專利名稱：真空基片加熱裝載設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體生產(chǎn)線上的加工設(shè)備，更具體地涉及一種真空基片加熱裝載設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體技術(shù)及真空技術(shù)的日益成熟，玻璃基材等半導(dǎo)體基材已廣泛用于制造 LCD-TFF顯示屏、有機(jī)發(fā)光顯示器件(OLED)面板、薄膜太陽能面板等，上述應(yīng)用大多在潔凈玻璃基片上鍍覆薄膜晶體管，其制程通過包含實(shí)施多個(gè)連續(xù)步驟，包括如化學(xué)氣相沉積制程、物理氣相沉積制程、有機(jī)物質(zhì)蒸鍍、磁控濺射沉積或蝕刻制程，用于處理玻璃基片的系統(tǒng)可包括一或多個(gè)制程處理室，以進(jìn)行前述制程。真空鍍膜技術(shù)是真空應(yīng)用技術(shù)的一個(gè)重要組成部分，真空鍍膜技術(shù)是利用物理、化學(xué)手段在固體基片表面形成一層特殊性能的膜層，一般是指用物理的方法沉積薄膜，通過加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面，稱為蒸發(fā)鍍膜，這種方法最早由M.法拉第于1857年提出，現(xiàn)代已成為常用鍍膜技術(shù)之一，蒸發(fā)鍍膜過程中，蒸發(fā)物質(zhì)如金屬、化合物等置于坩堝內(nèi)或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方，待系統(tǒng)抽至高真空后，加熱坩堝使其中的物質(zhì)蒸發(fā)， 蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面，薄膜厚度可由數(shù)百埃至數(shù)微米，膜厚決定于蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率和時(shí)間，并與源和基片的距離有關(guān)，對于大面積鍍膜，常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性，從蒸發(fā)源到基片的距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。在作為被處理基片的半導(dǎo)體基片上進(jìn)行如化學(xué)氣相沉積的鍍膜處理或者等離子蝕刻處理這樣的真空處理時(shí)，需要將半導(dǎo)體基片加熱至規(guī)定的溫度，再傳輸裝載到對應(yīng)的真空設(shè)備內(nèi)進(jìn)行處理，由于半導(dǎo)體制程的工藝要求比較嚴(yán)格，即必須在真空狀態(tài)下以及完全潔凈的空間環(huán)境中進(jìn)行，如何在保證高真空度的前提下對基片進(jìn)行加熱同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)將基片裝載傳輸裝載至下一道工藝流程設(shè)備中，是目前所需解決的難題。因此，急需一種能夠?qū)崿F(xiàn)對基片進(jìn)行加熱、裝載且具有較高真空潔凈度的加熱裝載設(shè)備來滿足上述需求。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)對基片進(jìn)行加熱、裝載且具有較高真空潔凈度的真空基片加熱裝載設(shè)備。