隙。

圖1和圖2描繪現(xiàn)有技術中用于PVD腔室內(nèi)的靶材組件的配置。圖1是現(xiàn)有技術中的半導體制造腔室100的示意剖面圖示，半導體制造腔室100包括腔室主體102及基板104，基板104由腔室主體102中的基板支撐件106所支撐。靶材組件111包括背板114 所支撐的靶材112。相對于基板支撐件106有所間隔而設置的靶材包括有正面或可濺射區(qū) 120。擋板108包括一大致環(huán)狀外形金屬環(huán)，該金屬環(huán)延伸圍繞靶材周圍。擋板108由擋板支撐件110固持于腔室中。靶材112的正面120是實質(zhì)平坦的。圖2顯示現(xiàn)有技術中靶材組件211的另一配置，此配置包括背板214及接合至背板的靶材212。靶材212外形為平截頭體，且外形上大致為具有兩個向內(nèi)斜角邊緣213的凸面，以致靶材的外周圍部分的厚度小于靶材的中心部分。在半導體產(chǎn)業(yè)近來發(fā)展中，特別在高介電常數(shù)與金屬閘極應用中，對薄膜良好均勻性的嚴格需求達到1至5埃等級，這對傳統(tǒng)物理氣相沉積(PVD)造成挑戰(zhàn)。靶材表面至晶圓的間隔較長的磁控濺射中，晶圓中心區(qū)的薄膜傾向比晶圓上其他位置更厚，這妨礙達成薄膜厚度均勻性。期望提出能夠提供橫跨基板整個半徑的較佳薄膜厚度均勻性的薄膜濺射系統(tǒng)。

發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的一或多個實施例有關于濺射設備，該濺射設備包括腔室，該腔室具有界定處理區(qū)域的壁，處理區(qū)域包括有基板支撐件；靶材，該靶材與基板支撐件有所間隔； 及功率源，該功率源耦接至靶材以自靶材濺射材料，靶材具有界定可濺射靶材表面的正面，可濺射靶材表面延伸于靶材的周圍邊緣之間，而可濺射靶材表面界定一實質(zhì)上在周圍邊緣之間的整體凹面形狀。一實施例中，整體凹面形狀由被斜面區(qū)圍繞的實質(zhì)平坦中心區(qū)所界定。一實施例中，斜面區(qū)的傾斜角度在約5至30度范圍中，以致靶材周圍邊緣的厚度大于中心區(qū)的厚度。 特定實施例中，斜面區(qū)的角度在約7與15度范圍中。在更為特定的實施例中，斜面區(qū)的角度在約7與13度范圍中。某些實施例中，斜面區(qū)延伸至周圍邊緣。替代實施例中，斜面區(qū)延伸至外周圍正面區(qū)。一或多個實施例中，靶材周圍邊緣界定靶材直徑而中心區(qū)具有直徑I 。，且中心區(qū)直徑使得R。/I p比例為0%至約90%。一或多個實施例中，其中R。/I p比例至少約60%且小于約90 %。特定實施例中，R。/Rp比例約70 %。本發(fā)明的另一方面關于用于濺射腔室中的靶材組件，靶材包括界定可濺射靶材表面的正面，可濺射靶材表面延伸于周圍邊緣之間且可濺射靶材表面界定一實質(zhì)上在周圍邊緣之間的整體凹面形狀。一實施例中，整體凹面形狀由被斜面區(qū)圍繞的實質(zhì)平坦中心區(qū)所界定。一實施例中，斜面區(qū)的傾斜角度在約5至20度范圍中，以致靶材周圍邊緣的厚度大于中心區(qū)的厚度，例如斜面區(qū)的角度在約7與15度范圍中，更特定地，斜面區(qū)的角度在約7 與13度范圍中。特定實施例中，靶材周圍邊緣界定靶材直徑&且中心區(qū)具有直徑I 。，而中心區(qū)直徑使得R。/I p比例至少約50%且小于約90%。其他實施例中，R。