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案為提供一種真空基片加熱裝載設(shè)備，適用于將基片傳送到真空環(huán)境下進(jìn)行加熱并將基片裝載至下游真空設(shè)備，其包括控制器、抽真空裝置、感應(yīng)裝置、傳輸裝置、加熱器及具有腔蓋的真空腔體，所述抽真空裝置、感應(yīng)裝置及傳輸裝置均與所述控制器電連接，所述真空腔體的前后兩端分別設(shè)置有入口及出口，所述出口與所述下游真空設(shè)備密封連接，所述真空腔體上還設(shè)置有通氣口，所述抽真空裝置與所述真空腔體的通氣口密封連接，其中，所述傳輸裝置包括腔內(nèi)傳輸裝置及腔外傳輸裝置，所述腔內(nèi)傳輸裝置設(shè)置于所述真空腔體內(nèi)且對接于所述入口與所述出口之間，所述腔外傳輸裝置設(shè)置于真空腔體外且對接于所述入口處，所述腔內(nèi)傳輸裝置及腔外傳輸裝置形成基片的傳輸通道，所述感應(yīng)裝置包括腔內(nèi)感應(yīng)裝置及腔外感應(yīng)裝置，所述腔內(nèi)感應(yīng)裝置設(shè)置于所述腔內(nèi)傳輸裝置的兩端，所述腔外感應(yīng)裝置設(shè)置于所述腔外傳輸裝置的兩端，所述加熱器安裝在所述腔蓋上并位于所述真空腔體內(nèi)的上方且正對所述腔內(nèi)傳輸裝置。具體地，所述腔內(nèi)傳輸裝置包括電機(jī)、固定座、磁流體及若干滾輪，所述滾輪通過所述固定座安裝于所述真空腔體內(nèi)，所述滾輪用于傳輸所述基片，所述磁流體密封安裝于所述真空腔體上，所述電機(jī)安裝于所述真空腔體外且所述電機(jī)的輸出軸密封的穿過所述磁流體與所述滾輪連接，所述電機(jī)與所述控制器電連接從而帶動(dòng)所述滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)。所述腔外傳輸裝置包括電機(jī)、固定座及若干滾輪，所述滾輪通過所述固定座安裝于所述真空腔體外且與所述腔內(nèi)傳輸裝置相對應(yīng)，所述電機(jī)與所述控制器電連接并帶動(dòng)所述滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)。所述腔外傳輸裝置與所述腔內(nèi)傳輸裝置的滾輪位于同一直線，所述基片承載于滾輪上，所述腔外傳輸裝置的滾輪與相鄰的所述腔內(nèi)傳輸裝置的滾輪之間的距離小于基片沿前進(jìn)方向的長度，從而保障傳輸?shù)倪B續(xù)性，所述電機(jī)分別與控制器電連接，有利于接收控制器的信號，驅(qū)動(dòng)相應(yīng)的滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)對基片的傳送，提高系統(tǒng)的自動(dòng)化程度。較佳地，所述真空腔體的入口處設(shè)置有第一閘閥，所述出口處設(shè)置有第二閘閥，所述第一閘閥及第二閘閥分別與所述控制器電連接并分別對所述真空腔體的入口及處口進(jìn)行密封。通過第一閘閥與第二閘閥的設(shè)置，既能保證真空腔體的密封性，又能實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制，提高所述真空基片加熱裝載設(shè)備的自動(dòng)化控制程度。較佳地，所述抽真空裝置包括真空計(jì)、冷凝泵、前期泵及充氮?dú)鈫卧隼淠谩?前期泵及充氮?dú)鈫卧謩e通過冷泵閥、前期泵閥、氮?dú)獬錃忾y與所述真空腔體的通氣口連接，所述真空計(jì)對接于所述通氣口處。所述真空計(jì)用于檢測真空腔體內(nèi)的壓力，通過前期泵及冷凝泵能快速將真空腔體內(nèi)抽至真空狀態(tài)，通過充氮?dú)鈫卧芸焖儆行⒌獨(dú)獬淙胝婵涨惑w內(nèi)，使真空腔體內(nèi)的壓強(qiáng)達(dá)到外界的標(biāo)準(zhǔn)大氣壓，從而開始真空基片加熱裝載設(shè)備的對新基片的新一輪加熱裝置操作。較佳地，所述腔外感應(yīng)裝置包括第一光電傳感器及第二光電傳感器，所述第一光電傳感器及第二光電傳感器分別設(shè)置于所述腔外傳輸裝置的前后兩端，所述腔內(nèi)感應(yīng)裝置包括第三光電傳感器及第四光電傳感器，所述第三光電傳感器及第四光電傳感器分別設(shè)置于所述腔內(nèi)傳輸裝置的前后兩端。所述光電傳感器用于感應(yīng)基片的位置，并反饋信號給控制器，通過控制器輸出信號控制相應(yīng)的腔外傳輸裝置及腔內(nèi)傳輸裝置的啟動(dòng)跟停止，反應(yīng)靈敏，有利于實(shí)現(xiàn)高效的全自動(dòng)控制。較佳地，所述腔內(nèi)傳輸裝置、腔外傳輸裝置、腔體及腔蓋上均安裝有冷卻管。通過設(shè)置冷卻管，一方面，在加熱的同時(shí)對腔內(nèi)傳輸裝置、腔外傳輸裝置、腔體及腔蓋進(jìn)行局部冷卻降溫，避免在加熱基片時(shí)相關(guān)設(shè)備受熱受損，提高整個(gè)設(shè)置的穩(wěn)定性、可靠性；另一方面，可根據(jù)需要對基片進(jìn)行冷卻。同樣較佳地，所述真空腔體的腔蓋上設(shè)置有傳感器，用于感應(yīng)腔蓋的關(guān)閉，便于全自動(dòng)控制。同樣較佳地，所述真空腔體的腔蓋上設(shè)置有減震器，用于緩沖腔蓋開啟閉合，保護(hù)真空腔體與腔蓋之間的密封圈，使設(shè)備穩(wěn)定性更強(qiáng)，密封性更好。[0014]較佳地，所述加熱器為紅外線燈管，紅外線燈管升溫快，容易控制加熱溫度，熱效率高，不消耗氧氣，具有高清潔度。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于本實(shí)用新型的真空基片加熱裝載設(shè)備通過感應(yīng)裝置來感應(yīng)基片的位置并將信息傳送給控制器，通過控制器控制腔外傳輸裝置及腔內(nèi)傳輸裝置從而將基片傳送至真空腔體內(nèi)，通過抽真空裝置將真空腔體內(nèi)抽至真空狀態(tài)，在高真空的環(huán)境下利用加熱器對基片進(jìn)行加熱，動(dòng)作連貫，加熱后的基片從真空腔體的出口密封地傳送至下游真空設(shè)備內(nèi)進(jìn)行下一道工藝流程，既能對基片進(jìn)行加熱處理，又能有效保證真空潔凈度， 基片傳輸出真空腔體內(nèi)后，通過抽真空裝置向真空腔體內(nèi)充入氮?dú)?，可以將真空腔體內(nèi)的壓強(qiáng)恢復(fù)至標(biāo)準(zhǔn)大氣壓，從而又與外界大氣壓相等，可以實(shí)現(xiàn)對另一基片的加熱裝載，適用范圍廣泛，實(shí)用性強(qiáng)。通過控制器與感應(yīng)裝置、傳輸裝置及抽真空裝置的電連接，實(shí)現(xiàn)設(shè)備的自動(dòng)化控制，控制精度高，可靠性強(qiáng)。

圖1為本實(shí)用新型的真空基片加熱裝載設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型的真空基片加熱裝載設(shè)備的結(jié)構(gòu)框圖。
具體實(shí)施方式
為了詳細(xì)說明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖作進(jìn)一步說明，其中不同圖中相同的標(biāo)號代表相同的部件。本實(shí)用新型的真空基片加熱裝載設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)對基片進(jìn)行加熱、裝載且具有較高真空潔凈度，應(yīng)用范圍廣，適用于真空環(huán)境行業(yè)生產(chǎn)線中需要加熱的基片的裝載上載，尤其適用于0LED(0rganic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)鍍膜線上的基片加熱及裝載上載。