/I p比例至少約60% 且小于約90%。特定實施例中，R。/I p比例約70%。一實施例中，靶材接合至背板。另一方面關于改善濺射腔室中的濺射處理的徑向均勻性的方法，該方法包括以與基板有所間隔的方式將靶材配置于濺射腔室中，該基板具有面向靶材的徑向表面，靶材包括界定可濺射靶材表面的正面，該可濺射靶材表面延伸于靶材周圍邊緣之間，且該可濺射靶材表面界定一實質(zhì)上在周圍邊緣之間的整體凹面形狀；以及，自靶材濺射材料以便橫跨基板的徑向表面均勻地沉積來自靶材的材料。附圖簡單說明可參照本發(fā)明的實施例(被例示于附圖中)來理解本發(fā)明簡短概述于上的特定描述。然而，需注意附圖僅描繪本發(fā)明的典型實施例，且因此不被視為對本發(fā)明的范圍的限制，因為本發(fā)明可允許其他等效實施例。圖1是現(xiàn)有技術中具有平坦靶材的半導體制造腔室的示意剖面圖；圖2是現(xiàn)有技術中具有平截頭體靶材的靶材組件的示意剖面圖；圖3A是包括根據(jù)第一實施例的靶材的半導體制造腔室的示意剖面圖；圖;3B是圖3A所示的靶材組件的示意剖面圖；圖3C是靶材組件的替代實施例的示意剖面圖；圖3D是靶材組件的替代實施例的示意剖面圖；圖3E是靶材組件的替代實施例的示意剖面圖；圖4是比較三種靶材設計的氮化鈦(TiN)薄膜的薄膜厚度數(shù)據(jù)的圖示；
圖5是顯示傾斜靶材邊緣的角度對氮化鈦(TiN)薄膜的厚度與厚度非-均勻性的影響的圖示；圖6A是利用RF功率的處理(process)產(chǎn)生的圖示，該圖示針對根據(jù)本發(fā)明實施例的靶材顯示Ar氣體流率對規(guī)范化(normalized) Al厚度的影響；圖6B是利用RF功率的處理產(chǎn)生的比較圖示，該圖示針對平坦靶材顯示Ar氣體流率對規(guī)范化Al厚度的影響；圖6C是利用RF功率的處理產(chǎn)生的圖示，該圖示針對根據(jù)本發(fā)明實施例的靶材顯示靶材-晶圓間隔(T-W)對規(guī)范化Al厚度的影響；圖6D是利用RF功率的處理產(chǎn)生的比較圖示，該圖示針對平坦靶材顯示靶材_晶圓間隔(T-W)對規(guī)范化Al厚度的影響；圖6E是利用RF功率的處理產(chǎn)生的圖示，該圖示針對根據(jù)本發(fā)明實施例的靶材顯示功率水平(RF)對規(guī)范化Al厚度的影響；圖6F是利用RF功率的處理產(chǎn)生的比較圖示，該圖示針對平坦靶材顯示功率水平 (RF)對規(guī)范化Al厚度的影響；圖7A是利用DC功率的處理產(chǎn)生的圖示，該圖示針對根據(jù)本發(fā)明實施例的靶材顯示Ar氣體流率對規(guī)范化Al厚度的影響；圖7B是利用DC功率的處理產(chǎn)生的比較圖示，該圖示針對平坦靶材顯示Ar氣體流率對規(guī)范化Al厚度的影響；圖7C是利用DC功率的處理產(chǎn)生的圖示，該圖示針對根據(jù)本發(fā)明實施例的靶材顯示靶材-晶圓間隔(T-W)對規(guī)范化Al厚度的影響；圖7D是利用DC功率的處理產(chǎn)生的比較圖示，該圖示針對平坦靶材顯示靶材-晶圓間隔(T-W)對規(guī)范化Al厚度的影響；圖7E是利用DC功率的處理產(chǎn)生的圖示，該圖示針對根據(jù)本發(fā)明實施例的靶材顯示功率水平(DC)對規(guī)范化Al厚度的影響；及圖7F是利用DC功率的處理產(chǎn)生的比較圖示，該圖示針對平坦靶材顯示功率水平 (DC)對規(guī)范化Al厚度的影響。