參考圖1及圖2，本實(shí)用新型實(shí)施例的真空基片加熱裝載設(shè)備，適用于將基片10 傳送到真空環(huán)境下進(jìn)行加熱并將基片裝載至下游真空設(shè)備，其包括控制器20、抽真空裝置 30、感應(yīng)裝置40、傳輸裝置50、加熱器90及具有腔蓋62的真空腔體60，所述控制器20可選用PLCO^ogrammable logic Controller，可編程邏輯控制器)控制器20，程序可變，編程簡單，可靠性跟控制精度較高。所述腔蓋62與真空腔體60密封配合形成封閉式的腔室，便于制造真空環(huán)境，所述真空腔體60的腔蓋62上設(shè)置有傳感器，例如壓力傳感器，用于感應(yīng)腔蓋62的關(guān)閉，通過與控制器20的電連接，可便于全自動(dòng)控制。較佳地，所述真空腔體60 的腔蓋62上還可設(shè)置有減震器，用于緩沖腔蓋62開啟閉合，保護(hù)真空腔體60與腔蓋62之間設(shè)置的密封圈，使設(shè)備穩(wěn)定性更強(qiáng)，密封性更好。所述抽真空裝置30、感應(yīng)裝置40及傳輸裝置50均與所述控制器20電連接，所述真空腔體60的前后兩端分別設(shè)置有入口 64及出口 66，所述出口 66與所述下游真空設(shè)備密封連接，較佳地，所述真空腔體60的入口 64處設(shè)置有第一間閥70，所述出口 66處設(shè)置有第二閘閥80，所述第一閘閥70及第二閘閥80分別與所述控制器20電連接，所述第一閘閥 70及第二間閥80分別對所述真空腔體60的入口 64及處口進(jìn)行密封。通過第一間閥70與第二閘閥80的設(shè)置，既能保證真空腔體60的密封性，又能實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制，提高所述真空基片加熱裝載設(shè)備的自動(dòng)化控制程度。所述傳輸裝置50包括腔內(nèi)傳輸裝置M及腔外傳輸裝置52，所述腔內(nèi)傳輸裝置M設(shè)置于所述真空腔體60內(nèi)且對接于所述入口 64與所述出口66之間，所述腔外傳輸裝置52設(shè)置于真空腔體60外且對接于所述入口 64處，所述腔內(nèi)傳輸裝置M及腔外傳輸裝置52形成基片10的傳輸通道，具體地，所述腔內(nèi)傳輸裝置M包括電機(jī)、固定座、磁流體及若干滾輪524，所述滾輪5M通過所述固定座安裝于所述真空腔體 60內(nèi)，所述滾輪5M用于傳輸所述基片10，所述磁流體密封安裝于所述真空腔體60上，所述電機(jī)安裝于所述真空腔體60外且所述電機(jī)的輸出軸密封的穿過所述磁流體與所述滾輪 524連接，所述電機(jī)與所述控制器20電連接并穿過磁流體從而帶動(dòng)所述滾輪5M轉(zhuǎn)動(dòng)。所述腔外傳輸裝置52包括電機(jī)、固定座及若干滾輪524，所述滾輪5M通過所述固定座安裝于所述真空腔體60外且與所述腔內(nèi)傳輸裝置M相對應(yīng)，所述電機(jī)與所述控制器20電連接并帶動(dòng)腔外滾輪5M轉(zhuǎn)動(dòng)。所述腔外傳輸裝置52與所述腔內(nèi)傳輸裝置M的滾輪5M平行設(shè)置并位于同一平面，所述基片10承載于滾輪5M上，所述腔外傳輸裝置52的滾輪5M與相鄰的所述腔內(nèi)傳輸裝置M的滾輪5M之間的距離小于基片10沿前進(jìn)方向的長度，從而保障傳輸?shù)倪B續(xù)性，所述電機(jī)分別與控制器20電連接，有利于接收控制器20的信號，驅(qū)動(dòng)相應(yīng)的滾輪524轉(zhuǎn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)對基片10的傳送，提高系統(tǒng)的自動(dòng)化程度。所述感應(yīng)裝置40包括腔內(nèi)感應(yīng)裝置44及腔外感應(yīng)裝置42，所述腔內(nèi)感應(yīng)裝置44 設(shè)置于所述腔內(nèi)傳輸裝置M的兩端，所述腔外感應(yīng)裝置42設(shè)置于所述腔外傳輸裝置52的兩端，所述加熱器90安裝在所述腔蓋62上并位于所述真空腔體60內(nèi)的上方且正對所述腔內(nèi)傳輸裝置M。具體地，所述腔外感應(yīng)裝置42包括第一光電傳感器422及第二光電傳感器424，所述第一光電傳感器422及第二光電傳感器4M分別設(shè)置于所述腔外傳輸裝置52 的前后兩端，所述腔內(nèi)感應(yīng)裝置44包括第三光電傳感器442及第四光電傳感器444，所述第三光電傳感器442及第四光電傳感器444分別設(shè)置于所述腔內(nèi)傳輸裝置M的前后兩端。 所述第一光電傳感器422、第二光電傳感器424、所述第三光電傳感器442及第四光電傳感器444均分別與所述控制器20電連接。所述光電傳感器用于感應(yīng)基片10的位置，并反饋信號給控制器20，通過控制器20輸出信號控制相應(yīng)的腔外傳輸裝置52及腔內(nèi)傳輸裝置M 的啟動(dòng)跟停止，反應(yīng)靈敏，有利于實(shí)現(xiàn)高效的全自動(dòng)控制。所述真空腔體60上還設(shè)置有通氣口 68，所述抽真空裝置30與所述真空腔體60的通氣口 68密封連接。具體地，所述抽真空裝置30包括真空計(jì)32、冷凝泵、前期泵及充氮?dú)鈫卧?，所述冷凝泵、前期泵及充氮?dú)鈫卧謩e通過冷泵閥34、前期泵閥36、氮?dú)獬錃忾y38與所述真空腔體60的通氣口 68對接，所述真空計(jì)32連接于所述通氣口 68處。所述真空計(jì) 32用于檢測真空腔體60內(nèi)的壓力，通過前期泵及冷凝泵能快速將真空腔體60內(nèi)抽至真空狀態(tài)，通過充氮?dú)鈫卧芸焖儆行⒌獨(dú)獬淙胝婵涨惑w60內(nèi)，使真空腔體60內(nèi)的壓強(qiáng)達(dá)到外界的標(biāo)準(zhǔn)大氣壓，從而開始真空基片加熱裝載設(shè)備的對新基片的新一輪加熱裝置操作。較佳地，所述腔內(nèi)傳輸裝置M及腔外傳輸裝置52的滾輪固定座、以及腔體60、腔蓋62上均安裝有冷卻管，可通過流通冷水實(shí)現(xiàn)冷卻。通過設(shè)置冷卻管，一方面，在加熱的同時(shí)對腔內(nèi)傳輸裝置M、腔外傳輸裝置52、腔體60及腔蓋62進(jìn)行局部冷卻降溫，避免在加熱基片時(shí)相關(guān)設(shè)備受熱受損，提高整個(gè)設(shè)置的穩(wěn)定性、可靠性；另一方面，可根據(jù)需要對基片進(jìn)行冷卻。較佳地，所述加熱器90為紅外線燈管，紅外線燈管升溫快，容易控制加熱溫度，熱效率高，不消耗氧氣，具有高清潔度。利用本實(shí)用新型的真空基片加熱裝載設(shè)備對基片進(jìn)行加熱裝載的控制方法包括以下步驟(1)感應(yīng)基片位置并對應(yīng)開啟腔外傳輸裝置及腔內(nèi)傳輸裝置，將基片通過第一閘閥傳送至真空腔體內(nèi)；(2)關(guān)閉第一閘閥及第二閘閥，將真空腔體內(nèi)抽至真空；(3)通過加熱器對基片進(jìn)行均勻加熱；(4)打開第二閘閥并開啟腔內(nèi)傳輸裝置，將基片傳送至相鄰真空設(shè)備的真空腔體內(nèi)；(5)關(guān)閉第二閘閥，向腔室內(nèi)充入氮?dú)?，使真空腔體內(nèi)的壓力升高到標(biāo)準(zhǔn)大氣壓后停止充氣。具體地，所述步驟(1)具體包括(11)當(dāng)?shù)谝还怆妭鞲衅鞲袘?yīng)到基片時(shí)，發(fā)送信號給控制器，控制器開啟腔外傳輸裝置，腔外傳輸裝置傳送所述基片；(12)當(dāng)?shù)诙怆妭鞲衅鞲袘?yīng)到基片時(shí)，發(fā)送信號給控制器，控制器控制打開第一間閥，腔外傳輸裝置將所述基片通過第一閘閥傳送到真空腔體內(nèi)；(1 當(dāng)?shù)谌怆妭鞲衅鞲袘?yīng)到基片時(shí)，發(fā)送信號給控制器，控制器開啟腔內(nèi)傳輸裝置，所述腔內(nèi)傳輸裝置傳送所述基片；(14)當(dāng)?shù)谒墓怆妭鞲衅鞲袘?yīng)到基片時(shí)，發(fā)送信號給控制器，控制器關(guān)閉腔外傳輸裝置及腔內(nèi)傳輸裝置，所述基片正對所述加熱器。