具體實施方式
在描述本發(fā)明多個示范性實施例之前，需理解本發(fā)明并非局限于下方說明提出的詳細結(jié)構或處理步驟。本發(fā)明能夠具有其他實施例且能以不同方式加以實施或執(zhí)行?，F(xiàn)參照圖3A與圖;3B，顯示出具有大致凹面形狀的靶材的處理腔室。圖3A顯示根據(jù)第一實施例的半導體制造腔室300，該半導體制造腔室300包括腔室主體302及基板304， 基板304由腔室主體302中的基板支撐件306所支撐。基板支撐件306可為電性浮動或可由基座電源(未顯示)加以偏壓。靶材組件311包括背板314所支撐的靶材312。相對于基板支撐件306有所間隔而設置的靶材312包括一具有可濺射區(qū)320之正面。腔室300的示范性實施例是Applied Materials, Inc. (Santa Clara, California)開發(fā)的自行離子化等離子體腔室(例如，SIP-型腔室)。典型腔室300包括界定處理區(qū)的封圍側(cè)壁330、底壁 332及頂部334，其中在處理區(qū)中布置基板304以進行濺射操作。透過氣體輸送系統(tǒng)將處理氣體導入腔室300，氣體輸送系統(tǒng)通常包括處理氣體供給(未顯示)，處理氣體供給包括一或多個饋給一或多個氣體導管的氣體源，該一或多個氣體導管可讓氣體透過氣體入口(通常為腔室的數(shù)個壁之一者中的開口)流入腔室。處理氣體可包括非反應性氣體(諸如，氬或氙)，該非反應性氣體充滿能量地撞擊靶材312并自靶材312濺射出材料。處理氣體亦可包括反應性氣體(諸如，一或多個含氧氣體與含氮氣體)， 該反應性氣體能夠與被濺射的材料反應以在基板304上形成層。靶材312與腔室300電絕緣，且靶材312連接至靶材電源(未顯示)，靶材電源是諸如RF功率源、DC功率源、脈沖DC 功率源、或利用RF功率與/或DC功率或脈沖DC功率之組合式功率源。一實施例中，靶材電源施加負壓至靶材312以激發(fā)處理氣體自靶材312濺射出材料并沉積于基板304上。來自靶材(通常為金屬，諸如鋁、鈦、鎢或任何其他適當材料)的濺射材料沉積于基板304上且形成金屬固體層。此層可經(jīng)圖案化與蝕刻或接著進行主體金屬沉積以形成半導體晶圓中的互連層。圖3A與圖;3B中，靶材組件311包括接合至靶材312的背板314。與正面320相對的靶材背面接合至背板?？衫斫獍胁?12通常藉由焊接、銅焊、機械固定件或其他適當接合技術接合至背板?？梢耘c靶材電接觸的高強度導電金屬制造背板。靶材背板314與靶材 312亦可一起形成單一或整合結(jié)構，然而一般而言，靶材背板314與靶材312為接合在一起的獨立部件。靶材312具有面對腔室中的基板304的正面320或可濺射區(qū)，此正面320或可濺射區(qū)延伸于靶材312的周圍邊緣3M之間?？衫斫庹?20或可濺射指的是靶材在濺射操作過程中被濺射的表面。靶材312的整體直徑界定成圖;3B中所示的距離艮。如圖;3B所示， 延伸橫跨周圍直徑艮(實質(zhì)上延伸于周圍邊緣3M之間)的正面320的整體橫剖面形狀是凹面。凹面形狀由正面320的邊緣區(qū)313(斜面或傾角)所界定，以致靶材312外周圍處的厚度Tp大于正面中心區(qū)(由直徑R。所界定)處的厚度T。?？衫斫庵行膮^(qū)直徑R。小于整體直徑艮(在周圍邊緣324之間)。邊緣區(qū)313界定圍繞靶材中心區(qū)的周圍區(qū)域。