所述步驟(2)具體包括關(guān)閉第一閘閥、第二閘閥及冷泵閥，開啟前期泵并打開前期泵閥進(jìn)行抽真空，當(dāng)真空腔體內(nèi)的壓力下降到一定程度，開啟冷泵并打開冷泵閥，將真空腔體內(nèi)抽至真空。所述步驟( 具體包括關(guān)閉冷泵閥、前期泵閥及第二閘閥，打開氮?dú)獬錃忾y向真空腔體內(nèi)充入氮?dú)?，?dāng)真空腔體內(nèi)的壓力升高到標(biāo)準(zhǔn)大氣壓時(shí)，停止充入氮?dú)?，關(guān)閉氮?dú)獬錃忾y。本實(shí)用新型實(shí)施例的真空基片加熱裝載設(shè)備對基片進(jìn)行加熱裝載的工作原理如下所述基片10進(jìn)入真空腔體60內(nèi)的原理過程當(dāng)靜止的基片10被位于最前端的第一光電傳感器422感應(yīng)到時(shí)，第一光電傳感器422發(fā)送感應(yīng)信號至控制器20，控制器20輸出控制信號啟動(dòng)腔外傳輸裝置52的電機(jī)，從而帶動(dòng)腔外的滾輪5M承載并傳送基片10 ；當(dāng)基片 10被第二光電傳感器4M感應(yīng)到時(shí)，控制器20接收到感應(yīng)信號并相應(yīng)地發(fā)送命令打開第二閘閥80 ；當(dāng)基片10被第三光電傳感器442感應(yīng)到時(shí)，受控制器20控制，所述腔內(nèi)傳輸裝置 54的電機(jī)啟動(dòng)，位于腔內(nèi)的滾輪5M開始轉(zhuǎn)動(dòng)，從而將從腔外滾輪5M傳送進(jìn)來的基片10 繼續(xù)傳送；當(dāng)基片10被第四光電傳感器444感應(yīng)到時(shí)，腔內(nèi)傳輸裝置M的電機(jī)停止轉(zhuǎn)動(dòng)， 基片10停止傳輸，基片10傳輸?shù)轿徽谜龑λ黾訜崞?0，同時(shí)腔外傳輸裝置52的電機(jī)也停止轉(zhuǎn)動(dòng)。抽真空的原理過程關(guān)閉本實(shí)用新型的真空基片加熱裝載設(shè)備的第一閘閥70和第二閘閥80，關(guān)閉冷泵閥34，開啟前期泵并打開前期泵閥36進(jìn)行抽真空，當(dāng)腔體60壓力下降到可以啟動(dòng)冷泵時(shí)，開啟冷泵，并打開冷泵閥34，抽真空達(dá)到本設(shè)備的工藝要求。當(dāng)腔體 60內(nèi)達(dá)到真空環(huán)境的要求時(shí)，開始對基片10進(jìn)行均勻加熱，并且對設(shè)備局部冷卻。基片10從腔體60傳輸出去的原理過程當(dāng)真空計(jì)32的壓力與相鄰的真空設(shè)備腔體內(nèi)的壓力一致時(shí)，打開第二閘閥80，腔內(nèi)傳輸裝置M電機(jī)開始轉(zhuǎn)動(dòng)，其上的滾輪5M帶動(dòng)基片10從腔體60內(nèi)傳輸出去；當(dāng)基片10被與本設(shè)備相鄰的腔體60內(nèi)的傳感器感應(yīng)時(shí)，基片10已離開第二閘閥80，腔內(nèi)傳輸裝置M的電機(jī)停止轉(zhuǎn)動(dòng)。充隊(duì)的原理過程關(guān)閉冷泵閥34、前期泵閥36、第一閘閥70和第二閘閥80，氮?dú)獬錃忾y38開始對腔體60充入氮?dú)猓拐婵涨惑w60內(nèi)的壓力升高到標(biāo)準(zhǔn)大氣壓。停止氮?dú)獬錃忾y38充氣。本實(shí)用新型的真空基片加熱裝載設(shè)備局部冷卻效果好，能同時(shí)保證設(shè)備不因基片的高溫而受損壞。