實質(zhì)上由距離R。界定的中心區(qū)是實質(zhì)上平坦的?？衫斫庵車吘壍暮穸萒p將由圖:3B中“A”代表的傾斜角度以及斜面或斜角邊緣區(qū)313的長度所決定，斜面或斜角邊緣區(qū)313的長度由中心區(qū)直徑I 。與整體靶材直徑艮的比例所決定。所示的實施例中，R。/I p比例在約60%至75%范圍之間。此R。/I p比例可為約 0%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%或90%，且此比例可經(jīng)不同靶材材料實驗最佳化以使基板304上的薄膜均勻沉積達到完美。斜面或斜角與中心區(qū)的角度所界定的斜面邊緣313角度“A”可變動于約5與30度之間，更特定范圍是約5與20度之間、或7與 15度之間，而最特定范圍在約7與13度之間。斜面邊緣313的角度“A”可藉由實驗而最佳化以取得橫跨基板304直徑的均勻徑向沉積。圖3C顯示靶材的替代實施例，其中R。約等同于0且R。/I p比例是約0%。換句話說，斜面邊緣313自靶材的周圍邊緣3M延伸且交會于靶材312的中心區(qū)。圖3D顯示又另一替代實施例，其中斜面邊緣并未延伸至靶材的外周圍邊緣324。反之，斜面區(qū)315延伸至外周圍正面區(qū)326，該外周圍正面區(qū)326圍繞斜面邊緣且是實質(zhì)平坦的，且靶材的外周圍邊緣3M為外周圍正面區(qū)326的邊界。圖3E顯示圖3D顯示的設計的變體。圖3E中，周圍邊緣區(qū)延伸至背板314的邊緣318以致靶材&的直徑實質(zhì)上等同于背板IV的直徑。圖3E中的外周圍正面3 大于圖3D中的外周圍正面，這樣可避免濺射過程中來自背板的污染。可理解圖3D與圖3E中的斜面區(qū)315實質(zhì)延伸于周圍邊緣3M之間。斜面區(qū)315延伸至外周圍正面區(qū)326，而不是延伸至實際的周圍邊緣324。一或多個實施例中，外周圍正面區(qū)3 包括不超過約30 %、20 %或10 %的靶材可濺射表面區(qū)。因此，根據(jù)一或多個實施例，當描述可濺射表面的整體凹面形狀實質(zhì)延伸“在靶材邊緣之間”時，意圖表示整體凹面形狀自靶材中心區(qū)延伸至周圍邊緣或外周圍區(qū)(包括不超過約30%的可濺射表面)。中心區(qū)處的靶材厚度T?？稍?/8”之間變化而外周圍邊緣3M處的厚度Tp可在 1/8"-3/4"之間變化。當然可理解這些厚度與其他尺寸可加以變化以最佳化特定濺射處理的沉積特性。另一變化形式中，雖然斜面邊緣如所示般為平坦，但斜面邊緣313可具有凹面或凸面剖面。本發(fā)明另一方面是關于在上述類型的濺射腔室中自凹面靶材濺射材料以改善濺射處理的徑向均勻性的方法。該方法包括以與基板有所間隔的方式將靶材配置于濺射腔室中，該基板具有面向靶材的徑向表面。靶材包括界定可濺射靶材表面的正面，可濺射靶材表面延伸于靶材的周圍邊緣之間，且可濺射表面界定一實質(zhì)在周圍邊緣之間的整體凹面形狀。該方法還包括自靶材濺射材料以便橫跨基板的徑向表面均勻地沉積來自靶材的材料。在利用DC與RF功率的腔室中進行許多實驗以顯示利用具有斜面或斜角邊緣區(qū)的凹面-外形靶材的結(jié)果。圖4至圖7顯示利用斜面靶材的實驗數(shù)據(jù)。圖4至圖7是比較三個靶材設計的薄膜厚度與厚度非-均勻性數(shù)據(jù)的圖示，這三個靶材設計包括圖3A與圖;3B 顯示的凹面靶材類型、圖1顯示的平坦靶材類型以及圖2顯示的平截頭體靶材類型。凹面靶材的整體直徑I^p約17. 5英寸，中心區(qū)直徑Rc約12英寸(以致R。/I p比例為約68. 5% )， 且邊緣斜率約7度，圖5除外(圖5中測試不同斜率)。圖4與圖5顯示在RF腔室中利用鈦靶材，并對不同靶材維持腔室中的處理參數(shù)恒定所得的數(shù)據(jù)。圖4顯示相對于300mm基板上的不同徑向位置的規(guī)范化厚度。可發(fā)現(xiàn)凹面靶材顯示3. 38%的變化，而平坦靶材產(chǎn)生5. 56%的變化，且平截頭體靶材產(chǎn)生7. 08%的變化。圖5顯示斜面靶材邊緣的角度對薄膜的厚度與厚度非-均勻性的影響，其中X軸是在 0與13度之間變化的角度而Y軸顯示薄膜的非-均勻性(NU%)與厚度。圖6A顯示利用鋁凹面靶材的RF功率濺射腔室中產(chǎn)生的數(shù)據(jù)。在300mm基板上不同的徑向位置測量規(guī)范化鋁厚度。圖6A針對20SCCm、30SCCm與40sCCm的氬流率顯示Ar 氣體流率對規(guī)范化Al厚度的影響。圖6B針對平坦靶材在與圖6A所示的相同氬流率下顯示Ar氣體流率對規(guī)范化Al厚度的影響。圖6A與圖6B中的數(shù)據(jù)的比較顯示凹面靶材的均勻性優(yōu)于平坦靶材，且氬流率對凹面靶材的徑向均勻性的影響較小。圖6C針對凹面靶材顯示靶材-晶圓間隔(T-W)對規(guī)范化Al厚度的影響而圖6D 針對平坦靶材顯示靶材-晶圓間隔(T-W)對規(guī)范化Al厚度的影響。當調(diào)整靶材-晶圓距離時，比起平坦靶材而言，凹面靶材顯示出較佳的均勻性以及橫跨基板徑向表面的厚度中較少的變化。圖6E針對凹面靶材顯示功率水平(RF)對規(guī)范化Al厚度的影響而圖6F針對平坦靶材顯示功率水平(RF)對規(guī)范化Al厚度的影響。比起平坦靶材而言，凹面靶材顯示出可藉由最佳化濺射功率來達成更佳的薄膜均勻性。圖7A-F在利用鋁靶材(凹面且平坦)的DC功率腔室中產(chǎn)生。凹面靶材的尺寸類似于上述那些尺寸。圖7A針對凹面靶材顯示Ar氣體流率對規(guī)范化Al厚度的影響而圖7B針對平坦靶材顯示Ar氣體流率對規(guī)范化Al厚度的影響。比起平坦靶材而言，凹面靶材產(chǎn)生更佳的Al厚度徑向均勻性。圖7C針對凹面靶材顯示靶材-晶圓間隔(T-W)對規(guī)范化Al厚度的影響而圖7D 針對平坦靶材顯示靶材-晶圓間隔(T-W)對規(guī)范化Al厚度的影響。凹面靶材顯示較佳的 Al厚度徑向均勻性。圖7E是針對根據(jù)本發(fā)明一實施例的靶材顯示功率水平(DC)對規(guī)范化Al厚度的影響的圖，而圖7F針對平坦靶材顯示功率水平(DC)對規(guī)范化Al厚度的影響。凹面靶材顯示較佳的Al厚度徑向均勻性。上述數(shù)據(jù)顯示凹面靶材展現(xiàn)出在DC與RF功率腔室兩者中針對不同處理條件(功率、靶材-晶圓間隔與處理氣體流率)較佳的橫跨基板徑向表面徑向均勻性。因此，藉由利用圖3A與圖;3B中顯示的凹面-外形類型靶材將造成較佳的橫跨基板徑向表面沉積均勻性。此外，預期處理參數(shù)(諸如，靶材-晶圓間隔、處理氣體流率與功率)中的變化對沉積徑向均勻性的影響較低。整篇說明書中提及“一實施例”、“某些實施例”、“一或多個實施例”或“實施例”時， 意指與實施例連結(jié)所述的特定特征、結(jié)構、材料或特性包括于本發(fā)明至少一實施例中。