具有較高的密封性，靜密封采用氟橡膠密封，動(dòng)密封采用磁流體密封。整個(gè)真空系統(tǒng)可以短時(shí)間內(nèi)達(dá)到高真空，并且可以在高真空與標(biāo)準(zhǔn)大氣壓之間頻繁快速切換。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于本實(shí)用新型的真空基片加熱裝載設(shè)備通過感應(yīng)裝置40來感應(yīng)基片的位置并將信息傳送給控制器20，通過控制器20控制腔外傳輸裝置52及腔內(nèi)傳輸裝置M從而將基片10傳送至真空腔體60內(nèi)，通過抽真空裝置3030將真空腔體60內(nèi)抽至真空狀態(tài)，在高真空的環(huán)境下利用加熱器90對基片10進(jìn)行加熱，動(dòng)作連貫，加熱后的基片10從真空腔體60的出口 66密封地傳送至下游真空設(shè)備內(nèi)進(jìn)行下一道工藝流程，既能對基片10進(jìn)行加熱處理，又能有效保證真空潔凈度，基片10傳輸出真空腔體60內(nèi)后，通過抽真空裝置30向真空腔體60內(nèi)充入氮?dú)猓梢詫⒄婵涨惑w60內(nèi)的壓強(qiáng)恢復(fù)至標(biāo)準(zhǔn)大氣壓， 從而又與外界大氣壓相等，可以實(shí)現(xiàn)對另一基片的加熱裝載，適用范圍廣泛，實(shí)用性強(qiáng)。通過控制器20與感應(yīng)裝置40、傳輸裝置50及抽真空裝置30的電連接，實(shí)現(xiàn)設(shè)備的自動(dòng)化控制，控制精度高，可靠性強(qiáng)。以上所揭露的僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)例而已，當(dāng)然不能以此來限定本實(shí)用新型之權(quán)利范圍，因此依本實(shí)用新型權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于本實(shí)用新型所涵蓋的范圍。
權(quán)利要求1.一種真空基片加熱裝載設(shè)備，適用于將基片傳送到真空環(huán)境下進(jìn)行加熱并將基片裝載至下游真空設(shè)備，其包括控制器、抽真空裝置、感應(yīng)裝置、傳輸裝置、加熱器及具有腔蓋的真空腔體，所述抽真空裝置、感應(yīng)裝置及傳輸裝置均與所述控制器電連接，所述真空腔體的前后兩端分別設(shè)置有入口及出口，所述出口與所述下游真空設(shè)備密封連接，所述真空腔體上還設(shè)置有通氣口，所述抽真空裝置與所述真空腔體的通氣口密封連接，其特征在于，所述傳輸裝置包括腔內(nèi)傳輸裝置及腔外傳輸裝置，所述腔內(nèi)傳輸裝置設(shè)置于所述真空腔體內(nèi)且對接于所述入口與所述出口之間，所述腔外傳輸裝置設(shè)置于真空腔體外且對接于所述入口處，所述腔內(nèi)傳輸裝置及腔外傳輸裝置形成基片的傳輸通道，所述感應(yīng)裝置包括腔內(nèi)感應(yīng)裝置及腔外感應(yīng)裝置，所述腔內(nèi)感應(yīng)裝置設(shè)置于所述腔內(nèi)傳輸裝置的兩端，所述腔外感應(yīng)裝置設(shè)置于所述腔外傳輸裝置的兩端，所述加熱器安裝在所述腔蓋上并位于所述真空腔體內(nèi)的上方且正對所述腔內(nèi)傳輸裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的真空基片加熱裝載設(shè)備，其特征在于，所述腔內(nèi)傳輸裝置包括電機(jī)、固定座、磁流體及若干滾輪，所述滾輪通過所述固定座安裝于所述真空腔體內(nèi)，所述滾輪用于傳輸所述基片，所述磁流體密封安裝于所述真空腔體上，所述電機(jī)安裝于所述真空腔體外且所述電機(jī)的輸出軸密封的穿過所述磁流體與所述滾輪連接，所述電機(jī)與所述控制器電連接從而帶動(dòng)所述滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)。
3.如權(quán)利要求1所述的真空基片加熱裝載設(shè)備，其特征在于，所述腔外傳輸裝置包括電機(jī)、固定座及若干滾輪，所述滾輪通過所述固定座安裝于所述真空腔體外且與所述腔內(nèi)傳輸裝置相對應(yīng)，所述電機(jī)與所述控制器電連接并帶動(dòng)所述滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)。
4.如權(quán)利要求1所述的真空基片加熱裝載設(shè)備，其特征在于，所述真空腔體的入口處設(shè)置有第一閘閥，所述出口處設(shè)置有第二閘閥，所述第一閘閥及第二閘閥分別與所述控制器電連接并分別對所述真空腔體的入口及處口進(jìn)行密封。
5.如權(quán)利要求1所述的真空基片加熱裝載設(shè)備，其特征在于，所述抽真空裝置包括真空計(jì)、冷凝泵、前期泵及充氮?dú)鈫卧?，所述冷凝泵、前期泵及充氮?dú)鈫卧謩e通過冷泵閥、前期泵閥、氮?dú)獬錃忾y與所述真空腔體的通氣口對接，所述真空計(jì)連接于所述通氣口處。
6.如權(quán)利要求1所述的真空基片加熱裝載設(shè)備，其特征在于，所述腔外感應(yīng)裝置包括第一光電傳感器及第二光電傳感器，所述第一光電傳感器及第二光電傳感器分別設(shè)置于所述腔外傳輸裝置的前后兩端，所述腔內(nèi)感應(yīng)裝置包括第三光電傳感器及第四光電傳感器， 所述第三光電傳感器及第四光電傳感器分別設(shè)置于所述腔內(nèi)傳輸裝置的前后兩端。
7.如權(quán)利要求1所述的真空基片加熱裝載設(shè)備，其特征在于，所述腔內(nèi)傳輸裝置、腔外傳輸裝置、腔體及腔蓋上均安裝有冷卻管。
8.如權(quán)利要求1所述的真空基片加熱裝載設(shè)備，其特征在于，所述真空腔體的腔蓋上設(shè)置有傳感器，用于感應(yīng)腔蓋的關(guān)閉。
9.如權(quán)利要求1所述的真空基片加熱裝載設(shè)備，其特征在于，所述真空腔體的腔蓋上設(shè)置有減震器。
10.如權(quán)利要求1所述的真空基片加熱裝載設(shè)備，其特征在于，所述加熱器為紅外線燈管。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種真空基片加熱裝載設(shè)備，包括控制器、電熱器、具有腔蓋的真空腔體及與控制器電連接的抽真空裝置、感應(yīng)裝置、傳輸裝置，真空腔體設(shè)置有入口、與下游真空設(shè)備密封連接的出口及與抽真空裝置對接的通氣口，傳輸裝置包括腔內(nèi)傳輸裝置及腔外傳輸裝置，腔內(nèi)傳輸裝置設(shè)置于入口與出口之間，腔外傳輸裝置對接于入口處，腔內(nèi)傳輸裝置及腔外傳輸裝置形成基片的傳輸通道，感應(yīng)裝置包括設(shè)置于腔內(nèi)傳輸裝置兩端的腔內(nèi)感應(yīng)裝置及設(shè)置于腔外傳輸裝置兩端的腔外感應(yīng)裝置，加熱器安裝在腔蓋上并正對腔內(nèi)傳輸裝置。本實(shí)用新型的真空基片加熱裝載設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)對基片進(jìn)行加熱、裝載且具有較高真空潔凈度。
文檔編號C23C16/46GK201952487SQ20102063649
公開日2011年8月31日 申請日期2010年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月1日
發(fā)明者余超平, 劉惠森, 楊明生, 王勇, 王曼媛, 范繼良 申請人:東莞宏威數(shù)碼機(jī)械有限公司