因此，在整篇說明書中出現(xiàn)的片語，例如“一或多個實施例中”、“某些實施例中”、“一實施例中”、“實施例中”并非必然提及本發(fā)明的相同實施例。再者，可在一或多個實施例中以任何適當方式組合特定特征、結(jié)構、材料或特性。雖然已經(jīng)參照特定實施例于本文中描述本發(fā)明，但可理解這些實施例僅為本發(fā)明的說明性原則與應用。熟悉技術人士可明顯得知能在不悖離本發(fā)明的精神與范圍下對本發(fā)明的方法與設備進行多種修改與變動。因此，本發(fā)明意圖包括位于下附權利要求及其等效體的范圍中的修改與變化。
權利要求
1.一種濺射設備，包括腔室，該腔室具有界定處理區(qū)域的壁，該處理區(qū)域包括基板支撐件；靶材，該靶材與所述基板支撐件相間隔；及功率源，該功率源耦接至所述靶材以自所述靶材濺射材料，所述靶材具有界定可濺射靶材表面的正面，該可濺射靶材表面延伸于所述靶材的周圍邊緣之間，且該可濺射靶材表面界定實質(zhì)上在所述周圍邊緣之間的整體凹面形狀。
2.如權利要求1所述的設備，其中該整體凹面形狀由被斜面區(qū)圍繞的實質(zhì)平坦中心區(qū)所界定。
3.如權利要求2所述的設備，其中所述斜面區(qū)的傾斜角度在約5至30度范圍中，以致所述靶材的所述周圍邊緣處的厚度大于所述中心區(qū)處的厚度。
4.如權利要求3所述的設備，其中所述斜面區(qū)的角度在約7至13度范圍中。
5.如權利要求3所述的設備，其中所述斜面區(qū)延伸至所述周圍邊緣。
6.如權利要求3所述的設備，其中所述斜面區(qū)延伸至外周圍正面區(qū)。
7.如權利要求4所述的設備，其中所述靶材周圍邊緣界定靶材直徑IV而所述中心區(qū)具有直徑R。，且所述中心區(qū)直徑使得R。/I p比例為自0%至約90%。
8.如權利要求7所述的設備，其中所述R。/I p比例為至少約60%且小于約90%。
9.一種用于濺射腔室的靶材組件，該靶材包括界定可濺射靶材表面的正面，該可濺射靶材表面延伸于周圍邊緣之間，且該可濺射靶材表面界定實質(zhì)上在該等周圍邊緣之間的整體凹面形狀。
10.如權利要求9所述的靶材組件，其中該整體凹面形狀由被斜面區(qū)圍繞的實質(zhì)平坦中心區(qū)所界定。
11.如權利要求10所述的靶材組件，其中所述斜面區(qū)的傾斜角度在約5至20度范圍中，以致所述靶材的所述周圍邊緣處的厚度大于所述中心區(qū)處的厚度。
12.如權利要求11所述的靶材組件，其中所述斜面區(qū)的角度在約7至13度范圍中。
13.如權利要求11所述的靶材組件，其中所述靶材周圍邊緣界定靶材直徑I p，而所述中心區(qū)具有直徑R。，且所述中心區(qū)直徑使得R。/I p比例為至少約50%且小于約90%。
14.如權利要求13所述的靶材組件，其中所述R。/I p比例為至少約60%且小于約90%。
15.如權利要求9所述的靶材組件，其中所述靶材接合至背板。
全文摘要
本文公開靶材組件及包括靶材組件的PVD腔室。靶材組件包括具有凹面外形的靶材。當用于PVD腔室中時，凹面靶材在配置于濺射腔室中的基板上提供徑向更均勻的沉積。
文檔編號C23C14/34GK102414793SQ201080019306
公開日2012年4月11日 申請日期2010年3月30日 優(yōu)先權日2009年4月3日
發(fā)明者M·M·拉希德, R·王, S·岡迪科塔, T-J·龔, X·唐, Z·劉 申請人:應用材料公司